子分类：
- G03F1/0007： .{应用一个有弹性的感光底片或涉及光学失真,例如:在不平的表面印刷}
- G03F1/0015： .{通过制图,记录,例如:在感光的表面,或通过雕刻术,例如:使用触针;应用打印机;应用化学的拷贝片}
- G03F1/0046： .{相移掩模}
- G03F1/0092： .{与原版有关的辅助处理,例如:修理,清洗或检查}
- G03F1/02： .用模拟凸版制造原型的照相方法的
- G03F1/04： .用拼版方法的
- G03F1/06： .来自印刷表面的{例如:使用一个感热或感压的金属薄片,通过牵引感觉,例如:在感光片上}
- G03F1/08： .原版带有无机成像层,例如:铬掩模{G03F1/12 优先;X射线吸收器入G03F1/148}
- G03F1/10： .通过曝光和水洗颜料或彩色有机层的,通过对高分子晶格染色的
- G03F1/12： .通过对卤化银感光材料或重氮感光材料曝光的
- G03F1/14： .以细部结构为特征的原版,例如:基片层,覆盖层,薄膜环
- G03F1/16： .原版带有窗孔的,例如:微粒平板印刷术
- G03F1/20： .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
- G03F1/22： .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外[EUV]掩膜;其制备
- G03F1/26： .相移掩膜 [PSM];PSM空白;其制备
- G03F1/36： .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
- G03F1/38： .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
- G03F1/50： .未包含在G03F 1/20-G03F 1/26组中的空白掩膜;其制备
- G03F1/52： .反射镜
- G03F1/54： .吸收剂,例如不透明材料
- G03F1/60： .基板
- G03F1/62： .薄膜或薄膜集合,例如在支持框架上具有薄膜;其制备
- G03F1/66： .专门适用于掩膜,空白掩膜或薄膜的容器;其制备
- G03F1/68： .未包含在G03F1/20至G03F1/50组中的制备工艺
- G03F1/88： .通过制备具有模拟浮雕的原版的照相过程的制备
- G03F1/90： .采用蒙太奇方法制备
- G03F1/92： .从印刷表面制备
| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 81 | 一种掩模板的设计 | CN201310261540.0 | 2013-06-27 | CN103941481A | 2014-07-23 | 秦丹丹; 夏志强 |
| 本发明公开了一种封框胶固化的掩膜板，包括不透光区域、完全透光区域和部分透光区域，其中所述完全透光区域对应封框胶固化区域，所述部分透光区域设置于不透光区域与完全透光区域之间。本发明提供的用于紫外线照射封框胶固化的掩膜板设计以及一种封框胶的固化方法，通过在掩膜板设置部分透光区域，可减轻显示区域边缘的液晶分子被紫外线照射分解造成的显示不良，提高液晶显示装置的良率。 | ||||||
| 82 | 硬涂层组合物 | CN201280051039.5 | 2012-10-17 | CN103890045A | 2014-06-25 | 裘再明 |
| 一种硬涂层组合物，其包含(a)环氧硅烷化合物、(b)反应性硅氧烷添加剂和(c)光酸产生剂。所述反应性硅氧烷添加剂具有以下通式结构中的一种：(1)式(1)或X-SiR1R2-(O-SiR1R2)n-X(式2)其中：R1、R2和R3独立地为经取代或未经取代的C1-C6烷基或芳族基团；X为选自-OH、-OR、-OC(O)R、-OSiY1Y2Y3、-CHZCHrL-SiY1Y2Y3和-C(O)(R)3的可固化基团，其中：L为二价键合基团；Y1、Y2和Y3独立地选自C1-C6烷基、和选自-OH、-OC(O)R和-OR的可固化基团，前提条件是Y1、Y2和Y3中的至少一者为可固化基团；R为C1-C4烷基；并且n为至少2且m为至少1，前提条件是所述反应性硅氧烷添加剂的重均分子量(Mw)不大于4200。 | ||||||
| 83 | 光掩膜、薄膜晶体管元件及制作薄膜晶体管元件的方法 | CN201310733217.9 | 2013-12-26 | CN103728827A | 2014-04-16 | 衣志光 |
| 本发明实施例公开了一种用于定义薄膜晶体管元件的数据层及半导体层的图案的光掩膜。该光掩膜上开设有贯穿该光掩膜的多条狭缝，该多条狭缝彼此平行并等间距排列。该光掩膜上除该多条狭缝以外的区域被定义为遮光图案区，该遮光图案区将该多条狭缝包围起来。另外，本发明实施例还公开了一种薄膜晶体管元件及一种制作薄膜晶体管元件的方法。 | ||||||
| 84 | 使用自动产生屏蔽与多重屏蔽层图案化单一集成电路层 | CN200980000272.9 | 2009-09-01 | CN102160144B | 2014-03-12 | 淑杰·金·刘 |
| 一种多重屏蔽与一种多重屏蔽层技术可用以图案化集成电路层。可使用分辨率增强技术在第一屏蔽层中定义一或多个微细线路图案，接着移除部分微细线路特征，或使用屏蔽进行移除标定。此移除/标定可包括撷取所需布局(具有包括微细线路特征与粗略特征的至少一个布局特征)，且仅于沿着这些布局特征的临界维度的方向扩展布局特征。接着可使用另一屏蔽于第二屏蔽层中定义粗略特征，第二屏蔽层是形成在图案化的第一屏蔽层上。粗略特征可从所需布局使用收缩/成长操作而得，该操作仅执行于与微细线路特征的临界维度正交的方向中。可使用由图案化的第一与第二屏蔽层的复合屏蔽来图案化集成电路层。 | ||||||
| 85 | 固化框胶用遮光罩的制作方法 | CN201310483206.X | 2013-10-15 | CN103553362A | 2014-02-05 | 莫超德; 李春良 |
| 本发明提供一种固化框胶用遮光罩的制作方法，包括以下步骤：步骤1、提供一透明基板（20）；步骤2、在透明基板（20）上依次形成金属层（22）及光阻层（24）；步骤3、在光阻层（24）的边缘位置进行曝光，以形成检测标记（242）；步骤4、采用边曝光方式，按照预定路径对光阻层（24）进行曝光，所述预定路径对应液晶显示面板的框胶预设路径；步骤5、去除被曝光的光阻层（24），以露出金属层（22）；步骤6、对露出的金属层（22）进行蚀刻，并去除未曝光的光阻层（24）；步骤7、在金属层（22）与透明基板（20）上形成透明保护层（26）。本发明通过边曝光方式实现对光阻层的曝光，不需要特定的掩模板，有效减少掩模板的预备量，降低生产材料成本。 | ||||||
| 86 | 用于孔图案化的掩模图案和制造半导体器件的方法 | CN201210482777.7 | 2012-11-23 | CN103515199A | 2014-01-15 | 宣俊劦; 李圣权; 李相晤 |
| 本发明公开了一种制造半导体器件的方法，所述方法包括以下步骤：在包括第一区和第二区的衬底之上形成刻蚀目标层；在刻蚀目标层之上形成硬掩模层；在硬掩模层之上形成第一刻蚀掩模，其中，所述第一刻蚀掩模包括多个线图案和形成在所述多个线图案之上的牺牲间隔件层；在第一刻蚀掩模之上形成第二刻蚀掩模，其中，所述第二刻蚀掩模包括网型图案和覆盖第二区的阻挡图案；去除牺牲间隔件层；通过利用第二刻蚀掩模和第一刻蚀掩模刻蚀硬掩模层，来形成具有多个孔的硬掩模层图案；以及通过利用硬掩模层图案刻蚀所述刻蚀目标层，在第一区中形成多个孔图案。 | ||||||
| 87 | 掩膜板和阵列基板的制作方法 | CN201310248034.8 | 2013-06-20 | CN103324035A | 2013-09-25 | 郑华 |
| 本发明公开了一种掩膜板和阵列基板的制作方法，掩膜板用于制作阵列基板上非有效显示区内的扇出引线，其包括扇出引线图案，扇出引线图案具有多条扇出印模线，各扇出印模线具有预定线宽，多条扇出印模线中至少部分扇出印模线具有至少一个弯曲部分，并且同一扇出印模线的弯曲部分的线宽小于扇出印模线的预定线宽。该制作方法利用掩膜板制作阵列基板，实施本发明能够减小扇出引线之间的电阻差，消除显示不均匀现象。 | ||||||
| 88 | 制造集成电路元件的方法 | CN201210291013.X | 2009-08-14 | CN102915945A | 2013-02-06 | 林丰隆; 吴冠良; 梁哲荣; 蔡飞国 |
| 本发明是有关于一种制造集成电路元件的方法，其包括以下步骤：(1)为第一子集制造多层光罩，此多层光罩具有多个图案，这些图案彼此不同，以分别对应第一子集的层结构。(2)为第二子集制造第一投产光罩，此第一投产光罩具有多个图案，这些图案彼此相同。(3)使用多层光罩和第一投产光罩进行试制。(4)试制后，为第一子集制造第二投产光罩。(5)使用第一投产光罩和第二投产光罩，制造集成电路元件。本发明的量产前的试制能够减少成本与材料，且使得量产速度较先前为快的方式进行，非常适于实用。 | ||||||
| 89 | 透明电极制作方法、掩膜板以及设备 | CN201210363684.2 | 2012-09-26 | CN102866544A | 2013-01-09 | 陈政鸿; 王醉 |
| 本发明公开了一种透明电极制作方法、掩膜板以及设备。所述方法包括如下步骤：在玻璃基板上成膜并在薄膜上涂布光阻；透过掩膜板对光阻进行曝光，其中，掩膜板在对应液晶面板的显示区域部分从外至内分成至少第一区域及第二区域两个区域，第一区域中透明电极所对应的图形的间距设置为第一间距，第二区域中透明电极所对应的图形的间距设置为第二间距，并且，第一间距大于相应的预定间距，第一间距与相应的预定间距之间的差大于第二间距与相应的预定间距之间的差；对曝光后的玻璃基板进行显影、刻蚀以在玻璃基板上形成透明电极。通过上述方式，本发明能够使得成型后的整个显示区域的透明电极的间距误差减少，从而提高显示效果。 | ||||||
| 90 | 光刻用掩模及光刻用掩模数据的形成方法、背照射型固体摄像器件及其制造方法和电子装置 | CN200910132305.7 | 2009-03-25 | CN101546118B | 2012-10-03 | 马渕圭司 |
| 本发明提供了光刻用掩模及光刻用掩模数据的形成方法、背照射型固体摄像器件及其制造方法和电子装置。所述光刻用掩模的形成方法包括以下步骤：当形成用于制造如下背照射型固体摄像器件的光刻用掩模时，该背照射型固体摄像器件从与上面形成有元件区域的布线的表面侧相对的表面侧获取入射光，且所述元件区域中形成有光电转换元件，该形成方法通过使用将至少一部分输出端子的位置反转的反转数据来形成所述掩模。本发明能够与前照射型无区别地处理背照射型，因此，不必要求安装有背照射型CMOS图像传感器的评估板或者后续级的信号处理IC具有特定的规格，并且不必增加成本。 | ||||||
| 91 | 混合式多层光罩组 | CN200910166148.1 | 2009-08-14 | CN101656225B | 2012-09-26 | 林丰隆; 吴冠良; 梁哲荣; 蔡飞国 |
| 本发明是有关于一种混合式多层光罩组，其可对半导体基材的层结构进行曝光，以制造集成电路元件。这些层结构至少区分为第一子集和第二子集。混合式光罩组包含多层光罩以及投产光罩。多层光罩包含多个图案以及间隙，这些图案彼此不同以分别对应第一子集的层结构。间隙分隔这些图案。投产光罩包含多个图案以及切割道，这些图案彼此相同。切割道分隔这些图案。其中多层光罩的间隙宽度宽于投产光罩的切割道宽度。本发明的量产前的试制能够减少成本与材料，且使得量产速度较先前为快的方式进行，非常适于实用。 | ||||||
| 92 | 产生多核心晶粒的光罩组修改 | CN201110435145.0 | 2011-12-22 | CN102543862A | 2012-07-04 | 达鲁斯.D.嘉斯金斯 |
| 本发明涉及产生多核心晶粒的光罩组修改。第一光罩组被设计来制作晶粒，而所述的晶粒具有一限定数量的核心。本发明中第一光罩组被修改为一第二光罩组，以适用于制备至少相同数量的晶粒，但相较于之前，这些晶粒则具有至少两倍或是更多的核心数。另外，第一光罩组并定义切割道，以分开一原本所定义的晶粒。改良成第二光罩组时，至少有一切割道，会自一对邻近但原本不同的晶粒之间被移除。同时，定义内核通讯线，用以连接相邻的核心，藉此，使两相邻核心操作时可相互通讯。在晶粒之间并未连接任何实体输入/输出焊垫，因此核心之间的讯号不会传输至核心之外。本发明的内核通讯线可用以作电源管理，或用来做为外部处理器总线的分流道。 | ||||||
| 93 | 光刻方法及掩模装置 | CN200810213774.7 | 2008-09-04 | CN101382735B | 2012-06-13 | 玛丽·K·格特伯雷特; 兰博德·纳德; 迈克尔·A·帕克; 道格拉斯·J·沃纳 |
| 本发明涉及光刻方法及掩模装置。一种用于在器件上生成多个字符的光刻方法使用包括多个光刻掩模的掩模组，其中每个掩模包括围绕非不透明掩模字符区域的至少一个非不透明掩模字符场区域。顺序利用掩模通过掩模组使光致抗蚀剂曝光于辐射能量密度，从而生成光致抗蚀剂的至少一个字符场区域、及光致抗蚀剂的字符区域。最后，因为光致抗蚀剂的字符区域在每个掩模曝光步骤期间曝光于来自非不透明掩模字符场区域的一些光能量密度，生成字符串的总的光致抗蚀剂曝光时间小于现有技术。 | ||||||
| 94 | 曝光掩模及使用该曝光掩模制造半导体器件的方法 | CN200710130155.7 | 2007-07-20 | CN101206394B | 2011-12-28 | 郑龙淳 |
| 本发明公开一种用于凹式栅极的曝光掩模，所述曝光掩模包括透明基板和凹式栅极图案。所述凹式栅极图案布置在所述透明基板上方。所述凹式栅极图案包括具有第一线宽的第一部分和具有第二线宽的第二部分，所述第二线宽小于所述第一线宽。在所述第二部分中，所述凹式栅极图案的各元件间隔开。 | ||||||
| 95 | 掩模板用基板、掩模板、转印用掩模的制造方法 | CN201110032626.7 | 2011-01-27 | CN102169286A | 2011-08-31 | 田边胜 |
| 本发明涉及掩模板用基板、掩模板、转印用掩模的制造方法。在模拟工序中，基于主表面形状的信息和掩模载台的形状信息，使用考虑了扭弯变形的挠曲微分方程式，模拟得到将透光性基板安置于曝光装置时的多个测定点的高度信息。基于进行该模拟所得的高度信息，在平坦度算出工序中，算出将透光性基板安置于曝光装置时的该透光性基板的平坦度。在选定工序中判定该平坦度是否符合规格，将平坦度符合规格的透光性基板用作掩模板用基板。 | ||||||
| 96 | 液晶面板的曝光工序及其掩膜 | CN201010575581.3 | 2010-12-03 | CN102096328A | 2011-06-15 | 张才力 |
| 本发明公开一种液晶面板的曝光工序，用于制造若干个液晶面板的曝光机，包含下列步骤：以具有对应后续若干道掩膜的若干套对位标记的第一道掩膜，对制造所述若干个液晶面板的玻璃基板进行曝光，在所述玻璃基板上形成对应后续若干道掩膜的若干套对位标记；以及依据所述后续若干道掩膜的顺序，分别利用所述若干套对位标记，进行后续各道掩膜与所述玻璃基板上，分别对应所述后续各道掩膜的所述若干套对位标记的对位工序、曝光工序，以形成图案；其中对应同一个液晶面板区域，所述后续各道掩膜所需的所述若干套对位标记，在所述玻璃基板上分别具有不同的坐标位置。 | ||||||
| 97 | 双图案设计中的单元边界隔离的方法 | CN201010106556.0 | 2010-01-28 | CN101799623A | 2010-08-11 | 鲁立忠; 郑仪侃; 侯元德; 侯永清; 田丽钧 |
| 针对芯片布局设计双图案掩模组的方法包括设计标准单元。在每个标准单元中，所有的左边界图案都分配有第一标记和第二标记中的一个，而所有右边界图案都分配有第一标记和第二标记中的另一个。该方法还包括：在芯片布局的行中放置标准单元。从行中的一个标准单元开始，贯穿整行来传播针对标准单元的标记改变。具有第一标记的标准单元中的所有图案都被转印到双图案掩模组的第一掩模。具有第二标记的标准单元中的所有图案都被转印到双图案掩模组的第二掩模。 | ||||||
| 98 | 用于处置光掩模中的缺陷的方法和系统 | CN200780052424.0 | 2007-01-29 | CN101657756A | 2010-02-24 | P·D·巴克; R·W·格拉希尔; R·E·斯塔夫利; J·A·斯特劳布; C·A·韦斯特 |
| 提供用于处置在光掩模中的缺陷的方法和系统。用于处置在光掩模中的缺陷的方法包括分析包括代表至少第一光掩模的设计布局的数据的光掩模布局数据，第一光掩模对应于在光学光刻工艺中的第一层。至少基于该分析，识别第一光掩模的一个或多个安全区域，每个安全区域对应于对位于第一光掩模中的潜在缺陷不敏感的第一层的区域。 | ||||||
| 99 | 图案形成方法、半导体装置的制造方法及曝光用掩模装置 | CN200510118841.3 | 2005-10-27 | CN100565347C | 2009-12-02 | 石桥健夫; 齐藤隆幸; 伊藤麻矢; 中尾修治 |
| 本发明获得可高精度形成包含栅格图案和通常图案的光刻胶图案的图案形成方法。首先，采用2灯照明，仅仅将栅格图案形成区域作为实质的曝光对象，执行第1曝光处理。接着，仅仅将通常图案形成区域作为实质的曝光对象，执行第2曝光处理。然后，进行显影处理，获得光刻胶图案。上述第1曝光处理用的掩模中，通常图案形成区域对应的通常图案用掩模部在整个面用遮光图案形成，第2曝光处理用的掩模中，栅格图案形成区域对应的栅格图案用掩模部在整个面用遮光图案形成。 | ||||||
| 100 | 补偿型灰阶掩膜版结构 | CN200710121555.1 | 2007-09-10 | CN101387825A | 2009-03-18 | 吕敬; 崔承镇 |
| 本发明涉及一种补偿型灰阶掩膜版结构，包括掩膜版，所述掩膜版上设置有U形状的源极区域，矩形状端部位于所述源极区域内的漏极区域，以及位于所述源极区域与漏极区域之间的U形状的阻碍条，所述源极区域与阻碍条之间、所述阻碍条与漏极区域之间形成缝隙，本发明通过在源极区域端部的内侧设置补偿区域，有效补偿了现有技术的沟道侵蚀缺陷。本发明结构简单，易于实现，不需增加成本，能有效改进现有TFT的性能。 | ||||||
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