| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 1 | 受约束的金属凸缘及其制造方法 | CN201210050337.4 | 2012-02-22 | CN102672357B | 2016-04-20 | J·D·范达姆; K·K·丹尼克; K·S·哈兰; D·M·利普金; M·S·彼得森二世 |
| 本发明涉及受约束的金属凸缘及其制造方法。本发明提供一种制造带凸缘金属物品的方法。该方法包括：(a)将第一铜焊化合物施用到金属物品的第一部分上；(b)用一定长度的约束金属部件缠绕金属物品的第一部分；以及(c)将金属物品、约束金属部件和第一铜焊化合物的组件加热到高于第一铜焊化合物的固相线温度的温度，即典型地在大约300℃至大约2500℃的范围中的温度，以提供带凸缘金属物品，其中，金属物品具有热膨胀系数CTE 1，约束金属部件具有热膨胀系数CTE 2，并且CTE 1大于CTE 2。本发明进一步提供一种金属凸缘，它最大程度地减小高膨胀金属和低膨胀脆性材料之间的热膨胀失配。 | ||||||
| 2 | 防放电结构体 | CN201480003411.4 | 2014-03-12 | CN104871279A | 2015-08-26 | 田口真实; 内藤孝; 梶原悟 |
| 在包括具有金属化部的陶瓷部件、与上述金属化部接触的金属部件和接合上述陶瓷部件与上述金属部件的钎料的防放电结构体中，形成利用含V(钒)并具有导电性的玻璃覆盖上述金属化部尖端的加厚部。此外，在具有金属化部的陶瓷部件、与上述金属化部接触的金属部件、以及利用钎料接合上述陶瓷部件与上述金属部件的防放电结构体的制造方法中，包括：将含有V并具有导电性的玻璃加热到玻璃化温度以上且小于结晶温度的工序；和形成覆盖上述金属化部的尖端的加厚部的工序。 | ||||||
| 3 | 用于制备热电式发电机的结构、包含该结构的热电式发电机及其制备方法 | CN201280014398.3 | 2012-03-22 | CN103460418A | 2013-12-18 | 恩戈·范·农; 尼尼·普吕茨; 克里斯蒂安·罗伯特·哈芬登·巴尔; 安诺斯·史密斯; 瑟伦·林德罗特 |
| 本发明涉及用于制备热电式发电机的结构、包含该结构的热电式发电机以及制备该结构的方法。 | ||||||
| 4 | 陶瓷接合体、陶瓷加热器以及气体传感器 | CN200910180641.9 | 2009-10-26 | CN101723699A | 2010-06-09 | 樱井喜久男; 桑山友广 |
| 本发明提供一种陶瓷接合体、陶瓷加热器以及气体传感器。其目的在于提供一种能够抑制陶瓷基体与连接端子的分离的技术。本发明利用一种包括在长度方向上延伸的陶瓷基体、设于陶瓷基体的表面上的电极焊盘、与外部电路电连接的连接端子以及用于接合电极焊盘与连接端子的接合部。在此，电极焊盘包括与陶瓷基体接触的第1层和层叠在第1层上且与接合部接触的第2层。在第1层中，上述第1层所含有的上述陶瓷基体的陶瓷材料的含量(重量％)大于上述第2层中的含量。第1层的轮廓在整周上处于第2层的轮廓的外侧。 | ||||||
| 5 | 电子元器件及其制造方法 | CN200580040741.1 | 2005-11-28 | CN101065842A | 2007-10-31 | 西泽吉彦; 池田哲也 |
| 如专利文献1所述，若随着混合IC等电子元器件进一步降低高度，而减薄屏蔽壳，则由于屏蔽壳是金属制的，因此难以高精度地对它进行弯折等加工，另外由于吸取时作用的外力，使屏蔽壳的变形显著。在专利文献2所述的技术中，由于陶瓷制的盖罩形成为箱型形状，因此若为了电子元器件降低高度，而减薄盖罩的陶瓷厚度，则例如图18(a)、(b)所示，顶部2A产生弯曲。本发明的电子元器件10包括；具有布线图形14的布线基板11；安装在布线基板11的上表面的表面安装元器件12；以及覆盖布线基板11的盖罩13，盖罩13包括；利用平板状的陶瓷构件形成的顶部13A；以及利用具有与表面安装元器件12相同程度的高度的柱状构件而形成的脚部13B。 | ||||||
| 6 | 陶瓷-金属粘合材料及用该材料制作的真空密封容器 | CN96106282.7 | 1996-05-17 | CN1051068C | 2000-04-05 | 丸山美保; 末长诚一; 立石浩史; 中桥昌子; 竹田博光; 丹羽昭次 |
| 本发明提供了一种陶瓷－金属粘合材料，及一种使用该材料制作的真空密封容器。用该材料以活性金属法对真空密封容器作陶瓷－金属封接时，可抑制元素由密封件向钎焊料中的扩散，重复性良好地形成可靠性高的封接部件。本发明的结合材料包括：设置于金属制密封件4一侧的金属钎焊料1；设置于陶瓷制绝缘容器5一侧的活性金属钎焊料3；及设置于上述金属钎焊料1、3之间、防止金属元素扩散的中间层2。 | ||||||
| 7 | 面粘结陶瓷体的方法 | CN88103198 | 1988-05-20 | CN88103198A | 1988-12-07 | 马克·S·纽库克; 罗伯特·C·肯特内尔; 尤根·S·帕克 |
| 利用从前体金属体得到的熔融金属与一种蒸气相氧化剂作用生成氧化反应产物粘结物，从而把两个或几个陶瓷体粘结在一起。氧化反应产物在相邻的、面对面的，基本上叠合的陶瓷体的表面间生成，把表面衔接起来从而把陶瓷体粘结在一起。使用促进剂有利于氧化反应产物的生成。 | ||||||
| 8 | 用于制备热电式发电机的结构、包含该结构的热电式发电机及其制备方法 | CN201280014398.3 | 2012-03-22 | CN103460418B | 2016-07-06 | 恩戈·范·农; 尼尼·普吕茨; 克里斯蒂安·罗伯特·哈芬登·巴尔; 安诺斯·史密斯; 瑟伦·林德罗特 |
| 本发明涉及用于制备热电式发电机的结构、包含该结构的热电式发电机以及制备该结构的方法。 | ||||||
| 9 | 陶瓷接合体、陶瓷加热器以及气体传感器 | CN200910180641.9 | 2009-10-26 | CN101723699B | 2013-11-20 | 樱井喜久男; 桑山友广 |
| 本发明提供一种陶瓷接合体、陶瓷加热器以及气体传感器。其目的在于提供一种能够抑制陶瓷基体与连接端子的分离的技术。本发明利用一种包括在长度方向上延伸的陶瓷基体、设于陶瓷基体的表面上的电极焊盘、与外部电路电连接的连接端子以及用于接合电极焊盘与连接端子的接合部。在此，电极焊盘包括与陶瓷基体接触的第1层和层叠在第1层上且与接合部接触的第2层。在第1层中，上述第1层所含有的上述陶瓷基体的陶瓷材料的含量(重量％)大于上述第2层中的含量。第1层的轮廓在整周上处于第2层的轮廓的外侧。 | ||||||
| 10 | 陶瓷制放电灯及陶瓷制放电灯的制造方法 | CN201010133058.5 | 2010-03-10 | CN101834112A | 2010-09-15 | 森安研吾; 森本幸裕 |
| 提供一种将具备陶瓷制的发光管的放电灯不必设置金属化层而通过钎焊进行密封，且可提高密封部的信赖性的放电灯及其制造方法。一种陶瓷制放电灯，具备具有陶瓷部件与金属部件的发光管，在该发光管的内部封入有放电气体，其特征在于，在上述陶瓷部件的表面上，固定形成有焊料材料而未覆盖上述金属部件，而且在上述焊料材料与陶瓷部件表面之间具有钛层，通过与上述焊料材料连续地形成的焊料材料覆盖上述金属部件的一部分，由此将上述陶瓷部件与上述金属部件气密地接合。 | ||||||
| 11 | 化学气相沉积的碳化硅制品 | CN200810081741.1 | 2008-03-06 | CN101429048A | 2009-05-13 | M·A·皮克林; J·L·特里巴; K·D·莱斯 |
| 公开了多种化学气相沉积的碳化硅制品及其制造方法。所述化学气相沉积之碳化硅制品系由多个用烧结陶瓷接头连结在一起的部件构成。所述接头加强而且可保持在制品接合处的公差。所述制品可用于半导体加工。 | ||||||
| 12 | 陶瓷-金属粘合材料、陶瓷-金属粘合件的制法及真空密封容器 | CN96106282.7 | 1996-05-17 | CN1167742A | 1997-12-17 | 丸山美保; 末长诚一; 立石浩史; 中桥昌子; 竹田博光; 丹羽昭次 |
| 本发明提供了一种陶瓷-金属粘合材料，一种使用该材料的陶瓷-金属粘合件的制造方法；及一种使用该材料制作的真空密封容器。用该材料以活性金属法对真空密封容器作陶瓷-金属封接时，可抑制元素由密封件向钎焊料中扩散，重复性良好地形成可靠性高的封接部件。本发明的结合材料包括：设置于金属制密封件4一侧的金属钎焊料1；设置于陶瓷制绝缘容器5一侧的活性金属钎焊料3；及设置于上述金属钎焊料1、3之间、防止金属元素扩散的中间层2。 | ||||||
| 13 | 陶瓷铜电路基板和使用了陶瓷铜电路基板的半导体装置 | CN201280063176.0 | 2012-12-20 | CN104011852B | 2016-12-21 | 矢野圭一; 加藤宽正; 宫下公哉; 那波隆之 |
| 实施方式的陶瓷铜电路基板(1)具备陶瓷基板(2)、和经由包含活性金属元素的接合层而接合到陶瓷基板(2)的两面的第1以及第2铜板。在第1以及第2铜板的端部的截面中，比在从铜板与陶瓷基板的接合端朝向铜板的上表面内侧方向而与界面形成45°的方向上描绘出的直线(AB)还向铜板的外侧方向露出的截面的面积(C)相对与以直线(AB)为斜边的直角三角形相当的截面的面积(D)的比例(C/D)是0.2以上且0.6以下的范围。在第1以及第2铜板的上表面端部分别设置有R部，并且R部的从第1以及第2铜板的上方观察到的长度(F)为100μm以下。 | ||||||
| 14 | 用于将耐热保护部件施加至暴露于热的部件的表面的方法 | CN201410484873.4 | 2014-09-22 | CN104446591A | 2015-03-25 | H-P.博斯曼恩; M.斯图尔; D.雷努施 |
| 本发明涉及用于将耐热保护部件施加至暴露于热的部件的表面的方法。该方法包括步骤：提供至少两个分开的热保护部件(2)；通过柔性器件(1、4)而将至少两个分开的耐热保护部件(2)接合到它们的顶部表面和/或底部表面和/或至少一侧表面上以用于获得完整可操作实体；以及通过将各个热保护部件(2)的表面(5)施加并铜焊在暴露于热的部件的表面上以固定完整可操作实体。为了将柔性器件接合在所述分开的热保护部件(2)上，选择柔性器件(1、4)的材料以使材料经受铜焊，该铜焊在保护性气氛不含或含有减少的量的氧气的气氛下在700℃与1200℃之间的处理温度下执行，并且在铜焊之后在随后的氧化热步骤期间烧尽该材料。 | ||||||
| 15 | 陶瓷铜电路基板和使用了陶瓷铜电路基板的半导体装置 | CN201280063176.0 | 2012-12-20 | CN104011852A | 2014-08-27 | 矢野圭一; 加藤宽正; 宫下公哉; 那波隆之 |
| 实施方式的陶瓷铜电路基板(1)具备陶瓷基板(2)、和经由包含活性金属元素的接合层而接合到陶瓷基板(2)的两面的第1以及第2铜板。在第1以及第2铜板的端部的截面中，比在从铜板与陶瓷基板的接合端朝向铜板的上表面内侧方向而与界面形成45°的方向上描绘出的直线(AB)还向铜板的外侧方向露出的截面的面积(C)相对与以直线(AB)为斜边的直角三角形相当的截面的面积(D)的比例(C/D)是0.2以上且0.6以下的范围。在第1以及第2铜板的上表面端部分别设置有R部，并且R部的从第1以及第2铜板的上方观察到的长度(F)为100μm以下。 | ||||||
| 16 | 化学气相沉积的碳化硅制品 | CN200810081741.1 | 2008-03-06 | CN101429048B | 2013-04-24 | M·A·皮克林; J·L·特里巴; K·D·莱斯 |
| 本发明公开了多种化学气相沉积的碳化硅制品及其制造方法。所述化学气相沉积之碳化硅制品系由多个用烧结陶瓷接头连结在一起的部件构成。所述接头加强而且可保持在制品接合处的公差。所述制品可用于半导体加工。 | ||||||
| 17 | 金属零件与用陶瓷材料制作的零件的焊接组件 | CN200680046260.6 | 2006-12-08 | CN101326138B | 2013-01-16 | 约尔·迈克尔·比诺伊特; 让-弗朗西斯·弗罗曼特恩; 奥利维尔·吉利亚; 帕斯卡尔·勒维德 |
| 组件包括金属零件，由陶瓷材料制成，及至少一个通过焊接与各所述零件组合起来的中间连接元件，所述中间连接元件(10’)由可变形薄板构成，该薄板至少有两个与所述零件焊接的平面区(11，12)，这两个平面区(11，12)由可变形段(13’)相互连接起来，可变形段(13’)为至少两个自由波纹(19，20)，这两个自由波纹交替地朝向所述金属零件和陶瓷材料零件。 | ||||||
| 18 | 受约束的金属凸缘及其制造方法 | CN201210050337.4 | 2012-02-22 | CN102672357A | 2012-09-19 | J·D·范达姆; K·K·丹尼克; K·S·哈兰; D·M·利普金; M·S·彼得森二世 |
| 本发明涉及受约束的金属凸缘及其制造方法。本发明提供一种制造带凸缘金属物品的方法。该方法包括：(a)将第一铜焊化合物施用到金属物品的第一部分上；(b)用一定长度的约束金属部件缠绕金属物品的第一部分；以及(c)将金属物品、约束金属部件和第一铜焊化合物的组件加热到高于第一铜焊化合物的固相线温度的温度，即典型地在大约300℃至大约2500℃的范围中的温度，以提供带凸缘金属物品，其中，金属物品具有热膨胀系数CTE 1，约束金属部件具有热膨胀系数CTE 2，并且CTE 1大于CTE 2。本发明进一步提供一种金属凸缘，它最大程度地减小高膨胀金属和低膨胀脆性材料之间的热膨胀失配。 | ||||||
| 19 | 电子元器件及其制造方法 | CN200580040741.1 | 2005-11-28 | CN100485910C | 2009-05-06 | 西泽吉彦; 池田哲也 |
| 如专利文献1所述，若随着混合IC等电子元器件进一步降低高度，而减薄屏蔽壳，则由于屏蔽壳是金属制的，因此难以高精度地对它进行弯折等加工，另外由于吸取时作用的外力，使屏蔽壳的变形显著。在专利文献2所述的技术中，由于陶瓷制的盖罩形成为箱型形状，因此若为了电子元器件降低高度，而减薄盖罩的陶瓷厚度，则例如图18(a)、(b)所示，顶部2A产生弯曲。本发明的电子元器件10包括；具有布线图形14的布线基板11；安装在布线基板11的上表面的表面安装元器件12；以及覆盖布线基板11的盖罩13，盖罩13包括；利用平板状的陶瓷构件形成的顶部13A；以及利用具有与表面安装元器件12相同程度的高度的柱状构件而形成的脚部13B。 | ||||||
| 20 | 金属零件与用陶瓷材料制作的零件的焊接组件 | CN200680046260.6 | 2006-12-08 | CN101326138A | 2008-12-17 | 约尔·迈克尔·比诺伊特; 让-弗朗西斯·弗罗曼特恩; 奥利维尔·吉利亚; 帕斯卡尔·勒维德 |
| 组件包括金属零件，由陶瓷材料制成，及至少一个通过焊接与各所述零件组合起来的中间连接元件，所述中间连接元件(10’)由可变形薄板构成，该薄板至少有两个与所述零件焊接的平面区(11，12)，这两个平面区(11，12)由可变形段(13’)相互连接起来，可变形段(13’)为至少两个自由波纹(19，20)，这两个自由波纹交替地朝向所述金属零件和陶瓷材料零件。 | ||||||
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