子分类：
- H01H2059/0018： ..为避免电荷俘获的特殊设备,例如驱动电极之间的绝缘层通过电荷俘获被永久极化,导致驱动或释放电压被改变
- H01H2059/0027： ..可移动电极在打开位置接地,用于改善隔离
- H01H2059/0036： ..用于高速开关的高谐振频率可移动衔铁
- H01H2059/0045： ..具有S形可动电极,定位和连接在两个驱动固定电极之间,例如当施加驱动电压时可动电极横向移动
- H01H2059/0054： ..滚动触点或动作构件
- H01H2059/0063： ..具有步进驱动的,例如在驱动期间,在不同的时间或不同的弹簧常数下,将驱动电压施加到不同的电极组
- H01H2059/0072： ..带有塞子或凸起用于保持一个间隙,减小接触面积或防止在吸引位置的可动和固定电极之间的静摩擦
- H01H2059/0081： ..在固定和移动电极之间具有锥形气隙
| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 141 | 组合物以及制造方法 | CN201110463346.1 | 2011-12-21 | CN102623221A | 2012-08-01 | A·J·德托尔; R·科尔德曼; C·基梅尔; M·艾米 |
| 本发明涉及组合物以及制造方法。一种装置，包括衬底(308)和用沉积过程形成在所述衬底(308)上的金属层(336)，对于沉积过程的该金属层的特征是具有预定的沉积态缺陷密度。作为制造过程的结果，金属层(336)相对于同样的层(336)或者具有相同的成分以及在相同的沉积条件下形成的另一层的预定的沉积态缺陷密度来说，其缺陷密度减小了。在相关的方法中，提供衬底(308)并且在所述衬底(308)上形成可移除层(330)。在可移除层(330)上形成金属层(336)，并且进行图案化和刻蚀以在可移除层(330)上限定结构。可移除层(330)被移除，并且将所述金属层(336)加热长达超过在其上接合气密封盖(340)所必需的时间。 | ||||||
| 142 | MEMS开关 | CN201110386333.9 | 2011-11-29 | CN102543592A | 2012-07-04 | 马特吉·戈森斯; 希尔柯·瑟伊; 皮特·斯蒂内肯; 克劳斯·莱曼 |
| 本发明提出了一种MEMS开关，其中，在衬底上方设置至少第一、第二和第三信号线，每条信号线端接于连接区。下部致动电极结构位于衬底上方。可移动接触电极悬置于连接区上方，以实现或断开三个连接区中至少两个连接区之间的电接触，上部致动电极结构设置在下部致动电极上方。对三条或更多条信号线的使用使得能够实现对称的致动力和/或使得能够利用单个可移动电极实现多种开关功能。 | ||||||
| 143 | 与固态开关电路并联的机电开关电路 | CN200710196923.9 | 2007-12-06 | CN101227185B | 2012-06-20 | J·I·怀特; K·苏布拉马尼安; W·J·普雷默拉尼; J·N·帕克; E·K·霍韦尔 |
| 本发明提供了一种开关系统。该开关系统包括诸如微机电系统开关电路(202)的机电开关电路。该系统还包括与该机电开关电路耦合成并联电路的固态开关电路(204)，以及耦合至该机电开关电路和该固态开关电路的控制器(208)。该控制器可配置成响应于适于所述开关电路中相应开关电路的操作能力的负载电流状况而执行在该机电开关电路和该固态开关电路之间的负载电流的选择性切换。 | ||||||
| 144 | 微开关器件及其制造方法 | CN200810001293.X | 2008-01-17 | CN101226856B | 2012-05-09 | 阮俊英; 中谷忠司; 上田知史; 米泽游; 三岛直之 |
| 一种用于传统技术中无线通讯设备的微开关器件及其制造方法，所述微开关器件包括：固定部；可移动部；第一电极，具有第一触点和第二触点；第二电极，具有与第一触点相接触的第三触点；以及第三电极，具有与第二触点相对的第四触点。在制造微开关器件的过程中，在衬底上形成第一电极，再在衬底上形成牺牲层以覆盖第一电极。然后，在牺牲层中对应于第一电极的位置形成第一凹部和较浅的第二凹部。形成第二电极，第二电极具有经由牺牲层与第一电极相对的部分并且填充第一凹部。形成第三电极，第三电极具有经由牺牲层与第一电极相对的部分并且填充第二凹部。然后去除牺牲层。所述微开关器件能够抑制可移动接触电极在朝着固接接触电极的方向上的波动。 | ||||||
| 145 | 具有格栅作为中间电极的RFMEMS开关 | CN201080019992.2 | 2010-05-07 | CN102422373A | 2012-04-18 | 皮特·杰拉德·斯普内肯; 希尔柯·瑟伊; 罗尔多夫·赫图斯特; 特温·范利庞 |
| 本发明提供了一种电容性MEMS器件，包括：第一电极，处于平面中；以及第二电极，悬挂于第一电极的上方并且能够相对于第一电极移动。第一电极用作致动电极。在第一电极和第二电极之间存在间隙。第三电极位于第一电极和第二电极之间，间隙在第三电极和第二电极中间。第三电极中具有一个或多个孔，所述一个或多个孔优选被排列为有序阵列或不规则阵列。本发明的一方面集成了导电格栅(例如金属格栅)作为中间(或第三)电极。本发明的一个优点在于能够减小现有技术中的至少一个问题。该优点使得能够对开关的拉入电压和释放电压进行独立控制。 | ||||||
| 146 | 具有布置成传导开关电流的衬底的MEMS开关阵列 | CN201110175517.0 | 2011-06-17 | CN102394199A | 2012-03-28 | K·V·S·R·基肖尔; M·艾米 |
| 提供一种微机电系统(MEMS)开关阵列。第一衬底(22)(例如，载体衬底)包括导电衬底区。电绝缘层(24)可设置在载体衬底(22)的第一表面之上。可提供活动致动器(26)。至少一个衬底接头(28)电耦合到多个活动致动器(26)的至少一个，使得在MEMS开关阵列的电闭合条件期间建立电流流动。还可提供覆盖衬底(50)并且它包括导电衬底区。载体衬底(50)的导电区电耦合到覆盖衬底(22)的导电区，以定义在开关阵列的电闭合条件期间供电流流动的导电通路。 | ||||||
| 147 | 电容性射频微机电系统器件及其制造方法 | CN200680024145.9 | 2006-04-21 | CN101213631B | 2012-03-28 | 彼得·杰拉德·斯蒂内肯 |
| 本发明提出了一种包括垂直集成的去耦电容器(14)的电容性RF-MEMS。因此所述去耦电容器(14)不会占据额外的面积。另外，根据本发明的RF-MEMS需要更少的互连，这也节省了空间，并且减小了RF路径中的串联电感/阻抗。 | ||||||
| 148 | 静电致动的微机械开关器件 | CN201110152589.3 | 2011-06-08 | CN102290289A | 2011-12-21 | J·弗梅尔; T·盖斯纳; C·考夫曼; S·雷迪赫; M·诺瓦克; S·库尔特; A·贝特兹; 池田浩一; 秋叶朗 |
| 本发明涉及一种静电致动的微机械开关器件，该器件具有在基片的本体中形成的可移动元件，用于通过这些可移动元件在该基片的平面内的水平移动来导通和断开至少一个欧姆接触；该开关器件包括：具有梳形电极的驱动器，其中这些电极包括固定驱动电极和可移动电极；可移动推杆，其与可移动电极机械地连接并且延伸穿过这些电极；可移动的接触元件，其与推杆的一侧机械地连接；至少一个复位弹簧，其与推杆机械地连接；信号线和接地线，其中信号线包括被空隙中断的两个部分。 | ||||||
| 149 | 微电子机械系统开关 | CN200480024749.4 | 2004-08-27 | CN1842886B | 2011-09-28 | R·J·T·班彦; D·J·坎布斯; K·M·布伦森 |
| 一种微电子机械系统(MEMS)开关包括固定触点(24)和电枢(30)上的可动触点(35)。该开关具有与固定触点以及可动触点均相关用于提供静电开关操作的电极(22，34)，以及具有相关的电极(36，40)用于通过施加电压使电枢弯曲并提供初始压电开关操作以及后面的静电切换和夹紧的压电材料。电枢具有弯曲形状，当处于开关打开状态并且外加电压为零时，该电枢弯曲远离固定触点。这使得处于OFF状态时开关间隙较大，比如3pm，该间隙通过适于静电开关闭合的压电操作而减小。通过改变在电枢厚度上的应变提供一种弯曲状态，并且该弯曲状态在开关制造过程中产生。 | ||||||
| 150 | 开关结构 | CN201010258366.0 | 2010-08-13 | CN102176391A | 2011-09-07 | 王雪峰; M·F·艾米; S·班萨尔; C·F·凯梅尔; K·V·S·R·基肖尔; K·苏尔布拉马尼安; D·帕特罗; V·K·辛哈; O·普拉卡什 |
| 本发明涉及一种开关结构，具体而言，提供了一种诸如开关结构(100)的装置，该装置包括触头(102)和导电元件(104)。该导电元件可构造成可选择性地在非接触位置和接触位置之间运动，在非接触位置上，导电元件与触头分开(在一些情况下，分开小于或等于约4μm的距离，而在其它情况下，分开小于或等于约1μm的距离)，在接触位置上，导电元件与触头接触，且与该触头建立电连通。当导电元件设置在非接触位置上时，触头和导电元件可构造成支持在其之间的、带有大于320Vμm-1的量值的电场和/或约330V或更大的电势差。 | ||||||
| 151 | 功率放大器及功率放大器的桥式电路 | CN201010114944.3 | 2010-02-25 | CN102170272A | 2011-08-31 | 张镭; 黄河 |
| 一种功率放大器及功率放大器的桥式电路，其中，所述功率放大器包括比较器、桥式电路和低通滤波器，比较器用以接收第一模拟信号，比较第一模拟信号与参考信号并输出方波信号；桥式电路用以放大所述方波信号并将所述放大的方波信号输出；低通滤波器用以将所述放大的方波信号转换为第二模拟信号；所述桥式电路包括第一MEMS开关和第二MEMS开关，第一MEMS开关和第二MEMS开关分别在所述方波信号为不同极性时导通，并分别输出第一电压信号和第二电压信号，所述放大的方波信号包括交替输出的所述第一电压信号和第二电压信号。本发明用MEMS开关代替现有功率放大器中的MOS管，因此，功耗低，所有器件占用的面积小、成本低。 | ||||||
| 152 | 静电驱动可锁止致动器系统 | CN200480024593.X | 2004-08-25 | CN1842885B | 2011-08-03 | 原田宏; 冈直正; 铃木裕二; 福岛博司; 野毛宏; 荻原淳; 河野清彦 |
| 一种静电驱动可锁止致动器系统具有致动器和一对在致动器相对端的侧受动器。致动器弹性地支撑到衬底并当电吸引到侧受动器之一时可沿着两个操作位之间的线性轴移动。提供锁止机构以机械锁止致动器在任一操作位位置上。侧受动器可沿着正常位置和接近致动器的移动位置之间的线性轴朝向或远离致动器移动。两个侧受动器也弹性地支撑到衬底以通过静电吸引到那里移向致动器并通过回弹力远离致动器。相应于侧受动器之一被吸引到致动器，移动的侧受动器通过机械连杆联锁到锁止机构以致解开致动器，并允许致动器从一种操作位向另一种操作位移动以再次锁止在那里。 | ||||||
| 153 | 可弯折接触开关 | CN200580010340.1 | 2005-03-02 | CN1938807B | 2011-07-06 | T·-K·A·仇; H·巴 |
| 本发明的实施例描述了接触开关，该接触开关可以包括底电极结构和顶电极结构，底电极结构包括底驱动电极，顶电极结构包括顶驱动电极和一个或多个当开关在弯折状态时能保持顶电极和底电极之间的预先确定的间隙的止动件。 | ||||||
| 154 | 开关结构 | CN201010586673.1 | 2010-11-30 | CN102082043A | 2011-06-01 | M·F·艾米; S·班萨尔; C·F·凯梅尔; K·V·S·R·基肖尔; S·孙达拉姆; P·塔克雷 |
| 本发明涉及一种开关结构。提供了一种装置，例如开关结构(100)。该开关结构可包括各自分别设置在衬底(108)上的触头(102)和导电元件(104)。导电元件可基本由金属材料组成，并且可构造成可在第一位置和第二位置之间变形，在第一位置上，导电元件与触头分开一段间距，而在第二位置上，导电元件接触触头且存储机械能。导电元件可进一步构造成使得在介于约室温和金属材料的熔化温度的约一半之间的温度处变形到第二位置上达至少107秒的累计时间之后，间距在没有外力的情况下经过该累计时间改变小于20％。还提供了相关联的方法。 | ||||||
| 155 | MEMS开关 | CN201010543801.4 | 2010-11-09 | CN102054628A | 2011-05-11 | 皮特·斯蒂内肯; 希尔柯·瑟伊 |
| 一种MEMS开关，包括：衬底；所述衬底上的第一和第二信号线，所述第一和信号线各自在连接区域处终止；所述衬底上的下致动电极；可移动接触电极，悬置于所述第一和第二信号线的连接区域上。上致动电极设置在所述下致动电极上方。所述第一和第二信号线的连接区域与所述衬底相距第一高度，其中从所述连接区域延伸的信号线部分与所述衬底相距较低的高度，并且所述下致动电极设置在所述较低高度的信号线部分上方，使得掩埋所述较低高度的信号线部分。可用于致动电极的面积变得更大，并且减小了不需要的力和干扰。 | ||||||
| 156 | 开关结构和方法 | CN201010500702.8 | 2010-09-21 | CN102034648A | 2011-04-27 | C·F·凯梅尔; M·F·艾米; S·班萨尔; R·R·科尔德曼; K·V·S·R·基肖尔; E·S·雷迪; A·萨哈; K·苏布拉马尼安; P·萨克尔; A·D·科温 |
| 本发明涉及开关结构和方法，具体而言，提供了一种装置，例如开关结构(100)，其包括触头(102)和构造成可在第一位置和第二位置之间变形的导电元件(104)，在第一位置上，导电元件与触头分开，而在第二位置上，导电元件接触触头。导电元件基本可由构造成抑制取决于时间的变形的金属材料形成。例如，金属材料可构造成在经受金属材料的屈服强度的至少约25％的应力和低于或等于金属材料的熔化温度的约一半的温度时展现小于10-13s-1的最大的稳态塑性应变率。触头和导电元件可为微机电装置或纳机电装置的一部分。还提供了相关联的方法。 | ||||||
| 157 | 电子器件的制造方法和电子器件 | CN200480032195.2 | 2004-10-26 | CN1874955B | 2011-03-30 | J·T·M·范比克; M·J·E·乌勒奈尔斯 |
| 一种微机电系统(MEMS)器件的制造方法，包括在衬底(14)上提供基层(10)和机械层(12)，在基层(10)和机械层(12)之间提供牺牲层(16)，在牺牲层(16)和衬底(14)之间提供蚀刻停止层(18)，以及借助干法化学蚀刻去除牺牲层(16)，其中利用含氟的等离子体进行干法化学蚀刻，并且该蚀刻停止层(18)包括基本上不导电的、氟化学剂惰性材料，如HfO2、ZrO2、Al2O3或TiO2。 | ||||||
| 158 | 电容式微机电系统开关及其制造方法 | CN201010203320.9 | 2010-06-11 | CN101924542A | 2010-12-22 | 河·H·黄 |
| 本发明涉及一种电容式微机电系统开关及其制造方法，其中电容式微机电系统开关(10)包括：半导体基板(100)和悬空复合梁(200)，其中半导体基板(100)包括：驱动电路(110)及设置于所述半导体基板(100)的顶部的第一底电极(121)、第一底导体(131)和第二底导体(132)；悬空复合梁(200)，通过第一臂部(211)锚定于所述半导体基板(100)的顶部，其中包括：第一顶电极(221)、顶导体(241)及介电层(231)。本发明实现了有效且可靠的微型机电设计结构，能够与现有的CMOS制造工艺相兼容以使他们可以一同生产并集成于同一个硅晶片上；并且能够利用可用的固态薄膜材料及制造工艺来满足低成本、高效率的CMOS集成及微型机电要求。 | ||||||
| 159 | 测量开关特性的装置和增大开关样品尺寸的装置 | CN200610163588.8 | 2006-10-20 | CN1971300B | 2010-12-01 | 查尔斯·J·蒙特罗斯; 王平川; 罗伯特·D·爱德华兹; 罗伯特·A·格罗夫斯; 理查德·P·沃兰特; 哈里克里亚·德利吉亚尼; 托马斯·J·弗莱希曼 |
| 本发明提供多个用于在MEMS开关器件上进行可靠性和质量测试的测试结构。采用用于触点和间隙特性测量的测试结构，其使得迂回布局模拟上下致动电极的排。使用级联开关链测试以大样品尺寸监测工艺缺陷。使用环形振荡器测量开关速度和开关寿命。设置电阻器梯形测试结构以使得每个电阻器与要被测试的开关串联，和使得每个开关电阻器对电并联。利用与现有工艺的开关串联工作的MEMS开关而建立串联/并联测试结构。使用移位寄存器以监测MEMS开关的开放和闭合状态。使用移位寄存器测量吸合电压、脱离电压、漏电流和开关寿命。 | ||||||
| 160 | MEMS元件及其制造方法 | CN201010121487.0 | 2010-02-24 | CN101811656A | 2010-08-25 | 斋藤友博 |
| 本发明涉及MEMS元件及其制造方法。本发明的一方面的MEMS元件包括：第一电极，其被设置在基底上；第二电极，其被设置在所述第一电极上方并被驱动朝向所述第一电极；锚件，其被设置在所述基底上；梁，其将所述第二电极支撑在半空中，所述梁的一端被连接到所述锚件，并且所述梁包括设置在其沿宽度方向的端部处的侧壁部分，所述侧壁部分具有向下的突起部。 | ||||||
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