图案形成方法、压模的制造方法以及磁记录介质的制造方法 |
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| 申请号 | CN201410165545.8 | 申请日 | 2014-04-23 | 公开(公告)号 | CN104732987A | 公开(公告)日 | 2015-06-24 |
| 申请人 | 株式会社东芝; | 发明人 | 泷泽和孝; 岩崎刚之; 竹尾昭彦; | ||||
| 摘要 | 本 发明 的目的在于得到图案尺寸 精度 良好的图案形成方法。根据实施方式，可得到一种图案形成方法，其中，包含：在 基板 上形成被加工层的工序；将含有金属微粒与 溶剂 的金属微粒涂敷液涂敷到被加工层上以形成金属微粒层的工序；通过第1蚀刻降低金属微粒周围的保护基量的工序；暴露于包含C与F的气体中并使气体 吸附 于金属微粒周围而形成保护层的工序；以及通过第2蚀刻将凸图案向该被加工层复制的工序。 | ||||||
| 权利要求 | 1.一种图案形成方法，包括： |
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| 说明书全文 | 图案形成方法、压模的制造方法以及磁记录介质的制造方法 [0001] 相关申请 [0002] 本申请享受以日本特许出愿2013-265759号(申请日：2013年12月24日)为在先申请的优先权。本申请通过参照该在先申请而包含其全部内容。 技术领域[0003] 本发明的实施方式涉及图案形成方法、压模的制造方法以及磁记录介质的制造方法。 背景技术[0004] 近年来，伴随着信息量的显著增加，渴望实现大容量信息记录装置。在半导体存储器装置中，为了出于增加容量的目的而提高每单位面积的安装密度，多使元件尺寸的微细化，例如晶体管的布线尺寸微细化到数(nm)～数十(nm)的范围，希望实现能够与此相应的制造技术。另外，关于硬盘驱动器(HDD)，为了记录介质的高密度化，正在进行以垂直磁记录为中心的各种技术开发，此外作为能够兼顾记录密度进一步的增加与介质磁化的热波动耐性的介质还提出图案化介质。 [0005] 图案化介质是将一个或者多个磁性区域作为1个单元来进行记录的介质，为了用1个单元来记录1位信息，需要使各记录单元彼此磁性分离。因此，一般的方法是例如应用半导体制造领域的微细加工技术将磁性点部与非磁性部在同一平面内分离开。在图案化介质制作方法中具有下述的自顶向下(top down)方式与自底向上(top up)方式。顶部在下方式是使用在磁记录层上部制作出的凸图案掩模向下部磁记录层复制微细凸图案的方式。 与此相对，在顶部在上方式中，预先在基板上形成微细图案、相对于微细凸图案形成磁记录层、使记录层材料描绘出凸形状而得到分离图案的方法。另外，作为特殊的方法，也具有如下所述的方法：在磁记录层上设置微细凸掩模并以高能量向其照射离子，通过向所希望的区域注入离子而制作出非磁性区域，有选择地将磁记录图案分离。 [0006] 如上所述，为了使记录密度高密度化，需要在基板上制作出上述微细图案，不得不制作可与凸图案的间距缩小相对应的掩模。作为与此相对应的既有技术，可列举使用紫外线曝光和/或电子线曝光的各种光刻法，另一方面，作为尺寸偏差更小且可简便地形成微细图案的方法之一，有使用金属微粒的微细加工方法。 [0007] 金属微粒为具有数(nm)～数百(nm)的直径的微粒的总称，有时也被称为纳米微粒或简称为微粒。通常，在基板上使用金属微粒的情况下，使用金属微粒材料分散在特定的溶剂中的所谓分散液，通过将其涂敷在基板上而得到金属微粒的周期性图案。接下来，通过在金属微粒涂敷后将其作为掩模层或者基底层而使用，能够在同一平面上得到独立的凸图案。另外，也能够在基板上预先形成物理性的凸图案，将凸图案作为向导而人为地排列出所希望的图案。 [0008] 金属微粒含有各种材料，尤其是使用贵金属材料时的金属微粒，其化学性质稳定并具备很高的耐蚀刻性，所以在将其用作凸图案加工用掩模时能够维持加工余量同时降低加工后图案的尺寸转换差，所以很合适，但也可以应用其他基于氧化物材料和/或化合物材料的微粒。 [0009] 存在于自由空间以及分散液中的金属微粒具有从周围的金属微粒受到由范德华(van der Waals)引力所产生的相互作用而凝集的倾向。因此，为了使各金属微粒不相互凝集，一般的设计·制造方针是预先向微粒表面赋予含有高分子链的保护基，将其相对于相邻的其他金属微粒在物理·化学方面隔离开。然而，在将金属微粒作为为掩模的微细加工工艺中，伴随着等离子损伤，金属微粒周围的保护基会消失，所以相邻的金属微粒彼此会凝集。因此，掩模图案在基板上变化，所以复制后的凸图案的尺寸偏差恶化。金属微粒的凝集不仅会使复制图案的精度下降，而且其自体也会成为基板上的残渣，所以在半导体制造工序中由不需要的颗粒引起成品率下降，在硬盘介质中，粒子成为凸图案，致使介质中的磁头悬浮特性劣化，并与HDI(Head Disk Interface，硬盘接口)特性的恶化有关。由此，从制造工序的成品率管理方面来看，抑制微粒凝集也成为重要的项目。另外，伴随着微细图案的尺寸窄小化，也要求掩模材料微细化，其中需要进行窄间距金属微粒的凸图案复制。另一方面，如前所述，为了抑制微粒彼此凝集而扩大微粒间距离，这会导致微粒间距离即图案间距扩大。因此，需要不将微粒间距离扩大得那么大地抑制凝集的方法。 [0010] 另外，向金属微粒赋予保护基导致制造节拍时间延长并增大成本。因此，作为抑制金属微粒凝集的保护基，优选，不会将微粒间距离扩大得那么大的保护基，并且作为其制造方法，则希望更加廉价的方法。然而，以往的方法一般是在金属微粒合成时赋予高分子保护基，如前所述，难以同时满足上述要求。 [0011] 因此，在使用了金属微粒的微细图案形成工艺中，不但希望抑制金属微粒凝集，还希望确保窄间隔、维持图案排列精度并扩大加工余量，必须实现可全部满足这些要求的制造方法。但是，在应用以往技术来形成金属微粒掩模和/或微细凸图案时，会产生前述的妥协(trade-off)的问题，特别难以得到高精细的凸图案。 发明内容[0012] 本发明的实施方式的目的在于提供图案尺寸精度良好且廉价的图案形成方法、磁记录介质的制造方法以及压模的制造方法。 [0013] 根据实施方式，提供一种图案形成方法，包含： [0014] 在基板上形成被加工层的工序； [0015] 将含有金属微粒和溶剂的金属微粒涂敷液涂敷到所述被加工层上以形成金属微粒掩模层的工序； [0016] 通过第1蚀刻来降低金属微粒周围的保护基量的工序； [0019] 图1是表示第1实施方式涉及的图案形成方法的一例的图。 [0020] 图2是表示第2实施方式涉及的图案形成方法的一例的图。 [0021] 图3是表示第3实施方式涉及的压模的制造方法的一例的图。 [0022] 图4是表示第4实施方式涉及的磁记录介质的制造方法的一例的图。 [0023] 图5是表示第5实施方式涉及的磁记录介质的制造方法的一例的图。 [0024] 图6是表示第6实施方式涉及的磁记录介质的制造方法的一例的图。 [0025] 图7是表示第7实施方式涉及的纳米刻印(imprint)与磁记录介质的制造方法的一例的图。 [0026] 图8是表示第8实施方式涉及的纳米刻印与磁记录介质的制造方法的一例的图。 [0027] 图9是表示记录位图案相对于磁记录介质的周向的一例的图。 [0028] 图10是表示记录位图案相对于磁记录介质的周向的另一例的图。 [0029] 图11是表示记录位图案相对于磁记录介质的周向的另一例的图。 [0030] 图12是将能够应实施方式涉及的磁记录介质的磁记录再生装置的一例部分拆开的立体图。 [0031] 图13是表示实施方式涉及的金属微粒掩模的上面SEM像的照片。 [0032] 图14是表示使用实施方式涉及的金属微粒掩模而制作出的凸图案的上面SEM像的照片。 [0033] 图15是表示实施方式涉及的金属微粒掩模的另一例的上面SEM像的照片。 [0034] 图16是表示实施方式涉及的金属微粒掩模剥离后的凸图案的上面SEM像的照片。 具体实施方式[0035] 第1实施方式涉及的图案形成方法，包括： [0036] 在基板上形成被加工层的工序； [0037] 将含有金属微粒与溶剂的金属微粒涂敷液涂敷到被加工层上而形成金属微粒层的工序； [0038] 通过第1蚀刻来降低金属微粒周围的保护基量的工序； [0039] 暴露于含有碳与氟的气体，使气体吸附在金属微粒周围而形成保护层的工序；以及 [0040] 通过第2蚀刻来将凸图案向该被加工层复制的工序。 [0041] 第2实施方式涉及的图案形成方法，还包括在将凸图案向被加工层复制的工序之后将金属微粒除去的工序以外，与第1实施方式相同。 [0042] 第3实施方式涉及的压模的制造方法，包括： [0043] 在基板上形成被加工层的工序； [0044] 将含有金属微粒与溶剂的金属微粒涂敷液涂敷到被加工层上而形成金属微粒层的工序； [0045] 通过第1蚀刻来降低金属微粒周围的保护基量的工序； [0046] 暴露于含有碳与氟的气体，使气体吸附在金属微粒周围而形成保护层的工序； [0047] 通过第2蚀刻来将凸图案向被加工层复制的工序； [0048] 在凸图案上形成导电层的工序； [0050] 从被加工层上剥离电铸层的工序。 [0051] 在第3实施方式涉及的压模的制造方法中，还能够包括：在在凸图案上形成导电层的工序之前，除去金属微粒的工序。 [0052] 第4实施方式涉及的磁记录介质的制造方法，包含： [0053] 在基板上形成磁记录层的工序； [0054] 在该磁记录层上涂敷含有金属微粒与溶剂的金属微粒涂敷液而形成金属微粒层的工序； [0055] 通过第1蚀刻来降低金属微粒周围的保护基量的工序； [0056] 暴露于含有碳与氟的气体，使气体吸附在金属微粒周围而形成保护层的工序；以及 [0057] 通过第2蚀刻来将凸图案向磁记录层复制的工序。 [0058] 第5实施方式涉及的磁记录介质的制造方法，还包含：在形成金属微粒层的工序之前，在磁记录层上形成剥离层的工序；和 [0059] 在将凸图案向磁记录层复制的工序之后，将剥离层溶解除去并且将金属微粒层除去的工序。 [0060] 第6实施方式涉及的磁记录介质的制造方法，包含： [0061] 在基板上形成基底层的工序； [0062] 将含有金属微粒与溶剂的金属微粒涂敷液涂敷到基底层上而形成金属微粒层的工序； [0063] 通过第1蚀刻来降低金属微粒周围的保护基量的工序； [0064] 暴露于含有碳与氟的气体，使气体吸附在金属微粒周围而形成保护层的工序；以及 [0065] 通过第2蚀刻来将凸图案向该基底层复制的工序； [0066] 从被加工层上除去金属微粒的工序；以及 [0067] 在具有凸图案的基底层上形成磁记录层的工序。 [0068] 第7实施方式涉及的磁记录介质的制造方法，其特征在于，包括： [0069] 在基板上形成磁记录层的工序； [0070] 在该磁记录层上形成抗蚀剂层的工序； [0071] 通过在抗蚀剂层上刻印压模而设置凸图案的工序；以及 [0072] 将凸图案复制到磁记录层的工序， [0073] 其中，所述压模通过下述工序而形成： [0074] 在基板上形成被加工层的工序； [0075] 将含有金属微粒与溶剂的金属微粒涂敷液涂敷到被加工层上而形成金属微粒层的工序； [0076] 通过第1蚀刻来降低金属微粒周围的保护基量的工序； [0077] 暴露于含有碳与氟的气体，使气体吸附在金属微粒周围而形成保护层的工序； [0078] 通过第2蚀刻来将凸图案向该被加工层复制的工序； [0079] 在凸图案上形成导电层的工序； [0080] 在导电层上通过进行电镀而形成电铸层的工序；以及 [0081] 从被加工层剥离电铸层的工序。 [0082] 第8实施方式所涉及的磁记录介质的制造方法，其特征在于，包括： [0083] 在基板上形成磁记录层的工序； [0084] 在磁记录层上形成基底层的工序； [0085] 在基底层上形成抗蚀剂层的工序； [0086] 通过在抗蚀剂层上刻印压模而设置凸图案的工序； [0087] 将凸图案复制到基底层的工序；以及 [0088] 在具有该凸图案的基底层上形成磁记录层的工序， [0089] 其中，所述压模通过下述工序而形成： [0090] 在基板上形成被加工层的工序； [0091] 将含有金属微粒与溶剂的金属微粒涂敷液涂敷到被加工层上而形成金属微粒层的工序； [0092] 通过第1蚀刻来降低金属微粒周围的保护基量的工序； [0093] 暴露于含有碳与氟的气体，使气体吸附在金属微粒周围而形成保护层的工序； [0094] 通过第2蚀刻来将凸图案向该被加工层复制的工序； [0095] 在凸图案上形成导电层的工序； [0096] 在导电层上通过进行电镀而形成电铸层的工序；以及 [0097] 从被加工层剥离所述电铸层的工序。 [0098] 根据该第1至第8实施方式，通过蚀刻将预先设置于金属微粒周围的抑制凝集效果较弱的保护基部分除去由此降低了其量，之后，通过将微粒表面暴露于含有碳与氟的气体，从而使气体吸附于微粒表面而与保护基置换，由此能够更良好抑制微粒层凝集。当使用称为气体暴露的方法时，不但能够不依存于保护基材料和/或由溶剂种类等限制的保护基材料的种类地、赋予对凝集抑制有效的保护基，而且伴随着称为气体暴露的制造方法的简易化，能够缩短制造节拍时间，降低成本。 [0099] 另外，根据实施方式涉及的方法，不会受到金属微粒合成时的保护基材料和/或溶剂种类的制约，能够广泛地选定材料。另外，可提供能够全部同时满足微粒掩模的凝集抑制、窄间隔的确保、加工余量扩大、间距偏差的劣化抑制的制造方法，通过适用该过程能够形成微细微粒掩模。 [0100] 根据实施方式，不需要在合成时进行金属微粒的保护基赋予，能够通过简易的气体暴露置换保护基且使凝集轻微。 [0101] 下面，参照附图就实施方式进行说明。 [0102] 在图1(a)至图1(f)中示出了表示第1实施方式涉及的图案形成方法的一例的图。 [0103] 如图所示，第1实施方式涉及的图案形成方法包括： [0104] 如图1(a)所示，在基板1上形成被加工层2的工序； [0105] 如图1(b)所示将含有金属微粒4和溶剂5的分散液6涂敷在被加工层2上，如图1(c)所示形成金属微粒层8的工序； [0106] 如图1(d)所示，通过进行第1蚀刻而降低金属微粒层8的金属微粒表面的保护基量的工序； [0107] 如图1(e)所示，将金属微粒层8暴露于含有碳以及氟的气体气氛25中而形成未图示的保护层的工序；和 [0108] 如图1(f)所示，通过第2蚀刻，将金属微粒层8作为掩模而将凸图案复制到被加工层2上的工序。 [0109] 在图2(a)至图2(g)中示出了表示第2实施方式涉及的图案形成方法的一例的图。 [0110] 第2实施方式涉及的图案形成方法是第1实施方式涉及的图案形成方法的变形例，在图2(f)所示的向被加工层2复制凸图案的工序之后、还包含如图2(g)所示除去微粒的工序，除此以外，与第1实施方式涉及的图案形成方法同样。 [0111] 在图3(a)至图3(f)中示出了表示第3实施方式涉及的图案形成方法的一例的图。 [0112] 第3实施方式涉及使用通过第1以及第2实施方式制作出的凸图案来制作压模的工序，除了包含下述工序以外与第1以及第2实施方式相同，也能够得到压模30： [0113] 如图3(a)所示，准备形成有具有凸图案的被加工层2的基板1； [0114] 如图3(b)所示，对形成有具有凸图案的被加工层2的基板1覆盖导电层11的工序； [0115] 如图3(c)所示，在导电层11上进行电镀、在导电层11表面形成电铸层12的工序；和 [0116] 如图3(f)所示，将电铸层12从基板1上脱离的工序。 [0117] 另外，在图3(c)的工序与图3(f)的工序之后，能够进而还包含：如图3(d)所示，将被加工层2和包含导电层11的电铸层12一起从基板1上脱离的工序；以及如图3(e)所示，通过蚀刻将被加工层2的残渣除去的工序。 [0118] 在图4(a)至图4(g)中示出了表示第4实施方式涉及的磁记录介质的制造方法的一例的图。 [0119] 第4实施方式涉及磁记录介质的制造方法，包含： [0120] 如图4(a)所示，在基板21上形成磁记录层22的工序； [0121] 在磁记录层22上形成掩模层23的工序； [0122] 在掩模层23上形成金属微粒层24的工序； [0123] 如图4(b)所示，通过进行第1蚀刻而降低金属微粒层24的金属微粒表面的保护基量的工序； [0124] 如图4(c)所示，将金属微粒层24暴露于含有碳以及氟的气体气氛25中而形成未图示的保护层的工序； [0125] 如图4(d)所示，将含有金属微粒层24的凸图案向掩模层23复制的工序； [0126] 如图4(e)所示，将凸图案向磁记录层22复制的工序；和 [0127] 如图4(f)所示，从磁记录层22上除去掩模层23的工序。 [0128] 进而，如图4(g)所示，能够通过在磁记录层22上任意形成保护层26而得到磁记录介质100。 [0129] 在图5(a)至图5(i)中示出了表示第5实施方式涉及的磁记录介质的制造方法的一例的图。 [0130] 第5实施方式是第4实施方式的变形例，除了包含下述工序外与第4实施方式相同，也能够得到磁记录介质200： [0131] 如图5(a)所示，除在磁记录层22与掩模层23之间设置剥离层27以外，与图4(a)同样地在基板21上形成磁记录层22、剥离层27、掩模层23以及金属微粒层24的工序；和[0132] 代替图4(d)至图4(f)，如图5(f)所示将掩模层23的凸图案向剥离层27复制的工序、如图5(g)所示将剥离层27的凸图案向磁记录层22复制的工序和如图5(h)所示通过将剥离层27溶解除去而从磁记录层22上除去掩模层23的工序。 [0133] 另外，图5(a)至图5(g)所示，能够根据需要在掩模层23与金属微粒层24之间设置用于改善图案复制精度的复制层28。 [0134] 在图6(a)至图6(g)中示出了表示第6实施方式涉及的磁记录介质的制造方法的一例的图。 [0135] 第6实施方式涉及磁记录介质的制造方法，其中，除在如图2(g)所示形成设有带凸图案的被加工层2的基板1后，如图6(f)所示形成磁记录层22、如图6(g)所示在磁记录层22上形成保护层26以外，与图2(a)至图2(g)所示的方法相同。另外，所得到的磁记录介质300除在基板1与磁记录层22之间设有带凸图案的被加工层2以外，与图4(g)以及图5(i)所示的磁记录介质100，200结构相同。 [0136] 在图7(a)至图7(i)中示出了表示第7实施方式涉及的磁记录介质的制造方法的一例。 [0137] 第7实施方式是使用在第3实施方式中制作出的压模通过纳米刻印来制作磁记录介质的例子，包含下述工序从而形成了磁记录介质400： [0138] 如图7(a)所示，在基板21上形成磁记录层22、掩模层23、复制层28以及纳米刻印抗蚀剂层29的工序； [0139] 如图7(b)所示，向纳米刻印抗蚀剂层29按下压模30以复制凸图案的工序； [0140] 如图7(c)所示，将压模30从纳米刻印抗蚀剂层29的凸图案分离的工序； [0141] 如图7(d)所示，通过蚀刻将纳米刻印抗蚀剂层29的残渣除去而使复制层28的表面露出的工序； [0142] 如图7(e)所示，将纳米刻印抗蚀剂层29的凸图案向复制层28复制的工序； [0143] 如图7(f)所示，将复制层28的凸图案向掩模层23复制的工序； [0144] 如图7(g)所示，将掩模层23的凸图案向磁记录层22复制的工序； [0145] 如图7(h)所示，通过蚀刻除去掩模层23得到基板21与磁记录层22的层叠体的工序；和 [0146] 如图7(i)所示，在磁记录层22上形成保护层26的工序。 [0147] 在图8(a)至图8(h)中示出了表示第8实施方式涉及的磁记录介质的制造方法的一例的图。 [0148] 第8实施方式是使用在第3实施方式中制作出的压模通过纳米刻印来制作磁记录介质的例子的变形例，包含下述工序从而形成了磁记录介质500： [0149] 如图8(a)所示，在基板1上形成被加工层2以及纳米刻印抗蚀剂层29的工序； [0150] 如图8(b)所示，向纳米刻印抗蚀剂层29按下压模30以复制凸图案的工序； [0151] 如图8(c)所示，将压模30从纳米刻印抗蚀剂层29的凸图案分离的工序； [0152] 如图8(d)所示，除去纳米刻印抗蚀剂层29的残渣而使被加工层2的表面露出的工序； [0153] 如图8(e)所示，通过蚀刻将凸图案向被加工层2复制的工序； [0154] 如图8(f)所示，从被加工层2上除去纳米刻印抗蚀剂层29的工序； [0155] 如图8(g)所示，在被加工层2上形成磁记录层22的工序；和 [0156] 如图8(h)所示，在磁记录层22上形成保护层26的工序。 [0157] 微粒在材料合成的阶段由高分子保护基覆盖，所以通过利用第1蚀刻将保护基分解除去而使金属微粒的表面露出。在该情况下，优选，在金属微粒不凝集的范围内除去保护基，特别优选，保护基成分的总覆盖固形成分量相对于金属微粒表面大于等于30％。在第1蚀刻中只要能够减少微粒周围的保护基量即可，能够适用湿式蚀刻和/或干式蚀刻。 [0158] 进而，通过对露出的金属微粒进行气体暴露，能够使气体成分附着于微粒表面并成为保护基。在该情况下，气体成分会吸附于预先赋予了微粒表面的高分子保护基的末端，但在对高分子保护基进行气体暴露的情况下，相对于微粒表面的覆盖率高，能够更为抑制凝集。因此，由凸图案复制时的侧面蚀刻所引起的覆盖率的减少比较轻微，所以到因保护基消失而引起微粒凝集为止的蚀刻余量较宽。由此，也具有能够扩大凸图案复制工序的加工余量的效果。 [0159] 气体成分优选容易向微粒表面吸附的材料，特别优选，至少含有碳以及氟的材料。通过附着于金属微粒周围的保护基可成为表面活性不同的保护基。在使用氟系气体以及碳系气体的情况下，优选，预先调整两种成分，但实用中也能够应用CF4和/或CHF3等通用性气体。能够根据改变气体流量、气体压力、气体种类来调整碳系以及氟系气体的附着量。另外，也可以使用CH3F、CH2F2、C4F6、C4F8等气体。 [0160] 另外，通过第2蚀刻，能够将凸图案向被加工层复制。此时，优选，金属微粒不凝集就复制凸图案。作为蚀刻能够应用湿式蚀刻与干式蚀刻，但作为图案在深度方向上的各向异性大、且能够减小由侧面蚀刻所引起的尺寸转换差的方法，优选应用干式蚀刻。 [0161] 在第2蚀刻中应用干式蚀刻的情况下，能够使用各种活性气体，但作为使微粒层的凝集变得轻微的气体，更优选使用含有碳以及氟的气体。在第2蚀刻中也同样，一边向微粒表面赋予气体成分一边进行蚀刻，所以不会使图案精度劣化就可复制出凸图案。 [0162] 另外，在第1至第8实施方式中，金属微粒材料从例如含C、Pt、Ni、Pd、Co、Al、Ti、Ce、Si、Fe、Au、Ag、Cu、Ta、Zr、Zn、Mo、W、Ru的群中选择，也可以应用它们的氧化物、氮化物、二种以上的化合物。 [0163] 金属微粒的分散液所含的分散媒从极性溶剂以及非极性溶剂中选择，也可以通过追加溶剂而适当改变金属微粒的浓度。即，金属微粒的浓度能够根据要涂敷的基板的面积和/或构成的金属微粒的层数来改变。 [0164] 在伴随着气体暴露而进行的保护基的赋予以及置换中，在微粒表面形成了含有高分子的外壳，但该壳是因高分子末端的吸附而形成的，其厚度极薄，具体地说小于等于1nm。由此，能够几乎不改变金属微粒间距离地调整表面性并抑制凝集。 [0165] 被加工层形成工序 [0166] 首先，在基板上形成被加工层。被加工层为要被复制后述的金属微粒凸图案的层。也能够对被加工层直接复制金属微粒凸图案，但为了提高复制精度，优选，在被加工层与金属微粒层间设置有掩模层。 [0167] 对基板的形状没有任何限定，通常使用圆形且硬质的基板。例如，可使用玻璃基板、含金属基板、碳基板、陶瓷基板等。为了使图案的面内均匀性良好，优选，减小基板表面的凸图案。另外，根据需要也能够在基板表面预先形成以氧化膜为首的保护膜。 [0169] 被加工层能够通过各种方法形成于基板上。能够通过例如以真空蒸镀法、电子线蒸镀法、分子线蒸镀法、离子束蒸镀法、离子电镀法、溅射法为代表的物理气相沉积法(PVD：Physical Vapor Deposition)以及使用了热·光·等离子的化学气相沉积法(CVD：Chemical Vapor Deposition)等方法来形成。另外，被加工层的厚度，能够通过在物理的·化学的气相沉积法中，适当变更例如工艺气体压力、气体流量、基板温度、投入功率、腔内气氛、成膜时间等参数来调整。 [0170] 被加工层可根据其用途而从各种材料中选择。具体地说，可从含Al、C、Si、Ti、V、Cr、Mn、Co、Ni、Cu、Fe、Zn、Ga、Zr、Nb、Mo、Ru、Pd、Ag、Au、Hf、Ta、W、Ir以及Pt的群中选择，可含有它们的合金或者化合物。所谓合金含有从上述群中选择的至少2种材料。另外，所谓化合物是从例如氧化物、氮化物、硼化物、碳化物等中选择出来的。在该情况下，能够选择形成于被加工层之上的金属微粒膜的材料与可相对于凸图案尺寸确保蚀刻选择比的掩模层材料，进而准备地确定其膜厚。 [0171] 在磁记录介质的制造方法的一例中，该被加工层能够用作磁记录层。通过向磁记录层复制金属微粒层的凸图案，能够得到具备在物理方面·磁性方面分离开了的凸图案构造的磁记录介质。 [0172] 磁记录层如前所述那样成膜于基板上。另外，根据需要，能够在基板与磁记录层之间形成具有高透磁率的软磁衬底层(SUL，Soft Unber Layer)。软磁衬底层承担使来自用于磁化磁记录层的磁头的记录磁场环流的这一磁头功能的一部分，能够急剧地向磁场的记录层附加充分的垂直磁场，提高记录再生效率。 [0173] 作为软磁衬底层，能够使用例如包含Fe、Ni以及Co的材料。这些材料中，能够优选使用不存在结晶磁各向异性、结晶缺陷以及粒界且表现出优异的软磁的非晶材料。通过使用软磁非晶材料，能够谋求记录介质的低噪声化。作为软磁非晶材料，例如以Co为主成分，能够选择相对其含有Zr、Nb、Hf、Ti、Ta中的至少1种的Co合金、例如CoZr、CoZrNb以及CoZrTa等。 [0174] 另外，在软磁衬底层与基板之间能够为了提高软磁衬底层的紧密附着性而设置基底层。作为基底层材料，能够使用例如从Ni、Ti、Ta、W、Cr、Pt以及其合金、其氧化物以及其氮化物中选择的至少1种材料。作为基底层材料能够使用例如NiTa以及NiCr等。另外，这些基底层能够设为多层。 [0175] 进而，在软磁衬底层与磁记录层之间能够设置含有非磁性金属材料的中间层。中间层的作用有切断软磁衬底层与磁记录层之间的交换耦合相互作用和控制磁记录层的结晶性这两个。作为中间层材料，能够从Ru、Pt、Pd、W、Ti、Ta、Cr、Si、其合金、其氧化物以及其氮化物中选择。 [0176] 磁记录层能够以Co为主成分并且至少含有Pt还含有金属氧化物。磁记录层除了Co以及Pt还能够含有从B、Ta、Mo、Cu、Nb、W、Nb、Sm、Tb以及Ru中选择的1种以上的元素。通过还含有上述元素，能够促进磁性粒子的微粒化并提高结晶性和取向性，由此，能够得到适于高记录密度的记录再生特性和热波动特性。磁记录层具体能够使用CoPt系合金、CoCr系合金、CoCrPt系合金、CoPtO、CoPtCrO、CoPtSi、CoPtCrSi、CoCrSiO2等合金。 [0177] 为了高准确度地测定再生输出信号，磁记录层的厚度优选大于等于1.0nm，为了抑制信号强度的失真优选为厚度小于等于40nm。如果比1.0nm薄则再生输出极小，具有噪声成分占优势的倾向。相反，在比40nm厚情况下，再生输出变得过度，具有信号波形产生失真的倾向。 [0178] 在磁记录层上部能够设置保护层。保护层具有防止磁记录层的腐蚀？劣化并且防止在磁头与记录介质接触时产生的介质表面的损伤这样的效果。作为保护层材料，可列举2 3 例如含C、Pd、SiO2以及ZrO2的材料。碳能够分类为sp 键合碳(石墨)与sp 键合碳(金 3 2 刚石)。耐久性、耐腐蚀性方面，sp 键合碳优异，相反平坦性方面sp 键合碳优异，通常，碳 2 3 的成膜通过使用了石墨标靶的溅射法来进行，形成sp 键合碳与sp 键合碳混合存在的非晶 3 碳，sp 键合碳的比例较大的被称为类金刚石碳(DLC)，耐久性、耐腐蚀性和平坦性优异，作为磁记录层的保护层更合适。 [0179] 在保护层的上部还能够设置润滑层。作为在润滑层中使用的润滑剂， [0181] 在被加工层以及磁记录层的上部能够设置剥离层。在向被加工层和磁记录层复制凸图案后，能够应用通过将剥离层除去而将掩模层分离的剥离(lift off)工艺。该剥离层优选蚀刻率高且相对于剥离液的溶解率高的。 [0182] 另外，在磁记录介质的制造方法的其它例子中，被加工层可成为磁记录层的基底层。 [0183] 另外，能够在该基底层与磁记录层之间形成追加的基底层。 [0184] 作为能够用作基底层的被加工层的材料，可列举例如硅、锗、钽、钨、钼、铪、铌、钌以及它们的氧化物、氮化物、化合物、合金等。 [0186] 掩模层形成工序 [0187] 在被加工层以及磁记录层之上能够形成凸图案复制用的掩模层。 [0188] 掩模层是用于复制金属微粒的凸图案的层，并且是用于向被配置于下部的被加工层以及磁记录层复制凸图案的掩模。由此，在从基板侧起设为掩模层/金属微粒层的情况下，蚀刻选择比越高越好，当然优选被加工层/掩模层的蚀刻选择比也较高。 [0189] 在被加工层成为磁记录层的情况下，掩模层被形成于磁记录层上的保护层上。如上所述，优选，磁记录层/掩模层的蚀刻选择比也较高。 [0190] 掩模层除了设为1层以外，也可以设为层叠不同材料而成的2层以上的结构。 [0191] 为了高精度地复制微粒凸图案，掩模层能够设为小于等于金属微粒的半径的厚度。因为在加工比微粒的半径厚的层的情况下，后述那样的蚀刻中的微粒的凝集变得显著，复制精度劣化。在假设数十nm级图案的情况下，具体的厚度优选设为1nm～10nm。 [0192] 掩模层与被加工层同样可通过各种方法成膜，可考虑蚀刻选择比而采取各种结构。即，掩模层除了设为1层以外，也可以设为层叠不同材料而成的2层以上的结构。 [0193] 掩模层的厚度，在物理·化学气相沉积法中，能够通过适当变更例如工艺气体压力、气体流量、基板温度、投入功率、极限真空度、腔内气氛、成膜时间等参数来调整。形成于该掩模层上部的金属微粒层的排列精度以及凸图案的复制精度较强依存于掩模层的表面粗糙度。因此，在掩模层中优选预先降低其表面粗糙度，通过对上述成膜条件进行各种调整能够实现这一目标。为了高精细地图案化出窄间距图案，特别优选，表面粗糙度的周期相对于所希望的图案间距而言较小。另外，平均表面粗糙度的值为包含基板/被加工层/掩模层的值，优选小于等于0.5nm。这是因为如果比0.5nm大，则后述的金属微粒的排列精度恶化，磁记录介质的信号S/N劣化。但是，通过下述方法能够扩大微粒掩模的加工余量，即便在使用具有比以往大的粗糙度的基板的情况下，也能够向掩模层复制尺寸精度好且缺陷少的凸图案。 [0194] 除了对上述成膜条件进行各种变更以外，通过将掩模层材料从晶质设为非晶质，也能够降低表面粗糙度。 [0195] 掩模层的厚度能够考虑配置于下层的剥离层以及磁记录层的蚀刻选择比和/或凸图案尺寸而确定。 [0196] 在成膜中使用的溅射气体能够以以Ar为代表的稀有气体为主，进而也能够利用要成膜的掩模材料通过混合O2、N2等反应性气体而形成所希望的合金。 [0197] 另外，为了高精细地复制微细图案，掩模层的厚度优选设为大于等于1nm且小于等于50nm。如果比1nm薄则掩模层不能均匀地成膜，另外如果比50nm厚则存在深度方向上的凸图案的复制精度劣化的倾向。进而，如果按小于等于微粒的半径的厚度来形成掩模层，则能够得到复制精度更优异的凸图案。 [0198] 如后所述，在经由掩模层向被加工层以及磁记录层复制了凸图案的情况下，可以除去掩模层，或者也可以通过在凸图案复制图案形成过程中有意识地使掩模层后退以代替除去掩模层的工序。在除去掩模层的情况下能够应用干式蚀刻或者湿式蚀刻等方法。另外，也能够预先在被加工层与掩模层之间形成剥离层，通过除去剥离层而使掩模层从被加工层上剥离。 [0199] 如前所述，掩模层能够形成为1层或大于等于2层。即，也能够设为包含第1掩模层以及第2掩模层的层叠体。通过使第1掩模层与第2掩模层含有不同的材料，能够增大蚀刻选择比、改善复制精度。在这里为了方便，将第2掩模层称为针对第1掩模层的复制层，从基板侧开始表记为被加工层(包含磁记录层)/掩模层/复制层。 [0200] 该复制层能够考虑金属微粒材料以及掩模层材料的蚀刻选择比，从各种材料中准确地选择。在确定掩模材料的组合的情况下，能够选择与蚀刻溶液或者蚀刻气体相对应的金属材料。在假设采用干式蚀刻而组合各材料的情况下，例如可从基板侧起按照掩模层/复制层的顺序列举C/Si、Si/Al、Si/Ni、Si/Cu、Si/Mo、Si/MoSi2、Si/Ta、Si/Cr、Si/W、Si/Ti、Si/Ru、Si/Hf等，此外还能够设为将Si置换为SiO2、Si3N4、SiC等的结构。另外，能够选择Al/Ni、Al/Ti、Al/TiO2、Al/TiN、Cr/Al2O3、Cr/Ni、Cr/MoSi2、Cr/W、GaN/Ni、GaN/NiTa、GaN/NiV、Ta/Ni、Ta/Cu、Ta/Al、Ta/Cr等层叠体。另外，与在掩模加工中使用的蚀刻气体相应地，这些各种掩模材料的层叠顺序能够交替。掩模材料的组合以及层叠顺序并不限定于上述情况，能够从图案尺寸与蚀刻选择比的观点准确地选择。另外，也能够通过干式蚀刻和湿式蚀刻一起进行构图，所以能够考虑到该情况而选定各掩模材料。 [0201] 在通过湿式蚀刻来构图掩模层的情况下，抑制对于凸图案的宽度方向的侧面蚀刻。在该情况下，能够通过设定以掩模材料的组成、蚀刻溶液的浓度以及和/或蚀刻时间为代表的各种参数而实现。 [0202] 金属微粒层形成工序 [0203] 在这里，在掩模层上形成成为凸图案的金属微粒层。金属微粒层的形成以及凸图案的复制工序被分为以下的4个工序。即，(1)金属微粒涂敷工序；(2)保护基量降低工序；(3)附着性气体暴露工序；和(4)凸图案复制工序。 [0204] 如前所述，在实施方式中使用的微粒材料从C、Pt、Ni、Pd、Co、Al、Ti、Ce、Si、Fe、Au、Ag、Cu、Ta、Zr、Zn、Mo、W、Ru的群中选择。 [0205] 一般而言贵金属微粒的化学性质稳定，所以具有干式蚀刻耐性，所以适于作为能够增大蚀刻选择比的材料。另外，与氧化物微粒相比较，确定范德华(van der Waals)引力的哈梅克(Hamaker)常数较大，微粒间的相互作用较强。由此，基板面的微粒要维持单分散，所以在基板面上构成了明显的六方排列，其间距偏差变小。另一方面，粒子间的强劲的相互作用容易产生微粒彼此的凝集，并且伴随着窄间距化、粒子间距离变窄，所以加工余量下降。进而，伴随着在干式蚀刻过程中产生的贵金属微粒周围的保护基的消失，贵金属微粒容易凝集，所以凸图案的复制精度恶化。因此，窄间隔加工精度相对于高蚀刻选择比化与低间距分散化，处于两难的关系，希望有解决该困境的技术。 [0206] 前述那样的凝集能够通过对金属微粒表面进行改性来改善。但是，在金属微粒的合成阶段在通过其它材料对微粒表面进行改性的情况下，微粒粒径扩大与覆盖表面的壳相当的量，而且2个以上的微粒相互熔合、即形成了二次粒子，这成为使分散液中的单分散状态恶化的要因。因此，不会使粒径扩大而且简便地对金属微粒的表面进行改性，所以能够缩短制造节拍时间以降低制造成本。 [0207] 金属微粒能够通过各种方法来合成，例如一般为液相还原法和/或逆胶束法。 [0208] 成为金属微粒的分散媒的溶剂可从各种溶剂群中选择。具体地说，选择溶剂中的微粒不会凝集那样的溶剂。具体地说，能够选择甲苯、二甲苯、(正)己烷、庚烷、辛烷、乙二醇单乙醚、乙二醇甲醚、乙二醇甲醚醋酸酯、丙二醇甲醚醋酸酯、乙二醇三甲基醚(エチレングリコールトリメチルエーテル)、乳酸乙酯、丙酮酸乙酯、环己酮、二甲基甲酰胺、二甲基乙酰胺、四氢呋喃、苯甲醚以及二乙二醇三乙酯醚(ジエチレングリコールトリエチルエーテル)、乙醇、水等。 [0209] 分散液中的金属微粒的浓度，为了左右后述的涂膜的均匀性，可取最合适范围，但实际情况下需要通过涂膜方法进行各种调整。优选的溶液浓度为重量百分比浓度小于等于5％。这是因为如果比5％大则基板上的涂膜厚度的面内依存性显著恶化。 [0211] 高分子保护基的浓度能够相对于金属微粒以及分散媒浓度适当调整。具体地说，优选，按重量百分比预先设为0.01～2％的范围。这是因为，如果比0.01％低则分散液的湿润性下降，会产生膜内的缺陷区域(0层区域)，另外如果比2％高则在基板内根据位置而产生金属微粒的楼层构造。另外，当变为比2％高的浓度时，具有金属微粒的簇容易形成、基板上的粉尘增大的倾向，而且伴随着高分子膜厚的增加，微粒图案的间距偏差恶化。 [0212] 将如上所述那样调制出的金属微粒分散液向被加工层上涂敷。分散液能够通过各种方法涂敷于基板面。具体地说，可列举旋转涂敷法、喷涂法、旋转铸造法、浸渍涂敷法、喷墨法、LB(Langmuir-Blodgett)法、LS(Langmuir-Schaefer)法等方法。在各涂敷方法中，通过改变以分散液浓度、旋转转速、提高速度为代表的各种参数，都能够向基板上形成微粒的单层涂膜。另外，由于凝集而产生的二次粒子的粒子径比较大，有损图案的均匀性，所以优选通过薄膜过滤器等预先适当过滤。 [0213] 接下来，为了使金属微粒表面的保护基的量降低，进行第1蚀刻。如前所述，在第1蚀刻中用于使在合成时赋予了的微粒保护基暂时开裂？分解。 [0214] 作为蚀刻方法，能够应用湿式蚀刻以及干式蚀刻，但为了使基板面内的偏差降低，优选，成为大致均匀的蚀刻的干式蚀刻。 [0215] 蚀刻气体能够从各种气体中选择。例如能够应用He、Ne、Ar、Kr等惰性气体和/或、H2、O2、F2、N2等反应性气体等，但在使用惰性气体的情况下，对于金属微粒以及保护基的物理蚀刻作用较强，加工余量显著变窄。因此，优选，应用将保护基化学分解的反应性气体，特别优选应用高分子的分解作用强的O2。 [0216] 在第1蚀刻中应用干式蚀刻的情况下，通过调整天线功率、偏压功率、气体压力、极限真空度等参数，因此优选能够实施干式蚀刻。此时，针对覆盖金属微粒周围的保护基的总覆盖固形成分量，优选预先设为小于等于70％。这是因为：在保护基大于70％的情况下，基于后述的气体暴露所进行的保护基的置换不够充分，且没有较大地表现出凝集抑制效果。另外，优选，变更条件使得蚀刻后的保护基量不会小于等于30％。这是因为：若变为小于等于30％，则由保护基所产生的对微粒间相互作用的抑制效果下降，金属微粒会相互凝集，掩模图案的偏差显著劣化。因此，在第1蚀刻中，在将金属微粒的保护基量设为wp的情况下，若设为30％＜wp≦70％的范围，则与后述工序的配合性较好。 [0217] 接着，通过附着性气体的暴露向金属微粒表面赋予保护基。在由前述那样的干式蚀刻所进行的保护基量降低和由气体暴露所进行的保护基赋予，在一连串的工序中可换言为保护基的置换。该气体暴露通过使气体成分相对于通过第1蚀刻而露出的金属微粒以及保护基的末端进行附着而重新形成保护基。以往，能够形成密度比在合成时所形成的保护基密度高的保护基，所以能够抑制凸图案复制工序中的微粒的凝集。 [0218] 附着性气体能够从多种气体中选择，但包含碳以及氟的气体，其附着性强，特别优选。具体地说，可列举CF4、CHF3、CH3F、CH2F2、C4F6、C4F8等，但可选的并不限定于此。在通过附着性气体置换金属微粒表面的保护基时，只要向真空腔装填试料、进而导入气体即可。在该情况下，通过管理气体流量、气体导入时间、极限真空度、试料温度、气体种类、气体混合比等项目，能够变更向金属微粒表面附着的保护基的量和密度，伴随着保护基的高密度化，能够使凸图案复制时凝集所造成的影响轻微。作为气体暴露条件，优选，气体流量大于等于20sccm、基板温度大于等于40℃。这是因为：如果气体流量小于20sccm，则向微粒周围的气体吸附量减少，不会达到保护基的置换。因为同样的原因，如果基板温度比40℃低，则附着性气体相对于微粒的反应性下降，不能充分地置换保护基。 [0219] 接着，在第2蚀刻工序中将凸图案向下层即被加工层复制。在第2蚀刻中，变更与干式蚀刻有关的各种参数，复制金属微粒掩模的图案。此时，如前所述金属微粒掩模通过第1蚀刻和附着性气体暴露而置换了保护基，并且保护基的密度增大，所以更难产生凝集。第 2蚀刻工序的详细情况与后述的掩模层构图工序大致同样。 [0220] 掩模层构图工序 [0221] 接下来使用金属微粒向掩模层复制凸图案。如前所述，在贵金属微粒表面由高分子修饰的情况下，能够视为微粒的岛状图案与高分子的海状图案混合存在的系统。在该情况下，通过除去海状图案，变得能够复制微粒的凸图案。 [0222] 在掩模层的加工中，通过掩模层材料与蚀刻气体的组合，可实现多样的层结构与加工方法。 [0223] 为了使凸图案的厚度方向的蚀刻相对于宽度方向上的蚀刻有意义，在进行微细加工的情况下优选应用干式蚀刻。在干式蚀刻中使用的等离子能够通过电容耦合、感应耦合、电子回旋共振、多频率重叠耦合等各种方法来产生。另外，为了调整凸图案的图案尺寸，能够设定工艺气体压力、气体流量、等离子投入功率、偏压功率、基板温度、腔内气氛以及极限真空度等参数。 [0224] 在为了增大蚀刻选择比而层叠了掩模材料的情况下，能够准确地选择蚀刻气体。在蚀刻气体中可列举CF4、C2F6、C3F6、C3F8、C5F8、C4F8、ClF3、CCl3F5、C2ClF5、CCBrF3、CHF3、NF3、CH2F2等氟系气体和/或、Cl2、BCl3、CCl4、SiCl4等氯系气体。另外，能够应用H2、N2、O2、Br2、HBr、NH3、CO、C2H4、He、Ne、Ar、Kr、Xe等各种气体。另外，为了调整蚀刻速度和/或蚀刻选择比，也能够使用将2种以上的这些气体混合而成的混合气体。另外，也能够通过湿式蚀刻进行构图，该情况下选定能够确保蚀刻选择比且可抑制向宽度方向的蚀刻的蚀刻溶液即可。 同样地，也可以进行离子研磨那样的物理蚀刻。 [0225] 微细图案也能够通过纳米刻印形成。纳米刻印是将在表面形成有微细凸图案的纳米刻印压模(以后称呼为压模)向复制用抗蚀剂层按下而进行图案复制的技术，与分步重复方式(step and repeat)的紫外线曝光和/或电子线曝光等技术相比较，能够对大面积试料一次复制抗蚀剂图案。因此，制造生产量增加，所以能够实现制造时间缩短·成本削减。 [0226] 压模能够从具备通过光刻法等形成的微细凸图案的基板、所谓的母盘(模制件、master)获取，在多数的情况下，通过与母盘的微细图案相对的电铸而制作。在母盘用的基板中使用，以Si为首除了SiO2、SiC、SiOC、Si3N4、C等还掺杂了B、Ga、In、Ｐ等杂质的半导体基板。另外，没有任何与基板的3维形状有关的限定，能够使用圆形、矩形、甜甜圈形的形状。另外也能够使用含有具有导电性的材料的基板。 [0227] 接下来，对母盘的凸图案进行电铸制作压模。在电镀金属中可列举多种材料，在这里作为一例，说明含有Ni的压模的制作方法。首先，为了向母盘的凸图案赋予导电性，而在凸图案的表面形成Ni薄膜。在电铸时，若产生导电不良则会阻碍电镀成长，导致图案缺损，所以Ni薄膜优选在凸图案的表面以及侧面均匀地成膜。另外，该膜为了赋予导电性而设置，材料并不限定于Ni。 [0228] 接下来，将母盘浸渍于磺胺酸Ni浴液并通电，进行电铸。电镀后的膜厚、即压模的厚度除了电镀浴的氢离子浓度、温度、粘度外，还能够通过变更通电电流值、电镀时间等而调整。该电铸能够通过电解电镀、或者无电解电镀进行。通过将这样得到的压模从基板上分离，从而得到Ni压模。 [0229] 另外，使用所得到的压模，将凸图案向抗蚀剂层复制。此时，能够用压模代替母盘，制作复制压模。在该情况下，可列举从Ni压模得到Ni压模的方法和/或从Ni压模得到树脂压模的方法等。在这里，对树脂压模的制作方法进行说明。 [0230] 树脂压模通过注塑成型制作。首先，在注塑成型装置上装填Ni压模，使树脂溶液材料向压模的凸图案流入，进行注塑成型。作为树脂溶液材料，只要应用环烯烃聚合物和/或聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯等即可，更优选选择与刻印抗蚀剂的剥离性优异的材料。在进行了注塑成型后，通过从Ni压模上剥离试料，得到具有凸图案的树脂压模。 [0231] 使用该树脂压模，向抗蚀剂层复制凸图案。 [0232] 在抗蚀剂中能够使用以热硬化树脂和/或光硬化树脂为代表的抗蚀剂材料，例如能够应用丙烯酸异冰片基酯、甲基丙烯酸烯丙酯以及二丙二醇二丙烯酸酯等。 [0233] 将这些抗蚀剂材料涂敷于具有上述那样的磁记录层以及掩模层的试料上，形成抗蚀剂层。接下来，对抗蚀剂层刻印具有凸图案的树脂压模。在刻印时，当树脂压模被按入抗蚀剂时，抗蚀剂流动，形成凸图案。在这里，通过对抗蚀剂层赋予紫外线等的能量，使形成有凸图案的抗蚀剂层硬化，接下来只要将树脂压模脱模就得到抗蚀剂层的凸图案。为了容易地进行树脂压模的脱模，可预先在树脂压模表面通过硅烷偶联剂等进行脱模处理。 [0234] 在树脂压模脱模后在抗蚀剂层的凹部内残存有抗蚀剂材料成为残渣，所以通过利用蚀刻将其除去而使掩模层的表面露出。基于聚合物的抗蚀剂材料，一般而言针对O2腐蚀剂的蚀刻耐性低，所以能够通过进行O2蚀刻而容易地除去残渣。在包含无机材料的情况下，也可以适当变更腐蚀剂而使抗蚀剂图案剩余。如上所述，能够通过纳米刻印向抗蚀剂层设置凸图案。如上所述，能够保持不产生凝集的状态、将金属微粒的凸图案向掩模层复制。 [0235] 被加工层构图工序 [0236] 接下来，将已向掩模层复制了的凸图案向下部被加工层复制。该被加工层相当于磁记录介质的制造方法中的磁记录层。 [0237] 在向被加工层形成凸图案时，与向前述的掩模层形成凸图案时同样地能够选择各种加工方法，但是为了减小相对于宽度方向的尺寸转换差并进行向厚度方向的加工，优选应用干式蚀刻。另外，通过在被加工层形成工序前预先从掩模层上除去金属微粒，不会由于蚀刻而产生微粒的凝集。由此，能够改善凸图案复制精度。 [0238] 另外，在将难以由于反应性干式蚀刻而生成副生成物的贵金属材料使用于被加工层的情况下，应用离子研磨等方法即可。具体地说，能够使用He、Ne、Ar、Xe、Kr等惰性气体，也能够通过添加了O2、N2等气体的反应性离子研磨进行构图。 [0239] 在进行被加工层的构图时，被加工层的蚀刻率ERmat相对于掩模层的蚀刻率ERmask的关系优选满足ERmask≦ERmat。即，为了得到所希望的被加工层以及磁记录层厚，可减少伴随着蚀刻的掩模层的后退。 [0240] 在通过离子研磨向被加工层复制凸图案的情况下，抑制伴随着加工而向掩模侧壁飞散的副生成物所谓再沉淀(Redeposition)成分是很重要的。该再沉淀成分附着于凸图案掩模的周围，所以凸图案的尺寸扩大会埋没槽部分，所以为了得到分割开的凸图案，可尽可能减少再沉淀成分。 [0241] 在对于被加工层的离子研磨中，能够通过改变离子的入射角度而减少向侧壁分散的再沉淀成分。在该情况下，最合适的入射角度根据掩模高度而不同，但能够在20°～70°的范围内抑制再沉淀。另外，离子的入射角度在研磨中能够适当变更。例如，可列举在以离子入射角度0°对被加工层进行了研磨加工后、变更离子入射角度而有选择地除去凸图案的再沉淀部分的方法等。 [0242] 保护层形成工序 [0243] 在将被加工层设为磁记录层的磁记录介质的制造方法中，最后通过在具有凸图案的磁记录层上形成碳系保护层与未图示的氟系润滑膜，能够得到设有凸图案的磁记录介质。 [0244] 含有较多sp3键合碳的DLC膜适用于碳保护层。另外，为了维持覆盖性，其膜厚优选设为大于等于2nm，为了维持信号S/N优选设为小于等于10nm。另外，作为润滑剂能够使用正全氟聚醚、氟化乙醇、氟化羧酸等。 [0245] 在图9中示出了表示记录位图案相对于磁记录介质的周向的一例的图。 [0246] 如图所示，磁记录层的凸图案，大体分为记录与数字信号的1与0相当的数据的记录位区域121和包含成为磁头的定位信号的前导码(preamble)地址图案122和脉冲(burst)图案123的所谓的伺服区域124，能够将其形成为面内图案。另外，图示的伺服区域的图案也可以不是矩形状，例如也可以通过点形状来置换所有伺服图案。 [0247] 进而，如图10所示，除了伺服区域外数据区域也能够全由点图案120构成。1位的信息可通过1个磁性点或者多个磁性点构成。 [0248] 另外，如图11所示，也能够正方配置各点图案。 [0249] 图12通过部分拆卸的立体图表示能够应用实施方式涉及的磁记录介质的磁记录再生装置的一例。 [0250] 该图中，作为盘装置300，将实施方式涉及的硬盘驱动的顶盖拆下而表示内部构造。如图所示，HDD包括壳体210。该壳体210包括：上面开口的矩形箱状的基座211；和未图示的矩形板状的顶盖。顶盖通过多个螺钉而螺纹固定于基座并将基座的上端开口封闭。由此，壳体210内部被保持为气密，仅能够通过呼吸过滤器226与外部通气。 [0251] 在基座211上设有作为记录介质的磁盘212以及驱动部。驱动部包括：主轴电机213，其支撑磁盘212并使其旋转；多个例如2个磁头233，它们相对于磁盘进行信息的记录、再生；磁头致动器214，其将这些磁头233支撑得相对于磁盘212的表面移动自如；和音圈电机(以下称为VCM)216，其转动以及定位磁头致动器。另外，在基座211上设有：线性载荷(ramped load)机构218，其在磁头233移动到磁盘212的最外周时，将磁头233保持于从磁盘212分离的位置；惯性插销220，其在冲击等作用于HDD时，将磁头致动器214保持于退避位置；以及基板单元217，其安装有前置放大器、磁头IC等电子部件。 [0252] 在基座211的外面螺纹固定有控制电路基板225，该控制电路基板225位于与基座211的底壁相对的位置。控制电路基板225经由基板单元217控制主轴电机213、VCM216以及磁头233的工作。 [0253] 在图12中，磁盘212作为具有通过前述的加工方法所形成的凸图案的垂直磁记录介质而构成。另外，如前所述，磁盘212具有例如形成为直径约2.5英寸的圆板状且含有非磁性体的基板219。在基板219的各表面上，顺序层叠有：作为基底层的软磁层223；和在其上层部且在相对于盘面垂直的方向上具有磁各向异性的垂直磁记录层222，进而还在该垂直磁记录层222上形成有保护膜224。 [0254] 另外，磁盘212互相同轴地嵌合于主轴电机213的毂(hub)并且被螺纹固定于毂上端的夹紧弹簧221夹紧，被固定于毂。通过作为驱动电机的主轴电机213使磁盘212以预定的速度在箭头B方向上旋转。 [0255] 磁头致动器214包括：轴承部215，其被固定于基座211的底壁上；和多个臂227，它们从轴承部延伸出来。这些臂227，其位置与磁盘212表面平行且相互隔开预定的间隔，并且从轴承部215向同一方向延伸。磁头致动器214包括能够弹性变形的细长板状的悬架230。悬架230由板簧构成，其基端通过点焊或者粘接被固定于臂227的顶端并从臂延伸出去。在各悬架230的延伸端经由万向弹簧241支撑有磁头233。由悬架230、万向弹簧241以及磁头233，构成了磁头万向组件。另外，磁头致动器214也可以设为包括将轴承部215的套筒与多个臂形成为一体的所谓E块的结构。 [0256] 【实施例】 [0257] 下面对该实施方式进行详细说明。 [0258] 实施例1 [0259] 实施例1到19是将金属微粒材料设为粒径8nm且间距13.5nm的Au并对蚀刻条件进行各种变更的情况下的结果。 [0260] 将金属微粒的种类、其平均粒径、第1蚀刻条件、气体暴露条件、第2蚀刻条件以及滑行(glide)评价结果表示于下述表1。 [0261] 在实施例1中，作为第1蚀刻应用使用O2气体的干式蚀刻，作为附着性气体应用CHF3，作为第2蚀刻应用使用CHF3的干式蚀刻。 [0262] 首先，制作出用于形成金属微粒掩模的微粒涂敷液。该微粒涂敷液是金属微粒材料单分散于溶剂中的溶液。使用将溶剂设为甲苯、将保护基设为吡咯烷基硫醇的Au微粒。以将Au微粒的分散液的重量百分比浓度为3.0％的方式添加甲苯溶剂，调制出涂敷液。进而，在涂敷液调制后为了促进各微粒的单分散，进行90分钟的超音波分散，就准备好了最终的涂敷液。 [0263] 接下来，制作出凸图案形成用基板。 [0264] 基板使用2.5英寸的甜甜圈状玻璃盘，在基板上形成了Si被加工层。Si被加工层的成膜通过DC溅射法进行。此时，Ar气体压力设定为0.7Pa，投入功率设定为500W，进行溅射成膜使得其厚度为5nm。 [0266] 另外，这里所说的单层意味着如前所述在同一平面内不具有楼层构造、微粒按1层排列的状态。 [0267] 图13是表示使用扫描型电子显微镜(SEM)观察涂敷于基板上的单层Au微粒层的SEM画像的照片。 [0268] 如该图所示，Au微粒维持相互分散的状态，没有观察到基板上的凝集。另外，在使用原子力显微镜(AFM)测定金属微粒层的厚度时，可知有9nm的台阶，确认了微粒大致按单层形成的情况。 [0269] 接下来，通过第1蚀刻除去Au微粒表面的保护基而使微粒层表面露出。在这里，通过将O2气体设为腐蚀剂的干式蚀刻除去了保护基。在第1蚀刻中，应用感应耦合等离子型反应性离子蚀刻，将天线功率设定为30W，将偏压功率设定为2W，将O2气体流量设定为20sccm，将气体压力设定为0.1Pa，进行15秒的蚀刻，从而使保护基量降低。在该条件下，能够将金属微粒表面的保护基除去约60％。 [0270] 接着，将试料暴露于附着性气体并置换了微粒周围的保护基。在这里，使用干式蚀刻腔，在将基板温度设定为40℃后，使用气体流量设定为40sccm的CHF3，使试料暴露30秒，从而置换了保护基。 [0271] 进而，通过第2蚀刻向被加工层复制了金属微粒的凸图案。在这里，被加工层为5nm厚的Si，能够通过CHF3气体容易地加工。通过将附着性气体与第2蚀刻气体设为同种气体，能够实现进一步扩大了加工余量的凸图案复制。这是因为：在第2蚀刻工序中继续向微粒表面吸附与附着性气体暴露工序同种的气体，与使用反应性气体等的情况相比能够扩大加工余量。在使用CHF3的第2蚀刻中，在将天线功率设为100W、将偏压功率设为30W、将气体流量设为20sccm、将气体压力设为0.1Pa并将蚀刻时间设为12秒的条件下进行蚀刻，由此复制出金属微粒图案。 [0272] 最后，使用碘/碘化钾/异丙醇混合剥离液，从Si膜上除去了Au微粒。混合剥离液按重量比1：1：12来调制碘：碘化钾：异丙醇，通过10秒的浸渍将Au溶解。进而，通过用异丙醇进行冲洗(rinse)，得到了5nm厚的Si凸图案。 [0273] 图14、图15分别示出表示第2蚀刻后与Au微粒剥离后的、微细图案的上面SEM画像的照片。 [0274] 如图所示，在蚀刻后各微粒保持分离性，凸图案未凝集。同样地，微粒剥离后凸图案也明显了，可确认已复制出了金属微粒的图案。如上所述那样，将金属微粒的微细图案复制到了被加工层上。 [0275] 进而，对将被加工层设为复制层且在下层设置有掩模层、磁记录层的情况的磁记录介质的制造方法进行说明。 [0276] 首先，在基板上形成了磁记录层。基板使用2.5英寸径的甜甜圈基板，在其上通过DC溅射法形成了磁记录层。通过将工艺气体设为Ar、将气体压力设定为0.7Pa、将气体流量设定为35sccm、将投入功率设定为500W、从基板侧开始顺序形成10nm厚NiTa基底层/4nm厚Pd基底层/20nm厚Ru基底层/3nm厚CoPt记录层，最后形成1nm厚Pd保护层，从而得到了磁记录层。 [0277] 接下来，形成了掩模层。在掩模层中选定C膜，为了改善复制精度进而在上部使用Si膜作为复制层。C膜设为15nm厚，Si膜设为5nm厚，通过DC溅射法形成了两掩模层。 [0278] 接下来，如上所述那样在Si复制层上形Au微粒掩模层，进而将凸图案复制到Si层上，得到了5nm高度的Si凸图案。在向C掩模层复制凸图案过程中，通过应用将O2气体设为腐蚀剂的干式蚀刻，将气体压力设定为0.1Pa，将气体流量设定为20sccm，将天线功率设定为40W，将偏压功率设定为40W并蚀刻29秒，从而向C膜复制了凸图案。 [0279] 接着，将凸图案向磁记录层复制。在向磁记录层复制凸图案过程中应用离子研磨。在这里应用基于Ar离子所进行的研磨法。将Ar离子加速电压设为300V，将气体流量设为 3sccm，将工艺压力设为0.1Pa，将与基板面相对的离子种类的入射角度设为90°(垂直入射)，进行55秒的研磨，向CoPt记录层复制了凸图案。在这里，Si复制层以及C掩模层在离子研磨时会消失，所以在CoPt记录层上不会残存。 [0280] 最后，通过在形成了2nm厚DLC膜后，以1.5nm厚形成正全氟聚醚系润滑膜，得到了具有凸图案的磁记录介质。 [0281] 通过滑行高度检测器测定相对于所得的磁记录介质的磁头悬浮量并进行了悬浮评价。其结果，能够通过为了进行介质的读·写评价所需要的标准即8nm悬浮量。 [0282] 实施例2 [0283] 实施例2是通过在Au微粒溶液调制时添加了高分子粘接剂、改善了微粒掩模的涂敷性而降低了图案的面内偏差的情况下的例子。关于掩模层形成工序、Au微粒涂敷液的涂敷工序、Si复制工序以及C复制工序、磁记录层复制工序，都与实施例1相同。 [0284] 在高分子粘接剂的添加中，首先在作为分散媒的甲苯中溶解了高分子粘接剂材料。进而，通过将其添加到分散液中而调整了Au微粒涂敷液浓度。作为高分子粘接剂材料使用分子量2000的聚苯乙烯，制作出重量百分比浓度1.0％的聚苯乙烯/甲苯溶液。向Au分散液中添加该溶液，进行Au微粒溶液的调制，使得Au微粒浓度变为重量百分比浓度2.8重量％，。 [0285] 以后，通过Au微粒涂敷、在Si膜上进行凸图案复制而得到了5nm高的Si凸图案。进而，经由Si、C掩模层向磁记录层复制了凸图案。通过滑行高度检测器测定相对于所得的磁记录介质的磁头悬浮量并进行了悬浮评价。其结果，能够通过为了进行介质的读·写评价所需要的标准即8nm悬浮量。 [0286] 实施例3 [0287] 实施例3是在相对于Au微粒掩模层的附着性气体暴露工序中变更了气体流量的情况下的结果。关于其它的Au微粒掩模层形成工序、凸图案复制工序和磁记录层形成工序，都与实施例1相同。 [0288] 附着性气体设为CHF3，在将气体流量调整为10sccm后将该附着性气体导入腔内，由此向金属微粒表面赋予了气体成分作为保护基。 [0289] 以后，通过向掩模层进行凸图案复制而得到5nm高的Si凸图案。进而，经由Si、C掩模层向磁记录层复制了凸图案。通过滑行高度检测器测定相对于所得的磁记录介质的磁头悬浮量并进行了悬浮评价。其结果，能够通过为了进行介质的读·写评价所需要的标准即8nm悬浮量。 [0290] 实施例4 [0291] 实施例4是与实施例3同样地在相对于Au微粒掩模层的附着性气体暴露工序中变更了气体流量的情况下的结果。关于其它的Au微粒掩模层形成工序、凸图案复制工序和磁记录层形成工序，都与实施例1相同。 [0292] 附着性气体设为CHF3，在将气体流量调整为20sccm后将该附着性气体导入腔内，由此向金属微粒表面赋予气体成分作为保护基。 [0293] 以后，通过向掩模层进行凸图案复制而得到5nm高的Si凸图案。进而，经由Si、C掩模层向磁记录层复制了凸图案。通过滑行高度检测器测定相对于所得的磁记录介质的磁头悬浮量并进行了悬浮评价。其结果，能够通过为了进行介质的读·写评价所需要的标准即8nm悬浮量。 [0294] 实施例5 [0295] 实施例5是与实施例3同样地在相对于Au微粒掩模层的附着性气体暴露工序中变更了气体流量的情况下的结果。关于其它的Au微粒掩模层形成工序、凸图案复制工序和磁记录层形成工序，都与实施例1相同。 [0296] 附着性气体设为CHF3，在将气体流量调整为30sccm后将该附着性气体导入腔内，由此向金属微粒表面赋予气体成分作为保护基。 [0297] 以后，通过向掩模层进行凸图案复制而得到5nm高的Si凸图案。进而，经由Si、C掩模层向磁记录层复制了凸图案。通过滑行高度检测器测定相对于所得的磁记录介质的磁头悬浮量并进行了悬浮评价。其结果，能够通过为了进行介质的读·写评价所需要的标准即8nm悬浮量。 [0298] 实施例6 [0299] 实施例6是与实施例3同样地在相对于Au微粒掩模层的附着性气体暴露工序中变更了气体流量的情况下的结果。关于其它的Au微粒掩模层形成工序、凸图案复制工序和磁记录层形成工序，都与实施例1相同。 [0300] 附着性气体设为CHF3，在将气体流量调整为50sccm后将该附着性气体导入腔内，由此向金属微粒表面赋予气体成分作为保护基。 [0301] 以后，通过向掩模层进行凸图案复制而得到5nm高的Si凸图案。进而，经由Si、C掩模层向磁记录层复制了凸图案。通过滑行高度检测器测定相对于所得的磁记录介质的磁头悬浮量并进行了悬浮评价。其结果，能够通过为了进行介质的读·写评价所需要的标准即8nm悬浮量。 [0302] 实施例7 [0303] 实施例7是与实施例3同样地在相对于Au微粒掩模层的附着性气体暴露工序中变更了气体流量的情况下的结果。关于其它的Au微粒掩模层形成工序、凸图案复制工序和磁记录层形成工序，都与实施例1相同。 [0304] 附着性气体设为CHF3，在将气体流量调整为60sccm后将该附着性气体导入腔内，由此向金属微粒表面赋予气体成分作为保护基。 [0305] 以后，通过向掩模层进行凸图案复制而得到5nm高的Si凸图案。进而，经由Si、C掩模层向磁记录层复制了凸图案。通过滑行高度检测器测定相对于所得的磁记录介质的磁头悬浮量并进行了悬浮评价。其结果，能够通过为了进行介质的读·写评价所需要的标准即8nm悬浮量。 [0306] 实施例8 [0307] 实施例8到实施例10是在利用第2蚀刻所进行的凸图案形成过程中改变了蚀刻气体种类的情况下的结果。关于其它的Au微粒掩模层形成工序、凸图案复制工序和磁记录层形成工序，都与实施例1相同。 [0308] 将在第2蚀刻中使用的气体种类设为CF4。另外，干式蚀刻条件中，将天线功率设为100W、将偏压功率设为5W、将气体流量设为20sccm、将气体压力设为0.1Pa，并进行12秒的蚀刻，从而形成了5nm高的Si凸图案。 [0309] 以后，经由C掩模层向磁记录层复制了凸图案。通过滑行高度检测器测定相对于所得的磁记录介质的磁头悬浮量并进行了悬浮评价。其结果，能够通过为了进行介质的读·写评价所需要的标准即8nm悬浮量。 [0310] 实施例9 [0311] 实施例9是在利用第2蚀刻所进行的凸图案形成过程中将蚀刻气体种类改变为C4F8的情况下的结果。关于其它的Au微粒掩模层形成工序、凸图案复制工序和磁记录层形成工序，都与实施例1相同。 [0312] 在将天线功率设为100W、将偏压功率设为5W、将气体流量设为20sccm、将气体压力设为0.1Pa且蚀刻时间为8秒的条件下，进行C4F8干式蚀刻，从而形成了5nm高的Si凸图案。 [0313] 以后，经由C掩模层向磁记录层复制了凸图案。通过滑行高度检测器测定相对于所得的磁记录介质的磁头悬浮量并进行了悬浮评价。其结果，能够通过为了进行介质的读·写评价所需要的标准即8nm悬浮量。 [0314] 实施例10 [0315] 实施例10是在利用第2蚀刻所进行的凸图案形成过程中将蚀刻气体种类改变为CH3F的情况下的结果。关于其它的Au微粒掩模层形成工序、凸图案复制工序和磁记录层形成工序，都与实施例1相同。 [0316] 作为CH3F干式蚀刻条件，将天线功率设为100W，将偏压功率设为5W，将气体流量设为20sccm，将气体压力设为0.1Pa，并进行8秒的蚀刻，从而形成了5nm高的Si凸图案。 [0317] 以后，经由C掩模层向磁记录层复制了凸图案。通过滑行高度检测器测定相对于所得的磁记录介质的磁头悬浮量并进行了悬浮评价。其结果，能够通过为了进行介质的读·写评价所需要的标准即8nm悬浮量。 [0318] 实施例11 [0319] 实施例11到实施例13是调换了先前的实施例8到实施例10中的附着性气体材料和第2蚀刻中的气体材料的情况下的结果。 [0320] 本例是将附着性气体材料设为CF4并将第2蚀刻中的气体材料设为CHF3的情况下的结果，与附着性气体的导入以及暴露有关的部分以外的工序都与实施例1相同。 [0321] CF4气体，其气体流量设为40sccm、气体压力设为0.1Pa，对升温到40℃的试料进行30秒暴露，从而向微粒周围赋予了保护基。 [0322] 以后，通过与实施例1同样地复制凸图案而得到了具有5nm高度的Si凸图案。进而，经由C掩模层向磁记录层复制了凸图案。通过滑行高度检测器测定相对于所得的磁记录介质的磁头悬浮量并进行了悬浮评价。其结果，能够通过为了进行介质的读·写评价所需要的标准即8nm悬浮量。 [0323] 实施例12 [0324] 实施例12是将附着性气体材料设为C4F8并将第2蚀刻中的气体材料设为CHF3的情况下的结果，与附着性气体的导入以及暴露有关的部分以外的工序都与实施例1相同。 [0325] C4F8气体，其气体流量设为40sccm、气体压力设为0.1Pa，对升温到40℃的试料进行30秒暴露，从而向微粒周围赋予了保护基。 [0326] 以后，通过与实施例1同样地复制凸图案而得到了5nm高的Si凸图案。进而，经由C掩模层向磁记录层复制了凸图案。通过滑行高度检测器测定相对于所得的磁记录介质的磁头悬浮量并进行了悬浮评价。其结果，能够通过为了进行介质的读·写评价所需要的标准即8nm悬浮量。 [0327] 实施例13 [0328] 实施例13是将附着性气体材料设为CH3F并将第2蚀刻中的气体材料设为CHF3的情况下的结果，与附着性气体的导入以及暴露有关的部分以外的工序都与实施例1相同。 [0329] CH3F气体，其气体流量设为40sccm、气体压力设为0.1Pa，对升温到40℃的试料进行30秒暴露，从而向微粒周围赋予了保护基。 [0330] 以后，通过与实施例1同样地复制凸图案而得到了5nm高的Si凸图案。进而，经由C掩模层向磁记录层复制了凸图案。通过滑行高度检测器测定相对于所得的磁记录介质的磁头悬浮量并进行了悬浮评价。其结果，能够通过为了进行介质的读·写评价所需要的标准即8nm悬浮量。 [0331] 实施例14 [0332] 实施例14至17是对第2蚀刻工序中的气体材料与蚀刻条件进行了各种变更的情况下的结果。此外，与掩模层形成工序、磁记录层形成工序、保护基除去工序、附着性气体暴露工序和凸图案复制工序有关的部分都与实施例1相同。 [0333] 将第2蚀刻气体设为Ar。在第2蚀刻中应用感应耦合等离子型反应性蚀刻，将Ar气体设为20sccm，将气体压力设为0.1Pa，将天线功率设为50W，将偏压功率设为80W，并进行20秒的蚀刻，从而得到了5nm高的Si凸图案。进而，经由C掩模层向磁记录层复制了凸图案。通过滑行高度检测器测定相对于所得的磁记录介质的磁头悬浮量并进行了悬浮评价。其结果，能够通过为了进行介质的读·写评价所需要的标准即8nm悬浮量。 [0334] 实施例15 [0335] 实施例15是将被加工层设为AlBN并将第2蚀刻气体设为Cl2的情况下的例子，此外，与掩模层形成工序、磁记录层形成工序、保护基除去工序、附着性气体暴露工序、凸图案复制工序和磁记录层形成工序有关的部分都与实施例1相同。 [0336] AlBN被加工层是通过DC溅射法在气体流量50sccm、气体压力0.7Pa、投入功率500W的条件下成膜的。另外，在使用Cl2的第2蚀刻中，将气体流量设为20sccm，将气体压力设为0.1Pa，将天线功率设为200W，将偏压功率设为40W而进行10秒的蚀刻，进而使用纯水清洗了试料表面，之后，使试料在升温到200℃的热板上干燥。通过以上作业，得到了具有 5nm高度的AlBN凸图案。 [0337] 以后，通过与实施例1同样地向磁记录层复制凸图案，得到了磁记录介质。通过滑行高度检测器测定相对于所得的磁记录介质的磁头悬浮量并进行了悬浮评价。其结果，能够通过为了进行介质的读·写评价所需要的标准即8nm悬浮量。 [0338] 实施例16 [0339] 实施例16是将第2蚀刻气体设为BCl3的情况下的例子，此外，与掩模层形成工序、磁记录层形成工序、保护基除去工序、附着性气体暴露工序、凸图案复制工序和磁记录层形成工序有关的部分都与实施例15相同 [0340] 在使用BCl3的第2蚀刻中，将气体流量设为40sccm，将气体压力设为0.1Pa，将天线功率设为100W，将偏压功率设为80W并进行6秒的蚀刻，进而使用纯水清洗了试料表面，之后，使试料在升温到200℃的热板上干燥。通过以上作业，得到了具有5nm高度的AlBN凸图案。 [0341] 以后，通过与实施例1同样地向磁记录层复制凸图案，得到磁记录介质。通过滑行高度检测器测定相对于所得的磁记录介质的磁头悬浮量并进行了悬浮评价。其结果，能够通过为了进行介质的读·写评价所需要的标准即8nm悬浮量。 [0342] 实施例17 [0343] 实施例17是将第2蚀刻气体设为SF6的情况下的例子，此外与掩模层形成工序、磁记录层形成工序、保护基除去工序、附着性气体暴露工序、凸图案复制工序和磁记录层形成工序有关的部分都与实施例15相同。 [0344] 在使用SF6的第2蚀刻中，将气体流量设为20sccm，将气体压力设为0.1Pa，将天线功率设为100W，将偏压功率设为30W并进行12秒的蚀刻，进而使用纯水清洗了试料表面，之后，使试料在升温到200℃的热板上干燥。通过以上作业，得到了具有5nm高度的AlBN凸图案。 [0345] 以后，通过与实施例1同样地向磁记录层复制凸图案，得到了磁记录介质。通过滑行高度检测器测定相对于所得的磁记录介质的磁头悬浮量并进行了悬浮评价。其结果，能够通过为了进行介质的读·写评价所需要的标准即8nm悬浮量。 [0346] 实施例18 [0347] 实施例18至19是对向作为第2蚀刻气体的CHF3中导入不同种类的气体而使用稀释气体的例子。此外，与掩模层形成工序、磁记录层形成工序、保护基除去工序、附着性气体暴露工序、凸图案复制工序和磁记录层形成工序有关的部分都与实施例1相同。 [0348] 在实施例18中，作为稀释气体选定了Ar，在第2蚀刻中按流量20sccm导入Ar。然后，在将Ar与CHF3的混合气体在腔内稳定化后，将气体压力设为0.1Pa，将天线功率设为 100W，将偏压功率设为5W，并进行17秒的蚀刻。进而使用纯水清洗了试料表面，之后，使试料在升温到200℃的热板上干燥。通过以上作业，得到了具有5nm高度的Si凸图案。 [0349] 以后，通过与实施例1地同样向磁记录层复制凸图案，得到了磁记录介质。通过滑行高度检测器测定相对于所得的磁记录介质的磁头悬浮量并进行了悬浮评价。其结果，能够通过为了进行介质的读·写评价所需要的标准即8nm悬浮量。 [0350] 实施例19 [0351] 实施例19是将第2蚀刻中的稀释气体的种类设为O2的例子，此外，与掩模层形成工序、磁记录层形成工序、保护基除去工序、附着性气体暴露工序、凸图案复制工序和磁记录层形成工序有关的部分，都与实施例18相同。 [0352] 在第2蚀刻中，O2稀释气体按流量20sccm导入。然后，在将O2稀释气体与CHF3的混合气体在腔内稳定化后，将气体压力设为0.1Pa，将天线功率设为100W，将偏压功率设为30W，进行了14秒的蚀刻。进而使用纯水清洗了试料表面，之后，使试料在升温到200℃的热板上干燥。通过以上作业，得到了具有5nm高度的Si凸图案。 [0353] 以后，通过与实施例1同样地向磁记录层复制凸图案，得到了磁记录介质。通过滑行高度检测器测定相对于所得的磁记录介质的磁头悬浮量并进行了悬浮评价。其结果，能够通过为了进行介质的读·写评价所需要的标准即8nm悬浮量。 [0354] 实施例20 [0355] 实施例20到37是对金属微粒掩模材料的种类进行了各种变更的情况下的例子。将金属微粒的种类、其平均粒径、第1蚀刻条件、气体暴露条件、第2蚀刻条件以及滑行评价结果都表示于下述表2。此外，与金属微粒调整工序、涂敷工序、掩模层形成工序、磁记录层形成工序、保护基除去工序、附着性气体暴露工序、凸图案复制工序和磁记录层形成工序有关的部分，也都与实施例1同样。 [0356] 在实施例20中，作为金属微粒材料使用平均粒径8.2nm的C，通过甲苯分散液的涂敷形成了金属微粒掩模层。 [0357] 以后，与实施例1同样地将凸图案向被加工层复制，得到了具有5nm高度的Si凸图案。进而，通过经由C掩模层复制凸图案，得到了磁记录介质。通过滑行高度检测器测定相对于所得的磁记录介质的磁头悬浮量并进行了悬浮评价，其结果，能够通过为了进行介质的读·写评价所需要的标准即8nm悬浮量。 [0358] 实施例21 [0359] 实施例21是作为金属微粒材料使用平均粒径15.3nm的Al、通过异丙醇分散液的涂敷而形成了金属微粒掩模层的例子。此外，与金属微粒调整工序、涂敷工序、掩模层形成工序、磁记录层形成工序、保护基除去工序、附着性气体暴露工序、凸图案复制工序和磁记录层形成工序有关的部分都与实施例1相同。 [0360] 以后，与实施例1同样地将凸图案向被加工层复制，得到了具有5nm高度的Si凸图案。进而，通过经由C掩模层复制凸图案，得到了磁记录介质。通过滑行高度检测器测定相对于所得的磁记录介质的磁头悬浮量并进行了悬浮评价，其结果，能够通过为了进行介质的读·写评价所需要的标准即8nm悬浮量。 [0361] 实施例22 [0362] 实施例22是作为金属微粒材料使用平均粒径19.8nm的Si并通过甲苯分散液的涂敷而形成了金属微粒掩模层的例子。此外，与金属微粒调整工序、涂敷工序、掩模层形成工序、磁记录层形成工序、保护基除去工序、附着性气体暴露工序、凸图案复制工序和磁记录层形成工序有关的部分都与实施例1相同。 [0363] 以后，与实施例1同样地将凸图案向被加工层复制，得到了具有5nm高度的Si凸图案。进而，通过经由C掩模层复制凸图案，得到了磁记录介质。通过滑行高度检测器测定相对于所得的磁记录介质的磁头悬浮量并进行了悬浮评价，其结果，能够通过为了进行介质的读·写评价所需要的标准即8nm悬浮量。 [0364] 实施例23 [0365] 实施例23是作为金属微粒材料使用平均粒径19.3nm的Ti并通过甲苯分散液的涂敷而形成了金属微粒掩模层的例子。此外，与金属微粒调整工序、涂敷工序、掩模层形成工序、磁记录层形成工序、保护基除去工序、附着性气体暴露工序、凸图案复制工序和磁记录层形成工序有关的部分都与实施例1相同。 [0366] 以后，与实施例1同样地将凸图案向被加工层复制，得到了具有5nm高度的Si凸图案。进而，通过经由C掩模层复制凸图案，得到了磁记录介质。通过滑行高度检测器测定相对于所得的磁记录介质的磁头悬浮量并进行了悬浮评价，其结果，能够通过为了进行介质的读·写评价所需要的标准即8nm悬浮量。 [0367] 实施例24 [0368] 实施例24是作为金属微粒材料使用平均粒径20nm的Fe3O4并通过甲苯分散液的涂敷而形成了金属微粒掩模层的例子。此外，与金属微粒调整工序、涂敷工序、掩模层形成工序、磁记录层形成工序、保护基除去工序、附着性气体暴露工序、凸图案复制工序和磁记录层形成工序有关的部分都与实施例1相同。 [0369] 以后，与实施例1同样地将凸图案向被加工层复制，得到了具有5nm高度的Si凸图案。进而，通过经由C掩模层复制凸图案，得到了磁记录介质。通过滑行高度检测器测定相对于所得的磁记录介质的磁头悬浮量并进行了悬浮评价，其结果，能够通过为了进行介质的读·写评价所需要的标准即8nm悬浮量。 [0370] 实施例25 [0371] 实施例25是作为金属微粒材料使用平均粒径17.5nm的Co并通过甲苯分散液的涂敷而形成了金属微粒掩模层的例子。此外，与金属微粒调整工序、涂敷工序、掩模层形成工序、磁记录层形成工序、保护基除去工序、附着性气体暴露工序、凸图案复制工序和磁记录层形成工序有关的部分都与实施例1相同。 [0372] 以后，与实施例1同样地将凸图案向被加工层复制，得到了具有5nm高度的Si凸图案。进而，通过经由C掩模层复制凸图案，得到了磁记录介质。通过滑行高度检测器测定相对于所得的磁记录介质的磁头悬浮量并进行了悬浮评价，其结果，能够通过为了进行介质的读·写评价所需要的标准即8nm悬浮量。 [0373] 实施例26 [0374] 实施例26是作为金属微粒材料使用平均粒径15.5nm的Ni并通过甲苯分散液的涂敷而形成了金属微粒掩模层的例子。此外，与金属微粒调整工序、涂敷工序、掩模层形成工序、磁记录层形成工序、保护基除去工序、附着性气体暴露工序、凸图案复制工序和磁记录层形成工序有关的部分都与实施例1相同。 [0375] 以后，与实施例1同样地将凸图案向被加工层复制，得到了具有5nm高度的Si凸图案。进而，通过经由C掩模层复制凸图案，得到了磁记录介质。通过滑行高度检测器测定相对于所得的磁记录介质的磁头悬浮量并进行了悬浮评价，其结果，能够通过为了进行介质的读·写评价所需要的标准即8nm悬浮量。 [0376] 实施例27 [0377] 实施例27是作为金属微粒材料使用平均粒径6.8nm的Cu并通过甲苯分散液的涂敷而形成了金属微粒掩模层的例子。此外，与金属微粒调整工序、涂敷工序、掩模层形成工序、磁记录层形成工序、保护基除去工序、附着性气体暴露工序、凸图案复制工序和磁记录层形成工序有关的部分都与实施例1相同。 [0378] 以后，与实施例1同样地将凸图案向被加工层复制，得到了具有5nm高度的Si凸图案。进而，通过经由C掩模层复制凸图案，得到了磁记录介质。通过滑行高度检测器测定相对于所得的磁记录介质的磁头悬浮量并进行了悬浮评价，其结果，能够通过为了进行介质的读·写评价所需要的标准即8nm悬浮量。 [0379] 实施例28 [0380] 实施例28是作为金属微粒材料使用平均粒径17.4nm的Zn并通过甲苯分散液的涂敷而形成了金属微粒掩模层的例子。此外，与金属微粒调整工序、涂敷工序、掩模层形成工序、磁记录层形成工序、保护基除去工序、附着性气体暴露工序、凸图案复制工序和磁记录层形成工序有关的部分都与实施例1相同。 [0381] 以后，与实施例1同样地将凸图案向被加工层复制，得到了具有5nm高度的Si凸图案。进而，通过经由C掩模层复制凸图案，得到了磁记录介质。通过滑行高度检测器测定相对于所得的磁记录介质的磁头悬浮量并进行了悬浮评价，其结果，能够通过为了进行介质的读·写评价所需要的标准即8nm悬浮量。 [0382] 实施例29 [0383] 实施例29是作为金属微粒材料使用平均粒径15.3nm的Zr并通过甲苯分散液的涂敷而形成了金属微粒掩模层的例子。此外，与金属微粒调整工序、涂敷工序、掩模层形成工序、磁记录层形成工序、保护基除去工序、附着性气体暴露工序、凸图案复制工序和磁记录层形成工序有关的部分都与实施例1相同。 [0384] 以后，与实施例1同样地将凸图案向被加工层复制，得到了具有5nm高度的Si凸图案。进而，通过经由C掩模层复制凸图案，得到了磁记录介质。通过滑行高度检测器测定相对于所得的磁记录介质的磁头悬浮量并进行了悬浮评价，其结果，能够通过为了进行介质的读·写评价所需要的标准即8nm悬浮量。 [0385] 实施例30 [0386] 实施例30是作为金属微粒材料使用平均粒径12.7nm的Mo并通过甲苯分散液的涂敷而形成了金属微粒掩模层的例子。此外，与金属微粒调整工序、涂敷工序、掩模层形成工序、磁记录层形成工序、保护基除去工序、附着性气体暴露工序、凸图案复制工序和磁记录层形成工序有关的部分都与实施例1相同。 [0387] 以后，与实施例1同样地将凸图案向被加工层复制，得到了具有5nm高度的Si凸图案。进而，通过经由C掩模层复制凸图案，得到了磁记录介质。通过滑行高度检测器测定相对于所得的磁记录介质的磁头悬浮量并进行了悬浮评价，其结果，能够通过为了进行介质的读·写评价所需要的标准即8nm悬浮量。 [0388] 实施例31 [0389] 实施例31是作为金属微粒材料使用平均粒径19.9nm的Ru并通过甲苯分散液的涂敷而形成了金属微粒掩模层的例子。此外，与金属微粒调整工序、涂敷工序、掩模层形成工序、磁记录层形成工序、保护基除去工序、附着性气体暴露工序、凸图案复制工序和磁记录层形成工序有关的部分都与实施例1相同。 [0390] 以后，与实施例1同样地将凸图案向被加工层复制，得到了具有5nm高度的Si凸图案。进而，通过经由C掩模层复制凸图案，得到了磁记录介质。通过滑行高度检测器测定相对于所得的磁记录介质的磁头悬浮量并进行了悬浮评价，其结果，能够通过为了进行介质的读·写评价所需要的标准即8nm悬浮量。 [0391] 实施例32 [0392] 实施例32是作为金属微粒材料使用平均粒径18.9nm的PdSi并通过甲苯分散液的涂敷而形成了金属微粒掩模层的例子。此外，与金属微粒调整工序、涂敷工序、掩模层形成工序、磁记录层形成工序、保护基除去工序、附着性气体暴露工序、凸图案复制工序和磁记录层形成工序有关的部分都与实施例1相同。 [0393] 以后，与实施例1同样地将凸图案向被加工层复制，得到了具有5nm高度的Si凸图案。进而，通过经由C掩模层复制凸图案，得到了磁记录介质。通过滑行高度检测器测定相对于所得的磁记录介质的磁头悬浮量并进行了悬浮评价，其结果，能够通过为了进行介质的读·写评价所需要的标准即8nm悬浮量。 [0394] 实施例33 [0395] 实施例33是作为金属微粒材料使用平均粒径9.7nm的Ag并通过十四烷分散液的涂敷而形成了金属微粒掩模层的例子。此外，与金属微粒调整工序、涂敷工序、掩模层形成工序、磁记录层形成工序、保护基除去工序、附着性气体暴露工序、凸图案复制工序和磁记录层形成工序有关的部分都与实施例1相同。 [0396] 以后，与实施例1同样地将凸图案向被加工层复制，得到了具有5nm高度的Si凸图案。进而，通过经由C掩模层复制凸图案，得到了磁记录介质。通过滑行高度检测器测定相对于所得的磁记录介质的磁头悬浮量并进行了悬浮评价，其结果，能够通过为了进行介质的读·写评价所需要的标准即8nm悬浮量。 [0397] 实施例34 [0398] 实施例34是作为金属微粒材料使用平均粒径15.3nm的Ta并通过甲苯分散液的涂敷而形成了金属微粒掩模层的例子。此外，与金属微粒调整工序、涂敷工序、掩模层形成工序、磁记录层形成工序、保护基除去工序、附着性气体暴露工序、凸图案复制工序和磁记录层形成工序有关的部分都与实施例1相同。 [0399] 以后，与实施例1同样地将凸图案向被加工层复制，得到了具有5nm高度的Si凸图案。进而，通过经由C掩模层复制凸图案，得到了磁记录介质。通过滑行高度检测器测定相对于所得的磁记录介质的磁头悬浮量并进行了悬浮评价，其结果，能够通过为了进行介质的读·写评价所需要的标准即8nm悬浮量。 [0400] 实施例35 [0401] 实施例35是作为金属微粒材料使用平均粒径10.8nm的W并通过甲苯分散液的涂敷而形成了金属微粒掩模层的例子。此外，与金属微粒调整工序、涂敷工序、掩模层形成工序、磁记录层形成工序、保护基除去工序、附着性气体暴露工序、凸图案复制工序和磁记录层形成工序有关的部分都与实施例1相同。 [0402] 以后，与实施例1同样地将凸图案向被加工层复制，得到了具有5nm高度的Si凸图案。进而，通过经由C掩模层复制凸图案，得到了磁记录介质。通过滑行高度检测器测定相对于所得的磁记录介质的磁头悬浮量并进行了悬浮评价，其结果，能够通过为了进行介质的读·写评价所需要的标准即8nm悬浮量。 [0403] 实施例36 [0404] 实施例36是作为金属微粒材料使用平均粒径18nm的Pt并通过甲苯分散液的涂敷而形成了金属微粒掩模层的例子。此外，与金属微粒调整工序、涂敷工序、掩模层形成工序、磁记录层形成工序、保护基除去工序、附着性气体暴露工序、凸图案复制工序和磁记录层形成工序有关的部分都与实施例1相同。 [0405] 以后，与实施例1同样地将凸图案向被加工层复制，得到了具有5nm高度的Si凸图案。进而，通过经由C掩模层复制凸图案，得到了磁记录介质。通过滑行高度检测器测定相对于所得的磁记录介质的磁头悬浮量并进行了悬浮评价，其结果，能够通过为了进行介质的读·写评价所需要的标准即8nm悬浮量。 [0406] 实施例37 [0407] 实施例37是作为金属微粒材料使用平均粒径19.9nm的Ce并通过甲苯分散液的涂敷而形成了金属微粒掩模层的例子。此外，与金属微粒调整工序、涂敷工序、掩模层形成工序、磁记录层形成工序、保护基除去工序、附着性气体暴露工序、凸图案复制工序和磁记录层形成工序有关的部分都与实施例1相同。 [0408] 以后，与实施例1同样地将凸图案向被加工层复制，得到了具有5nm高度的Si凸图案。进而，通过经由C掩模层复制凸图案，得到了磁记录介质。通过滑行高度检测器测定相对于所得的磁记录介质的磁头悬浮量并进行了悬浮评价，其结果，能够通过为了进行介质的读·写评价所需要的标准即8nm悬浮量。 [0409] 实施例38 [0410] 实施例38与实施例39是在金属微粒层的保护基量降低工序以及第2蚀刻工序中导入了湿式蚀刻的例子。将金属微粒的种类、其平均粒径、第1蚀刻条件、气体暴露条件、第2蚀刻条件以及滑行评价结果表示于下述表3。 [0411] 实施例38除了在作为金属微粒层的保护基除去工序的第1蚀刻中使用丙二醇甲醚醋酸酯(下面称为PGMEA)以外，与实施例1相同。 [0412] 在第1蚀刻中，在PGMEA溶剂中将试料浸渍10秒再将试料提高，之后，通过直接吹送N2使表面干燥。由此，降低了金属微粒周围的保护基量。 [0413] 以后，与实施例1同样地将凸图案向被加工层复制，得到了具有5nm高度的Si凸图案。进而，通过经由C掩模层复制凸图案，得到了磁记录介质。通过滑行高度检测器测定相对于所得的磁记录介质的磁头悬浮量并进行了悬浮评价，其结果，能够通过为了进行介质的读·写评价所需要的标准即8nm悬浮量。 [0414] 实施例39 [0415] 实施例39在作为凸图案复制工序的第2蚀刻中、代替CHF3干式蚀刻而使用氢氧化钠水溶液并且在被加工层中使用AlBN的例子。此外，与金属微粒调整工序、涂敷工序、掩模层形成工序、磁记录层形成工序、保护基除去工序、附着性气体暴露工序、凸图案复制工序和磁记录层形成工序有关的部分，都与实施例15相同。 [0416] 在第2蚀刻中，使用稀释到重量百分比浓度为0.05％的氢氧化钠溶液，在溶液中将试料浸渍13秒，之后，进行由纯水进行冲洗。接下来，通过直接吹送N2使表面干燥。 [0417] 以后，与实施例15同样地将凸图案向被加工层复制，得到了具有5nm高度的AlBN凸图案。进而，通过经由C掩模层复制凸图案，得到了磁记录介质。通过滑行高度检测器测定相对于所得的磁记录介质的磁头悬浮量并进行了悬浮评价，其结果，能够通过为了进行介质的读·写评价所需要的标准即8nm悬浮量。 [0418] 实施例40 [0419] 实施例40到43是变更第1蚀刻条件而改变了金属微粒周围的保护基的减少量的情况下的结果。将金属微粒的种类、其平均粒径、第1蚀刻条件、气体暴露条件、第2蚀刻条件以及滑行评价结果表示于下述表3。 [0420] 实施例40是使金属微粒的保护基量从初始状态减少了70％的情况下的结果，此外与金属微粒调整工序、涂敷工序、掩模层形成工序、磁记录层形成工序、保护基除去工序、附着性气体暴露工序、凸图案复制工序和磁记录层形成工序有关的部分都与实施例1相同。 [0421] 在第1蚀刻中使用O2腐蚀剂进行干式蚀刻，并将天线功率设为30W，将偏压功率设为2W，将O2气体流量设为20sccm，将气体压力设为0.1Pa并进行17秒的蚀刻，由此能够除去与初始状态的70％相当的保护基。 [0422] 以后，与实施例1同样地将凸图案向被加工层复制，得到了具有5nm高度的Si凸图案。进而，通过经由C掩模层复制凸图案，得到了磁记录介质。通过滑行高度检测器测定相对于所得的磁记录介质的磁头悬浮量并进行了悬浮评价，其结果，能够通过为了进行介质的读·写评价所需要的标准即8nm悬浮量。 [0423] 实施例41 [0424] 实施例41是变更第1蚀刻条件而使金属微粒的保护基量从初始状态降低了50％的情况下的结果，此外与金属微粒调整工序、涂敷工序、掩模层形成工序、磁记录层形成工序、保护基除去工序、附着性气体暴露工序、凸图案复制工序和磁记录层形成工序有关的部分都与实施例1相同。 [0425] 在第1蚀刻中使用O2腐蚀剂进行干式蚀刻，并将天线功率设为30W，将偏压功率设为0W，将O2气体流量设为20sccm，将气体压力设为0.1Pa并进行13秒的蚀刻，由此能够除去与初始状态的50％相当的保护基。 [0426] 以后，与实施例1同样地将凸图案向被加工层复制，得到了具有5nm高度的Si凸图案。进而，通过经由C掩模层复制凸图案，得到了磁记录介质。通过滑行高度检测器测定相对于所得的磁记录介质的磁头悬浮量并进行了悬浮评价，其结果，能够通过为了进行介质的读·写评价所需要的标准即8nm悬浮量。 [0427] 实施例42 [0428] 实施例42是变更第1蚀刻条件而使金属微粒的保护基量从初始状态降低了40％的情况下的结果，此外，与金属微粒调整工序、涂敷工序、掩模层形成工序、磁记录层形成工序、保护基除去工序、附着性气体暴露工序、凸图案复制工序和磁记录层形成工序有关的部分都与实施例1相同。 [0429] 在第1蚀刻中使用O2腐蚀剂进行干式蚀刻，并将天线功率设为30W，将偏压功率设为0W，将O2气体流量设为20sccm，将气体压力设为0.1Pa并进行11秒的蚀刻，由此能够除去与初始状态的40％相当的保护基。 [0430] 以后，与实施例1同样地将凸图案向被加工层复制，得到了具有5nm高度的Si凸图案。进而，通过经由C掩模层复制凸图案，得到了磁记录介质。通过滑行高度检测器测定相对于所得的磁记录介质的磁头悬浮量并进行了悬浮评价，其结果，能够通过为了进行介质的读·写评价所需要的标准即8nm悬浮量。 [0431] 实施例43 [0432] 实施例43是变更第1蚀刻条件而使金属微粒的保护基量从初始状态降低了30％的情况下的结果，此外与金属微粒调整工序、涂敷工序、掩模层形成工序、磁记录层形成工序、保护基除去工序、附着性气体暴露工序、凸图案复制工序和磁记录层形成工序有关的部分都与实施例1相同。 [0433] 在第1蚀刻中使用O2腐蚀剂进行干式蚀刻，并将天线功率设为25W，将偏压功率设为0W，将O2气体流量设为20sccm，将气体压力设为0.1Pa并进行9秒的蚀刻，由此能够除去与初始状态的40％相当的保护基。 [0434] 以后，与实施例1同样地将凸图案向被加工层复制，得到了具有5nm高度的Si凸图案。进而，通过经由C掩模层复制凸图案，得到了磁记录介质。通过滑行高度检测器测定相对于所得的磁记录介质的磁头悬浮量并进行了悬浮评价，其结果，能够通过为了进行介质的读·写评价所需要的标准即8nm悬浮量。 [0435] 实施例44 [0436] 实施例44到实施例47是对凸图案的形成方法与复制方法进行了各种变更的情况下的例子。将金属微粒的种类、其平均粒径、第1蚀刻条件、气体暴露条件、第2蚀刻条件以及滑行评价结果表示于下述表3。 [0437] 本例是在磁记录层的形成工序中、在磁记录层与掩模层之间设置剥离层而进行构图的方法。关于剥离层的形成工序、从掩模层向剥离层的凸图案复制工序和从磁记录层除去剥离层的剥离层除去工序以外的部分，与实施例1相同。 [0438] 磁记录层形成后，通过DC溅射法在将气体流量设为20sccm、将气体压力设为0.1Pa并将投入功率设为500W的条件下按2nm厚度形成了AlBN剥离层。另外，向AlBN剥离层的凸图案复制与向磁记录层的图案复制同样都是通过Ar离子研磨而进行的。另外，Ar离子研磨时间设为75秒。 [0439] 接着，向磁记录层复制凸图案后，通过湿式处理溶解除去剥离层，将掩模层从磁记录层脱离开。在湿式蚀刻中，使用稀释到重量百分比浓度为0.01％的氢氧化钠水溶液，在150秒的浸渍后，使用纯水进行清洗。最后，通过直接吹送N2使试料表面干燥。 [0440] 以后，与实施例1同样地向磁记录层上形成保护膜，得到了磁记录介质。通过滑行高度检测器测定相对于所得的磁记录介质的磁头悬浮量并进行了悬浮评价，其结果，能够通过为了进行介质的读·写评价所需要的标准即8nm悬浮量。 [0441] 实施例45 [0442] 实施例45是通过纳米刻印形成金属微粒层的凸图案的情况下的例子。在这里，对利用设置于被加工层上的金属微粒掩模层来制作纳米刻印压模(下面称为压模)、进而在磁记录介质的制造工序中通过向设置于掩模层上的纳米刻印抗蚀剂层(下面称为抗蚀剂层)的纳米刻印来复制凸图案的工序进行说明。此外与金属微粒调整工序、涂敷工序、掩模层形成工序、磁记录层形成工序、保护基除去工序、附着性气体暴露工序、凸图案复制工序和磁记录层形成工序有关的部分都与实施例1相同。 [0443] 首先，制作出压模制作用的母盘。基板使用通用的6英寸Si晶片，通过DC溅射法在气体流量为50sccm、气体压力为0.1Pa且RF功率为150W的条件下形成了10nm厚的SiO2膜。然后，通过在实施例1中表示的方法，将金属微粒凸图案复制到SiO2膜上。 [0444] 接着，使用SiO2凸图案制作出压模。首先，为了对所得的凸图案进行电铸，而在-4SiO2表面形成了导电化膜。在这里，选定Ni并通过DC溅射法在极限真空度为8.0×10 Pa、Ar气体压力为1.0Pa、投入功率为200W的条件下，均匀覆盖5nm厚的Ni导电膜。作为导电膜形成法，除溅射法外也能够使用蒸镀法或者无电解电镀法替换Ni而使用Ni-Ｐ合金和/或Ni-B合金。 [0445] 接下来，通过电铸而沿着凸图案形成Ni电铸层。在电铸液中使用昭和化学株式会社制的高浓度氨基磺酸镍电镀液(NS-169)。在氨基磺酸镍：600g/L、硼酸40g/L、十二烷基2 硫酸钠表面活性剂0.15g/L、液温55℃、pH3.8～4.0、通电电流密度20A/dm 的电铸条件下，制作出300μm厚的Ni压模。将该压模从Si晶片脱模，为了将Ni凸图案表面的颗粒除去而进行了氧灰化。在灰化中使用具备桶型腔的灰化机，将氧流量设为20sccm，将投入功率设为200W，进行30秒的灰化，从而从凹部分除去了颗粒。在本例中未说明，但也能够使用有机溶剂和/或酸等以湿式除去抗蚀剂材料。最后，将电铸出的Ni板冲压加工为2.5英寸径的圆盘状，得到纳米刻印用Ni压模。 [0446] 进而，对该Ni压模进行注塑成型处理，复制出树脂压模。在树脂材料中使用日本化成(ゼオン)工业株式会社制的环状烯烃聚合物(ZEONOR1060R)。 [0447] 使用如上所述那样得到的树脂压模，向抗蚀剂层形成凸图案。首先，以10nm厚度向介质试料上旋涂紫外线硬化抗蚀剂，将其设为抗蚀剂层。接下来，在抗蚀剂层上刻印上述树脂压模，通过照射紫外线(在通过树脂压模按下了紫外线硬化树脂层的状态下照射紫外线)，使抗蚀剂层硬化。通过将树脂压模从硬化了的抗蚀剂层脱模而得到了所希望的8nm点图案。 [0448] 在试料的凸图案的槽部有伴随着刻印而出现的抗蚀剂残渣，所以通过蚀刻将其除去。利用O2腐蚀剂通过等离子蚀刻而进行抗蚀剂的残渣除去。将O2气体流量设为5sccm，将压力设为0.1Pa，将投入功率设为100W，将偏压功率设为10W并进行8秒的蚀刻，从而除去抗蚀剂残渣。如上所述，在Si复制层上复制出金属微粒图案，得到了8nm厚的抗蚀剂图案。 [0449] 以后，与实施例1同样地将凸图案向被加工层复制，得到了具有5nm高度的Si凸图案。进而，通过经由C掩模层复制凸图案，得到了磁记录介质。通过滑行高度检测器测定相对于所得的磁记录介质的磁头悬浮量并进行了悬浮评价，其结果，能够通过为了进行介质的读·写评价所需要的标准即8nm悬浮量。 [0450] 实施例46 [0451] 实施例46是在制作出微细凸图案模板(template)后、使磁记录层在凸图案上有选择地成长的例子。实施例46相当于在实施例2中调换了工序顺序的情况，经历被加工层形成工序、金属微粒调整工序、涂敷工序、保护基除去工序、附着性气体暴露工序、凸图案复制工序、金属微粒除去工序和磁记录层形成工序的顺序，所以基本的工序内容与实施例2相同。 [0452] 以后，在根据实施例2的内容将凸图案向Si被加工层复制5nm后，形成磁记录层，从而制作出具有凸图案的磁记录介质。通过滑行高度检测器测定相对于所得的磁记录介质的磁头悬浮量并进行了悬浮评价，其结果，能够通过为了进行介质的读·写评价所需要的标准即8nm悬浮量。 [0453] 实施例47 [0454] 实施例47是通过纳米刻印制作出微细凸图案模板、进而使用该模板制作出磁记录介质的例子。与刻印压模制作工序以及刻印工序有关的内容与实施例45相同，与相对于微细凸图案模板的磁记录层形成工序有关的内容与实施例46相同。 [0455] 以后，根据实施例的内容制作出具有凸图案的磁记录介质。通过滑行高度检测器测定相对于所得的磁记录介质的磁头悬浮量并进行了悬浮评价，其结果，能够通过为了进行介质的读·写评价所需要的标准即8nm悬浮量。 [0456] 比较例1 [0457] 比较例1是在实施例1中省略了第1蚀刻以及附着性气体暴露工序后的例子。在第2蚀刻中，在将CHF3气体设为腐蚀剂、将天线功率设为100W、将偏压功率设为30W、将气体流量设为20sccm、将气体压力设为0.1Pa并将蚀刻时间设为12秒的条件下，进行了蚀刻。在凸图案制作后，在通过SEM观察图案时，如图16所示可以看到图案凝集，可确认间距偏差恶化。 [0458] 以后，通过根据实施例1的内容，经由C掩模层将凸图案向磁记录层复制，从而制作出了磁记录介质。通过滑行高度检测器测定相对于所得的磁记录介质的磁头悬浮量并进行了悬浮评价，其结果，测定到很多由介质表面的凝集图案产生的碰撞(hit)，不能通过为了进行介质的读·写评价所需要的标准即8nm悬浮量。 [0459] 比较例2 [0460] 比较例2是在实施例1中省略了第1蚀刻以及附着性气体暴露工序且还将第2蚀刻气体变更为O2的情况下的结果，此外，与金属微粒调整工序、涂敷工序、掩模层形成工序、磁记录层形成工序、保护基除去工序、附着性气体暴露工序、凸图案复制工序和磁记录层形成工序有关的部分都与实施例1相同。另外，作为容易利用O2腐蚀剂进行复制的掩模，掩模层材料设为15nm厚的C。 [0461] 在第2蚀刻中，在将天线功率设为50W、将偏压功率设为5W、将气体流量设为20sccm、将气体压力设为0.1Pa并将蚀刻时间设为5秒的条件下，进行蚀刻。其结果，可知即使是在低功率·短时间的蚀刻条件下，微粒图案也凝集，可确认间距偏差恶化。 [0462] 以后，通过根据实施例1的内容，经由C掩模层将凸图案向磁记录层复制，从而制作出磁记录介质。通过滑行高度检测器测定相对于所得的磁记录介质的磁头悬浮量并进行了悬浮评价，其结果，测定到很多由介质表面的凝集图案产生的碰撞，不能通过为了进行介质的读·写评价所需要的标准即8nm悬浮量。 [0463] 比较例3 [0464] 比较例3是在实施例1中省略了附着性气体暴露工序的情况下的例子，此外与金属微粒调整工序、涂敷工序、掩模层形成工序、磁记录层形成工序、保护基除去工序、凸图案复制工序和磁记录层形成工序有关的部分都与实施例1相同。 [0465] 以后，通过根据实施例1的内容，经由Si以及C掩模层将凸图案向磁记录层复制，从而制作出磁记录介质。通过滑行高度检测器测定相对于所得的磁记录介质的磁头悬浮量并进行了悬浮评价，其结果，测定到很多由介质表面的凝集图案产生的碰撞，不能通过为了进行介质的读·写评价所需要的标准即8nm悬浮量。 [0466] 比较例4 [0467] 比较例4是在实施例1中省略了第1蚀刻工序后的情况下的例子，此外与金属微粒调整工序、涂敷工序、掩模层形成工序、磁记录层形成工序、保护基除去工序、附着性气体暴露工序、凸图案复制工序和磁记录层形成工序有关的部分都与实施例1相同。 [0468] 以后，通过根据实施例1的内容，经由Si以及C掩模层将凸图案向磁记录层复制，从而制作出磁记录介质。通过滑行高度检测器测定相对于所得的磁记录介质的磁头悬浮量并进行了悬浮评价，其结果，测定到很多由介质表面的凝集图案产生的碰撞，不能通过为了进行介质的读？写评价所需要的标准即8nm悬浮量。 [0469] 比较例5 [0470] 比较例5是将在实施例1中的第2蚀刻工序中使用的腐蚀剂变更为O2的情况下的结果，此外与金属微粒调整工序、涂敷工序、掩模层形成工序、磁记录层形成工序、保护基除去工序、附着性气体暴露工序、凸图案复制工序和磁记录层形成工序有关的部分都与实施例1相同。 [0471] 在第2蚀刻中，将天线功率设为50W，将偏压功率设为5W，将气体流量设为20sccm，将气体压力设为0.1Pa，进行5秒的蚀刻。其结果，可知即使是低功率·短时间的蚀刻条件，微粒图案也会凝集，可确认间距偏差恶化。该倾向与比较例2的情况相同，明示了即使包含附着性气体暴露工序，在使用分解性气体的凸图案复制中微粒也容易凝集。 [0472] 以后，通过根据实施例1的内容，经由C掩模层将凸图案向磁记录层复制，从而制作了磁记录介质。通过滑行高度检测器测定相对于所得的磁记录介质的磁头悬浮量并进行了悬浮评价，其结果，测定到很多由介质表面的凝集图案产生的碰撞，不能通过为了进行介质的读·写评价所需要的标准即8nm悬浮量。 [0473] 比较例6 [0474] 比较例6是将在第1蚀刻、附着性气体暴露、第2蚀刻工序中使用的腐蚀剂设为CHF3的情况下的例子，此外与金属微粒调整工序、涂敷工序、掩模层形成工序、磁记录层形成工序、保护基除去工序、附着性气体暴露工序、凸图案复制工序和磁记录层形成工序有关的部分都与实施例1相同。 [0475] 在第1蚀刻中，在将天线功率设为50W，将偏压功率设为0W，将气体流量设为40sccm，将气体压力设为0.1Pa并将蚀刻时间设为15秒的条件下，通过蚀刻尝试降低保护基量。在第1蚀刻后，若通过SEM观察图案上面，则可知在保护基除去工序中附着性气体成分填充微粒间隙，微粒层的边界不清楚。 [0476] 以后，通过根据实施例1的内容，经由C掩模层将凸图案向磁记录层复制，从而制作出磁记录介质。通过滑行高度检测器测定相对于所得的磁记录介质的磁头悬浮量并进行了悬浮评价，其结果，除了凸图案复制不充分外，还测定到很多由介质表面的凝集图案产生的碰撞，不能通过为了进行介质的读·写评价所需要的标准即8nm悬浮量。 [0477] 比较例7 [0478] 比较例7至9是变更了实施例1中的附着性气体暴露工序的气体流量的情况下的例子。 [0479] 比较例将气体流量设为5sccm。此外与金属微粒调整工序、涂敷工序、掩模层形成工序、磁记录层形成工序、保护基除去工序、附着性气体暴露工序、凸图案复制工序和磁记录层形成工序有关的部分都与实施例1相同。在第2蚀刻后通过SEM观察凸图案时，可知利用附着性气体所进行的保护基的置换不充分，所以微粒图案凝集。 [0480] 以后，通过根据实施例1的内容，经由C掩模层将凸图案向磁记录层复制，从而制作出磁记录介质。通过滑行高度检测器测定相对于所得的磁记录介质的磁头悬浮量并进行了悬浮评价，其结果，测定到很多由介质表面的凝集图案产生的碰撞，不能通过为了进行介质的读·写评价所需要的标准即8nm悬浮量。 [0481] 比较例8 [0482] 比较例8除了将附着性气体暴露工序中的气体流量设为70sccm以外、与比较例7相同。 [0483] 在第2蚀刻后通过SEM观察凸图案时，可知凸图案间隙由于附着性气体的过度暴露而被埋没。 [0484] 以后，根据实施例1的内容，通过经由C掩模层将凸图案向磁记录层复制从而制作出磁记录介质。通过滑行高度检测器测定相对于所得的磁记录介质的磁头悬浮量并进行了悬浮评价，其结果，不但凸图案复制不充分，还测定到很多由介质表面的凝集图案产生的碰撞，不能通过为了进行介质的读·写评价所需要的标准即8nm悬浮量。 [0485] 比较例9 [0486] 比较例9除了将附着性气体暴露工序中的气体流量设为80sccm以外、与比较例7相同。 [0487] 在第2蚀刻后通过SEM观察凸图案时，可知凸图案间隙由于附着性气体的过度暴露而被埋没。 [0488] 以后，根据实施例1的内容，通过经由C掩模层将凸图案向磁记录层复制从而制作出磁记录介质。通过滑行高度检测器测定相对于所得的磁记录介质的磁头悬浮量并进行了悬浮评价，其结果，不但凸图案复制不充分，还测定到很多由介质表面的凝集图案产生的碰撞，不能通过为了进行介质的读？写评价所需要的标准即8nm悬浮量。 [0489] 比较例10 [0490] 比较例10是将在第1蚀刻、附着性气体暴露、第2蚀刻工序中使用的腐蚀剂设为O2的情况下的例子，此外与金属微粒调整工序、涂敷工序、掩模层形成工序、磁记录层形成工序、凸图案复制工序和磁记录层形成工序有关的部分都与实施例1相同。 [0491] 第2蚀刻在与比较例2相同的条件下进行。在通过SEM观察所得到的凸图案时，与比较例2的情况同样地看不到附着性气体的效果，可知微粒图案凝集。 [0492] 以后，根据实施例1的内容，通过经由C掩模层将凸图案向磁记录层复制从而制作出磁记录介质。通过滑行高度检测器测定相对于所得的磁记录介质的磁头悬浮量并进行了悬浮评价，其结果，测定到很多由介质表面的凝集图案产生的碰撞，不能通过为了进行介质的读·写评价所需要的标准即8nm悬浮量。 [0493] 比较例11 [0494] 比较例11到比较例15是变更了实施例1中的第1蚀刻条件、改变了要除去的保护基量的情况下的例子。比较例11是将保护基量从初始状态减少了90％的情况下的例子，此外与金属微粒调整工序、涂敷工序、掩模层形成工序、磁记录层形成工序、凸图案复制工序和磁记录层形成工序有关的部分都与实施例1相同。 [0495] 在第1蚀刻中使用O2腐蚀剂进行干式蚀刻，在将天线功率设为50W，将偏压功率设为4W，将O2气体流量设为20sccm，将气体压力设为0.1Pa，将蚀刻时间设为10秒的条件下，进行蚀刻，由此能够除去与初始状态的90％相当的保护基。在第1蚀刻后使用SEM观察凸图案时，可知微粒图案已经凝集、间距偏差恶化。 [0496] 以后，根据实施例1的内容，通过经由C掩模层将凸图案向磁记录层复制从而制作出磁记录介质。通过滑行高度检测器测定相对于所得的磁记录介质的磁头悬浮量并进行了悬浮评价，其结果，测定到很多由介质表面的凝集图案产生的碰撞，不能通过为了进行介质的读·写评价所需要的标准即8nm悬浮量。 [0497] 比较例12 [0498] 比较例12除了通过第1蚀刻将保护基量降低80％以外都与比较例11相同。 [0499] 在第1蚀刻中使用O2腐蚀剂进行干式蚀刻，将天线功率设为50W，将偏压功率设为4W，将O2气体流量设为20sccm，将气体压力设为0.1Pa，进行蚀刻时间为8秒的蚀刻，由此能够除去与初始状态的80％相当的保护基。在第2蚀刻后使用SEM观察凸图案时，可知微粒图案已经凝集、间距偏差恶化。 [0500] 以后，根据实施例1的内容，通过经由C掩模层将凸图案向磁记录层复制从而制作出磁记录介质。通过滑行高度检测器测定相对于所得的磁记录介质的磁头悬浮量并进行了悬浮评价，其结果，测定到很多由介质表面的凝集图案产生的碰撞，不能通过为了进行介质的读？写评价所需要的标准即8nm悬浮量。 [0501] 比较例13 [0502] 比较例13除了通过第1蚀刻将保护基量降低25％降低以外都与比较例11相同。 [0503] 在第1蚀刻中使用O2腐蚀剂进行干式蚀刻，在将天线功率设为25W，将偏压功率设为0W，将O2气体流量设为20sccm，将气体压力设为0.1Pa，并将蚀刻时间设为7秒的条件下，进行蚀刻，由此能够除去与初始状态的25％相当的保护基。在第2蚀刻后使用SEM观察凸图案时，可知保护基的置换不充分，所以微粒图案凝集、间距偏差恶化。 [0504] 以后，根据实施例1的内容，通过经由C掩模层将凸图案向磁记录层复制从而制作出磁记录介质。通过滑行高度检测器测定相对于所得的磁记录介质的磁头悬浮量并进行了悬浮评价，其结果，测定到很多由介质表面的凝集图案产生的碰撞，不能通过为了进行介质的读·写评价所需要的标准即8nm悬浮量。 [0505] 比较例14 [0506] 比较例14除了通过第1蚀刻将保护基量降低20％以外都与比较例11相同。 [0507] 在第1蚀刻中使用O2腐蚀剂进行干式蚀刻，在将天线功率设为20W，将偏压功率设为0W，将O2气体流量设为20sccm，将气体压力设为0.1Pa，并将蚀刻时间设为9秒的条件下，进行蚀刻，由此能够除去与初始状态的20％相当的保护基。在第2蚀刻后使用SEM观察凸图案时，可知保护基的置换不充分，所以微粒图案凝集、间距偏差恶化。 [0508] 以后，根据实施例1的内容，通过经由C掩模层将凸图案向磁记录层复制从而制作出磁记录介质。通过滑行高度检测器测定相对于所得的磁记录介质的磁头悬浮量并进行了悬浮评价，其结果，测定到很多由介质表面的凝集图案产生的碰撞，不能通过为了进行介质的读·写评价所需要的标准即8nm悬浮量。 [0509] 比较例15 [0510] 比较例15除了通过第1蚀刻将保护基量降低10％降低以外都与比较例11相同。 [0511] 在第1蚀刻中使用O2腐蚀剂进行干式蚀刻，在将天线功率设为20W，将偏压功率设为0W，将O2气体流量设为20sccm，将气体压力设为0.1Pa，并将蚀刻时间设为5秒的条件下，进行蚀刻，由此能够除去与初始状态的10％相当的保护基。在第2蚀刻后使用SEM观察凸图案时，可知保护基的置换不充分，所以微粒图案凝集、间距偏差恶化。 [0512] 以后，根据实施例1的内容，通过经由C掩模层将凸图案向磁记录层复制从而制作出磁记录介质。通过滑行高度检测器测定相对于所得的磁记录介质的磁头悬浮量并进行了悬浮评价，其结果，测定到很多由介质表面的凝集图案产生的碰撞，不能通过为了进行介质的读·写评价所需要的标准即8nm悬浮量。 [0513] 关于比较例1至15，将金属微粒的种类、其平均粒径、第1蚀刻条件、气体暴露条件、第2蚀刻条件以及滑行评价结果表示于下述表4。表1 [0514] [0515] 表2 [0516] [0517] 表3 [0518] [0519] 表4 [0520] [0521] 对本发明的几个实施方式进行了说明，但这些实施方式是作为例子而提出的，没有限定发明范围的意图。这些新的实施方式能够以其它各种方式加以实施，能够在不脱离发明主旨的范围内进行各种省略、置换、变更。这些实施方式和/或其变形包含于发明的范围和/或主旨中，并且包含于技术方案所记载的发明和与其均等的范围。 |
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