| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 1 | 陶瓷电路基板 | CN201280019672.6 | 2012-07-13 | CN103503130A | 2014-01-08 | 星野政则; 中山宪隆; 那波隆之; 佐藤英树; 小森田裕 |
| 本发明涉及一种陶瓷电路基板，其在氧化铝基板上接合有金属电路板，其中，所述氧化铝基板含有99.5质量%以上的氧化铝Al2O3和低于0.5质量%的由烧结前配合的烧结助剂生成的来源于烧结助剂的成分；所述来源于烧结助剂的成分为含有钠的无机氧化物，所述来源于烧结助剂的成分中的钠以换算成氧化钠Na2O的质量计，在100质量%的所述氧化铝基板中含有0.001～0.1质量%；在所述氧化铝基板中，孔隙的最大直径为12μm以下，孔隙平均直径为10μm以下，维氏硬度为1500以上。 | ||||||
| 2 | 陶瓷电路基板 | CN201280019369.6 | 2012-07-13 | CN103492345A | 2014-01-01 | 星野政则; 佐藤英树; 小森田裕; 中山宪隆; 那波隆之 |
| 本发明涉及一种陶瓷电路基板，其在氧化铝基板上接合有金属电路板，其中，所述氧化铝基板含有94～98质量%的氧化铝Al2O3和2～6质量%的由烧结前配合的烧结助剂生成的来源于烧结助剂的成分；所述来源于烧结助剂的成分为含有硅的无机氧化物，所述来源于烧结助剂的成分中的硅以换算成氧化硅SiO2的质量计，在100质量%的所述氧化铝基板中含有0.01～1.5质量%；在所述氧化铝基板中，孔隙的最大直径为15μm以下，孔隙平均直径为10μm以下，维氏硬度为1300以上。 | ||||||
| 3 | 陶瓷烧结体及采用其的半导体装置用基板 | CN201080015347.3 | 2010-04-02 | CN102395540A | 2012-03-28 | 长广雅则; 大上纯史; 小松敬幸 |
| 本发明的课题是提供一种陶瓷烧结体及采用其的半导体装置用基板，其机械强度高、放热性出众，且与铜板的接合界面上难以产生空隙。其解决手段是一种用作绝缘基板的陶瓷烧结体1，该绝缘基板用于安装电子部件，其特征在于，在对陶瓷烧结体进行制造时所用的粉体材料含有主成分的氧化铝、部分稳定化氧化锆、以及氧化镁，部分稳定化氧化锆的含有量的上限相对于粉体材料的全重量是30wt％，氧化镁的含有量相对于粉体材料的全重量是0.05～0.50wt％的范围内，陶瓷烧结体中所含的氧化锆结晶中80～100％是四方晶相。 | ||||||
| 4 | 混合型金属-陶瓷基复合结构材料及其制造方法 | CN200910134683.9 | 2009-03-09 | CN101531536A | 2009-09-16 | 巴德哈德夫·查克拉巴蒂; 利安娜·莱曼; 阿里·尤塞菲亚尼; 威廉·P·基思 |
| 采用一层或更多层金属增强物强化的层状陶瓷基复合结构材料。选择金属增强物以提供最优强度和与陶瓷基复合材料的热兼容性。金属增强物包含与陶瓷基复合材料相结合的外氧化层。其也可以在金属的表面上包含帮助阻止进一步氧化的屏蔽层。结构材料使用标准的复合材料预浸渍叠层技术形成。 | ||||||
| 5 | 用于制造铜陶瓷复合基片的方法 | CN03810774.0 | 2003-05-03 | CN1323054C | 2007-06-27 | 于尔根·舒尔策-哈德 |
| 本发明涉及一种用于制造铜陶瓷复合基片的方法。根据这种方法，箔材坯料至少在一个表面上被氧化，接下来被氧化过的箔材坯料在一种保护气体氛围中进行回火处理，然后通过DCB过程将箔材坯料与陶瓷复合在一起。 | ||||||
| 6 | 用于制造铜陶瓷复合基片的方法 | CN03810774.0 | 2003-05-03 | CN1653016A | 2005-08-10 | 于尔根·舒尔策-哈德 |
| 本发明涉及一种用于制造铜陶瓷复合基片的方法。根据这种方法，箔材坯料至少在一个表面上被氧化，接下来被氧化过的箔材坯料在一种保护气体氛围中进行回火处理，然后通过DCB过程将箔材坯料与陶瓷复合在一起。 | ||||||
| 7 | 一种陶瓷基板烧制用铜箔预氧化方法 | CN201610050449.8 | 2016-01-26 | CN105753495A | 2016-07-13 | 秦先志; 罗小阳; 唐甲林; 贺瑜 |
| 本发明公开一种陶瓷基板烧制用铜箔预氧化方法，本发明清洗采用强酸性清洗剂并搭配清洗机，可清除铜箔表面可能就存在的CuO，保证后期的氧化的均匀性。另外，水洗采用4?8次蒸馏水漂洗，可充分除去表面残留的清洗剂，避免后续出现误差。水洗后采用在低温下自然风干的方式晾干，可有效防止铜箔在空气中的缓慢氧化，保证后期氧化的均匀性。氧化过程中第一次氧化和第二次氧化界限分明，不同条件的氧气含量，不同的温度区分，最大限度的避免出现交叉的化学反应，同时第一次氧化形成的氧化层也是一层较好的保护层，可以阻止未氧化的铜元素参与第二次氧化的化学反应，可较好的保证氧化层厚度的均匀性。 | ||||||
| 8 | 陶瓷电路基板 | CN201280019369.6 | 2012-07-13 | CN103492345B | 2016-04-06 | 星野政则; 佐藤英树; 小森田裕; 中山宪隆; 那波隆之 |
| 本发明涉及一种陶瓷电路基板，其在氧化铝基板上接合有金属电路板，其中，所述氧化铝基板含有94～98质量%的氧化铝Al2O3和2～6质量%的由烧结前配合的烧结助剂生成的来源于烧结助剂的成分；所述来源于烧结助剂的成分为含有硅的无机氧化物，所述来源于烧结助剂的成分中的硅以换算成氧化硅SiO2的质量计，在100质量%的所述氧化铝基板中含有0.01～1.5质量%；在所述氧化铝基板中，孔隙的最大直径为15μm以下，孔隙平均直径为10μm以下，维氏硬度为1300以上。 | ||||||
| 9 | 氧化物系陶瓷电路基板的制造方法以及氧化物系陶瓷电路基板 | CN201280037799.0 | 2012-07-26 | CN103717552B | 2016-01-06 | 那波隆之; 佐藤英树; 星野政则; 小森田裕 |
| 本发明涉及一种氧化物系陶瓷电路基板的制造方法，其是通过在氧化物系陶瓷基板上配置铜板而形成层叠体的工序、以及加热所得到的层叠体的工序，从而将氧化物系陶瓷基板和铜板一体接合而成的氧化物系陶瓷电路基板的接合方法，其特征在于，所述加热的工序具有：在1065～1085℃之间有加热温度的极大值的第一加热区域对层叠体进行加热的工序，接着在1000～1050℃之间有加热温度的极小值的第二加热区域对层叠体进行加热的工序，进而在1065～1120℃之间有加热温度的极大值的第三加热区域对层叠体进行加热而形成接合体的工序；之后在冷却区域将该接合体冷却。根据所述构成，可以得到耐热循环（TCT）特性优良的氧化物系陶瓷电路基板。 | ||||||
| 10 | 用于制造双面金属化陶瓷衬底的方法 | CN201110158831.8 | 2011-06-14 | CN102276284B | 2014-12-03 | 维尔纳·威登奥尔; 托马斯·斯潘; 海科·克诺尔 |
| 本发明涉及用于制造双面金属化陶瓷衬底的方法。根据本发明的方法使得至少一个陶瓷衬底(1)能够仅在一个工艺步骤中在顶侧和底侧分别结合到在一个例子中的金属板或箔片(2、3)。这通过使所要结合的复合物位于具有特别设计的载体(4)上而实现。根据本发明，该载体的特征在于，载体的上侧通过形成大量的接触点而构造。由于根据本发明的载体的特殊构造，在结合工艺之后，能够实现金属般和陶瓷衬底的复合物可从载体分离而无任何残留物。根据本发明的载体具有不要求额外分离层的优点。 | ||||||
| 11 | 氧化物系陶瓷电路基板的制造方法以及氧化物系陶瓷电路基板 | CN201280037799.0 | 2012-07-26 | CN103717552A | 2014-04-09 | 那波隆之; 佐藤英树; 星野政则; 小森田裕 |
| 本发明涉及一种氧化物系陶瓷电路基板的制造方法，其是通过在氧化物系陶瓷基板上配置铜板而形成层叠体的工序、以及加热所得到的层叠体的工序，从而将氧化物系陶瓷基板和铜板一体接合而成的氧化物系陶瓷电路基板的接合方法，其特征在于，所述加热的工序具有：在1065～1085℃之间有加热温度的极大值的第一加热区域对层叠体进行加热的工序，接着在1000～1050℃之间有加热温度的极小值的第二加热区域对层叠体进行加热的工序，进而在1065～1120℃之间有加热温度的极大值的第三加热区域对层叠体进行加热而形成接合体的工序；之后在冷却区域将该接合体冷却。根据所述构成，可以得到耐热循环（TCT）特性优良的氧化物系陶瓷电路基板。 | ||||||
| 12 | 金属陶瓷衬底或铜陶瓷衬底的制造方法以及用于所述方法中的支架 | CN200580036953.2 | 2005-10-05 | CN101049056B | 2011-06-15 | 于尔根·舒尔茨-哈德; 安德列斯·K·弗瑞茨曼; 亚历山大·罗格; 卡尔·伊格赛尔 |
| 本发明公开了一种用于制造金属陶瓷衬底的方法，在其两侧利用直接键合工艺金属化。根据所述方法，通过加热到直接键合温度，在支架(1)的隔离层(2)上形成至少一个包括第一和第二金属层(3，5)以及位于所述金属层(3，5)之间的陶瓷层(4)的DCB堆叠。在键合过程中，至少一个所述金属层(3，5)支撑在隔离层(2)上，该隔离层由多孔层或涂层组成，该多孔层或涂层由包括多铝红柱石、Al2O3、TiO2、ZrO2、MgO、CaO、CaCO3的组中的隔离层材料或所述材料中至少两种材料的混合物制成。 | ||||||
| 13 | 陶瓷体的表面联结 | CN87106238 | 1987-09-10 | CN87106238A | 1988-06-15 | 斯坦利·J·鲁茨; 安德鲁·W·尤奎亚特; 马克·S·尼克尔克 |
| 通过原来存在于一或二个陶瓷体中的熔融金属氧化的反应产物层使陶瓷体连结到一起。其中至少有一陶瓷体含熔融母体金属氧化形成且生长的陶瓷产物。连结过程所用的一或二种陶瓷体有残留金属的表面开口通道，即在生长陶瓷体时因熔融金属渗透形成的通道。将组配好的陶瓷体在氧化气氛中加热到高于金属熔点，金属于要连结的陶瓷表面与氧化剂反应，形成将陶瓷体连结在一起的一层氧化反应产物。 | ||||||
| 14 | 功率模块用基板、自带散热器的功率模块用基板以及功率模块 | CN201380015211.6 | 2013-03-29 | CN104185900B | 2017-03-15 | 长友义幸; 寺崎伸幸; 黑光祥郎 |
| 本发明提供一种功率模块用基板、自带散热器的功率模块用基板以及功率模块。所述功率模块用基板(10)具备绝缘基板(11)、形成于绝缘基板(11)的一面的电路层(12)以及形成于绝缘基板(11)的另一面的金属层(13)，电路层(12)由铜或铜合金构成，该电路层(12)的一面为搭载电子部件(3)的搭载面，金属层(13)通过接合由铝或铝合金构成的铝板而构成，电路层(12)的厚度t1在0.1mm≤t1≤0.6mm的范围内，金属层(13)的厚度t2在0.5mm≤t2≤6mm的范围内，电路层(12)的厚度t1与金属层(13)的厚度t2的关系为t1＜t2。 | ||||||
| 15 | 陶瓷电路基板 | CN201280019672.6 | 2012-07-13 | CN103503130B | 2016-11-16 | 星野政则; 中山宪隆; 那波隆之; 佐藤英树; 小森田裕 |
| 本发明涉及一种陶瓷电路基板，其在氧化铝基板上接合有金属电路板，其中，所述氧化铝基板含有99.5质量%以上的氧化铝Al2O3和低于0.5质量%的由烧结前配合的烧结助剂生成的来源于烧结助剂的成分；所述来源于烧结助剂的成分为含有钠的无机氧化物，所述来源于烧结助剂的成分中的钠以换算成氧化钠Na2O的质量计，在100质量%的所述氧化铝基板中含有0.001～0.1质量%；在所述氧化铝基板中，孔隙的最大直径为12μm以下，孔隙平均直径为10μm以下，维氏硬度为1500以上。 | ||||||
| 16 | 功率模块用基板、自带散热器的功率模块用基板、功率模块以及功率模块用基板的制造方法 | CN201280037162.1 | 2012-08-10 | CN103733329B | 2016-10-26 | 黑光祥郎; 长友义幸; 寺崎伸幸; 坂本敏夫; 牧一诚; 森广行; 荒井公 |
| 本发明的功率模块用基板(10)具备绝缘基板(11)、和在该绝缘基板(11)的一面形成的电路层(12)，其中，所述电路层(12)通过在所述绝缘基板(11)的一面接合有第一铜板(22)而构成，所述第一铜板(22)在被接合之前至少含有共计1molppm以上且100molppm以下的碱土类元素、过渡金属元素、稀土类元素中的一种以上或100molppm以上且1000molppm以下的硼中的任一方，残余部分由铜及不可避免杂质组成。 | ||||||
| 17 | 功率模块用基板、自带散热器的功率模块用基板以及功率模块 | CN201380015211.6 | 2013-03-29 | CN104185900A | 2014-12-03 | 长友义幸; 寺崎伸幸; 黑光祥郎 |
| 本发明提供一种功率模块用基板、自带散热器的功率模块用基板以及功率模块。所述功率模块用基板(10)具备绝缘基板(11)、形成于绝缘基板(11)的一面的电路层(12)以及形成于绝缘基板(11)的另一面的金属层(13)，电路层(12)由铜或铜合金构成，该电路层(12)的一面为搭载电子部件(3)的搭载面，金属层(13)通过接合由铝或铝合金构成的铝板而构成，电路层(12)的厚度t1在0.1mm≤t1≤0.6mm的范围内，金属层(13)的厚度t2在0.5mm≤t2≤6mm的范围内，电路层(12)的厚度t1与金属层(13)的厚度t2的关系为t1＜t2。 | ||||||
| 18 | 用于制备DCB-基材的方法 | CN201280069294.2 | 2012-12-27 | CN104105678A | 2014-10-15 | J·舒尔兹-哈德尔; K·施米德特; K·埃克塞尔 |
| 用于制备DCB-基材的方法，所述DCB-基材各自具有至少一个基本上由氮化铝(AlN)组成的陶瓷层，所述陶瓷层在至少一个表面侧上具有基本上由氧化铝组成的中间层，并且在中间层上具有至少一个由金属层或金属箔所形成的金属化物。 | ||||||
| 19 | 功率模块用基板、自带散热器的功率模块用基板、功率模块以及功率模块用基板的制造方法 | CN201280037162.1 | 2012-08-10 | CN103733329A | 2014-04-16 | 黑光祥郎; 长友义幸; 寺崎伸幸; 坂本敏夫; 牧一诚; 森广行; 荒井公 |
| 本发明的功率模块用基板(10)具备绝缘基板(11)、和在该绝缘基板(11)的一面形成的电路层(12)，其中，所述电路层(12)通过在所述绝缘基板(11)的一面接合有第一铜板(22)而构成，所述第一铜板(22)在被接合之前至少含有共计1molppm以上且100molppm以下的碱土类元素、过渡金属元素、稀土类元素中的一种以上或100molppm以上且1000molppm以下的硼中的任一方，残余部分由铜及不可避免杂质组成。 | ||||||
| 20 | 用于制造双面金属化陶瓷衬底的方法 | CN201110158831.8 | 2011-06-14 | CN102276284A | 2011-12-14 | 维尔纳·威登奥尔; 托马斯·斯潘; 海科·克诺尔 |
| 本发明涉及用于制造双面金属化陶瓷衬底的方法。根据本发明的方法使得至少一个陶瓷衬底(1)能够仅在一个工艺步骤中在顶侧和底侧分别结合到在一个例子中的金属板或箔片(2、3)。这通过使所要结合的复合物位于具有特别设计的载体(4)上而实现。根据本发明，该载体的特征在于，载体的上侧通过形成大量的接触点而构造。由于根据本发明的载体的特殊构造，在结合工艺之后，能够实现金属般和陶瓷衬底的复合物可从载体分离而无任何残留物。根据本发明的载体具有不要求额外分离层的优点。 | ||||||
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