序号 专利名 申请号 申请日 公开(公告)号 公开(公告)日 发明人
201 可变电容元件 CN200480001355.7 2004-07-07 CN1706066A 2005-12-07 吉田康一; 小口貴弘; 小中羲宏
为了在温度变化时通过持续弯曲可移动部分来稳定地改变电容,从而提高可靠性。利用支撑部分4、支柱7等在基片上设置可移动部分6以便于移动。在可移动部分6的面向导体的表面6A上设置绝缘薄膜8和可移动电极9。驱动电极13可用于将可移动部分6等移到信号切断位置和信号通过位置之间,从而将通过传输线3传送的高频信号切断或允许其通过。在此情况下,绝缘薄膜8利用其压将可移动部分6和可移动电极9以凸起的形式往向传输线3的方向弯曲并持续地保持这一弯曲方向。这能防止可移动电极9和传输线3之间的电容随由温度上升或下降所引起的可移动部分6等的弯曲方向的变化而变化,并使其能执行稳定的切换操作。
202 可靠的相对接触体结构及其制备技术 CN03824828.X 2003-08-28 CN1695217A 2005-11-09 马青; 克拉马哈提·拉维; 瓦卢里·拉奥
具有多个接触表面的开关结构,所述接触表面可以互相接触。接触表面中的一个或多个可以用弹性材料,比如金刚石来涂覆。
203 电子部件 CN01140877.4 1997-08-26 CN1222972C 2005-10-12 坂田稔; 中岛卓哉; 积知范; 藤原照彦; 竹内司
一种电子部件,使玻璃材料制成的盖罩与材料制成的底座连接和集成,对与基片上的内部部件组装的电子器件芯片进行树脂模塑,从而用模塑覆盖盖罩,暴露底座底表面。借助设置在盖罩的通孔,内部部件与基片的外接线端电连接。在暴露于基片之外的底座底表面上设置散热片。这样可以获得易于辐射热量的电子部件,并且能够防止发生故障和工作特性的改变。
204 电子机械装置 CN200510069737.X 2005-02-16 CN1677597A 2005-10-05 N·C·莱尔切; J·E·布洛克斯; A·F·范纳鲁索
发明涉及一种装置,其包括含有微电子机械元件的开关,该微电子机械元件包括容纳电介质元件的密封腔和密封腔中的导体。设置该导体使得高于预定电压的电压施加到至少一个导体上,引起电介质元件的电离击穿而在导体间提供了导电路径。在另一实施例中,开关包括纳米管电子发射器或放射性同位素电子发射器。
205 一种微机电开关 CN02807861.6 2002-03-20 CN1221468C 2005-10-05 P·哈尔比约尔纳; E·卡尔松
发明提出了一种微机电开关,其特性可通过施加控制信号来改变,既可改变一个或多个微机电开关的参数,也可通过反馈信号控制杆的移动。因此,可以改变微机电开关的开关过渡时间、最大开关频率、动误差,和/或灵敏度(促动电压)。
206 一种微机电开关 CN02807853.5 2002-03-20 CN1216792C 2005-08-31 P·哈尔比约尔纳
一种带有可连续控制杆的微机电开关结构。通过在靠近杆投影处但在杆投影外增设的促动电极可连续控制杆。杆垂直投影到促动电极的平面上。通过将促动电极设置在杆的旁边而不是在杆的下面,促动电极可以连续控制杆从静止位置移动到完全促动状态。
207 机电系统方法 CN03811935.8 2003-03-17 CN1656643A 2005-08-17 马奈斯·埃利亚西恩; 凯恩·莲; 刘俊华; 罗伯特·B·伦普考斯基
使用标准的印刷线路板和高密度互连技术与实践,形成了具有悬臂梁的中尺度MEMS装置。该梁包括至少是一些聚合物材料以构成其长度,在一些实施例中还包含导体材料作为其承受载荷部件。在各种实施例中,该梁被固定在靠近其一端的位置,或远离其一端的位置。
208 包括微机械开关电子器件 CN00806115.7 2000-12-08 CN1197108C 2005-04-13 I·D·弗伦克
一种制造包括集成电路器件的电子器件的方法,该集成电路器件具有在一个共同的衬底(2)上提供的微机械开关(10)和薄膜电路部件(20)。微机械开关(10)具有在各自牺牲区上面延伸的接触横梁(12)。在分配给微机械开关的衬底区中用于形成薄膜电路部件的部件层(5)被用作牺牲区。这使得不同层能够在开关与部件之间共享。可为接触横梁提供辅助的支持层(50)以保护它们在随后的处理和制造阶段免遭损坏。此支持层的一部分在完成的器件中可被留下附在横梁上以增加强度。
209 静电激励器 CN02151585.9 2002-10-24 CN1193926C 2005-03-23 铃木健一郎
静电激励器,包括:上部结构,它通过悬臂连接到衬底上形成的并支承在衬底上面的空间中的支承底部;下部结构,它设在衬底中与上部结构相对的位置中;倾斜结构,它相对于上部结构和下部结构之一设置,使上部结构和下部结构之间的距离小;和一个或多个电极,其按与倾斜结构对应的关系相对另一结构设置。
210 微型继电器 CN99816420.8 1999-02-04 CN1173398C 2004-10-27 厄皮利·斯里达; 维克托·D·桑珀; 符芳涛; 德克·瓦格纳; 凯·克鲁普卡; 赫尔穆特·施拉克
提供了一种包括S形支撑元件的微结构继电器。S形支撑元件在继电器中产生了多余行程,用以在继电器的整个寿命期限中产生高的接触和低的接触电阻。在支撑元件上适当部位的压应力和拉应力引发层使之按所需弯曲。
211 一种微机电开关 CN02807861.6 2002-03-20 CN1500063A 2004-05-26 P·哈尔比约尔纳; E·卡尔松
发明提出了一种微机电开关,其特性可通过施加控制信号来改变,既可改变一个或多个微机电开关的参数,也可通过反馈信号控制杆的移动。因此,可以改变微机电开关的开关过渡时间、最大开关频率、动误差,和/或灵敏度(促动电压)。
212 机电系统装置 CN03149582.6 2003-07-15 CN1495916A 2004-05-12 北川光彦; 相泽吉昭
发明提供一种MEMS装置,尽量抑制噪声的产生且可以得到高的可靠性。其具备:发光电路(2),含有发光元件(2a)、射出光;受光电路(5),具有多个接受从上述发光电路射出的光、发生电压的受光元件(51、……、5n)串联连接的串联电路;及MEMS构造部(10),被通过上述受光电路发生的电压驱动。
213 静电射频微电机械系统开关 CN03154570.X 2003-08-19 CN1485873A 2004-03-31 宋寅相; 金永一; 李文喆; 沈东河; 弘荣泽; 朴仙姬; 南光佑
一种微型开关,包括:形成在基底上的电介质层,该电介质层具有移动区;导电层,形成在移动区的预定部分上;电介质薄膜,形成在导电层上;第一和第二电导体,在电介质薄膜的上方的预定距离形成;一个或两个下电极,形成在移动区上;以及一个或两个上电极,在下电极上方的预定距离形成,当在上电极和下电极之间产生静电时,两个上电极导致导电层和电介质薄膜向上移动,并且使第一和第二电导体电容联接,以便使电流在第一和第二电导体之间流动。这种微型开关的通断率和隔离度高,结构简单,并且可以以非常简单的加工过程制造。
214 静电激励器 CN02151585.9 2002-10-24 CN1448333A 2003-10-15 铃木健一郎
静电激励器,包括:上部结构,它通过悬臂连接到衬底上形成的并支承在衬底上面的空间中的支承底部;下部结构,它设在衬底中与上部结构相对的位置中;倾斜结构,它相对于上部结构和下部结构之一设置,使上部结构和下部结构之间的距离小;和一个或多个电极,其按与倾斜结构对应的关系相对另一结构设置。
215 微机械元件的控制方法及配置 CN01811158.0 2001-04-12 CN1436357A 2003-08-13 T·赖海宁; V·埃尔莫洛夫
发明涉及微机械元件的控制。特别是本发明涉及微机械开关的控制。按照控制至少一个微机械元件的方法,一个第一控制信号和一个第二控制信号被传递给微机械元件。第二控制信号被设置为将微机械元件置于激活态,第一控制信号被设置为将微机械元件保持在激活态。用于控制至少一个微机械元件(402)的配置,包括至少一个用于产生至少一个第一控制信号和一个第二控制信号的装置,用于提升至少第二控制信号电压电平的装置,以及将第一控制信号和已提升电压电平的第二控制信号传递给微机械元件的装置。通过本发明,较低的电压电平可以用于微机械领域。
216 可变电容器及相关的制造方法 CN00803826.0 2000-11-28 CN1408120A 2003-04-02 阿伦·B·考恩; 维加库玛·R·度勒; 爱德华·A·希尔; 戴维·A·科斯特; 拉玛斯瓦米·马哈德万
提供一种有低损耗和相应的高Q值的可变电容器。除了基片外,该可变电容器包括配置在该基片上的至少一个基片电极和一基片电容器板,它们由低电阻材料如HTS材料或厚金属层形成。可变电容器还包括一双晶构件,它由基片向外延伸并覆盖在至少一个基片电极之上。双晶构件包括由具有不同热膨胀系数的材料形成的第一和第二层。双晶构件的第一和第二层限定至少一个双晶电极和双晶电容器板,使得在基片电极和双晶电极间建立的电压差能使双晶构件相对于基片电极移动,从而改变极间距离和电容器板间的距离。因此,可变电容器的电容量可根据双晶构件及其下面的基片间的相对间距而控制。还提供一种方法以微细加工或者用别的方式制造一可变电容器,其电极和电容器板由低电阻材料形成,使所得的电容器有低损耗和相应的高Q值。该可变电容器因此可用于高频应用,例如某些可调谐滤波器所需要的。
217 包括微机械开关电子器件 CN00806115.7 2000-12-08 CN1346503A 2002-04-24 I·D·弗伦克
一种制造包括集成电路器件的电子器件的方法,该集成电路器件具有在一个共同的衬底(2)上提供的微机械开关(10)和薄膜电路部件(20)。微机械开关(10)具有在各自牺牲区上面延伸的接触横梁(12)。在分配给微机械开关的衬底区中用于形成薄膜电路部件的部件层(5)被用作牺牲区。这使得不同层能够在开关与部件之间共享。可为接触横梁提供辅助的支持层(50)以保护它们在随后的处理和制造阶段免遭损坏。此支持层的一部分在完成的器件中可被留下附在横梁上以增加强度。
218 包含具有工作频率的微机械谐振器的装置及扩展该频率的方法 CN00805024.4 2000-01-14 CN1345480A 2002-04-17 C·T·C·恩古芸; M·麦科克代尔; K·王
用多晶表面微加工工艺制造一种弯曲振动的微机构谐振器,该谐振器采用非侵入的支持构件在30~90MHz的VHF频率取得高达8400的Q值。本发明还公开一种增加谐振器以及其它类似微机构谐振器操作频率的方法。方法的一个实施例称作差动信号法。方法的另一实施例称作微凹部下降法。支承构件包括形为梁的一个或多个扭转式支承簧(16),这种梁由于四分之一波长变换而可有效地使谐振器梁与其锚定件18隔振,可尽可能减小锚定损耗,并可使谐振器达到高的Q值,而且在VHF频率范围内具有高度刚性。谐振器还包括一个或多个形成在弯曲谐振梁(12)或底衬上的形为微凹部的间隔器(26)。在操作时,微凹部(26)确定谐振器的电容换能器间隙。当在驱动电极(20)和谐振梁(12)之间加上大的直流偏压时,该微凹部(26)在弯曲谐振器梁(12)和驱动电极(20)之间形成预定的最小距离。
219 微型继电器及其制造方法 CN97198654.1 1997-08-26 CN1082237C 2002-04-03 坂田稔; 中岛卓哉; 积知范; 藤原照彦; 竹内司
由单晶制成的薄片状基片21设置有压电元件24,其一个表面设置有可动触点25的可动片20的两端固定和支撑在底座11。然后,通过借助电压元件24使可动片20弯曲,可动触点25与面对可动触点的一对固定触点38和39接触和脱离接触。按此配置,可以获得超小型微型继电器,其具有的机械接触机理在接通其触点时的电阻较小,同时具有期望的抗震性、频率特性和绝缘性能。
220 微型继电器 CN99816420.8 1999-02-04 CN1338116A 2002-02-27 厄皮利·斯里达; 维克托·D·桑珀; 符芳涛; 德克·瓦格纳; 凯·克鲁普卡; 赫尔穆特·施拉克
提供了一种包括S形支撑元件的微结构继电器。S形支撑元件在继电器中产生了多余行程,用以在继电器的整个寿命期限中产生高的接触和低的接触电阻。在支撑元件上适当部位的压应力和拉应力引发层使之按所需弯曲。
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