子分类：
| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 1 | 光掩模坯料及光掩模的制造方法 | CN201310182144.9 | 2013-05-16 | CN103424983B | 2017-03-08 | 深谷创一; 中川秀夫; 笹本纮平 |
| 本发明涉及光掩模坯料及光掩模的制造方法。本发明在确保由铬系材料构成的膜的化学特性等各种特性的同时减轻对该铬系材料膜进行蚀刻时对光致抗蚀剂的负荷。在透明衬底(1)上形成有遮光膜(2)，在该遮光膜(2)上设置有硬掩模膜(3)。硬掩模膜(3)整体由含有锡的铬系材料构成。由含有锡的铬系材料构成的膜能够显著提高氯类干蚀刻时的蚀刻速度。并且，与由将铬的一部分置换成轻元素的铬系材料构成的膜相比，对氟类干蚀刻具有同等以上的蚀刻耐性。因此，对用于加工硬掩模膜的光致抗蚀剂的蚀刻负荷得到减轻，即使在使抗蚀剂膜减薄的情况下也能够进行高精度的图案转印。 | ||||||
| 2 | 一种印制低图案密度部件的极紫外线光刻工艺 | CN201510282331.3 | 2015-05-28 | CN105278256A | 2016-01-27 | 卢彦丞; 游信胜; 陈政宏; 严涛南 |
| 本发明提供一种用于极紫外线光刻(EUVL)工艺的方法。方法包括：将二元相位掩模(BPM)加载至光刻系统，其中BPM包括两种相位状态并且限定在其上的集成电路(IC)图案；根据IC图案将光刻系统的照射装置设定为照射模式；根据照射模式将光瞳滤波器配置在光刻系统中；以及通过照射模式的光刻系统，利用BPM和光瞳滤波器对靶子执行光刻曝光工艺。本发明还提供了一种印制低图案密度部件的极紫外线光刻工艺。 | ||||||
| 3 | 光掩膜坯料的制造方法 | CN201410499396.9 | 2014-09-25 | CN104460224A | 2015-03-25 | 吉井崇; 河合义夫; 稻月判臣; 渡边聪; 池田显; 桜田豊久; 金子英雄 |
| 本发明的课题是涉及一种光掩膜坯料，所述光掩膜坯料在对含有硅的无机膜实施硅烷化处理后形成抗蚀膜，并提供一种光掩膜坯料的制造方法，其能够抑制在显影后因抗蚀剂残渣等所引起的缺陷的产生。为了解决上述问题，提供一种光掩膜坯料的制造方法，其是制造以下的光掩模坯料的方法，所述光掩膜坯料在透明基板上至少具有含有硅的无机膜，并在该无机膜上具有抗蚀膜，所述光掩膜坯料的制造方法是在形成前述无机膜后，以高于200℃的温度，在含有氧气的环境中进行热处理，再进行硅烷化处理，然后利用涂布来形成前述抗蚀膜。 | ||||||
| 4 | 光掩模坯料及其制造方法 | CN201410499354.5 | 2014-09-25 | CN104460221A | 2015-03-25 | 稻月判臣; 吉井崇; 桜田豊久; 池田显; 金子英雄; 渡边聪; 河合义夫 |
| 本发明涉及一种光掩模坯料，所述光掩模坯料在对含有硅的无机膜实施硅烷化处理后形成抗蚀膜，并提供一种光掩模坯料及其制造方法，其能够抑制在显影后因抗蚀剂残渣等所引起的缺陷的产生。为了解决上述问题，提供一种光掩膜坯料的制造方法，其是制造以下的光掩模坯料的方法，所述光掩模坯料在透明基板上至少具有含有硅的含硅无机膜，并在该含硅无机膜上具有抗蚀膜，所述光掩模坯料的制造方法是在形成前述含硅无机膜后，进行硅烷化处理，然后利用涂布来形成前述抗蚀膜，所述含硅无机膜的与前述抗蚀膜接触的表面中的氧浓度为55原子％以上且75原子％以下。 | ||||||
| 5 | 一种掩膜板 | CN201410446667.4 | 2014-09-03 | CN104267574A | 2015-01-07 | 张家祥; 郭建 |
| 本发明提供一种掩膜板。用于解决现有技术存在的由于掩膜板的过孔产生衍射效应导致无法制作4um以下的接触孔的问题。本发明的掩膜板中相位反转层可以将经过相位反转层的部分光线进行相位反转，此时，经过镂空区域的部分光线产生衍射效应时，与经过相位反转的光线抵消，消除了掩膜板的镂空区域的衍射效应，曝光形成的对应镂空区域的图形的尺寸更小，能够完成更小像素结构的制备；同时，光线强度的从镂空区域的中心向周边的降低也更快，曝光形成的对应镂空区域的图形的坡度角更大。 | ||||||
| 6 | 大型相移掩模及大型相移掩模的制造方法 | CN201280051359.0 | 2012-10-19 | CN103890657A | 2014-06-25 | 木下一树; 飞田敦; 二岛悟 |
| 本发明提供一种作为曝光大尺寸区域的大型光掩模且适合形成微细图案的构成的相移掩模及其制造方法。藉由构成为遮光膜以铬或铬化合物为主成分，相移膜以氧化铬乃至氮氧化铬为主成分，且在上述遮光区域中在遮光膜上层叠有相移膜，而获得容易制造且可转印微细图案的大型相移掩模。另外，在遮光膜与相移膜之间，构成为还具有包含铬化合物的抗反射膜，抑制遮光区域的反射率。 | ||||||
| 7 | 掩膜板及隔垫物制作方法 | CN201310438678.3 | 2013-09-24 | CN103454850A | 2013-12-18 | 陈小川; 薛海林; 车春城; 姜文博; 李月 |
| 本发明涉及显示技术领域，公开了一种掩膜板，所述掩膜板的透光区域包括若干通光孔排成的阵列，在所述掩膜板上对应相邻两个通光孔其中之一的区域形成有用于使通过的光线产生相位转移的相转移层。本发明还公开了一种隔垫物制作方法。利用本发明的掩膜板和隔垫物的制作方法，在制作高PPI的产品中的PS时，在掩膜板对应相邻两个通光孔其中之一的区域形成有相转移层，使通过的光线产生相位转移，这样通过相邻两个通光孔的光线在衍射区域（即对应掩膜板不透光区域）光强可以相互抵消，从而在制作PS时减轻甚至避免了相邻两个PS产生的粘连现象。 | ||||||
| 8 | 光掩模坯料及光掩模的制造方法 | CN201310182144.9 | 2013-05-16 | CN103424983A | 2013-12-04 | 深谷创一; 中川秀夫; 笹本纮平 |
| 本发明涉及光掩模坯料及光掩模的制造方法。本发明在确保由铬系材料构成的膜的化学特性等各种特性的同时减轻对该铬系材料膜进行蚀刻时对光致抗蚀剂的负荷。在透明衬底(1)上形成有遮光膜(2)，在该遮光膜(2)上设置有硬掩模膜(3)。硬掩模膜(3)整体由含有锡的铬系材料构成。由含有锡的铬系材料构成的膜能够显著提高氯类干蚀刻时的蚀刻速度。并且，与由将铬的一部分置换成轻元素的铬系材料构成的膜相比，对氟类干蚀刻具有同等以上的蚀刻耐性。因此，对用于加工硬掩模膜的光致抗蚀剂的蚀刻负荷得到减轻，即使在使抗蚀剂膜减薄的情况下也能够进行高精度的图案转印。 | ||||||
| 9 | 相移空白掩模及其制造方法 | CN201310163203.8 | 2013-04-25 | CN103376641A | 2013-10-30 | 南基守; 姜亘远; 金东建; 张种沅; 崔珉箕 |
| 本发明提供一种相移空白掩模，其中相移层形成为至少两个连续层或多层膜且所述相移层中所包含的最上相移层较薄地形成以含有少量氧(O)以便增强其耐化学性和耐久性。因此，包含相对于含有酸性和碱性材料、热的去离子水或臭氧水的清洁溶液具有增强的耐化学性和耐久性的相移层的相移空白掩模可使用具有增强的耐化学性和耐久性的最上相移层而提供，所述清洁溶液用于在空白掩模的制造期间重复地执行的清洁工艺。此外，可防止当重复地执行清洁工艺时引起的相移层的折射率以及相移度的降级，这是因为最上相移层具有增强的耐化学性和耐久性。因此，可提供包含薄的相移层的相移空白掩模。 | ||||||
| 10 | 光掩模制造方法 | CN201010274835.8 | 2010-06-11 | CN101950125B | 2013-09-04 | 五十岚慎一; 稻月判臣; 金子英雄; 吉川博树; 木名濑良纪 |
| 本发明涉及一种光掩模制造方法，具体涉及一种从光掩模坯料制造光掩模的方法，该光掩模坯料包括透明衬底以及由含有过渡金属的硅基材料制成的上层和下层构成的遮光膜，上层中的O+N含量比下层中的高。在两个步骤中通过如下加工遮光膜：通过抗蚀图进行氟干法蚀刻使得上述膜的下方部分得以保留，以及含氧的氯干法蚀刻，用于移除上述膜的剩余部分。 | ||||||
| 11 | 纳米图形化方法和设备 | CN201180005881.0 | 2011-01-07 | CN102859441A | 2013-01-02 | B·柯宾 |
| 本发明的实施方式涉及可用于大面积衬底的纳米图形化的方法和设备，其中可移动的纳米结构化膜用于使辐射敏感材料成像。该纳米图形化技术利用近场光刻术，其中纳米结构化膜用于调节到达辐射敏感层的光强度。近场光刻法可以利用弹性体相位移掩模，或可使用表面等离子体技术，其中可移动的膜包括金属纳米孔或纳米粒子。 | ||||||
| 12 | 光掩模的制造方法和相移掩模的制造方法 | CN200710149057.8 | 2007-09-07 | CN101211104B | 2011-04-06 | 郑浩龙 |
| 本发明提供了一种光掩模的制造方法，包括：在透明掩模衬底上形成将转移到晶片上的掩模图形；转移掩模图形到晶片上从而形成晶片图形；在转移到晶片上的晶片图形中选择需要线宽修改的临界尺寸修改区域；对应于临界尺寸修改区域形成用于选择性地暴露衬底的一部分的抗蚀图形；采用抗蚀图形作为离子注入掩模，通过注入离子到暴露的部分中，改变衬底的暴露部分的光透射率；和选择性地去除抗蚀图形。本发明还提供了一种相移掩模的制造方法。 | ||||||
| 13 | 分解图案的方法、计算机可读介质、器件制造方法和掩模 | CN200710305162.6 | 2007-11-14 | CN101241300B | 2011-02-23 | 罗伯特·索哈 |
| 一种将包含待在晶片上印制的特征的目标图案分解为多个图案的方法。所述方法包括步骤：(a)限定表示在待成像的特征之间的最小必需间隔的影响区域；(b)选择与目标图案的特征相关联的顶点；(c)确定另一特征的边缘是否位于与所述顶点相关的影响区域内；以及(d)如果另一特征的边缘位于所述影响区域内，则将所述另一特征分割为两个多边形。 | ||||||
| 14 | 蚀刻方法和光掩模坯料的加工方法 | CN201010270048.6 | 2010-05-14 | CN101968605A | 2011-02-09 | 五十岚慎一; 稻月判臣; 金子英雄; 吉川博树; 木名濑良纪 |
| 本发明披露了一种对形成于衬底上的加工层的干蚀刻方法，包括步骤：在形成于衬底上的加工层上形成硬掩模层，在该硬掩模层上形成抗蚀剂图形，通过使用该抗蚀剂图形而实施的第一干蚀刻将该抗蚀剂图形转移至所述硬掩模层，并且通过使用以上转移至所述硬掩模层得到的硬掩模图形而实施的第二干蚀刻对所述加工层进行图形化，其中通过所述第一干蚀刻对所述硬掩模层进行图形化后，在所述第一干蚀刻已经实施过的蚀刻装置中，通过改变干蚀刻气体中副成分的浓度而不改变干蚀刻气体中主成分的浓度，利用所述第二干蚀刻对所述加工层进行图形化。 | ||||||
| 15 | 使用相移和辅助微细结构使半导体层形成图案 | CN03811360.0 | 2003-03-06 | CN1653388B | 2010-05-05 | R·塞恩克; G·埃伦 |
| 一种使用光掩模使感光层形成图案的光掩模和方法，所述光掩模包括基板和耦合到基板上的薄膜。用相移辅助微细结构、低纵横比辅助微细结构或相移的低纵横比主微细结构蚀刻薄膜。 | ||||||
| 16 | 图案形成方法 | CN200710087851.4 | 2004-06-24 | CN100498550C | 2009-06-10 | 三坂章夫 |
| 本发明涉及使用光掩模的图案形成方法，其包括：在基板上形成保护膜的工序；通过光掩模，对保护膜照射曝光光的工序；以及将被曝光光照射过的保护膜显影，形成保护膜图案的工序。光掩模，在透过性基板上具有：对曝光光有遮光性的半遮光部；被半遮光部包围、而且对曝光光有透光性的透光部；以及被半遮光部包围、且位于透光部周边的辅助图案。辅助图案，配置在与透过透光部的光能形成干涉的距离，半遮光部及透光部以彼此相同的相位使曝光光透过，辅助图案，以半遮光部及透光部为基准，用相反的相位使曝光光透过，且不被曝光光复制。 | ||||||
| 17 | 精细掩模及使用精细掩模形成掩模图案的方法 | CN200810211058.5 | 2008-08-20 | CN101373328A | 2009-02-25 | 李峻硕 |
| 在半导体技术中，本发明公开一种用于半导体的精细掩模及使用该精细掩模形成掩模图案的方法。为了在形成半导体晶片图案中提高线宽分辨率和光学分辨率的精确性，精细掩模包括第一掩模和第二掩模。第一掩模包括第一掩模原始板、在第一掩模原始板上形成的第一光阻挡垫图案、在第一光阻挡垫图案上形成的包括多个第一透光区的第一主图案，以及在第一透光区之间和第一掩模原始板最外部的包括多个相移区的第一子图案。第二掩模包括第二掩模原始板、在第二掩模原始板上形成的第二光阻挡垫图案、在第二光阻挡垫图案上形成的包括多个第二透光区的第二主图案，以及在第二透光区之间的包括多个相移区的第二子图案。 | ||||||
| 18 | 光掩模 | CN200310118798.1 | 2003-12-03 | CN100437903C | 2008-11-26 | 三坂章夫 |
| 本发明公开了一种光掩模、使用了该光掩模的图案形成方法及光掩模数据制作方法。所要解决的课题为：在形成任意形状的图案时，让对比度和DOF提高。在透光基板100上形成通过曝光而被转移的线状主图案101。主图案101，由拥有让曝光光部分地透过的第一透光率的第一半遮光部分101A和移相器101B组成。透光基板100上主图案101的两侧，布置了构成一对的使曝光光衍射且通过曝光却不转移的辅助图案102。 | ||||||
| 19 | 分解图案的方法、计算机可读介质、器件制造方法和掩模 | CN200710305162.6 | 2007-11-14 | CN101241300A | 2008-08-13 | 罗伯特·索哈 |
| 一种将包含待在晶片上印制的特征的目标图案分解为多个图案的方法。所述方法包括步骤：(a)限定表示在待成像的特征之间的最小必需间隔的影响区域；(b)选择与目标图案的特征相关联的顶点；(c)确定另一特征的边缘是否位于与所述顶点相关的影响区域内；以及(d)如果另一特征的边缘位于所述影响区域内，则将所述另一特征分割为两个多边形。 | ||||||
| 20 | 对焦测试掩模、对焦测定方法和曝光装置 | CN200480018268.2 | 2004-07-01 | CN1813338A | 2006-08-02 | 近藤信二郎 |
| 一种对焦测试掩模，其上设置有通过投影光学系统(PL)向晶片(W)上投影的测试图形，该测试图形包括：在计测方向上并列配置的多个线条图形(12a～12f)、设置在多个线条图形各自近旁的区域且是用于使通过光的相位错开的相位移动部(13)和用于得到在测定所述线条图形的像的偏移时的成为基准像的基准图形(11a～11d)，这些多个线条图形的间隔被设定成能把各自的线条图形看作是与孤立线等效的间隔。 | ||||||
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