子分类：
- H01H2059/0018： ..为避免电荷俘获的特殊设备,例如驱动电极之间的绝缘层通过电荷俘获被永久极化,导致驱动或释放电压被改变
- H01H2059/0027： ..可移动电极在打开位置接地,用于改善隔离
- H01H2059/0036： ..用于高速开关的高谐振频率可移动衔铁
- H01H2059/0045： ..具有S形可动电极,定位和连接在两个驱动固定电极之间,例如当施加驱动电压时可动电极横向移动
- H01H2059/0054： ..滚动触点或动作构件
- H01H2059/0063： ..具有步进驱动的,例如在驱动期间,在不同的时间或不同的弹簧常数下,将驱动电压施加到不同的电极组
- H01H2059/0072： ..带有塞子或凸起用于保持一个间隙,减小接触面积或防止在吸引位置的可动和固定电极之间的静摩擦
- H01H2059/0081： ..在固定和移动电极之间具有锥形气隙
| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 221 | 微型机械式静电继电器及其制造方法 | CN98808413.9 | 1998-07-24 | CN1310854A | 2001-08-29 | H·施拉克; L·基塞韦特 |
| 微型机械式继电器含有一个基本基片(81),在该支持层上一个单侧连接的带有活动触点(8)的衔铁簧舌(41)被如下构造成,在静止状态时该衔铁簧舌由支持层向外弯曲。与活动触点共同作用的固定触点(7)在被同样布置成由基本基片向外弯曲的固定触点簧舌(42)上如下摆动,两个簧舌利用其自由端彼此相对布置并且活动触点(8)重合在固定触点上。通过在两个簧舌上的触点布置尽管只有一个较小的利用静电驱动实现的衔铁行程仍可以通过持续的状态在触点上获得按比例放大的超程,由此产生一个足够的触点力。 | ||||||
| 222 | 谐振器结构 | CN99106965.X | 1999-06-02 | CN1237827A | 1999-12-08 | H·波赫约恩; J·埃拉 |
| 无线电通讯装置的谐振器结构。将至少一个谐振器元件和至少一个开关元件在同一处理过程期间集成在同一基片中。这在采用桥式BAW谐振器和微型机械开关的时候是特别有利的。将开关结构和谐振器集成在同一基片上，能够制造出非常紧凑、为多系统移动通信装置所需的滤波器和谐振器结构。另一方面，利用BAW谐振器的特殊性能，即BAW谐振器可以集成在基片，比如硅和砷化镓的表面上。这些开关可以用MESFET晶体管实现。 | ||||||
| 223 | 具有混合驱动的微型机械继电器 | CN94191220.5 | 1994-02-14 | CN1040049C | 1998-09-30 | H·-J·吉瓦特; L·基斯韦特; J·辛卡特; H·施拉克 |
| 微型机械继电器有一个由衔铁基体(52)腐蚀出来的舌簧状衔铁(53)，此衔铁(53)与衔铁基体弹性连接，它与一个在它下面的基座(51)的基座电极(58)构成了一种静电驱动。此外，在衔铁(53)上设有压电层(60)，它起弯曲变换器的作用，并构成一种附加的驱动。当在衔铁(53)的电极、基座(51)的电极和压电层(60)的电极上施加一个电压时，衔铁被吸在此基座上，并因而在至少一个触头(55、56)闭合的情况下，衔铁大面积地贴靠在此基座上。此时，静电驱动和压电驱动的不同特性线叠加在一起，所以，既能在衔铁运动开始时产生一个大的吸引力，又能在衔铁吸住后产生一个大的接触力。 | ||||||
| 224 | 静电双态开关装置和存储器装置 | CN85106881 | 1985-09-12 | CN85106881A | 1986-06-10 | 乔治·R·辛普森; 赫伯特·W·沙利文 |
| 排成行与列的静电元件阵列可用于开关的目的和存储器装置。每个元件的可被静电吸动的部件，当动作的时候，就变成一个完整的电容器件，使该元件能够蓄积电荷。利用高频信号能敏感出这个元件是不是电容器件。如果用一片导电面积的图形来代替可吸动的部件，还能做出固定存储器。这些可吸动的部件，当被吸动时，还可形成电容开关装置或开关矩阵。 | ||||||
| 225 | 一种T型双悬臂梁式单刀双掷开关 | CN201710607507.7 | 2017-07-24 | CN107393767A | 2017-11-24 | 李孟委; 王楠; 张一飞; 刘秋慧; 高跃升; 吴倩楠; 王莉 |
| 一种T型双悬臂梁式单刀双掷开关，主要结构由衬底、微波传输线、驱动电极、上电极、下电极、固定锚点和空气桥组成，微波传输线和驱动电极设置在衬底上，上电极为双悬臂梁、中间锚点支撑左右各一个悬臂梁结构，下电极采用带弹性梁的单触点、双触点、三触点，从力学方面讲，可减小上电极因静电力作用快速下拉时对下电极产生的撞击力，起到缓冲作用，从而保护触点和上电极，可增强有效接触，避免弱接触带来的烧蚀和粘连，当在第一驱动电极上施加驱动电压时，上电极在静电力的作用下发生下拉至与触点接触，此时开关处于导通状态，第二驱动电极上方的上电极翘起，既增大了开关的隔离度，防止了上下电极之间的自吸合，同时也增强了开关寿命和微波性能。 | ||||||
| 226 | 配电系统 | CN201210263056.7 | 2012-07-27 | CN102904168B | 2017-08-08 | M.F.艾米; A.V.高达; 蒋健君 |
| 本发明涉及一种配电系统。提供了一种设备，诸如配电系统。该设备可包括第一导体和第二导体。多个导电路径可在第一导体和第二导体之间沿着连接跨度形成并联的电连接，其中导电路径中的各个具有分别相似的公称电阻。第一导体和第二导体可具有沿着所述连接跨度在相反的方向上减少的各自的截面积。 | ||||||
| 227 | 控制MEMS DVC控制波形以增加寿命的方法和技术 | CN201480028457.1 | 2014-05-16 | CN105228945B | 2017-05-24 | 乔公国; 詹姆斯·道格拉斯·霍夫曼; 理查德·L·奈普; 维克拉姆·乔希; 罗伯托·彼得勒斯·范·卡普恩 |
| 本发明总体上涉及在使得MEMES器件在接触表面上的冲击最小化的同时操作MEMS DVC的方法。通过在MEMS器件的拉近移动时减小驱动电压，减小MEMS器件朝接触表面的加速，由此减小冲击速度，发生更少的MEMS DVC器件的损坏。 | ||||||
| 228 | 射频微机电系统(MEMS)的电容式开关 | CN201280071504.1 | 2012-05-27 | CN104170048B | 2017-05-03 | B·W·皮尔兰斯; C·B·穆迪; F·J·莫里斯 |
| 一种射频微机电系统电容式开关，该电容式开关使得其电极中的一个电极中的孔与电介质立柱对准，从而在不影响开关的电容比的情况下减少俘获电荷。当开关致动时，电极接触围绕多个孔的立柱的一个或更多个接触面，使得每个孔至少与该孔所对准的所述立柱的中心部分重叠。通过选择孔的尺寸，使得顶电极在射频频率下形成大致连续的导电片，孔与立柱的对准在不降低开关的电容的情况下减少俘获电荷的数量。在不同的实施例中，立柱的直径可以小于孔的直径，使得完全重叠，在这种情况下，俘获电荷在很大程度上被消除。 | ||||||
| 229 | 一种微纳机电开关及其制造方法 | CN201610809521.0 | 2016-09-07 | CN106298372A | 2017-01-04 | 粟雅娟; 曹合适; 贾昆鹏; 战俊 |
| 本发明公开了一种微纳机电开关及其制造方法，其中该微纳机电开关包括：半导体衬底；绝缘层，位于所述半导体衬底之上；位于绝缘层之上的浮置的悬梁臂；位于绝缘层之上的一对驱动电极和一对接触电极，其中一对驱动电极位于悬梁臂的两侧并且与悬梁臂之间通过气隙隔离，一对接触电极位于悬梁臂的两侧并且与悬梁臂和驱动电极之间通过气隙隔离。 | ||||||
| 230 | 一种金属钼基微继电器及其制备方法 | CN201510163239.5 | 2015-04-08 | CN106158512A | 2016-11-23 | 徐纯纯; 陈兢; 张轶铭; 宋璐; 陈献 |
| 本发明涉及一种金属钼基微继电器及其制备方法。该金属钼基微继电器，包括作为弹性回复结构的单端固支悬臂梁，连接该单端固支悬臂梁的静电驱动梳齿结构，以及靠近该单端固支悬臂梁一端的触头，所述单端固支悬臂梁、梳齿结构和触头的材料为金属钼。本发明首次以金属钼作为体材料设计静电驱动微继电器，不仅能很好的解决接触电阻问题，还可以减小系统失效。金属钼基微继电器具有很高的可靠性，可广泛应用于消费类电子、医疗保健、汽车工业、工业自动化及机器人、航空航天、以及物联网领域等。 | ||||||
| 231 | 一种微机电系统开关 | CN201610286392.1 | 2016-05-03 | CN105742124A | 2016-07-06 | 邓中亮; 魏浩; 甘俊; 郭旭兵 |
| 本发明实施例公开了一种微机电系统开关，应用于共面波导缺陷地传输线，包括：第一桥梁、第二桥梁、第一外置电极和第二外置电极，其中，第一桥梁串联在信号线中，衬底上于第一桥梁的下方设置有下电极，下电极的上表面覆盖有介质层；第一外置电极通过高电阻连接线连接信号线，第二外置电极通过高电阻连接线连接地线；两个地线上对应于第一桥梁的两侧均设置有开口型的缺陷地结构，缺陷地结构上设置有第二桥梁，第二桥梁的两端分别设置在缺陷地结构的两侧；下电极通过短连接线连接到两侧的缺陷地结构内侧，第二桥梁与短连接线不接触。本发明实施例可以解决MEMS电容式开关应用于共面波导缺陷地传输线时插入损耗高的问题。 | ||||||
| 232 | 一种微电子开关及有源矩阵有机发光显示装置 | CN201410715663.1 | 2014-11-28 | CN104409286B | 2016-07-06 | 崔子巍; 吴昊; 朱红; 于洪俊; 薛海林; 王陆旸 |
| 该发明涉及显示技术领域，公开了一种微电子开关及有源矩阵有机发光显示器件，其中，微电子开关包括：栅电极；源漏电极；第一静电电极；具有开位和关位两种工作位置的悬臂；设置于悬臂的连接部；设置于悬臂的第二静电电极，第二静电电极与栅电极电连接、且与第一静电电极相对设置，第一静电电极与第二静电电极之间设有绝缘介质层；当栅电极向第二静电电极加载的电压小于设定阈值时，悬臂位于一种工作位置，当栅电极向第二静电电极加载的电压大于设定阈值时，悬臂切换至另一工作位置。上述微电子开关中，控制源漏电极通断的部件为微机械结构，其连通源电极和漏电极时的阈值电压均一性好，有利于简化有源矩阵有机发光显示装置中的像素驱动电路。 | ||||||
| 233 | 具有可移动厚隔膜的微机电系统结构 | CN201510959028.2 | 2015-12-18 | CN105712292A | 2016-06-29 | 安-苏菲·罗利耶; 安托万·博纳贝尔; 卡里姆·赛格尼 |
| 本发明涉及制造MEMS器件的方法，其包括以下步骤：在牺牲基层上方形成第一隔膜层，在第一隔膜层上方形成第二隔膜层，其中第二隔膜层包括暴露第一隔膜层的侧向部分的侧向凹入部，以及形成止动件以限定第一隔膜层的移动。此外，提供了MEMS器件，其包括可移动隔膜，可移动隔膜包括第一隔膜层与形成在第一隔膜层上方的第二隔膜层，其中第二隔膜层包括暴露第一隔膜层的侧向部分的侧向凹入部。 | ||||||
| 234 | 具有多层隔膜的微机电系统结构 | CN201510971269.9 | 2015-12-22 | CN105712285A | 2016-06-29 | 雷诺·罗宾; 尼古拉斯·洛尔弗兰; 卡里姆·赛格尼 |
| 本发明涉及制造尤其是MEMS开关的MEMS设备的方法，其包括在基板上方形成柱与传导(传输)线以及在柱与传导线上方形成隔膜的步骤，形成隔膜步骤包括形成第一隔膜层和在柱中的一个上方的区域和/或传导线上方的区域中在第一隔膜层上方形成第二隔膜层使得第一隔膜层具有第二隔膜层未形成在其中的区域，该区域邻近第二隔膜层形成于其中的区域。此外，提供了尤其是MEMS开关的MEMS设备，其包括形成在基板上方的柱与传导(传输)线以及在柱与传导线上方的隔膜。隔膜包括第一隔膜层与在柱中的一个上方的区域和/或传导线上方的区域中形成在第一隔膜层上方的第二隔膜层，使得第一隔膜层具有第二隔膜层未形成在其中的区域，该区域邻近第二隔膜层形成于其中的区域。 | ||||||
| 235 | MEMS器件的静电阻尼 | CN201480029332.0 | 2014-05-20 | CN105684113A | 2016-06-15 | 罗伯托·彼得勒斯·范·卡普恩; 阿奈兹·乌纳穆诺 |
| 本发明一般性地涉及用于使MEMS DVC器件中的板电极或切换元件阻尼的方法及装置。布置在波形控制器和MEMS DVC的电极之间的电阻器使得在板电极移动期间电压增大而同时电容减小。由于电压增大以及电容减小，抵抗板电极远离电极移动的静电力增大，这转而抑制了板电极的移动。 | ||||||
| 236 | 电容式开关、信号收发装置及制造方法 | CN201380000402.5 | 2013-03-20 | CN103547335B | 2016-05-25 | 杨雄; 曹伯承; 王磊 |
| 本发明实施例提供一种电容式开关、信号收发装置及制造方法。该电容式开关包括：第一导电悬臂、第二导电悬臂、衬底以及设置在衬底上的共面波导，该共面波导包括用于传输电信号的第一导体和设置在第一导体两侧的作为地线的第二导体和第三导体，第一导体上设有绝缘介质层，绝缘介质层上设有导电层；第一导电悬臂通过第一固定端与第二导体连接，第二导电悬臂通过第二固定端与第三导体连接，当所述电容式开关通直流信号时，所述第一导电悬臂的第一悬空端与所述导电层接触，所述第二导电悬臂的第二悬空端与所述导电层接触。本实施例提供的电容式开关，通过采用悬臂的分离结构释放电容式开关中金属膜桥产生的应力，确保信号的传输质量。 | ||||||
| 237 | 平面腔体微机电系统及相关结构、制造和设计结构的方法 | CN201180025550.3 | 2011-06-08 | CN102906010B | 2015-12-02 | R.T.赫林; C.V.扬斯; A.K.斯坦珀; E.J.怀特 |
| 一种形成至少一个微机电系统（MEMS）腔体（60b）的方法包括：在布线层（14）和衬底（10）上方形成第一牺牲腔体层（18）。该方法还包括在第一牺牲腔体层上方形成绝缘体层（40）。该方法还包括在绝缘体层上执行反向镶嵌回蚀刻工艺。该方法还包括平坦化绝缘体层和第一牺牲腔体层。该方法还包括将第一牺牲腔体层排放或剥离为MEMS的第一腔体（60b）的平面表面。 | ||||||
| 238 | 一种基于体硅材料的外力驱动MEMS开关及其制作方法 | CN201510453804.1 | 2015-07-29 | CN104992879A | 2015-10-21 | 韩磊; 高晓峰 |
| 本发明提供了一种基于体硅材料的外力驱动MEMS开关及其制作方法，该外力驱动MEMS开关包括衬底（5）、设置在衬底上的微带线的信号线（1）、设置在衬底下的微带线的地（2）、开关动端（3）、开关静端（4）；当该外力驱动MEMS开关处于不工作状态时，开关动端（3）与开关静端（4）接触，整个微带传输线呈现导通状态，此时微波信号可以几乎不产生损耗地通过该外力驱动MEMS开关；当该外力驱动MEMS开关处于工作状态时，开关动端（3）通过探针的外力作用被压下而与开关静端（4）不接触，此时微波信号的通路被切断，同时微波信号可以从探针处被引出用于信号测量。同时，我们设计出了用于制造这种基于体硅材料的外力驱动MEMS开关的具体工艺。 | ||||||
| 239 | 上拉式电极和华夫饼型微结构 | CN201180049778.6 | 2011-09-19 | CN103155069B | 2015-10-21 | 理查德·L·奈普; 罗伯图斯·彼得勒斯·范坎彭; 阿纳特兹·乌纳穆; 罗伯托·加迪 |
| 本发明一般涉及MEMS装置及用于所述MEMS装置的制造的方法。MEMS装置的悬臂可具有华夫饼型微结构。华夫饼型微结构利用支撑梁以对微结构赋予刚性同时允许所述支撑梁弯曲。华夫饼型微结构允许刚性结构结合挠性支撑件的设计。另外，复式弹簧可用以产生非常刚性的弹簧以改进MEMS装置的热切换性能。为了允许MEMS装置利用较高射频电压，可将上拉式电极定位于悬臂之上以帮助将悬臂自接触电极拉开。 | ||||||
| 240 | 刀片服务器的交换板及其端口配置方法 | CN201280000538.1 | 2012-06-21 | CN102870380B | 2015-09-30 | 卢胜文 |
| 本发明实施例提供一种刀片服务器的交换板及其端口配置方法，以及一种刀片服务器，所述交换板包括端口配置单元和至少一个端口，所述端口配置单元，用于将所述交换板划分成一个以上的虚拟子交换板，将所述端口分配给所述虚拟子交换板，并对每个所述虚拟子交换板的每个所述端口进行配置，配置为第一类型端口或第二类型端口，所述第一类型端口和所述第二类型端口具有不同的带宽；所述端口，用于根据所述端口配置单元的配置，与服务器刀片进行连接。本发明实施例还提供了相应的端口配置方法，以及刀片服务器。本发明的技术方案能够满足端口带宽灵活配置的需求。 | ||||||
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