子分类：
- C04B2237/52： ..连接表面的预处理,如清洁,加工
- C04B2237/54： ..连接前氧化表面
- C04B2237/55： ..基底的氧化处理之外的涂覆或不涂覆预处理,以形成活性连接层
- C04B2237/56： ..烧结前或烧结过程中使用抑制层
- C04B2237/58： ..在叠层或连接物件之间形成成分或性质梯度
- C04B2237/59： ..中间层结构相关的特征
- C04B2237/60： ..在中间粘结层或连接层间形成特定反应相或反应区,如活性组分从中间层向基底或从基底向中间层扩散,或在中间层形成碳化物
- C04B2237/61： ..连接两个基底,其中一个基底是被液体渗透过的多孔基底,例如熔融金属,引发两基质的粘结,如通过两个多孔碳基质渗透熔融硅连接
- C04B2237/62： ..层压或连接含有孔,通道或其他类型开口的制品
- C04B2237/64： ..层压或连接有沟槽的制品
- C04B2237/66： ..层压或连接具有高精确维度的制品,如展现出翘曲
- C04B2237/68： ..层压或连接的制品,其中至少一个基体包含宏观不同的两部分,如一个陶瓷基体层和一个嵌入导体或电极的基体
- C04B2237/70： ..层压或连接含有特定的、不常见厚度的层的制品
- C04B2237/72： ..形成的层压或连接制品包含至少两个连接在一起中间层
- C04B2237/74： ..形成的层压或连接制品包含至少两个被一个基底分开的两个中间层
- C04B2237/76： ..形成的层压或连接制品包含至少一个片状或圆盘状之外的组成部件,如,两个管状,或一个管状一个片或圆盘状
- C04B2237/78： ..侧面连接,如,连接两个盘状物的侧边
- C04B2237/80： ..一个基底的最大表面与另一基底的较小表面连接,如头部连接T形
- C04B2237/82： ..两个基底没有完全相互覆盖,如两个盘状物错开连接
- C04B2237/84： ..第二基底部分位于第一基底内与第一基底连接,并且连接区域部分位于第一基底内,如一个管状物在另一管状物内
- C04B2237/86： ..两个基底以最大表面相连,一个表面被完全连接并覆盖,另一表面则不是,如一个小盘状物的最大表面与另一较大盘状物的最大表面连接
- C04B2237/88： ..两个连接基底,其中一个基底连接材料的实质部分在连接处之外,从而在结合处外部形成接合体
| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 1 | 锡青铜与碳化硅陶瓷复合件及其制造方法 | CN201010587467.2 | 2010-12-14 | CN102557706B | 2015-03-11 | 张新倍; 陈文荣; 蒋焕梧; 陈正士; 胡文峰 |
| 本发明提供一种锡青铜与碳化硅陶瓷复合件的制造方法，该方法主要包括在热压烧结炉中通过施加铝箔和镍箔作为连接介质层，实现锡青铜与碳化硅陶瓷的固相扩散连接。本发明还提供一种由上述制造方法制得的锡青铜与碳化硅陶瓷复合件。锡青铜与碳化硅通过上述制造方法连接具有较高的结合力。锡青铜与碳化硅陶瓷复合件包括一锡青铜件、一碳化硅陶瓷件及连接该锡青铜件与该碳化硅陶瓷件的连接层，该连接层包括一第一过渡层、一铝层、一第二过渡层、一镍层及一第三过渡层。 | ||||||
| 2 | 碳陶瓷摩擦盘及其制备方法 | CN201180063618.7 | 2011-12-30 | CN103370558A | 2013-10-23 | 汉斯-米夏埃尔·君特; 路易吉·佩尔西; 克里斯托弗·科赫; 马可·奥兰迪; 米夏埃尔·卡勒 |
| 本发明涉及一种多层碳陶瓷制动盘，所述多层碳陶瓷制动盘具有：至少一个承载体；和包括通风管的至少一个通风层；和作为选择的至少一个摩擦层，所述多层碳陶瓷制动盘通过以下步骤制成：结合至少一个单独的承载体的坯体和至少一个单独的通风层的坯体以及作为选择的至少一个单独的摩擦层的坯体，所述坯体包括热塑性或热固性聚合材料，所述热塑性或热固性聚合材料处于其固体或固化状态；随后利用碳化物形成元素浸润来进行碳化和陶瓷化。 | ||||||
| 3 | 陶瓷多层基板及其制造方法 | CN200580036374.8 | 2005-10-25 | CN101049058B | 2012-10-10 | 近川修 |
| 在专利文献1及2所述的多层陶瓷基板的情况下，由于对内装片状陶瓷电子元器件的陶瓷生片层叠体进行烧结，得到多层陶瓷基板，因此利用烧结而得到的多层陶瓷基板的内装片状陶瓷电子元器件会产生裂纹，或者有时片状陶瓷电子元器件甚至损坏。本发明的陶瓷多层基板的制造方法，是通过同时烧结层叠多层陶瓷生片111A而形成的陶瓷生片层叠体111、以及配置在该陶瓷生片层叠体111的内部而且具有外部端子电极部113B的片状陶瓷电子元器件113，来制造内装片状陶瓷电子元器件13的陶瓷多层基板10，这时预先使糊料层115介于片状陶瓷电子元器件113与陶瓷生片层叠体111之间，将这三者进行烧结。 | ||||||
| 4 | 陶瓷基板的制造方法以及陶瓷基板 | CN200680013419.4 | 2006-03-29 | CN101180247B | 2011-01-12 | 伊藤优辉; 近川修; 池田哲也 |
| 提供一种不需要复杂的制造工序及制造设备、并能够高效地制造包括具有所希望的形状的台阶部分的陶瓷基板的陶瓷多层基板的制造方法、以及用该制造方法所制造的形状精度高的陶瓷基板。由在未烧成陶瓷体(10)的温度下实质上不烧结的材料构成辅助层(20)，在将该辅助层(20)紧贴在未烧成陶瓷体(10)的主面上的状态下，形成在主面上形成了台阶部分(15)的带辅助层的未烧成陶瓷体(11)，并在具有该辅助层的状态下，在未烧成陶瓷体烧结、而辅助层实质上不烧结的温度下，将该带辅助层的未烧成陶瓷体进行烧成。对于带辅助层的未烧成陶瓷体的配置辅助层的面，使具有凸部(22)的模具(30)进行对准并施压，从而在带辅助层的未烧成陶瓷体的配置辅助层的面上，形成与凸部(22)的外形形状对应的形状的台阶部分(凹部)(15(15a))。 | ||||||
| 5 | 陶瓷基板的制造方法以及陶瓷基板 | CN200680013419.4 | 2006-03-29 | CN101180247A | 2008-05-14 | 伊藤优辉; 近川修; 池田哲也 |
| 提供一种不需要复杂的制造工序及制造设备、并能够高效地制造包括具有所希望的形状的台阶部分的陶瓷基板的陶瓷多层基板的制造方法、以及用该制造方法所制造的形状精度高的陶瓷基板。由在未烧成陶瓷体(10)的温度下实质上不烧结的材料构成辅助层(20)，在将该辅助层(20)紧贴在未烧成陶瓷体(10)的主面上的状态下，形成在主面上形成了台阶部分(15)的带辅助层的未烧成陶瓷体(11)，并在具有该辅助层的状态下，在未烧成陶瓷体烧结、而辅助层实质上不烧结的温度下，将该带辅助层的未烧成陶瓷体进行烧成。对于带辅助层的未烧成陶瓷体的配置辅助层的面，使具有凸部(22)的模具(30)进行对准并施压，从而在带辅助层的未烧成陶瓷体的配置辅助层的面上，形成与凸部(22)的外形形状对应的形状的台阶部分(凹部)(15(15a))。 | ||||||
| 6 | 单块陶瓷电子元件及其制造方法，和陶瓷糊浆及其制造方法 | CN00136422.7 | 2000-12-13 | CN1205627C | 2005-06-08 | 宫崎信; 田中觉; 木村幸司; 加藤浩二; 铃木宏始 |
| 制造单块陶瓷电子元件的方法，包括：提供陶瓷淤浆、导电糊和陶瓷糊浆；形成多个复合结构；各个结构包括由陶瓷淤浆成形制成的陶瓷坯料片，由导电糊局部施涂在陶瓷坯料片主表面上从而造成阶梯状区域的形成的内线路元件薄膜，以及用于补偿该阶梯状区域造成的空隙的陶瓷坯料层，所述陶瓷坯料层是将陶瓷糊浆施涂在陶瓷坯料片主表面上未形成元件薄膜的区域，从而基本补偿所述空隙；将复合结构叠合在一起形成叠合物坯料；烧制该叠合物坯料，其中的陶瓷糊浆包括陶瓷粉末、有机溶剂和有机粘合剂。还公开了采用该方法制造的单块陶瓷电子元件；陶瓷糊浆及其制备方法。 | ||||||
| 7 | 陶瓷接合体、陶瓷接合体的接合方法和陶瓷结构体 | CN02814610.7 | 2002-07-19 | CN1533370A | 2004-09-29 | 伊藤康隆; 尾崎淳 |
| 本发明的目的是提供有效地应用于具有电热板等的半导体制造－检查装置的陶瓷接合体和陶瓷结构体，本发明提供陶瓷接合体和陶瓷之间接合的方法，在陶瓷体之间接合形成的接合体中，在一个陶瓷体和另一个陶瓷体接合界面上，形成平均直径大于构成陶瓷体的陶瓷颗粒的平均颗粒直径同时小于等于2000μm的粗气孔。 | ||||||
| 8 | 高电子密度的导电性钙铝石化合物的制造方法和靶材 | CN201380032752.X | 2013-06-19 | CN104395239B | 2016-07-13 | 伊藤和弘; 渡边晓; 渡边俊成; 宫川直通 |
| 一种导电性钙铝石化合物的制造方法，其特征在于，其为电子密度为5×1020cm-3以上的导电性钙铝石化合物的制造方法，该方法包括以下工序：工序(1)，制备包含钙铝石化合物或钙铝石化合物的前体的被处理体；和工序(2)，在前述被处理体的表面的至少一部分配置铝箔，在低氧分压的气氛下、1080℃～1450℃的范围的温度下保持前述被处理体。 | ||||||
| 9 | 超导材料的接合方法 | CN201210181157.X | 2012-06-04 | CN103178422A | 2013-06-26 | 黄昆平; 张志振; 谢宇泽; 罗志伟; 苏志翔; 曾文彦 |
| 本发明公开一种超导材料的接合方法，其包括提供微波腔室，其中所述微波腔室中具有第一吸热板以及相对于第一吸热板的第二吸热板。将第一超导材料以及第二超导材料置于微波腔室中的第一吸热板以及第二吸热板之间，其中第一超导材料与第二超导材料之间具有重叠区域，且对第一吸热板以及第二吸热板施于一压力。在微波腔室中施予微波能量，其中第一吸热板以及第二吸热板将微波能量转换成热能，以使第一超导材料与第二超导材料于重叠区域接合在一起。 | ||||||
| 10 | 锡青铜与碳化硅陶瓷复合件及其制造方法 | CN201010587467.2 | 2010-12-14 | CN102557706A | 2012-07-11 | 张新倍; 陈文荣; 蒋焕梧; 陈正士; 胡文峰 |
| 本发明提供一种锡青铜与碳化硅陶瓷复合件的制造方法，该方法主要包括在热压烧结炉中通过施加铝箔和镍箔作为连接介质层，实现锡青铜与碳化硅陶瓷的固相扩散连接。本发明还提供一种由上述制造方法制得的锡青铜与碳化硅陶瓷复合件。锡青铜与碳化硅通过上述制造方法连接具有较高的结合力。锡青铜与碳化硅陶瓷复合件包括一锡青铜件、一碳化硅陶瓷件及连接该锡青铜件与该碳化硅陶瓷件的连接层，该连接层包括一第一过渡层、一铝层、一第二过渡层、一镍层及一第三过渡层。 | ||||||
| 11 | 黄铜与碳化硅陶瓷复合件及其制造方法 | CN201010587320.3 | 2010-12-14 | CN102557704A | 2012-07-11 | 张新倍; 陈文荣; 蒋焕梧; 陈正士; 胡文峰 |
| 本发明提供一种黄铜与碳化硅陶瓷的制造方法，该方法主要包括在热压烧结炉中通过施加钛箔和镍箔作为连接介质层，实现黄铜与碳化硅陶瓷的固相扩散连接。本发明还提供一种由上述制造方法制得的黄铜与碳化硅陶瓷的复合件。黄铜与碳化硅通过上述制造方法连接具有较高的结合力。 | ||||||
| 12 | 导电浆料和层压的陶瓷电子部件 | CN01122368.5 | 2001-07-02 | CN1171242C | 2004-10-13 | 宫崎孝晴; 山名毅 |
| 本发明提供一种导电浆料，它包含：含镍的导电粉末，该导电粉末表面上粘附有水解的化合物B，所述水解的化合物B包含Ti和Zr中的至少一种；有机载体；和化合物A，它含有镁和钙中的至少一种，选自有机酸金属盐、氧化物粉末、金属有机配盐和醇盐，其中所述化合物B相对于100%重量所述导电粉末的粘附量以TiO2和ZrO2计为0.1%-5.0%重量，所述化合物B中含有的以TiO2和ZrO2计的Ti和Zr总量与所述化合物A中含有的以MgO和CaO计的Mg和Ca总量的摩尔比为0.5-4.0。本发明还提供了采用该导电浆料的层压陶瓷电子部件。 | ||||||
| 13 | 陶瓷加热器与陶瓷接合体 | CN02802778.7 | 2002-07-08 | CN1473452A | 2004-02-04 | 伊藤康隆 |
| 本发明的目的是提供一种陶瓷加热器，它们稳定地支承半导体晶片并均匀地加热整个半导体晶片等，不会使其产生任何弯曲。本发明的陶瓷加热器包括：盘状陶瓷基片；形成于陶瓷基片表面或里面的加热元件；和让提升销穿过陶瓷基片的通孔，其中形成的通孔数为三个或以上，而且诸通孔形成于某一区域，它与陶瓷基片中心的距离为该中心与陶瓷基片外缘距离的1/2或以上。 | ||||||
| 14 | 未加工陶瓷片、多层陶瓷电子元件的制造方法及未加工陶瓷片的载片 | CN02106737.6 | 2002-03-05 | CN1374668A | 2002-10-16 | 花井启臣 |
| 一种未加工陶瓷片的制造方法,包括:在载片的通过加热可分离的胶粘剂层或者通过紫外固化可分离的胶粘剂层上形成预定的电极图案,其中载片在基膜的一侧上包括可分离的胶粘剂层,用陶瓷浆料在其上形成有电极图案的可分离的胶粘剂层上形成未加工陶瓷片。可以良好的图案形成精确性形成所得的未加工陶瓷片中的电极,在形成未加工陶瓷片之后,容易分离载片。 | ||||||
| 15 | 单块陶瓷电子元件及其制造方法,和陶瓷糊浆及其制造方法 | CN00136422.7 | 2000-12-13 | CN1300090A | 2001-06-20 | 宫崎信; 田中觉; 木村幸司; 加藤浩二; 铃木宏始 |
| 制造单块陶瓷电子元件的方法,包括:提供陶瓷淤浆、导电糊和陶瓷糊浆;形成多个复合结构;各个结构包括由陶瓷淤浆成形制成的陶瓷坯料片,由导电糊局部施涂在陶瓷坯料片主表面上从而造成阶梯状区域的形成的内线路元件薄膜,以及用于补偿该阶梯状区域造成的空隙的陶瓷坯料层,所述陶瓷坯料层是将陶瓷糊浆施涂在陶瓷坯料片主表面上未形成元件薄膜的区域,从而基本补偿所述空隙;将复合结构叠合在一起形成叠合物坯料;烧制该叠合物坯料,其中的陶瓷糊浆包括陶瓷粉末、有机溶剂和有机粘合剂。还公开了采用该方法制造的单块陶瓷电子元件;陶瓷糊浆及其制备方法。 | ||||||
| 16 | 超导材料的接合方法 | CN201210181157.X | 2012-06-04 | CN103178422B | 2015-10-21 | 黄昆平; 张志振; 谢宇泽; 罗志伟; 苏志翔; 曾文彦 |
| 本发明公开一种超导材料的接合方法，其包括提供微波腔室，其中所述微波腔室中具有第一吸热板以及相对于第一吸热板的第二吸热板。将第一超导材料以及第二超导材料置于微波腔室中的第一吸热板以及第二吸热板之间，其中第一超导材料与第二超导材料之间具有重叠区域，且对第一吸热板以及第二吸热板施于一压力。在微波腔室中施予微波能量，其中第一吸热板以及第二吸热板将微波能量转换成热能，以使第一超导材料与第二超导材料于重叠区域接合在一起。 | ||||||
| 17 | 高电子密度的导电性钙铝石化合物的制造方法和靶材 | CN201380032752.X | 2013-06-19 | CN104395239A | 2015-03-04 | 伊藤和弘; 渡边晓; 渡边俊成; 宫川直通 |
| 一种导电性钙铝石化合物的制造方法，其特征在于，其为电子密度为5×1020cm-3以上的导电性钙铝石化合物的制造方法，该方法包括以下工序：工序(1)，制备包含钙铝石化合物或钙铝石化合物的前体的被处理体；和工序(2)，在前述被处理体的表面的至少一部分配置铝箔，在低氧分压的气氛下、1080℃～1450℃的范围的温度下保持前述被处理体。 | ||||||
| 18 | 陶瓷接合体及其制造方法 | CN201280027506.0 | 2012-08-30 | CN103596903A | 2014-02-19 | 井筒靖久; 有马峻; 近藤直树; 堀田干则; 北英纪 |
| 本发明涉及一种陶瓷接合体，其是氮化硅陶瓷被接合材料彼此通过含有氮化硅粒子和氮氧化硅玻璃的接合部位接合而成的。关于接合部位，在其微细结构组织中可观察到氮化硅粒子和氮氧化硅玻璃。氮氧化硅玻璃相对于观察视野中的氮化硅粒子与氮氧化硅玻璃的合计量的利用二维截面观察得到的比例为97：3～60：40。接合部位中含有的氮化硅粒子为柱状。 | ||||||
| 19 | 碳钢与碳化硅陶瓷的连接方法及制得的连接件 | CN201010525382.1 | 2010-10-29 | CN102452842A | 2012-05-16 | 张新倍; 陈文荣; 蒋焕梧; 陈正士; 胡文峰 |
| 本发明提供一种碳钢与碳化硅陶瓷的连接方法，该方法主要采用放电等离子体烧结设备对碳钢、碳化硅陶瓷及镍箔活性中间层施加脉冲电流而进行放电等离子体连接，放电等离子体连接的工艺参数为：轴向压力为20～50MPa，温度到达300℃前升温速率为20℃/min，超过300℃以后升温速率为80～150℃/min，连接温度为800～1100℃，保温时间为10～30分钟，炉膛内真空度为6～10Pa。本发明还提供一种上述连接方法制得的碳钢与碳化硅陶瓷的连接件。 | ||||||
| 20 | 不锈钢与碳化钛陶瓷的连接方法及制得的连接件 | CN201010518234.7 | 2010-10-25 | CN102452839A | 2012-05-16 | 张新倍; 陈文荣; 蒋焕梧; 陈正士; 胡文峰 |
| 本发明提供一种不锈钢与碳化钛陶瓷的连接方法，该方法主要包括在热压烧结炉中通过施加钛箔和铁箔作为连接介质层，实现不锈钢与碳化钛陶瓷的固相扩散连接。本发明还提供一种上述连接方法制得的不锈钢与碳化钛陶瓷的连接件，不锈钢与碳化钛通过上述连接方法连接具有较高的结合力。 | ||||||
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