子分类：
- H01H2059/0018： ..为避免电荷俘获的特殊设备,例如驱动电极之间的绝缘层通过电荷俘获被永久极化,导致驱动或释放电压被改变
- H01H2059/0027： ..可移动电极在打开位置接地,用于改善隔离
- H01H2059/0036： ..用于高速开关的高谐振频率可移动衔铁
- H01H2059/0045： ..具有S形可动电极,定位和连接在两个驱动固定电极之间,例如当施加驱动电压时可动电极横向移动
- H01H2059/0054： ..滚动触点或动作构件
- H01H2059/0063： ..具有步进驱动的,例如在驱动期间,在不同的时间或不同的弹簧常数下,将驱动电压施加到不同的电极组
- H01H2059/0072： ..带有塞子或凸起用于保持一个间隙,减小接触面积或防止在吸引位置的可动和固定电极之间的静摩擦
- H01H2059/0081： ..在固定和移动电极之间具有锥形气隙
| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 81 | 微机电系统开关 | CN200610163108.8 | 2006-11-30 | CN1983491A | 2007-06-20 | 金载兴; 崔蓥; 宋寅相; 李相勋; 权相旭 |
| 本发明涉及一种MEMS(微机电系统)开关，其包括：基板；形成在基板上侧的固定电极；形成在固定电极两侧的信号线；与所述固定电极间隔一定距离地形成在信号线上侧并接触信号线边缘部分的接触部件；支承接触部件可移动的支承部件；以及设置在支承部件上侧的移动电极。 | ||||||
| 82 | 采用微型机电系统的开关 | CN200610164502.3 | 2006-12-06 | CN1979715A | 2007-06-13 | 福田宏; 峰利之 |
| 本发明提供一种双稳态MEMS开关，其小型、结构简单、可低电压驱动、保持状态长期稳定、且和半导体集成电路的混载容易。包括：衬底(101)、与上述衬底(101)隔着空气隙(103)地设置并由静电力引起弹性形变的膜片(134)、设置于衬底(101)的开关驱动电极(102)、以及设置于膜片(134)的开关驱动电极107。并且，电荷蓄积电极(105)位于开关驱动电极(102)和开关驱动电极(107)之间，并设置于膜片(134)。当在电荷蓄积电极(105)上蓄积了电荷时，电荷蓄积电极(105)和开关驱动电极(102)之间产生静电力(F)，膜片(134)变形。 | ||||||
| 83 | 可变电容元件 | CN200480001355.7 | 2004-07-07 | CN1310374C | 2007-04-11 | 吉田康一; 小口貴弘; 小中義宏 |
| 为了在温度变化时通过持续弯曲可移动部分来稳定地改变电容，从而提高可靠性。利用支撑部分(4)、支柱(7)等在基片上设置可移动部分(6)以便于移动。在可移动部分(6)的面向导体的表面(6A)上设置绝缘薄膜(8)和可移动电极(9)。驱动电极(13)可用于将可移动部分(6)等移到信号切断位置和信号通过位置之间，从而将通过传输线(3)传送的高频信号切断或允许其通过。在此情况下，绝缘薄膜(8)利用其压力将可移动部分(6)和可移动电极(9)以凸起的形式往向传输线(3)的方向弯曲并持续地保持这一弯曲方向。这能防止可移动电极(9)和传输线(3)之间的电容随由温度上升或下降所引起的可移动部分(6)等的弯曲方向的变化而变化，并使其能执行稳定的切换操作。 | ||||||
| 84 | 可弯折接触开关 | CN200580010340.1 | 2005-03-02 | CN1938807A | 2007-03-28 | T·-K·A·仇; H·巴 |
| 本发明的实施例描述了接触开关，该接触开关可以包括底电极结构和顶电极结构，底电极结构包括底驱动电极，顶电极结构包括顶驱动电极和一个或多个当开关在弯折状态时能保持顶电极和底电极之间的预先确定的间隙的止动件。 | ||||||
| 85 | 采用MEMS技术的半导体器件 | CN200610073884.9 | 2006-04-06 | CN1848472A | 2006-10-18 | 大黑达也 |
| 根据本发明一个实施例的采用MEMS技术的半导体器件包含：空腔；提供在空腔下部的下电极；提供在空腔上部或内部的致动器；连接到致动器的上电极；以及经由其底部表面被提供在空腔中下电极上部表面上方的接触孔而在空腔外与下电极相接触的导电层。 | ||||||
| 86 | 静电微触点通断器及其制造方法、使用该通断器的装置 | CN200610064810.9 | 2006-03-14 | CN1848344A | 2006-10-18 | 增田贵弘; 积知范 |
| 静电微触点通断器及其制造方法、使用该通断器的装置。本发明的静电微继电器(10)通过在设于基座(11)上的固定电极(12)和致动器(21)的可动电极(24)之间施加电压而产生的静电引力来驱动可动电极(24)，使设于致动器(21)上的可动触点26与设于基座(11)上的固定触点(13a、14a)接触或分离而对电路进行通断。致动器(21)具有：支撑部(22)，其竖立地设置于基座(11)上；以及梁部(23)，其从支撑部(22)向侧方延伸、弹性地支撑可动电极(24)以及可动触点(26)。梁部(23)从支撑部(22)侧开始以可动电极(24)和可动触点(26)的顺序进行弹性支撑。连接梁部(23)和可动电极(24)的连接部(28)从支撑部(22)侧开始形成有狭缝(27)。 | ||||||
| 87 | MEMS开关中的电极排列 | CN03819286.1 | 2003-08-13 | CN1842884A | 2006-10-04 | Q·马 |
| 一种微机电系统(MEMS)开关，包括：信号触点(78)、激励电极(76)和当将电压提供给激励电极时接合信号触点的梁(80)。信号触点包括第一部分和第二部分。激励电极位于信号触点的第一和第二部分之间。 | ||||||
| 88 | 开关 | CN03133185.8 | 2003-07-25 | CN1276449C | 2006-09-20 | 中西淑人; 清水纪智; 中村邦彦; 内藤康幸 |
| 本发明提供一种开关，它能缩短响应时间及降低外加电压。该开关的构成包括为了对以互相稍微分开的间隔配置的第1根梁及第2根梁及第3根梁外加静电力而独立提供直流电位用的外加电压手段、及对各梁输入输出交流信号用的各梁上设置的电极4～9，靠静电力使各梁1～3的位置变化、使梁1～3间的电容量变化。通过使第1根梁1及第2根梁2间产生静电力，使两根梁都可动，从而梁1、2能高速地电耦合。使配置在第2根梁2对面的第3根梁3产生静电力，预先靠近第1根梁1及第2根梁2，一旦第1根梁1及第2根梁间的静电力解除，第2根梁2向第3根梁3一侧移动，第1根梁1及第2根梁2的电耦合解除。 | ||||||
| 89 | 隆起式微型机电系统开关 | CN200480008832.2 | 2004-02-19 | CN1768408A | 2006-05-03 | H·巴 |
| 一种微型机电系统开关可以形成有确定于衬底上的突起，其与设置于衬底上方的可偏转构件接触。例如，可偏转构件可以是悬臂或可偏转梁。在一个实施例中，可以使用场效氧化技术在衬底中形成突起。 | ||||||
| 90 | 静电型继电器和用该继电器的用于通信的装置 | CN01801031.8 | 2001-04-23 | CN1249760C | 2006-04-05 | 藤井充; 坂田稔; 积知范; 佐藤正武 |
| 在硅基片(21)的上面设置固定接点(23A，24A)，从表面到背面贯通Si基片(21)那样地设置与固定接点(23A，24A)导通的信号线(23，24)，在Si基片(21)的背面，设置与信号线(23，24)导通的突起(32，33)。在固定接点(23A，24A)的两侧设置固定电极(22)，从表面到背面贯通Si基片(21)那样地设置与固定电极(22)导通的配线(30，31)，在硅基片(21)的背面设置与配线(30，31)导通的突起(34，35)。将使信号线(23，24)贯通的硅基片(21)的贯通孔(26，27)和使配线(30，31)贯通的硅基片(21)的贯通孔(28，29)通过可动基片(40)或间隙(50)密闭密封起来。 | ||||||
| 91 | 小型电光器件和相应的用途 | CN200380107171.4 | 2003-11-18 | CN1729425A | 2006-02-01 | 乔塞普·蒙坦亚·希尔韦斯特尔 |
| 本发明公开一种小型电光器件，包括：面对第二区的第一区，第一电容器板，第二区中安排的第二电容器板，它小于或等于第一电容器板，两个区之间的过渡空间，安排在过渡空间中的导电单元，它独立于侧壁和运动穿越过渡空间，取决于两个电容器板上的电压，光路中光的两个引入/引出点，在与挡板接触时，所述导电单元改变光在引入/引出点之间的传输状态。该电光器件可用作加速度计，倾斜仪，科里奥利力检测器，微音器，用于声学装置，用于制造光学交换矩阵，用于投影图像，用作压力，流速，温度，气体等传感器。 | ||||||
| 92 | 微机电开关性能的提高 | CN03820157.7 | 2003-08-26 | CN1679130A | 2005-10-05 | D·A·伊万尼西维; C·希尔伯特 |
| 在用于采用辅助电路系统以提高微机电开关性能的方法和电路中，方法实施例中的一个实施例是包括把随时间变化的电压加到已导通开关的控制元件的接触调整过程。在另一实施例中，可修整加到开关控制元件的电压分布来改善开关的驱动速度或可靠性。在另一方法实施例中，开关的性能可通过测量性能参数来评估，如果确定必需改善开关性能，则启动校正操作。用于维持微机电开关性能的电路包括第一和第二信号线节点，耦合到该两根信号线节点、且适于传感开关性能参数值的传感电路系统，和可操作地耦合到开关的至少一端的控制电路系统。 | ||||||
| 93 | 开关 | CN03801500.5 | 2003-06-05 | CN1592942A | 2005-03-09 | 中西淑人; 中村邦彦 |
| 一种能够利用较低的DC电压以较高的速度做出反应并且能够提供高绝缘度的开关。在该开关中，使用具有微结构102a、102b和102c的微结构组103，通过微动微结构102a、102b和102c而使微结构组作为整体得到较大的移动量。此外，通过这种结构，可以减小施加给微结构102a、102b和102c的控制电极106a、106b、107a、107b、108a、108b、109a和109b的DC电压。结果，可以实现能够利用较低DC电压以较高速度做出反应的高绝缘度开关100。 | ||||||
| 94 | 非锚式的静电启动的微型机电系统开关 | CN200310119761.0 | 2003-12-05 | CN1574151A | 2005-02-02 | 戴维·伊普 |
| 一个微型机电系统(MEMS)开关(10)包括一个基底(12)以及一个被设置在基底(12)之上的不受应力的梁(14)。该不受应力的梁(14)被设置在第一和第二台架(16、18)以内，用以限制不受应力的梁(14)在基本上不平行于基底(12)的方向上的位移。被设置在不受应力的梁(14)的第一纵侧面(22)附近的一组一个或多个控制垫(20)，用以在不受应力的梁(14)的第一纵侧面(22)上产生一个电位。该不受应力的梁(14)可以按照该电位，沿着基本上平行于基底(12)的方向产生位移，以便提供一条信号通路。 | ||||||
| 95 | 触点开关器和具有触点开关器的装置 | CN200310119891.4 | 2003-12-05 | CN1519877A | 2004-08-11 | 积知范; 宇野裕; 增田贵弘 |
| 本发明提供一种触点开关器和具有触点开关器的装置，可以以简单的结构变化来降低触点部分的膜厚偏差，降低触点间的间隙量的偏差，实现触点闭合时的动作的稳定化，同时提高高频特性而降低信号的传递损失。该触点开关器是在固定基板(1)上配置多个固定触点(4a、5a)和信号线(4、5)。在与固定基板(1)对向的可动基板(10)上，设置与固定触点(4a、5a)闭合、分离的可动触点(18)。使固定触点(4a、5a)的膜厚比信号线(4、5)的膜厚小，在固定触点(4a、5a)和可动触点(18)闭合时，将可动触点(18)插入到由固定触点(4a、5a)构成的凹部中，将信号线(4、5)直线导通。 | ||||||
| 96 | 一种微机电开关 | CN02807853.5 | 2002-03-20 | CN1500062A | 2004-05-26 | P·哈尔比约尔纳 |
| 一种带有可连续控制杆的微机电开关结构。通过在靠近杆投影处但在杆投影外增设的促动电极可连续控制杆。杆垂直投影到促动电极的平面上。通过将促动电极设置在杆的旁边而不是在杆的下面，促动电极可以连续控制杆从静止位置移动到完全促动状态。 | ||||||
| 97 | 开关 | CN03133185.8 | 2003-07-25 | CN1476033A | 2004-02-18 | 中西淑人; 清水纪智; 中村邦彦; 内藤康幸 |
| 本发明提供一种开关，它能缩短响应时间及降低外加电压。该开关的构成包括为了对以互相稍微分开的间隔配置的第1根梁及第2根梁及第3根梁外加静电力而独立提供直流电位用的外加电压手段、及对各梁输入输出交流信号用的各梁上设置的电极4～9，靠静电力使各梁1～3的位置变化、使梁1～3间的电容量变化。通过使第1根梁1及第2根梁2间产生静电力，使两根梁都可动，从而梁1、2能高速地电耦合。使配置在第2根梁2对面的第3根梁3产生静电力，预先靠近第1根梁1及第2根梁2，一旦第1根梁1及第2根梁间的静电力解除，第2根梁2向第3根梁3一侧移动，第1根梁1及第2根梁2的电耦合解除。 | ||||||
| 98 | 谐振器结构 | CN99106965.X | 1999-06-02 | CN1130790C | 2003-12-10 | H·波赫约恩; J·埃拉 |
| 无线电通讯装置的谐振器结构。将至少一个谐振器元件和至少一个开关元件在同一处理过程期间集成在同一基片中。这在采用桥式BAW谐振器和微型机械开关的时候是特别有利的。将开关结构和谐振器集成在同一基片上，能够制造出非常紧凑、为多系统移动通讯装置所需的滤波器和谐振器结构。另一方面，利用BAW谐振器的特殊性能，即BAW谐振器可以集成在基片，比如硅和砷化镓的表面上。这些开关可以用MESFET晶体管实现。 | ||||||
| 99 | 具有液体金属接触件的微机电微继电器 | CN01807804.4 | 2001-02-01 | CN1422433A | 2003-06-04 | 罗伯特·D·斯特里特; 李·A·麦克米伦; 罗德里克·G·贝里斯泰特 |
| 一种MEM继电器(110′)，包括激励器、设置在激励器上的短路棒(52)、接触件基片和设置在接触件基片上的多个液体金属接触件(126，128)，使得当MEM继电器处于闭合状态时、多个液体金属接触件电连接。此外，MEM继电器包括设置在所述接触件基片上的加热器(129，129′)，其中所述加热器与多个液体金属接触件热连通。接触件基片可另外包括设置在接触件基片上的多个可湿润金属接触件(125，127)，其中多个可湿润金属接触件的每个靠近多个液体金属接触件(126，128)的每个，并且每个可湿润金属接触件与多个液体金属接触件的每个电连接。 | ||||||
| 100 | 电子部件 | CN01140877.4 | 1997-08-26 | CN1378224A | 2002-11-06 | 坂田稔; 中岛卓哉; 积知范; 藤原照彦; 竹内司 |
| 一种电子部件,使玻璃材料制成的盖罩与硅材料制成的底座连接和集成,对与基片上的内部部件组装的电子器件芯片进行树脂模塑,从而用模塑覆盖盖罩,暴露底座底表面。借助设置在盖罩的通孔,内部部件与基片的外接线端电连接。在暴露于基片之外的底座底表面上设置散热片。这样可以获得易于辐射热量的电子部件,并且能够防止发生故障和工作特性的改变。 | ||||||
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