子分类：
| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 1 | 复眼镜片的制造方法及装置 | CN201510610141.X | 2015-09-23 | CN105204180A | 2015-12-30 | 朱纪军; 刘建忠; 孟天; 王慧; 史丽霞 |
| 一种复眼镜片的制造方法及装置，其特征是所述的方法包括以下步骤：首先，在眼镜片表面形成一层带有与图案的掩膜；其次，将带有掩膜的眼镜片放在等离子腔上进行等离子处理，最终在眼镜片表面沉积形成等离子层，或者将带有掩膜的眼镜片放在紫外光照射装置上进行紫外光照射，最终在眼镜片表面所需图案的涂层。本发明的方法及结构简单，利用很小的处理装置即可实现等离子腔处理或紫外照射成形，具有处理成本低，质量好，能满足大众化要求的特点。 | ||||||
| 2 | 미세 패턴용 고종횡비 제판 제작 방법 | KR1020130058625 | 2013-05-23 | KR101464348B1 | 2014-11-25 | 최영만; 이택민; 이승현; 강동우; 김광영 |
| 본 발명은 미세 패턴용 고종횡비 제판 제작 방법에 관한 것으로, 본 발명의 목적은 금속 제판에 형성되는 패턴의 종횡비를 종래보다 크게 향상시킬 수 있는, 미세 패턴용 고종횡비 제판 제작 방법을 제공함에 있다. 특히 본 발명의 목적은, 전자 인쇄에 사용되는 금속 제판의 패턴 종횡비를 향상함으로써 패턴 내 수용되는 잉크 수용량을 증가시킬 수 있도록 하는, 미세 패턴용 고종횡비 제판 제작 방법을 제공함에 있다.
|
||||||
| 3 | 사진 제판에 의한 패턴 형성 방법 | KR1020010057934 | 2001-09-19 | KR1020020061479A | 2002-07-24 | 야기고지 |
| PURPOSE: To ensure a high halftone effect, without dimpling a resist with respect to a pattern forming method for accurately transferring a pattern to a chemical amplification type resist. CONSTITUTION: The top of a substrate 10 is coated with a chemical amplifying type resist 12 (figure 1 (A)). The substrate 10 is exposed to an atmosphere having a concentration of basic ions controlled to be in a prescribed range in a first booth 30 (figure 1 (B)). The resist 12 is exposed using a halftone mask 32 (figure 1 (C)). The substrate 10 is exposed to an atmosphere, having a concentration of basic ions controlled to a prescribed range in a second booth 34 (figure 1 (D)). After a part of the resist 12 corresponding to a shifter (a part of the halftone mask 32 corresponding to the shifter) has been deactivated with the basic ions, the resist 12 is developed (figure 1 (E)). | ||||||
QQ群二维码
意见反馈
意见反馈