子分类：
- G03F1/0007： .{应用一个有弹性的感光底片或涉及光学失真,例如:在不平的表面印刷}
- G03F1/0015： .{通过制图,记录,例如:在感光的表面,或通过雕刻术,例如:使用触针;应用打印机;应用化学的拷贝片}
- G03F1/0046： .{相移掩模}
- G03F1/0092： .{与原版有关的辅助处理,例如:修理,清洗或检查}
- G03F1/02： .用模拟凸版制造原型的照相方法的
- G03F1/04： .用拼版方法的
- G03F1/06： .来自印刷表面的{例如:使用一个感热或感压的金属薄片,通过牵引感觉,例如:在感光片上}
- G03F1/08： .原版带有无机成像层,例如:铬掩模{G03F1/12 优先;X射线吸收器入G03F1/148}
- G03F1/10： .通过曝光和水洗颜料或彩色有机层的,通过对高分子晶格染色的
- G03F1/12： .通过对卤化银感光材料或重氮感光材料曝光的
- G03F1/14： .以细部结构为特征的原版,例如:基片层,覆盖层,薄膜环
- G03F1/16： .原版带有窗孔的,例如:微粒平板印刷术
- G03F1/20： .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
- G03F1/22： .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外[EUV]掩膜;其制备
- G03F1/26： .相移掩膜 [PSM];PSM空白;其制备
- G03F1/36： .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
- G03F1/38： .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
- G03F1/50： .未包含在G03F 1/20-G03F 1/26组中的空白掩膜;其制备
- G03F1/52： .反射镜
- G03F1/54： .吸收剂,例如不透明材料
- G03F1/60： .基板
- G03F1/62： .薄膜或薄膜集合,例如在支持框架上具有薄膜;其制备
- G03F1/66： .专门适用于掩膜,空白掩膜或薄膜的容器;其制备
- G03F1/68： .未包含在G03F1/20至G03F1/50组中的制备工艺
- G03F1/88： .通过制备具有模拟浮雕的原版的照相过程的制备
- G03F1/90： .采用蒙太奇方法制备
- G03F1/92： .从印刷表面制备
| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 1 | 一种金属掩膜板的制备方法 | CN201610333212.0 | 2016-05-18 | CN107419216A | 2017-12-01 | 王国兵 |
| 本发明涉及掩膜板制造技术领域，尤其涉及一种金属掩膜板的制备方法，通过在有机膜之上形成具有若干开口的光阻层，并于该开口中形成金属膜之后，将金属膜剥离形成掩膜板，从而提高掩膜板的精度和PPI的上限。 | ||||||
| 2 | 掩模板 | CN201280008215.7 | 2012-12-04 | CN103620497B | 2017-07-28 | 谢振宇; 郭建 |
| 一种掩模板，用以通过该掩模板实现目标基板上线宽更窄的图形结构。其中掩模板包括狭缝状透光区域和不透光区域，所述狭缝状透光区域的边缘呈弯曲状。 | ||||||
| 3 | 用于孔图案化的掩模图案和制造半导体器件的方法 | CN201210482777.7 | 2012-11-23 | CN103515199B | 2017-07-07 | 宣俊劦; 李圣权; 李相晤 |
| 本发明公开了一种制造半导体器件的方法，所述方法包括以下步骤：在包括第一区和第二区的衬底之上形成刻蚀目标层；在刻蚀目标层之上形成硬掩模层；在硬掩模层之上形成第一刻蚀掩模，其中，所述第一刻蚀掩模包括多个线图案和形成在所述多个线图案之上的牺牲间隔件层；在第一刻蚀掩模之上形成第二刻蚀掩模，其中，所述第二刻蚀掩模包括网型图案和覆盖第二区的阻挡图案；去除牺牲间隔件层；通过利用第二刻蚀掩模和第一刻蚀掩模刻蚀硬掩模层，来形成具有多个孔的硬掩模层图案；以及通过利用硬掩模层图案刻蚀所述刻蚀目标层，在第一区中形成多个孔图案。 | ||||||
| 4 | 显示装置及制造显示装置用掩膜板 | CN201611138747.9 | 2016-12-12 | CN106783916A | 2017-05-31 | 魏孟宏 |
| 本发明公开一种显示装置及制造用掩膜板，显示装置包括像素阵列，像素阵列包括多个重复的像素单元，像素单元包括：第一像素组，第一像素组具有6个相同颜色排列成2行3列的第一子像素；第二像素组，第二像素组具有6个相同颜色排列成2行3列的第二子像素；以及第三像素组，第三像素组具有6个相同颜色排列成2行3列的第三子像素；其中，该第一像素组、该第二像素组及该第三像素在横向上依次排列构成该像素单元，该像素单元在该横向上依次延伸；在纵向上，像素单元整体向下平移，且整体向左平移4个相邻的子像素的距离，4个相邻的子像素的距离为彼此相邻的一个像素组加上一个子像素的距离，并在该纵向上依次延伸。 | ||||||
| 5 | 金属遮罩制造方法以及金属遮罩 | CN201410210364.2 | 2014-05-19 | CN103981486B | 2017-04-12 | 蔡宽道; 赖建宏; 胡清渊; 李清锋; 涂嘉旭; 潘昆志 |
| 本发明公开了一种金属遮罩制造方法，包含(a)在基板的第一面设置具有第一镂空区的第一防蚀刻层；(b)在基板相对第一面的第二面上设置第二防蚀刻层；其中第二防蚀刻层上的第二镂空区与第一镂空区相对；(c)对第一面及第二面进行第一次蚀刻，使第一面为第一镂空区所曝露的区域形成第一凹陷部及使第二面为第二镂空区所曝露的区域形成第二凹陷部；其中第一凹陷部及第二凹陷部为基板的一部分所隔绝；(d)布设保护层填入第一凹陷部内；(e)自第二面进行第二次蚀刻，使第一凹陷部及第二凹陷部产生穿口；(f)去除第二防蚀刻层；以及(g)自第二面进行第三次蚀刻。 | ||||||
| 6 | 使用不对称嵌入式成像目标的聚焦监测方法 | CN201380036087.1 | 2013-06-04 | CN104412359B | 2017-04-05 | 崔东燮; B·皮尔逊; 戴维·天; J·曼卡; 朴东顺 |
| 本发明涉及一种用于监测掩模聚焦的方法，其包含测量包含亚分辨率辅助特征的目标特征中的轮廓不对称性及基于轮廓与对应掩模的聚焦之间的已知相关导出聚焦响应。计算机系统可在光刻工艺中基于此类所导出的信息调整掩模聚焦以符合所要制造工艺。 | ||||||
| 7 | 半导体器件设计系统及其使用方法 | CN201210559158.3 | 2012-12-20 | CN103425812B | 2016-11-23 | 张智贤; 彭永州; 薛福隆 |
| 一种电路设计系统包括被配置成生成用于电路的原理图信息和预着色信息的原理图设计工具。电路设计系统还包括被配置成在非暂时性计算机可读介质上存储原理图信息和预着色信息的网表文件以及被配置成从网表文件中提取预着色信息的提取工具。包括在电路设计系统中的布局设计工具被配置成基于原理图信息和预着色信息设计至少一个掩模。电路设计系统进一步包括被配置成将至少一个掩模与原理图信息和预着色信息进行比较的布局与原理图比较工具。本发明还提供了半导体器件设计系统及其使用方法。 | ||||||
| 8 | 无铬光刻板 | CN201511022964.7 | 2015-12-30 | CN105607410A | 2016-05-25 | 不公告发明人 |
| 本发明涉及无铬光刻板，它包括石英基板，石英基板的上表面的预定位置制作有光刻图形，光刻图形的顶部覆盖有粗化散射表面。优选地，石英基板的下表面的对应位置制作有相同的光刻图形，光刻图形的顶部覆盖有粗化散射表面，其中，位于石英基板的上表面与下表面的光刻图形的垂直投影相互重合。本发明解决了现有技术中的缺陷，实现仅通过使用石英材料本身来制作掩模图形，从而减少光刻板在重复使用过程中的图形失真。 | ||||||
| 9 | 通过去除沉积在掩模的空白上的膜来减少掩模重叠误差 | CN201210226332.2 | 2012-06-29 | CN103258068B | 2016-01-20 | 李信昌; 陈嘉仁; 叶励志; 严涛南 |
| 本发明公开了一种用于通过在组中的掩模之间将框架区域中的掩模材料的密度同步来减少层重叠误差的方法。示例性方法包括：创建对应于掩模的掩模设计数据库，并且包含具有一个或多个管芯的管芯区域和管芯区域之外的框架区域。识别框架区域内的基准部件，并且根据基准部件，识别空闲框架区域。对应于被配置成与掩模对准的参考掩模的参考掩模设计被用于确定用于空闲框架区域的参考密度。掩模设计数据库的空闲框架区域被修改为对应于参考密度。然后，修改后的掩模设计数据库可用于进一步使用，包括制造掩模。本发明还提供了一种通过去除沉积在掩模的空白上的膜来减少掩模重叠误差。 | ||||||
| 10 | 一种步进式光刻机对位监控方法 | CN201410295485.1 | 2014-06-26 | CN105223781A | 2016-01-06 | 姚振海 |
| 本发明提供了一种步进式光刻机对位监控方法，包括提供包括多个视场的测试版，基于每个视场得出一组overlay值；根据每个视场的overlay值计算一组补偿量；将产品的对位补偿值与每一个视场的每组补偿量进行比较，利用产品的对位补偿值对该产品进行对位补偿，其中，该产品的对位补偿值与其中一个视场的一组补偿量接近。本发明兼顾了各种视场的产品，不论视场大小，均可以做到精确补偿，可以加工前就给出预估补偿值，大大降低对位偏移发生的概率，本发明在不增加成本与人力的基础上，有效的改善对位控制。 | ||||||
| 11 | 固化框胶用遮光罩的制作方法 | CN201310483206.X | 2013-10-15 | CN103553362B | 2015-07-29 | 莫超德; 李春良 |
| 本发明提供一种固化框胶用遮光罩的制作方法，包括以下步骤：步骤1、提供一透明基板（20）；步骤2、在透明基板（20）上依次形成金属层（22）及光阻层（24）；步骤3、在光阻层（24）的边缘位置进行曝光，以形成检测标记（242）；步骤4、采用边曝光方式，按照预定路径对光阻层（24）进行曝光，所述预定路径对应液晶显示面板的框胶预设路径；步骤5、去除被曝光的光阻层（24），以露出金属层（22）；步骤6、对露出的金属层（22）进行蚀刻，并去除未曝光的光阻层（24）；步骤7、在金属层（22）与透明基板（20）上形成透明保护层（26）。本发明通过边曝光方式实现对光阻层的曝光，不需要特定的掩模板，有效减少掩模板的预备量，降低生产材料成本。 | ||||||
| 12 | 用于将平面设计转换为FinFET设计的系统和方法 | CN201210125911.8 | 2012-04-25 | CN102760732B | 2015-07-08 | 万幸仁; 张智胜; 林以唐; 谢铭峰; 柯亭竹; 陈忠贤 |
| 公开了用于根据具有平面晶体管的器件的第一布局生成具有FinFET的器件的布局的方法。分析平面布局，并以匹配方式生成对应的FinFET结构。然后优化生成的FinFET结构。在验证和输出FinFET布局之前可以生成伪图案和新金属层。本发明还提供了用于将平面设计转换为FinFET设计的系统和方法。 | ||||||
| 13 | 滤光片的制作方法及曝光掩膜板 | CN201310747120.3 | 2013-12-30 | CN104749674A | 2015-07-01 | 张莉; 唐文静; 范刚洪; 陈颖明 |
| 一种滤光片的制作方法及曝光掩膜板。所述滤光片的制作方法包括：提供基板；在基板上形成网状结构的黑色矩阵，黑色矩阵存在开口且露出基板表面；在基板和黑色矩阵表面形成负性的光阻材料；采用曝光掩膜板对光阻材料进行曝光处理，使光阻材料与黑色矩阵交叠的区域接收到的曝光量小于其余开口区域接收到的曝光量；对曝光后的光阻材料进行显影处理，以形成光阻层。所述曝光掩膜板用于上述滤光片的制作方法，包括：遮光区和曝光区，所述遮光区中与所述曝光区接触的边缘位置设置有多个凸起结构。本发明可以减小或消除光阻层中的牛角，防止由于牛角过厚造成液晶偏转不良，影响滤光片以及液晶显示器的显示性能，进一步的还可以降低滤光片的成本。 | ||||||
| 14 | 图案形成方法、压模的制造方法以及磁记录介质的制造方法 | CN201410165545.8 | 2014-04-23 | CN104732987A | 2015-06-24 | 泷泽和孝; 岩崎刚之; 竹尾昭彦 |
| 本发明的目的在于得到图案尺寸精度良好的图案形成方法。根据实施方式，可得到一种图案形成方法，其中，包含：在基板上形成被加工层的工序；将含有金属微粒与溶剂的金属微粒涂敷液涂敷到被加工层上以形成金属微粒层的工序；通过第1蚀刻降低金属微粒周围的保护基量的工序；暴露于包含C与F的气体中并使气体吸附于金属微粒周围而形成保护层的工序；以及通过第2蚀刻将凸图案向该被加工层复制的工序。 | ||||||
| 15 | 掩膜版和利用掩膜版制备薄膜晶体管的方法 | CN201510122578.9 | 2015-03-19 | CN104716026A | 2015-06-17 | 刘翔 |
| 本发明的实施例公开了一种掩膜版以及利用掩膜版制备阵列基板的像素区的薄膜晶体管的方法。该掩膜版包括掩膜版主体，所述掩膜版主体具有图案区域，所述图案区域包括：用于去除部分光刻胶的光刻胶部分去除区域；用于去除全部光刻胶的光刻胶完全去除区域；以及在光刻胶部分去除区域和光刻胶完全去除区域之间、与光刻胶部分去除区域和光刻胶完全去除区域邻接的用于保留光刻胶的第一光刻胶保留区域，第一光刻胶保留区域用于调整与光刻胶部分去除区域对应的光刻胶部分在曝光并显影后的外形。采用本发明的技术方案，改善了与光刻胶部分去除区域对应的光刻胶部分在曝光并显影后的外形。 | ||||||
| 16 | 洗净装置以及洗净方法 | CN201080020516.2 | 2010-04-13 | CN102422408B | 2015-06-10 | 鹿田延秀; 泉孝宪 |
| 在洗净装置中缩短洗净动作时间。开盒器(21)是用于向具有盒罩(5)和开闭自如的底盖(7)的中间掩模盒(1)内供给清洁气体以及从中排出而进行洗净的装置，并具备载物台(25)、升降驱动机构(41)、锁机构(13)、以及给排部(49)。载物台(25)能够将底盖(7)从盒罩(5)上卸下以及将其安装于盒罩(5)。升降驱动机构(41)能够移动载物台(25)。锁机构(13)使锁部件(15)动作，该锁部件(15)将底盖(7)不能脱落地固定于盒罩(5)以及解除固定。给排部(49)在完成锁部件(15)将底盖(7)固定于盒罩(5)的动作之前，开始进行洗净。 | ||||||
| 17 | 掩膜板，对其曝光的方法以及包括该掩膜板的液晶面板 | CN201310728529.0 | 2013-12-25 | CN103760747B | 2015-05-06 | 李蒙; 王金杰 |
| 本发明涉及一种掩膜板，对其曝光的方法以及包括该掩膜板的液晶面板。在该掩膜板上设置有多个图案区，多个图案区按照其尺寸从掩膜板的中心到边缘成梯度变换的方式而设置。对该掩膜板曝光的方法，包括以下步骤，步骤一：水平地设置曝光罩，并检测其形变度；步骤二：在掩膜板上设置多个图案区，并且多个图案区根据所述曝光罩的形变度以从掩膜板的中心到边缘成梯度变换的方式而设置；步骤三：完成掩膜板曝光。根据本发明的掩膜板能够补偿由于曝光罩弯曲变形对掩膜板的曝光面积的影响。 | ||||||
| 18 | 光刻版设计方法及光刻工艺中不同光刻机的匹配方法 | CN201410674981.8 | 2014-11-21 | CN104375376A | 2015-02-25 | 李立文; 赵学锋; 俞马锋; 宋金伟; 李志栓 |
| 本发明提供了一种光刻版设计方法及光刻工艺中不同光刻机的匹配方法，根据同一产品的图形层次以及空闲的不同类型光刻机的数量确定每一图形层次光刻工艺所使用的光刻机，其中，用于第一类光刻机的光刻版版图由整数倍的用于第二类光刻机的光刻版版图组成，所述第一类光刻机的曝光视场大于所述第二类光刻机的曝光视场。如此，可以在同一产品的光刻工艺中采用多种型号的光刻机，并且仍然可实现产品图形的对准，在不牺牲第一类光刻机效率的前提下，兼容第二类光刻机的效率，充分发挥在线各类型光刻机的产能。 | ||||||
| 19 | 一种掩模板 | CN201410345060.7 | 2014-07-18 | CN104155842A | 2014-11-19 | 王德帅; 曲连杰 |
| 本发明涉及光刻技术领域，公开一种掩模板，包括不透光区域，还包括：第一半透光区域；第二半透光区域；所述第二半透光区域的透光率小于第一半透光区域的透光率。该掩模板可以解决因为光刻胶厚度差异导致的过刻不良的工艺问题。 | ||||||
| 20 | 显示基板及其制作方法、掩膜板、掩膜板组 | CN201410184478.4 | 2014-05-04 | CN103969875A | 2014-08-06 | 辛燕霞; 朴承翊; 石天雷 |
| 本发明提供一种显示基板及其制作方法、掩膜板、掩膜板组，该显示基板包括多个子显示基板，每一个该子显示基板包括多个像素单元，每一个像素单元包括像素电极、公共电极及源漏极沟道，其中，从该显示基板的中心到该显示基板的边缘，该多个子显示基板按照像素电极与公共电极的重合面积从大到小排列和/或该多个子显示基板按照该子显示基板的源漏极沟道的宽长比从小到大排列。本发明能够减小不同位置的子显示基板之间的电学性差异，有效避免由镀膜制备工艺产生的显示基板边缘开态电流小，阈值电压大，关态电流大引起的位于边缘处的子显示基板的电学性不良。 | ||||||
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