| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 1 | 陶瓷铜电路基板和使用了陶瓷铜电路基板的半导体装置 | CN201280063176.0 | 2012-12-20 | CN104011852B | 2016-12-21 | 矢野圭一; 加藤宽正; 宫下公哉; 那波隆之 |
| 实施方式的陶瓷铜电路基板(1)具备陶瓷基板(2)、和经由包含活性金属元素的接合层而接合到陶瓷基板(2)的两面的第1以及第2铜板。在第1以及第2铜板的端部的截面中，比在从铜板与陶瓷基板的接合端朝向铜板的上表面内侧方向而与界面形成45°的方向上描绘出的直线(AB)还向铜板的外侧方向露出的截面的面积(C)相对与以直线(AB)为斜边的直角三角形相当的截面的面积(D)的比例(C/D)是0.2以上且0.6以下的范围。在第1以及第2铜板的上表面端部分别设置有R部，并且R部的从第1以及第2铜板的上方观察到的长度(F)为100μm以下。 | ||||||
| 2 | 金属-陶瓷-基材以及制备金属-陶瓷-基材的方法 | CN201380056024.2 | 2013-09-16 | CN104755445A | 2015-07-01 | K·施米德特; A·迈耶; A·勒加斯; M·施米勒 |
| 本发明涉及金属-陶瓷-基材及其制备方法，所述金属-陶瓷-基材包括至少一个具有第一表面侧和第二表面侧(2a、2b)的陶瓷层(2)，所述陶瓷层(2)在表面侧(2a、2b)的至少一者上设置有金属化层(3、4)，其中形成陶瓷层(2)的陶瓷材料包含氧化铝、二氧化锆以及氧化钇。特别有利地，氧化铝、二氧化锆以及氧化钇各自以其总重量计的以下比例包含在陶瓷层(2)中：二氧化锆，在2和15重量％之间；氧化钇，在0.01和1重量％之间；和氧化铝，在84和97重量％之间，其中所使用的氧化铝的平均粒径在2和8微米之间，并且氧化铝晶粒的晶界长度与所有晶界的总长度的比例大于0.6。 | ||||||
| 3 | 自带散热器的功率模块用基板、自带散热器的功率模块及自带散热器的功率模块用基板的制造方法 | CN201380053574.9 | 2013-10-11 | CN104718616A | 2015-06-17 | 寺崎伸幸; 长友义幸; 黑光祥郎 |
| 在本发明所涉及的自带散热器的功率模块用基板(1)中，金属层(13)及散热器(31)中的一个由铝或铝合金构成，且另一个由铜或铜合金构成，所述金属层(13)和所述散热器(31)固相扩散接合，在所述金属层(13)与所述散热器(31)的接合界面形成有由Cu和Al构成的金属间化合物层，在由铜或铜合金构成的所述金属层(13)或所述散热器(31)与所述金属间化合物层的界面，氧化物沿着所述界面以层状分散。 | ||||||
| 4 | 半导体电路板及其制造方法和使用其的半导体装置 | CN201380051959.1 | 2013-10-01 | CN104718615A | 2015-06-17 | 加藤宽正; 星野政则 |
| 本发明提供了半导体电路板，其中导体部分设置在绝缘衬底上，其中所述导体部分的半导体元件安装部的表面粗糙度按算术平均粗糙度Ra是0.3μm或更低，按十点平均粗糙度Rzjis是2.5μm或更低，按最大高度Rz是2.0μm或更小，并且按算术平均波纹度Wa是0.5μm或更低。另外，假定绝缘衬底的厚度是t1并且导体部分的厚度是t2，厚度t1和t2满足关系：0.1≤t2/t1≤50。由于上述结构，即使半导体元件的热产生量增加，也可以提供具有优异的TCT特性的半导体电路板和半导体装置。 | ||||||
| 5 | 用于将耐热保护部件施加至暴露于热的部件的表面的方法 | CN201410484873.4 | 2014-09-22 | CN104446591A | 2015-03-25 | H-P.博斯曼恩; M.斯图尔; D.雷努施 |
| 本发明涉及用于将耐热保护部件施加至暴露于热的部件的表面的方法。该方法包括步骤：提供至少两个分开的热保护部件(2)；通过柔性器件(1、4)而将至少两个分开的耐热保护部件(2)接合到它们的顶部表面和/或底部表面和/或至少一侧表面上以用于获得完整可操作实体；以及通过将各个热保护部件(2)的表面(5)施加并铜焊在暴露于热的部件的表面上以固定完整可操作实体。为了将柔性器件接合在所述分开的热保护部件(2)上，选择柔性器件(1、4)的材料以使材料经受铜焊，该铜焊在保护性气氛不含或含有减少的量的氧气的气氛下在700℃与1200℃之间的处理温度下执行，并且在铜焊之后在随后的氧化热步骤期间烧尽该材料。 | ||||||
| 6 | 新型陶瓷-金属封接及其制造方法 | CN201380024637.8 | 2013-01-31 | CN104302601A | 2015-01-21 | G·勒巴尼; N·里歇 |
| 本发明涉及封接组件，其包括：(a)陶瓷管(1)；(b)由耐热合金制成的第一环形件(2)，所述第一环形件包括：用于接纳陶瓷管的柱形开孔(21)；指向柱形开孔的内侧并且能够支承所述陶瓷管、定位在所述环形件的下端处的第一肩(22)；在所述环形件的上端处在所述陶瓷管和由耐热合金制成的第一环形件之间形成环形空间的第二肩(23)；(c)由可通过热处理变形地封接的材料制成的第二环形件(3)，所述第二环形件定位在由用耐热合金制成的所述环形件的第二肩形成的环形空间内；以及(d)由金属合金制成的第三环形件(4)，所述第三环形件定位在所述第一环形件(2)的上边缘上。 | ||||||
| 7 | 陶瓷铜电路基板和使用了陶瓷铜电路基板的半导体装置 | CN201280063176.0 | 2012-12-20 | CN104011852A | 2014-08-27 | 矢野圭一; 加藤宽正; 宫下公哉; 那波隆之 |
| 实施方式的陶瓷铜电路基板(1)具备陶瓷基板(2)、和经由包含活性金属元素的接合层而接合到陶瓷基板(2)的两面的第1以及第2铜板。在第1以及第2铜板的端部的截面中，比在从铜板与陶瓷基板的接合端朝向铜板的上表面内侧方向而与界面形成45°的方向上描绘出的直线(AB)还向铜板的外侧方向露出的截面的面积(C)相对与以直线(AB)为斜边的直角三角形相当的截面的面积(D)的比例(C/D)是0.2以上且0.6以下的范围。在第1以及第2铜板的上表面端部分别设置有R部，并且R部的从第1以及第2铜板的上方观察到的长度(F)为100μm以下。 | ||||||
| 8 | 半导体单元 | CN201310526888.8 | 2013-10-30 | CN103811477A | 2014-05-21 | 西槙介; 森昌吾; 音部优里; 加藤直毅 |
| 提供一种半导体单元，其包括：绝缘基片，该绝缘基片具有第一表面和与第一表面相对的第二表面；第一传导层，该第一传导层结合至绝缘基片的第一表面；第二传导层，该第二传导层在与第一传导层的位置不同的位置处结合至绝缘基片的第一表面；应力消除层，该应力消除层结合至绝缘基片的第二表面；散热装置，该散热装置在应力消除层的与绝缘基片相反的一侧上结合至应力消除层；以及半导体器件，该半导体器件电结合至相应的第一和第二传导层。绝缘基片具有低刚性部分，该低刚性部分设置在第一和第二传导层之间并且具有比绝缘基片的其余部分低的刚性，并且至少低刚性部分通过模具树脂密封和覆盖。 | ||||||
| 9 | 陶瓷电路基板 | CN201280019672.6 | 2012-07-13 | CN103503130A | 2014-01-08 | 星野政则; 中山宪隆; 那波隆之; 佐藤英树; 小森田裕 |
| 本发明涉及一种陶瓷电路基板，其在氧化铝基板上接合有金属电路板，其中，所述氧化铝基板含有99.5质量%以上的氧化铝Al2O3和低于0.5质量%的由烧结前配合的烧结助剂生成的来源于烧结助剂的成分；所述来源于烧结助剂的成分为含有钠的无机氧化物，所述来源于烧结助剂的成分中的钠以换算成氧化钠Na2O的质量计，在100质量%的所述氧化铝基板中含有0.001～0.1质量%；在所述氧化铝基板中，孔隙的最大直径为12μm以下，孔隙平均直径为10μm以下，维氏硬度为1500以上。 | ||||||
| 10 | 陶瓷电路基板 | CN201280019369.6 | 2012-07-13 | CN103492345A | 2014-01-01 | 星野政则; 佐藤英树; 小森田裕; 中山宪隆; 那波隆之 |
| 本发明涉及一种陶瓷电路基板，其在氧化铝基板上接合有金属电路板，其中，所述氧化铝基板含有94～98质量%的氧化铝Al2O3和2～6质量%的由烧结前配合的烧结助剂生成的来源于烧结助剂的成分；所述来源于烧结助剂的成分为含有硅的无机氧化物，所述来源于烧结助剂的成分中的硅以换算成氧化硅SiO2的质量计，在100质量%的所述氧化铝基板中含有0.01～1.5质量%；在所述氧化铝基板中，孔隙的最大直径为15μm以下，孔隙平均直径为10μm以下，维氏硬度为1300以上。 | ||||||
| 11 | 由多坯件拼合生产陶瓷部件的方法 | CN201280019284.8 | 2012-03-07 | CN103476734A | 2013-12-25 | 彼得·波尔斯特; 安德烈亚斯·金茨勒; 托马斯·普茨; 阿尔宾·冯·甘斯基; 布拉休斯·黑尔; 阿尔弗雷德·霍伊斯勒 |
| 本发明涉及一种包含以下步骤的部件生产方法：a）准备至少两个分别由碳复合材料制成的坯件，b）将至少两个坯件通过至少一个连接面连接成一个复合体，对此需要在坯件的连接面之间涂覆连接料，然后进行硬化，其中连接料包含碳化硅和至少一种聚合物粘合剂和c）将复合体硅化形成部件。 | ||||||
| 12 | 用于通过具有添加加强物的非反应性钎焊接合由SiC为基础的材料制成的部件的方法，钎焊组合物以及通过所述方法获得的接合部和组件 | CN201180024533.8 | 2011-03-11 | CN103003018A | 2013-03-27 | 瓦莱里·肖马; 让-弗朗索瓦·埃纳 |
| 本申请描述了一种通过非反应性钎焊接合由碳化硅为基础的材料制成的至少两个部件(1，2)的方法，其中，使部件(1，2)与非反应性钎焊组合物(3)接触，将由部件(1，2)和钎焊组合物(3)形成的组件(1-3)加热到足以完全地或至少部分地熔化钎焊组合物(3)的钎焊温度，并且将部件和钎焊组合物(3)冷却，从而使得在所述组合物已固化之后形成适度耐火接合部；其中，非反应性钎焊组合物(3)是按照原子百分比包括60%到66%的硅和34%到40%的镍的二元合金，并且其中，在使部件(1，2)与钎焊组合物接触之前，添加加强物。本申请还描述了一种用于由碳化硅为基础的材料制成的部件的非反应性钎焊的组合物，其包括所述非反应性钎焊组合物，并且还包括加强物的添加，并且通过所述方法获得接合部和组件。 | ||||||
| 13 | 将金属陶瓷基底与金属体接合的方法 | CN201210177618.6 | 2012-05-31 | CN102810487A | 2012-12-05 | 海科·诺尔 |
| 通过金属合金将金属陶瓷基底接合到金属体的方法，其中金属陶瓷基底在其至少一侧上具有金属化结构，其中a)使用厚度小于1.0毫米的金属体，b)金属合金，其b-1)包含铝，和b-2)具有大于450℃的液相温度，该金属合金设置在金属陶瓷基底和金属体之间，c)将从步骤b)得出的组件加热到大于450℃的温度。根据本发明可以获得的金属陶瓷模块尤其特征在于在金属体和陶瓷基底之间非常牢固的接合。需要用于分离陶瓷基底和金属体的剥离力优选的是大于3N/mm。可以根据本发明获得的金属陶瓷模块的应用领域优选的是包括在电子应用中作为电路载体，而金属陶瓷模块的金属体优选的是起冷却体的作用。 | ||||||
| 14 | 陶瓷烧结体及采用其的半导体装置用基板 | CN201080015347.3 | 2010-04-02 | CN102395540A | 2012-03-28 | 长广雅则; 大上纯史; 小松敬幸 |
| 本发明的课题是提供一种陶瓷烧结体及采用其的半导体装置用基板，其机械强度高、放热性出众，且与铜板的接合界面上难以产生空隙。其解决手段是一种用作绝缘基板的陶瓷烧结体1，该绝缘基板用于安装电子部件，其特征在于，在对陶瓷烧结体进行制造时所用的粉体材料含有主成分的氧化铝、部分稳定化氧化锆、以及氧化镁，部分稳定化氧化锆的含有量的上限相对于粉体材料的全重量是30wt％，氧化镁的含有量相对于粉体材料的全重量是0.05～0.50wt％的范围内，陶瓷烧结体中所含的氧化锆结晶中80～100％是四方晶相。 | ||||||
| 15 | 水泥工业管磨机用新型衬板结构及其制作方法 | CN201010271651.6 | 2010-09-03 | CN101912804A | 2010-12-15 | 李小如 |
| 本发明涉及一种水泥工业管磨机用的新型衬板结构及其制作方法。本发明高性能新型衬板的制作方法有三种技术方案：本发明高性能新型衬板的制作方法有三种技术方案：1)金属衬板，2)陶瓷衬板，3)组合式衬板；组合式衬板的制作方法是将金属衬板与筒体结合的凹凸空间里衬置刚玉陶瓷衬板，然后将衬板用所述的固化物镶砌、粘贴，以及用局部焊接的方式安装在磨筒体钢板内。这种新型组合式衬板的使用寿命可得到进一步强化和延长，这是现行任何形式的衬板都无法做到的。本发明在相同基准条件下衬板重量在现有基础上减轻50％，节省钢材消耗50％以上，衬板的使用寿命提高一倍达到15000～20000小时。 | ||||||
| 16 | 电子元器件及其制造方法 | CN200580040741.1 | 2005-11-28 | CN100485910C | 2009-05-06 | 西泽吉彦; 池田哲也 |
| 如专利文献1所述，若随着混合IC等电子元器件进一步降低高度，而减薄屏蔽壳，则由于屏蔽壳是金属制的，因此难以高精度地对它进行弯折等加工，另外由于吸取时作用的外力，使屏蔽壳的变形显著。在专利文献2所述的技术中，由于陶瓷制的盖罩形成为箱型形状，因此若为了电子元器件降低高度，而减薄盖罩的陶瓷厚度，则例如图18(a)、(b)所示，顶部2A产生弯曲。本发明的电子元器件10包括；具有布线图形14的布线基板11；安装在布线基板11的上表面的表面安装元器件12；以及覆盖布线基板11的盖罩13，盖罩13包括；利用平板状的陶瓷构件形成的顶部13A；以及利用具有与表面安装元器件12相同程度的高度的柱状构件而形成的脚部13B。 | ||||||
| 17 | 陶瓷电路基板 | CN96190106.3 | 1996-07-12 | CN1135912C | 2004-01-21 | 那波隆之 |
| 一种陶瓷电路基板，其特征在于：该陶瓷电路基板系通过含有从钛、锆、铪、钒、铌和钽中选出的至少一种活性金属的银-铜类钎料焊料层5将陶瓷基板2与金属电路板3接合起来而形成，其中银-铜类钎料焊料层5与陶瓷基板2发生反应而生成的反应生成层6的维氏硬度是在1100以上。此外，在银-铜类钎料焊料层5中最好还含有从铟、锌、镉和锡中选出的至少一种元素。此外，钎料焊料层5中最好含有重量百分比为0.1～10.0%的碳粉末。如采用上述构成，即使在长时间地外加重复的冷热循环后，也能有效地抑制裂缝的产生，可提供所谓耐热循环特性优良、可靠性高的陶瓷电路基板。 | ||||||
| 18 | 陶瓷加热器 | CN97104955.6 | 1997-03-31 | CN1126433C | 2003-10-29 | 小西雅弘; 立松一穗 |
| 本发明涉及一种陶瓷加热器，它是将一加热件嵌在陶瓷体中构成的。陶瓷体是由烧结的基本陶瓷成分构成的，基本陶瓷成分含有1wt%至3wt%的范围内的调节陶瓷成分。调节陶瓷成分包括从由热膨胀系数大于基本陶瓷成分的金属硅酸盐、金属碳酸盐、金属硼化物和金属氮化物构成的一组中选择的至少一种成分。 | ||||||
| 19 | 充银玻璃金属化糊剂 | CN86102617 | 1986-04-16 | CN86102617A | 1987-01-07 | 雷蒙德·L·迪茨; 罗麦奥·萨拉萨尔; 弗里德里克·维斯 |
| 一种充银玻璃金属化糊剂，适用于把半导体器件粘到陶瓷基片上，其按重量计的基本百分组成是：25-95％的片状银粉；75-5％的玻璃料；液态有机液料，其量应足以使糊剂中的固体百分比大约在75-85％，其特征在于：在焙烧温度为370-390℃范围内能提供有效的粘附强度，其片状银粉具有2.5-3.6gm/cc的摇实密度和0.7-0.9m2/gm的表面积；其玻璃料的软化点为320-350℃，表面积约为1.0-2.5m2/gm，摇实密度大约在2.0-3.5gm/cc。 | ||||||
| 20 | 将金属陶瓷基底与金属体接合的方法 | CN201210177618.6 | 2012-05-31 | CN102810487B | 2017-12-26 | 海科·诺尔 |
| 通过金属合金将金属陶瓷基底接合到金属体的方法，其中金属陶瓷基底在其至少一侧上具有金属化结构，其中a)使用厚度小于1.0毫米的金属体，b)金属合金，其b‑1)包含铝，和b‑2)具有大于450℃的液相温度，该金属合金设置在金属陶瓷基底和金属体之间，c)将从步骤b)得出的组件加热到大于450℃的温度。根据本发明可以获得的金属陶瓷模块尤其特征在于在金属体和陶瓷基底之间非常牢固的接合。需要用于分离陶瓷基底和金属体的剥离力优选的是大于3N/mm。可以根据本发明获得的金属陶瓷模块的应用领域优选的是包括在电子应用中作为电路载体，而金属陶瓷模块的金属体优选的是起冷却体的作用。 | ||||||
QQ群二维码
意见反馈
意见反馈