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序号	专利名	申请号	申请日	公开（公告）号	公开（公告）日	发明人
1	蒸镀用金属掩模	CN201720954355.3	2017-08-02	CN207619515U	2018-07-17	西刚广
蒸镀用金属掩模具备包括多个掩模孔的掩模区域，位于掩模区域的中央以外的位置的各掩模孔的连接部具有遍及掩模孔的整周地朝向掩模孔的内侧突出的形状，由作为掩模区域的中央附近的部分的第1部分、和作为掩模区域的端部附近的部分的第2部分构成。第1部分与掩模区域的背面之间的距离是第1台阶高度，端部区域中的第1台阶高度比中央区域中的第1台阶高度小。
2	用于处理腔室中的腔室部件	CN201721058541.5	2017-08-23	CN207587699U	2018-07-06	王建齐; 尤吉塔·巴瑞克; 朱丽亚·巴文; 凯文·A·派克
本公开内容的实现方式提供用于处理腔室中的腔室部件。腔室部件包括：主体，所述主体在等离子体处理腔室中使用；氧化物阻挡层，所述氧化物阻挡层形成在主体的暴露表面的至少一部分上，氧化物阻挡层具有2gm/cm3或大于2gm/cm3的密度；以及氟氧化铝层，所述氟氧化铝层形成在氧化物阻挡层上，氟氧化铝层具有2nm或大于2nm的厚度。
3	用于过滤金属的设备	CN201720621614.0	2017-05-31	CN207435519U	2018-06-01	R·杜蒙特; F·卡伦; P·科特; J·F·德斯穆尔斯
本实用新型涉及一种用于过滤金属的设备，包括设置在用于所熔融金属的容器中的至少一种陶瓷泡沫过滤器或任何其它类型的滤介质，诸如多孔管或铝球。振动器振动过滤器、容器或金属中的少一者，并且可用于诱导所述过滤器的灌注、过滤和/或排空。所述动器可改装至现有过滤系统并且在频率和幅值方面可为可调整的。述振动在给定时间段内可为连续的或以单次震动产生。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
4	成型模具	CN201721188080.3	2017-09-15	CN207391252U	2018-05-22	张志豪; 陈志德
本实用新型公开一种成型模具。成型模具包括一上模块件以及一下模块件。上模块件包括一上模板以及多个设置在上模板上的定位柱。上模板的同一侧设有至少一模仁以及多个围绕至少一模仁的配合柱。下模块件包括一下模板以及至少一成型模。下模板具有至少一容置槽、多个围绕至少一容置槽的配合槽以及多个围绕至少一容置槽的定位孔。再者，至少一成型模设置在至少一容置槽内，且至少一成型模具有与至少一模仁相互配合的一成型腔。另，多个定位柱分别被置入多个定位孔内，且多个配合柱分别被置入多个配合槽内。借此，成型模具通过至少一模仁与成型腔的配合，以形成一工件。
5	多组分涂层和具有多组分涂层的半导体工艺腔室部件	CN201720461582.2	2017-04-27	CN207193391U	2018-04-06	D·芬威克; J·Y·孙
本实用新型涉及多组分涂层和具有多组分涂层的半导体工艺腔室部件。一种用于半导体工艺腔室部件的表面的多组分涂层组成物包括使用原子层沉积工艺涂布到该半导体工艺腔室部件的该表面上的氧化钇或氟化钇的至少一个第一膜层以及使用原子层沉积工艺涂布到该半导体工艺腔室部件的该表面上的额外氧化物或额外氟化物的至少一个第二膜层，其中该多组分涂层组成物选自由YOxFy、YAlxOy、YZrxOy和YZrxAlyOz组成的群组。
6	用于处理基板的设备及用于热处理基板的设备	CN201720399287.9	2017-04-17	CN207149532U	2018-03-27	阿古斯·索菲安·查德拉; 马丁·J·里普利
本公开内容涉及一种用于处理基板的设备及一种用于热处理基板的设备。本公开内容的实现方式提供在热处理期间改善气体分布的设备和方法。本公开内容的一个实现方式提供一种用于处理基板的设备，该设备包含界定处理容积的腔室主体，安置在处理容积中的基板支撑件，其中所述基板支撑件具有基板支撑表面、耦接至腔室主体的入口的气源组件、耦接至腔室主体的出口的排气组件、和耦接至腔室主体的侧壁的侧气体组件，其中所述侧气体组件包含指向与基板支撑表面的边缘相切的方向的气体入口，以及其中所述气体入口、所述腔室主体的入口、和所述腔室主体的出口相对于彼此以约90°成角度地偏移，以及所述气体入口、所述腔室主体的入口、和所述腔室主体的出口通过共面相交。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
7	用于在至少一个突起上产生研磨材料的沉积物的设备	CN201720455747.5	2017-04-27	CN207047307U	2018-02-27	马修·莫鲁瓦
本实用新型涉及用于在至少一个突起上产生研磨材料的沉积物的设备，所述至少一个突起位于涡轮发动机部件上，涡轮发动机部件尤其是在涡轮发动机的操作期间是可运动的环形部件，该设备包括涡轮发动机部件、用于在所述至少一个突起的纵向外周上热喷涂研磨材料层的装置，该装置能够使得朝着所述外周指向的喷射流以如下方式运动，该方式使得所述射流在所述至少一个突起上的冲击区域在所述外周的两个纵向端部之间运动，其特征在于，该设备还包括用于遮蔽喷射流的装置，当所述射流朝着所述纵向端部中的被称为遮蔽射流端部的一个纵向端部指向时，该装置能够在距部件一距离处遮蔽所述射流，以在所述遮蔽射流端部的区域中减小冲击区域的纵向范围。
8	具有不均匀的气体流间隙的基板支撑组件	CN201720217297.6	2017-03-07	CN207021233U	2018-02-16	栗田真一; R·L·蒂纳
本实用新型涉及具有不均匀的气体流间隙的基板支撑组件。本文所述实施方式一般涉及一种用于在等离子体处理腔室中使用以提供在基板支撑组件与等离子体处理腔室的侧壁之间流动的不均匀的气体流的基板支撑组件。在一个实施方式中，基板支撑组件包括基板支撑组件，基板支撑组件包括：基板支撑主体，所述基板支撑主体限定所述基板支撑主体的至少第一侧面；以及角落区域和中心区域，角落区域和中心区域形成在基板支撑主体的第一侧面中，其中角落区域具有比中心区域的中心宽度小的角落宽度，宽度被限定在基板支撑主体的中心轴线与第一侧面之间。
9	室外用部件	CN201720019357.3	2017-01-09	CN206751952U	2017-12-15	永井彬雄; 山内弥; 横泽太
本实用新型的目的在于，能在室外用部件中获得具有光泽性以及耐磨损性的设计部。作为室外用部件的曲柄（12）具备：金属制的基材（20）、绝缘部（22）、设计部（24）。绝缘部（22）配置在基材（20）上。设计部（24）在基材（20）上与绝缘部（22）并排地配置。设计部（24）包含至少一个的镀层（26）。
10	便携式电子设备和折射涂层	CN201621044239.X	2016-09-08	CN206710631U	2017-12-05	J·R·威尔森
本实用新型涉及便携式电子设备和折射涂层。所述便携式电子设备包括外壳部件以及布置在外壳部件上的折射涂层。折射涂层包括基体以及悬浮在基体中并且限定空腔的多孔颜料颗粒，其中空腔与多孔颜料颗粒之间的折射率差值大于基体与多孔颜料颗粒之间的折射率差值。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
11	用于管道中的水及固体的中断装置	CN201621359388.5	2016-12-12	CN206608674U	2017-11-03	阿图罗·帕雷亚达·卡萨诺瓦斯; 大卫·费尔南德斯·卡布雷拉
用于管道中的水及固体的中断装置，包括可充气气球（1）、充气探头（2）、管子（3）和压缩空气或气体介质，在使用情况下，所述压缩空气或气体介质以及所述充气探头（2）分别连接至所述管子（3）的一个端部，所述可充气气球（1）引入管道（5）的内部，所述充气探头（2）设置于所述可充气气球（1）内，能够对所述可充气气球（1）充气，所述充气探头（2）还设置为穿过同一管道（5）中形成的孔（51）。
12	冷却气体进料块和处理腔室	CN201621395316.6	2016-12-19	CN206574680U	2017-10-20	戈文达·瑞泽; 哈里斯·库马尔·帕纳瓦拉菲·库马兰库蒂; 林·张; 斯坦利·吴
本实用新型公开了冷却气体进料块和处理腔室。所述冷却气体进料块具有主体。所述主体具有主中心部分，所述主中心部分具有顶表面和底表面。所述主体还具有凸缘，所述凸缘从所述主中心部分的所述底表面向外延伸。气体通道穿过所述主体设置。所述气体通道具有在所述主中心部分的所述顶表面中形成的入口和在所述主中心部分的所述底表面中形成的出口。所述主体还具有中心冷却剂通道。所述中心冷却剂通道具有第一部分和耦接至所述第一部分的第二部分，所述第一部分具有在所述主中心部分的顶表面中形成的入口，所述第二部分具有在所述凸缘的侧壁上形成的出口。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
13	一种药敏纸片分配器	CN201621319945.0	2016-12-05	CN206511402U	2017-09-22	郑震山; 张书祥; 李华中; 杨洁; 高春媛
本实用新型涉及一种向微生物培养基平板上添加药敏纸片的药敏纸片分配器，包括推杆、上壳体、内部旋转零件、下压零件、弹簧、弹簧底座和运动盘，将盛有药敏纸片的药管插入分配器上对应的槽孔中，下压推杆，使内部旋转零件向下运动，从而带动运动盘旋转，旋转过程中，运动盘上的推针将药管中的药敏纸片推出至药敏纸片输出口。继续下压推杆，下压零件上固定的夯针可将药敏纸片输出口中的药敏纸片推出并压入培养基上。移除推杆上施加的压力，在内部压缩弹簧回复力作用下推杆与内部零件复位，完成一次接种工作。其显著效果在于可以兼容多种规格的用于盛装药敏纸片的药管，且推杆与分配器主体可以分离，使加入药管之后的分配器更加便于储存。
14	定位基板的升降杆和用于处理基板的基板支撑组件	CN201621195983.X	2016-11-04	CN206401293U	2017-08-11	K·高希; M·G·库尔卡尼; S·巴录佳; P·P·贾; K·尼塔拉
本文公开的实施方式总体提供一种定位基板的升降杆和用于处理基板的基板支撑组件。在一个实施方式中，所述升降杆包括具有第一末端和通过轴耦接至第一末端的第二末端的升降杆，所述第一末端包括具有顶表面的杆头，其中所述顶表面是平面且平坦的；以及将杆头耦接至轴的扩口部分，所述扩口部分具有沿着相对于升降杆的纵轴成约110°至约140°的角度的方向延伸的外表面。
15	一种TFT‑LCD用投料机螺旋轴快速调整装置	CN201621190210.2	2016-10-31	CN206345777U	2017-07-21	贺群胜
本实用新型公开了一种TFT‑LCD用投料机螺旋轴快速调整装置，包括安装在投料机套筒端部的圆弧状调整块，调整块的中心设有通孔，通孔的直径与所需调整的螺旋轴的直径相同；调整块的内端面设有凸台，所述凸台的外径与投料机套筒的内径相同。解决了现有技术中投料机螺旋轴对中调整困难、难以判断是否调整到位的问题。本实用新型可以快速对投料机螺旋轴进行对中调整，保证了螺旋轴的对中性能，增加了螺旋轴的正常使用寿命，满足正常生产要求。
16	热学腔室	CN201621383412.9	2016-12-16	CN206332060U	2017-07-14	栗田真一; 稻川真; 苏哈斯·博斯克
本文所述实施方式涉及热学腔室。所述热学腔室可为配置用于制造OLED装置的较大处理系统的部分。所述热学腔室可配置成加热和冷却用于所述处理系统中的沉积工艺的掩模和/或基板。所述热学腔室可包括腔室主体，所述腔室主体限定大小适于接收容纳多个掩模和/或基板的一或多个晶盒的空间。在所述空间内耦接到所述腔室主体的加热器可配置成以可控制的方式在沉积工艺前加热掩模和/或基板和在沉积工艺后冷却掩模和/或基板。
17	电镀系统及与电镀处理器一起使用的补充器	CN201621216935.4	2016-11-11	CN206319075U	2017-07-11	保罗·R·麦克休; 格雷戈里·J·威尔逊
本公开内容涉及电镀系统及与电镀处理器一起使用的补充器。一种电镀系统包括具有容器的处理器，所述容器具有分别含有阴极电解液和阳极电解液的第一或上隔室和第二或下隔室，在所述隔室之间存在处理器阴离子隔膜。惰性阳极安置在所述第二隔室中。补充器经由阴极电解液返回线和供应线和阳极电解液返回线和供应线与所述容器连接，从而使阴极电解液和阳极电解液流通经过由补充器阴离子隔膜分离的所述补充器中的隔室。所述补充器通过移动来自块体金属源的离子将金属离子添加到所述阴极电解液中，并且将来自所述阳极电解液的阴离子移动穿过所述阴离子隔膜并且到所述阴极电解液中。所述阴极电解液和所述阳极电解液中的金属离子和阴离子的浓度保持平衡。
18	反应性热处理设备	CN201621055244.0	2016-09-14	CN206271726U	2017-06-20	黄庭辉
一种反应性热处理设备，适于处理一薄膜装置，该反应性热处理设备包括一炉管。炉管沿着一方向延伸，具有一第一端与一第二端，该炉管还包括一高温部、一低温部及一阀门。高温部靠近该第二端，用以摆放薄膜装置。低温部靠近该第一端，具有一气密结构。阀门设置于该第一端。该低温部的一内侧壁具有一凹陷部，此凹陷部与该高温部的一内侧壁形成一段差，本创作的有益效果是可避免冷凝的液态硒回流高温区，维持硒反应的稳定性，提高薄膜装置加工的良率。
19	用于在CVD或PVD反应器的过程室中固持至少一个基材的设备	CN201620924056.0	2016-08-23	CN206232802U	2017-06-09	J.奥多德; D.克拉本斯; O.菲隆
本实用新型涉及一种用于在CVD或PVD反应器的过程室中固持至少一个基材(20)的设备，在所述反应器的平坦的顶侧上具有至少一个被至少一个定位边(3)限定的、用于容纳至少一个基材(20)的支承兜孔(2)，其中，所述支承兜孔(2)具有支承兜孔底部(4)，在定位边(3)附近从所述支承兜孔底部突伸出支承凸起(8)，所述支承凸起构成被侧壁(10)围绕的支承区(9)，所述支承区位于支承平面(E)中，所述支承平面相对于围绕支承凸起(8)的槽(5)比相对于支承兜孔底部(4)具有更大的垂直间距。为了提高基材的顶侧上的温度均匀度规定，所述槽(5)在凹陷(11)中延伸，所述凹陷的垂直水平面位于槽(5)的底部(6)与支承兜孔底部(4)之间。支承凸起(8)和/或包围所述支承凸起(8)的槽(5)相对于定位边(3)具有水平间距。
20	热处理装置	CN201621044071.2	2016-09-08	CN206204351U	2017-05-31	安德鲁斯·赖纳茨
一种热处理装置(100)，具有第一熔炉(110)，用于将钢材(200)加热到低于AC3 温度以下的温度，其特征在于：所述热处理装置(100)也具有处理站(150)和第二熔炉(130)，其中所述处理站(150)包括一个使钢材(200)的一个或多个第二区域(220)快速快速降温的装置，和所述第二熔炉(130)以多种方式供热，借此供热，所述钢材(200)的至少第一区域或其他区域(210)可被加热到高于AC3温度。

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