| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 1 | 掩模及其形成方法 | CN201310173745.3 | 2013-05-10 | CN103529640B | 2017-04-12 | 游信胜; 严涛南 |
| 本发明公开了掩模及其形成方法，其中掩模可应用于光刻以制造半导体晶片。掩模包括低热膨胀材料（LTEM）基板、位于LTEM基板上方的反射多层（ML）以及位于反射ML上方的图案化吸收层。图案化吸收层包括范围在25nm和31nm之间的厚度、范围在0.84和0.93之间的折射率以及范围在0.038和0.051之间的消光系数。 | ||||||
| 2 | 光掩模坯料及光掩模的制造方法 | CN201310182144.9 | 2013-05-16 | CN103424983B | 2017-03-08 | 深谷创一; 中川秀夫; 笹本纮平 |
| 本发明涉及光掩模坯料及光掩模的制造方法。本发明在确保由铬系材料构成的膜的化学特性等各种特性的同时减轻对该铬系材料膜进行蚀刻时对光致抗蚀剂的负荷。在透明衬底(1)上形成有遮光膜(2)，在该遮光膜(2)上设置有硬掩模膜(3)。硬掩模膜(3)整体由含有锡的铬系材料构成。由含有锡的铬系材料构成的膜能够显著提高氯类干蚀刻时的蚀刻速度。并且，与由将铬的一部分置换成轻元素的铬系材料构成的膜相比，对氟类干蚀刻具有同等以上的蚀刻耐性。因此，对用于加工硬掩模膜的光致抗蚀剂的蚀刻负荷得到减轻，即使在使抗蚀剂膜减薄的情况下也能够进行高精度的图案转印。 | ||||||
| 3 | 一种掩模板、采用其制备下基板的方法和该方法的应用 | CN201610808968.6 | 2016-09-05 | CN106444274A | 2017-02-22 | 周国富; 吴昊; 李发宏; 罗伯特·安德鲁·海耶斯 |
| 本发明公开了一种掩模板、采用其制备下基板的方法和该方法的应用，掩模板包括掩模板主体，掩模板主体上设有透光区域和遮光区域，透光区域的图案与像素墙图案相同，遮光区域为多个呈阵列排列的离散区域，每个遮光区域的边缘区域设有减弱透光量结构；通过设置减弱透光量结构，将掩模板用于制备下基板，遮光区域的边缘区域的曝光量小于透光区域，使用负性光刻胶，曝光量的减小会使得像素墙的壁的横截面形状为倒梯形，在填充的液体的表面张力和倒梯形形成的毛细管力的作用下，填充的液体会铺展在所述像素墙形成的凹陷内，并且倒梯形的像素墙上表面边缘可以有效阻止液体填充后流入相邻像素格，能够实现液体的均匀填充。 | ||||||
| 4 | 半色调掩模及其制造方法 | CN201080023385.3 | 2010-05-26 | CN102449736B | 2016-09-07 | 金武成 |
| 本发明涉及一种半色调掩模及其制造方法，用来减少形成多个半透过部的半透过材料的数目以及过程的数目，从而减少制造成本，其中，所述半色调掩模包括：基底；透射区，形成在所述基底上以透射预定波长的辐射光；以及半透过区，形成在所述基底上，具有由两种或多种半透过材料交替层叠的多个层，并且半透过区形成有根据层叠的半透过材料的数目具有不同透射率的多个半透过部；以及具有阻挡层的阻挡区，该阻挡层形成在具有交替层叠的多种半透过材料上。 | ||||||
| 5 | 一种掩膜板及阵列基板 | CN201610463838.3 | 2016-06-23 | CN105892225A | 2016-08-24 | 徐德智 |
| 本发明提供一种掩膜板及阵列基板。其中掩膜板用以形成阵列基板上绝缘层的图形，所述绝缘层包括有过孔，所述掩膜板包括：对应所述过孔的第一区域，所述第一区域设置有半透光图形。本发明的掩膜板在对应的过孔区域上设置有半透光图形，基于该半透光图形的设计，在对绝缘层过孔区域上方的光刻胶层进行曝光后，可在绝缘层过孔区域上方保留一层厚度较薄的光刻胶图形，该光刻胶图形可以降低刻蚀气体刻蚀程度，从而避免绝缘层过孔区域下方的金属保护层被刻穿，最终导致金属层受到氧化后降低导电性能。 | ||||||
| 6 | 一种掩模板 | CN201410586860.8 | 2014-10-28 | CN104407496A | 2015-03-11 | 王德帅; 王亮 |
| 本发明涉及光刻技术领域，公开一种掩模板，该掩膜板包括透明基板，所述透明基板上设有半透膜层和挡光层以形成不透光区域、半透光区域和全透光区域，所述透明基板上还设有位于所述全透光区域周边的消光膜层、以减弱所述全透光区域周边透过的紫外光的强度。经过该掩膜板曝光形成的过孔的大小受过孔周边的光刻胶的厚度变化影响小。 | ||||||
| 7 | 一种掩模板 | CN201410345060.7 | 2014-07-18 | CN104155842A | 2014-11-19 | 王德帅; 曲连杰 |
| 本发明涉及光刻技术领域，公开一种掩模板，包括不透光区域，还包括：第一半透光区域；第二半透光区域；所述第二半透光区域的透光率小于第一半透光区域的透光率。该掩模板可以解决因为光刻胶厚度差异导致的过刻不良的工艺问题。 | ||||||
| 8 | 一种半导体器件终端环的拐角结构、制造工艺及光掩膜板 | CN201410324369.8 | 2014-07-08 | CN104134687A | 2014-11-05 | 胡浩 |
| 本发明公开了一种半导体器件终端环的拐角结构，以终端环的圆心为中心，弧形拐角部位由内向外分为多个掺杂浓度由内而外逐渐减小的弧形条状区域。本发明还公开了一种拐角结构的制造工艺，包括旋涂光刻胶，并使用以下光掩膜板进行曝光、显影：以光掩膜板的中点为中心，光掩膜板的弧形拐角部位的透光区面积由内而外逐渐减小；通过P型或N型杂质注入形成掺杂；高温氧化推结；通过N型或P型注入形成场截止环；形成场板。本发明还公开了一种用于半导体器件终端环制造的光掩膜板，包括弧形拐角部位，以光掩膜板的中点为中心，弧形拐角部位的透光区面积由内而外逐渐减小。本半导体器件终端环拐角部位的掺杂浓度逐渐变化，实现平滑过渡，提高耐压性能。 | ||||||
| 9 | 用于制作彩膜基板的彩膜单元的掩膜版和方法 | CN201410258156.X | 2014-06-11 | CN104062844A | 2014-09-24 | 冯贺; 吴洪江; 张思凯; 黎敏 |
| 本发明提供一种用于制作彩膜基板的彩膜单元的掩膜版，所述掩膜版上形成有：光线能够完全通过的无遮挡区，对应于正性光刻胶上的包围待形成所述彩膜单元的彩膜单元形成区的第一区域；光线能够部分通过的至少一个部分遮挡区，对应于正性光刻胶上的第二区域，所述第二区域属于所述彩膜单元形成区的一部分，且与所述第一区域共边邻接；光线完全无法通过的完全遮挡区，对应于正性光刻胶上的第三区域，所述第三区域属于所述彩膜单元形成区的另一部分；所述第二区域和第三区域中保留的光刻胶形成所述彩膜单元。本发明还提供一种制作彩膜基板的彩膜单元的方法。本发明的有益效果是：通过部分遮挡区的设置，控制曝光强度以减小角段差。 | ||||||
| 10 | 掩膜 | CN201280059575.X | 2012-01-19 | CN103959155A | 2014-07-30 | 金信英; 洪敬奇; 尹赫; 朱元喆; 赵镛一; 朴文洙; 高铜浩; 柳秀英 |
| 本发明涉及一种制造发光器件的方法和光取向层。在本发明的发光器件的一个实施方式中包括的掩膜被设置成以高亮度发射具有良好平行性的光到距离一定距离的要照射的表面上，并且通过使用所述掩膜能够制造具有精确形成的取向图案的光取向层。 | ||||||
| 11 | 掩模及其形成方法 | CN201310173745.3 | 2013-05-10 | CN103529640A | 2014-01-22 | 游信胜; 严涛南 |
| 本发明公开了掩模及其形成方法，其中，掩模可应用于光刻以制造半导体晶片。掩模包括低热膨胀材料（LTEM）基板、位于LTEM基板上方的反射多层（ML）以及位于反射ML上方的图案化吸收层。图案化吸收层包括范围在25nm和31nm之间的厚度、范围在0.84和0.93之间的折射率以及范围在0.038和0.051之间的消光系数。 | ||||||
| 12 | 光掩模坯料及光掩模的制造方法 | CN201310182144.9 | 2013-05-16 | CN103424983A | 2013-12-04 | 深谷创一; 中川秀夫; 笹本纮平 |
| 本发明涉及光掩模坯料及光掩模的制造方法。本发明在确保由铬系材料构成的膜的化学特性等各种特性的同时减轻对该铬系材料膜进行蚀刻时对光致抗蚀剂的负荷。在透明衬底(1)上形成有遮光膜(2)，在该遮光膜(2)上设置有硬掩模膜(3)。硬掩模膜(3)整体由含有锡的铬系材料构成。由含有锡的铬系材料构成的膜能够显著提高氯类干蚀刻时的蚀刻速度。并且，与由将铬的一部分置换成轻元素的铬系材料构成的膜相比，对氟类干蚀刻具有同等以上的蚀刻耐性。因此，对用于加工硬掩模膜的光致抗蚀剂的蚀刻负荷得到减轻，即使在使抗蚀剂膜减薄的情况下也能够进行高精度的图案转印。 | ||||||
| 13 | 半色调相移掩模坯料以及半色调相移掩模的制造方法 | CN201310182377.9 | 2013-05-16 | CN103424981A | 2013-12-04 | 深谷创一; 中川秀夫; 笹本纮平 |
| 本发明涉及半色调相移掩模坯料以及半色调相移掩模的制造方法。本发明提供能够在确保由铬系材料构成的遮光膜所要求的光学特性和化学特性等各种特性的同时提高该遮光膜的干蚀刻速度的新技术。在透明衬底(1)上层叠有半色调相移膜(2)和遮光膜(3)。遮光膜(3)具有单层结构或多层结构，至少一层由含有锡的铬系材料形成。另外，半色调相移膜(2)由氮氧化硅钼构成。由含有锡的铬系材料构成的层能够在不使遮光性降低的情况下显著提高含氧的氯类干蚀刻时的蚀刻速度。因此，将图案转印到该遮光膜上时对抗蚀剂图案和硬掩模图案的负荷得到减轻，能够以高精度进行图案转印。 | ||||||
| 14 | 光罩、玻璃基板及其制造方法 | CN201310283371.0 | 2013-07-05 | CN103345118A | 2013-10-09 | 柴立 |
| 本发明提供了一种光罩，该光罩包括阻光区、透光区以及部分透光区，该部分透光区突出于阻光区边缘，以允许部分紫外线透过。本发明还提供了一种玻璃基板及其制造方法。本发明通过在阻光区的边缘设置部分透光区，使得光阻在显影后形成小角度坡面过渡，从而使得后续的蚀刻步骤中，薄膜的边缘形成小角度坡面过渡，以保证交迭于其上的次道薄膜易于形成，薄膜在爬坡处不易断裂，ITO层在过孔处不易断裂，提升产品良率。 | ||||||
| 15 | EUV光刻用反射型掩模坯料 | CN200980143609.1 | 2009-10-28 | CN102203906B | 2013-10-09 | 林和幸 |
| 本发明提供一种具有低反射层的EUV光刻用反射型掩模，所述低反射层对EUV和掩模图案的检查光的波长区为低反射率，进而满足掩模制造过程和图案转印过程所需要的在波长区(400～1200nm)的所期望的反射率(405nm：＜40％，600～650nm：30～50％，800～900nm：＞50％，1000～1200nm：＜90％)。一种EUV光刻用反射型掩模坯料，其特征在于，其在衬底上依次形成有用于反射EUV光的反射层、和用于吸收EUV光的吸收体层、和针对掩模图案的检查光(波长190～260nm)的低反射层，前述低反射层至少含有钽(Ta)、氧(O)和氢(H)，在前述低反射层中，Ta和O的总含有率为85～99.9at％，H的含有率为0.1～15at％。 | ||||||
| 16 | 成像装置、其形成方法以及形成半导体装置结构的方法 | CN201180066649.8 | 2011-12-22 | CN103339711A | 2013-10-02 | 何元; 卡韦里·贾殷; 勾力晶; 张姿淑; 安东·J·德维利耶; 迈克尔·海厄特; 周建明; 斯科特·莱特; 丹·B·米尔沃德 |
| 本发明揭示一种成像装置，其包括至少一个阵列图案区和至少一个衰减区。所述至少一个阵列图案区中的多个成像特征与所述至少一个衰减区中的多个辅助特征具有彼此大体上相同的大小且大体上按某一间距形成。还揭示了形成成像装置的方法以及形成半导体装置结构的方法。 | ||||||
| 17 | 乳胶掩膜用电离辐射线固化型保护液及使用其的乳胶掩膜 | CN201080063279.8 | 2010-02-08 | CN102754025A | 2012-10-24 | 根岸朋子; 长谷川刚 |
| 本发明提供一种可在短时间内形成保护膜，形成保护膜的乳胶掩膜的粘接性与表面硬度优异的乳胶掩膜用保护液及使用其的乳胶掩膜。乳胶掩膜用电离辐射线性固化型保护液含有(甲基)丙烯酸酯低聚物和/或(甲基)丙烯酸系单体，及可与前述所述低聚物和/或单体共聚的反应性亲水性物质。而且反应性亲水性物质为(甲基)丙烯酸改性的亲水性物质，尤其是(甲基)丙烯酸改性的磷酸酯和/或(甲基)丙烯酸改性的季铵盐。 | ||||||
| 18 | 半色调掩膜的制造方法 | CN201080037805.3 | 2010-06-25 | CN102483568A | 2012-05-30 | 金武成 |
| 本发明涉及一种半色调掩膜的制造方法，所述半色调掩膜被配置为利用单一半透过材料而具有多个半透过单元，其中半色调掩膜的制造方法包括：在衬底上形成半透过材料；以及形成半透过区，所述半透过区用通过等离子体表面处理所述半透过材料和调节所述半透过材料的透射率而形成的具有与所述半透过材料的光透射率不同的透射率的至少一种半透过材料形成。 | ||||||
| 19 | EUV光刻用反射型掩模基板 | CN200980143726.8 | 2009-10-28 | CN102203907A | 2011-09-28 | 林和幸 |
| 本发明提供具备EUV光及图案检查光的波长范围的反射率低且膜组成及膜厚易于控制在所希望的范围内的吸收体层的EUV光刻用反射型掩模基板。该EUV光刻用反射型掩模基板中在衬底上依次形成有反射EUV光的反射层和吸收EUV光的吸收体层，其特征在于，所述吸收体层至少含有钽(Ta)、硼(B)、氮(N)及氢(H)，所述吸收体层中，B的含有率为1at％以上但低于5at％，H的含有率为0.1～5at％，Ta及N的合计含有率为90～98.9at％，Ta和N的组成比Ta∶N＝8∶1～1∶1。 | ||||||
| 20 | 光掩模坯体、光掩模及其制造方法、以及半导体器件的制造方法 | CN200980138311.1 | 2009-09-30 | CN102165369A | 2011-08-24 | 桥本雅广; 小凑淳志 |
| 本发明的目的在于，使用于制作ArF准分子激光曝光用光掩模的光掩模坯体，能够应用于半导体设计规则中从DRAM半节距(hp)32nm起的下一代。作为解决方案的是一种光掩模坯体，其用于制作采用了波长200nm以下的曝光光的光掩模，所述光掩模坯体的特征在于，具有：透光性基板；遮光膜，其形成在透光性基板上，并含有钼及硅；以及蚀刻掩模膜，其形成在该遮光膜上并与其接触，并含有铬，所述遮光膜从所述透光性基板侧起依次具有遮光层和防反射层，所述遮光层的钼含量为9％原子百分比以上40％原子百分比以下，所述蚀刻掩模膜的铬含量为45％原子百分比以下。 | ||||||
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