子分类：
- H01H2059/0018： ..为避免电荷俘获的特殊设备,例如驱动电极之间的绝缘层通过电荷俘获被永久极化,导致驱动或释放电压被改变
- H01H2059/0027： ..可移动电极在打开位置接地,用于改善隔离
- H01H2059/0036： ..用于高速开关的高谐振频率可移动衔铁
- H01H2059/0045： ..具有S形可动电极,定位和连接在两个驱动固定电极之间,例如当施加驱动电压时可动电极横向移动
- H01H2059/0054： ..滚动触点或动作构件
- H01H2059/0063： ..具有步进驱动的,例如在驱动期间,在不同的时间或不同的弹簧常数下,将驱动电压施加到不同的电极组
- H01H2059/0072： ..带有塞子或凸起用于保持一个间隙,减小接触面积或防止在吸引位置的可动和固定电极之间的静摩擦
- H01H2059/0081： ..在固定和移动电极之间具有锥形气隙
| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 121 | 使用精细液态金属熔滴的形状变化的RFMEMS开关 | CN201080051447.1 | 2010-11-10 | CN102640249B | 2015-01-07 | 金俊源; 孙晟儫; 严淳永; 朴优成; 白承凡 |
| 本发明提供了使用精细液态金属熔滴的RF MEMS开关，该RF MEMS开关能够被快速地操作且对冲击和运动是稳固的。根据本发明的一个实施方式，使用精细液态金属熔滴的RF MEMS开关包括：第一层构件，其包括信号传输线；第二层构件，其布置在第一层构件上，形成室以便通过处理信号传输线而引起精细液态金属熔滴的形状变化，并且在室的一侧上形成通孔，以便使信号传输线与形状在室中被改变的精细液态金属熔滴接触或不接触；操作构件，其布置在第二层构件上，且定位在室的开口侧上，以便通过室的开口侧将形状变化的能力提供给精细液态金属熔滴；以及第三层构件，其调整操作构件的位置，并且与第一层构件和第二层构件耦合。 | ||||||
| 122 | 具有格栅作为中间电极的RFMEMS开关 | CN201080019992.2 | 2010-05-07 | CN102422373B | 2014-09-17 | 皮特·杰拉德·斯普内肯; 希尔柯·瑟伊; 罗尔多夫·赫图斯特; 特温·范利庞 |
| 本发明提供了一种电容性MEMS器件，包括：第一电极，处于平面中；以及第二电极，悬挂于第一电极的上方并且能够相对于第一电极移动。第一电极用作致动电极。在第一电极和第二电极之间存在间隙。第三电极位于第一电极和第二电极之间，间隙在第三电极和第二电极中间。第三电极中具有一个或多个孔，所述一个或多个孔优选被排列为有序阵列或不规则阵列。本发明的一方面集成了导电格栅(例如金属格栅)作为中间(或第三)电极。本发明的一个优点在于能够减小现有技术中的至少一个问题。该优点使得能够对开关的拉入电压和释放电压进行独立控制。 | ||||||
| 123 | 开关及其制造方法以及静电继电器 | CN201110037186.4 | 2011-02-14 | CN102194613B | 2014-09-17 | 吉武直毅; 增田贵弘 |
| 一种开关及其制造方法以及继电器，使用硬度高的触点材料形成对置面积大的触点。可动触点部(34)移动方向的端面与固定触点部(33)的端面对置。固定触点部(33)在固定触点基板(41)的上方通过蒸镀、溅射、电镀等交互层叠多层缓冲层(44)和导电层(45)。导电层(45)的与可动触点部(34)对置的端部比缓冲层(44)的端面更突出，导电层(45)的端面成为固定触点(46)(接触面)。可动触点部(34)在可动触点基板(51)上通过蒸镀、溅射、电镀等交互层叠多层缓冲层(54)和导电层(55)。导电层(55)的与固定触点部(33)对置的端部比缓冲层(54)的端面更突出，导电层(55)的端面成为可动触点(56)(接触面)。 | ||||||
| 124 | 功率放大器及功率放大器的桥式电路 | CN201010114944.3 | 2010-02-25 | CN102170272B | 2014-06-18 | 张镭; 黄河 |
| 一种功率放大器及功率放大器的桥式电路，其中，所述功率放大器包括比较器、桥式电路和低通滤波器，比较器用以接收第一模拟信号，比较第一模拟信号与参考信号并输出方波信号；桥式电路用以放大所述方波信号并将所述放大的方波信号输出；低通滤波器用以将所述放大的方波信号转换为第二模拟信号；所述桥式电路包括第一MEMS开关和第二MEMS开关，第一MEMS开关和第二MEMS开关分别在所述方波信号为不同极性时导通，并分别输出第一电压信号和第二电压信号，所述放大的方波信号包括交替输出的所述第一电压信号和第二电压信号。本发明用MEMS开关代替现有功率放大器中的MOS管，因此，功耗低，所有器件占用的面积小、成本低。 | ||||||
| 125 | 基于限流装置的可复位MEMS微开关阵列 | CN200780100111.8 | 2007-06-20 | CN101772814B | 2014-04-30 | W·J·普雷默拉尼; K·苏布拉马尼安; R·J·卡加诺; C·S·皮岑; B·C·孔菲尔; D·J·勒斯利; J·I·赖特 |
| 本发明包括一种过电流保护方法。该方法包括：监测流过多个微机电切换系统装置的负载电流的负载电流值；确定所监测的负载电流值是否相对于预定负载电流值发生了变化；以及如果所监测的负载电流值相对于预定负载电流值发生了变化，则生成故障信号。该方法还包括：响应故障信号，将负载电流从所述多个微机电切换系统装置转移开；以及确定负载电流值的变化是由于真实的故障跳闸还是由于虚假的干扰跳闸引起的。 | ||||||
| 126 | 液态微机电系统电容器 | CN201310409827.3 | 2013-09-10 | CN103680960A | 2014-03-26 | 艾哈迈德礼萨·罗福加兰 |
| 本发明涉及一种液态微机电系统电容器，其包括第一电容器板，第二电容器板，通道，电介质掺杂微滴，以及微滴致动模块。所述通道被实施或被嵌入在板的一个或多个层中，以及所述电介质掺杂微滴被包含在所述通道中。微滴致动模块，其可操作改变相对于第一和第二电容器板的电介质掺杂微滴，其中所述第一和第二电容器板接近所述通道并彼此间隔距离，从而改变所述液态MEMS电容器的介质特性。 | ||||||
| 127 | 用于车辆电池系统的继电器模块 | CN201210520152.5 | 2012-12-06 | CN103515155A | 2014-01-15 | 崔溶桓; 金达; 方俊鎬 |
| 本发明提供了一种用于车辆电池系统的继电器模块，其包括：可移动单元，其被配置成通过继电器内的线圈所产生的磁场和复位弹簧而被移动，并控制继电器电极之间的电连接状态；以及安装在可移动单元和固定单元之间的微传感器，所述微传感器相对于可移动单元保持固定位置，并且被配置成取决于可移动单元相对于固定单元的位置变化而诱发电物理量的变化。 | ||||||
| 128 | MEMS静态存储器及MEMS可编程器件 | CN201010618215.1 | 2010-12-31 | CN102543173B | 2014-01-08 | 张镭; 江伟辉; 许程凯; 唐德明 |
| 一种MEMS静态存储器及MEMS可编程器件，MEMS静态存储器的存储单元包括三个MEMS开关器件，所述MEMS开关器件包括第一端、第二端、第三端和控制端，所述控制端用于控制所述第三端与第一端和第二端中的一个电性导通，其中，第一MEMS开关器件的第一端和第二端分别输入逻辑低电平和逻辑高电平；第二MEMS开关器件的第一端为高阻，第二端连接所述第一MEMS开关器件的控制端，控制端连接写字线，第三端连接写位线；第三MEMS开关器件的第一端为高阻，第三端连接读位线，控制端连接读字线，第二端连接所述第一MEMS开关器件的第三端。本发明MEMS静态存储单元的输出信号完全来自逻辑高、低电平，改善了信号完整性。 | ||||||
| 129 | 电子器件及其制造方法、电子器件的驱动方法 | CN201180069268.5 | 2011-06-02 | CN103430272A | 2013-12-04 | 岛内岳明; 豊田治; 上田知史 |
| 本申请的提供一种提高电子器件的可靠性的电子器件及其制造方法、电子器件的驱动方法。所述电子器件（20）包括：基材（21）；导电膜（31），具备固定在基材（21）上的第一端部（33）和第二端部（34），在第一端部（33）和第二端部（34）之间相对于基材（21）能够横向移动；第一驱动电极（25），设置于基材（21）上的与导电膜（31）的第一主表面（31a）相向的位置，并被施加第一驱动电压（V1）；第二驱动电极（26），设置于基材（21）上的与导电膜（31）的第二主表面（31b）相向的位置，并被施加第二驱动电压（V2）；端子（28），设置于基材（21）上的能够与导电膜（31）的第二主表面（31b）接触的位置。 | ||||||
| 130 | 具有导电机械停止器的MEMS微开关 | CN200810188424.X | 2008-12-22 | CN101533740B | 2013-11-13 | X·王; K·苏布拉马尼安; C·F·凯梅尔; M·F·艾米; K·V·S·R·基肖尔; G·S·克莱顿; O·C·布姆豪尔; P·萨克尔 |
| 本发明涉及一种具有导电机械停止器的MEMS微开关。MEMS开关30、50、60、70、80包含衬底32、耦接到该衬底32的活动致动器53、63、83，衬底接触35、85，衬底电极36、56、86，和电耦接到该活动致动器33、63、83并被构造为防止该活动致动器33、63、83与衬底电极36、56、86接触，但允许该活动致动器33、63、83与衬底接触35、85形成接触的导电停止器39、59、69、79。 | ||||||
| 131 | 静电继电器 | CN201010559699.7 | 2010-11-25 | CN102194612B | 2013-11-06 | 增田贵弘; 山本淳也 |
| 一种静电继电器，可动触点以及可动电极与基体基板平行地位移，其中，能够增大使可动电极离开固定电极时的分离力，并且使结构简单化，提高设计的自由度。在基体基板(32)上固设固定触点部(33)和固定电极部(35)。固定电极部(35)和可动电极部(36)构成使可动触点部(34)与可动电极部(36)一同位移的静电促动器。设于弹簧支承部(38、39)的可动弹簧(37a、37b)保持可动电极部(36)并使其可位移。在弹簧支承部(38)设置悬臂状的二次弹簧(84)，在可动电极部(36)的前端面设置突起部(85)。二次弹簧(84)在可动触点部(34)以及可动电极部(36)位移后且可动触点部(34)的可动触点(56)与固定触点部(33)的固定触点(46a、46b)抵接之前与突起部(85)抵接，并且在抵接到突起部之前不变形。 | ||||||
| 132 | 开关结构 | CN201010258366.0 | 2010-08-13 | CN102176391B | 2013-08-21 | 王雪峰; M·F·艾米; S·班萨尔; C·F·凯梅尔; K·V·S·R·基肖尔; K·苏尔布拉马尼安; D·帕特罗; V·K·辛哈; O·普拉卡什 |
| 本发明涉及一种开关结构，具体而言，提供了一种诸如开关结构(100)的装置，该装置包括触头(102)和导电元件(104)。该导电元件可构造成可选择性地在非接触位置和接触位置之间运动，在非接触位置上，导电元件与触头分开(在一些情况下，分开小于或等于约4μm的距离，而在其它情况下，分开小于或等于约1μm的距离)，在接触位置上，导电元件与触头接触，且与该触头建立电连通。当导电元件设置在非接触位置上时，触头和导电元件可构造成支持在其之间的、带有大于320Vμm-1的量值的电场和/或约330V或更大的电势差。 | ||||||
| 133 | 基于远程可操作微机电系统的过流保护设备 | CN200780100251.5 | 2007-06-20 | CN101874333B | 2013-07-31 | W·J·普雷默拉尼; K·苏布拉马尼安; R·J·卡加诺; C·S·皮岑; B·C·孔菲尔; D·J·勒西利; C·F·基梅尔 |
| 本发明提供了远程可操作过流保护设备。该设备包括整体布置在电流路径上的控制电路和安置在该电流路径上的微机电系统(MEMS)开关，该MEMS开关响应于该控制电路以便于中断通过该电流路径的电流。该设备进一步包括与该控制电路信号连接的通信连接，使得该控制电路响应于该通信连接上的控制信号，以控制该MEMS开关的状态。 | ||||||
| 134 | 微机械的元件以及用于制造微机械的元件的方法 | CN200980114990.9 | 2009-03-13 | CN102015523B | 2013-04-10 | T·布克; M·斯图姆贝尔 |
| 用于制造微机械的元件的方法，其中对至少具有金属层(3、6、7、7’)以及包含SiGe的牺牲层(5、5’)的基底(1)进行结构化，并且其中还通过用含氟的化合物例如ClF3进行的蚀刻至少部分地再去除所述牺牲层(5、5’)，其中，在蚀刻所述牺牲层(5、5’)之前，将带有所述牺牲层(5、5’)和所述金属层(3、6、7、7’)的所述基底(1)在≥100℃到≤400℃的温度下进行回火。所述金属层(3、6、7、7’)的材料可以包括铝。此外，本发明涉及一种包括金属层(3、6、7、7’)的微机械的元件，其中所述金属层的材料以多晶的组织存在，并且其中≥90％的晶粒具有≥1μm到≤100μm的尺寸，并且将这种微机械的元件用作压力传感器、高频开关或者变容二极管。 | ||||||
| 135 | 射频微机电系统及其制造方法 | CN200480032237.2 | 2004-10-26 | CN1875447B | 2013-03-20 | J·M·J·登通德; A·R·范迪肯; T·G·S·M·里克斯; J·T·M·范比克 |
| 一种RF MEMS装置，包括一个或多个配置成响应于致动或激励而移动的自支撑薄膜，该一个或多个薄膜包括铝和镁的合金，可选地包括一种或多种另外的材料。最终的薄膜相对于传统薄膜具有提高的硬度和减小的蠕变。 | ||||||
| 136 | 平面腔体微机电系统及相关结构、制造和设计结构的方法 | CN201180025549.0 | 2011-06-08 | CN102906871A | 2013-01-30 | G.A.邓巴; 何忠祥; J.C.马林; W.J.墨菲; A.K.斯坦珀 |
| 一种形成至少一个微机电系统（MEMS）的方法包括：在衬底上形成下布线层。该方法还包括：自下布线层形成多个分离布线（14）。该方法还包括：在多个分离布线之上形成电极梁（38）。电极梁和多个分离布线的形成的至少之一形成有最小化后续硅沉积（50）中的小丘和三相点的布局。 | ||||||
| 137 | 平面腔体微机电系统及相关结构、制造和设计结构的方法 | CN201180025550.3 | 2011-06-08 | CN102906010A | 2013-01-30 | R.T.赫林; C.V.扬斯; A.K.斯坦珀; E.J.怀特 |
| 一种形成至少一个微机电系统（MEMS）腔体（60b）的方法包括：在布线层（14）和衬底（10）上方形成第一牺牲腔体层（18）。该方法还包括在第一牺牲腔体层上方形成绝缘体层（40）。该方法还包括在绝缘体层上执行反向镶嵌回蚀刻工艺。该方法还包括平坦化绝缘体层和第一牺牲腔体层。该方法还包括将第一牺牲腔体层排放或剥离为MEMS的第一腔体（60b）的平面表面。 | ||||||
| 138 | 平面腔体微机电系统及相关结构、制造和设计结构的方法 | CN201180025546.7 | 2011-06-08 | CN102906009A | 2013-01-30 | D.丹格; T.多安; G.A.邓巴; 何忠祥; R.T.赫林; C.V.扬斯; J.C.马林; W.J.墨菲; A.K.斯坦珀; J.G.通布利; E.J.怀特 |
| 本发明提供了平面腔体微机电系统（MEMS）结构、制造和设计结构的方法。该方法包括：采用反向镶嵌工艺形成至少一个微机电系统（MEMS）腔体（60a，60b），该至少一个微机电系统腔体具有平面表面。 | ||||||
| 139 | 集成式机电致动器 | CN201180016557.9 | 2011-03-29 | CN102822931A | 2012-12-12 | M·德蓬 |
| 本发明提供了一种集成式机电致动器和一种用于制造此类集成式机电致动器的方法。所述集成式机电致动器包括致动器电极之间的静电致动器间隙和接触电极之间的电接触间隙。在所述致动器电极与所述接触电极之间提供具有倾斜角的倾斜。此电接触间隙的厚度等于在制造过程中通过蚀刻被除去的牺牲层的厚度。 | ||||||
| 140 | 具有改良RF热切换性能及可靠性的微机械数字电容器 | CN201080047652.0 | 2010-10-01 | CN102640410A | 2012-08-15 | 理查德·L·奈普; 罗伯图斯·P·范坎彭; 阿纳特兹·乌纳穆诺 |
| 本发明一般涉及能够热切换的RF MEMS装置。RF MEMS装置通过利用一或多个弹簧机构能够热切换。在某些实施例中，可以使用在MEMS装置的悬臂的位移中的特定点转为啮合的两组或两组以上弹簧。弹簧允许显著增加给定拉入下落电压的释放电压。 | ||||||
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