子分类：
- G03F1/0007： .{应用一个有弹性的感光底片或涉及光学失真,例如:在不平的表面印刷}
- G03F1/0015： .{通过制图,记录,例如:在感光的表面,或通过雕刻术,例如:使用触针;应用打印机;应用化学的拷贝片}
- G03F1/0046： .{相移掩模}
- G03F1/0092： .{与原版有关的辅助处理,例如:修理,清洗或检查}
- G03F1/02： .用模拟凸版制造原型的照相方法的
- G03F1/04： .用拼版方法的
- G03F1/06： .来自印刷表面的{例如:使用一个感热或感压的金属薄片,通过牵引感觉,例如:在感光片上}
- G03F1/08： .原版带有无机成像层,例如:铬掩模{G03F1/12 优先;X射线吸收器入G03F1/148}
- G03F1/10： .通过曝光和水洗颜料或彩色有机层的,通过对高分子晶格染色的
- G03F1/12： .通过对卤化银感光材料或重氮感光材料曝光的
- G03F1/14： .以细部结构为特征的原版,例如:基片层,覆盖层,薄膜环
- G03F1/16： .原版带有窗孔的,例如:微粒平板印刷术
- G03F1/20： .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
- G03F1/22： .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外[EUV]掩膜;其制备
- G03F1/26： .相移掩膜 [PSM];PSM空白;其制备
- G03F1/36： .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
- G03F1/38： .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
- G03F1/50： .未包含在G03F 1/20-G03F 1/26组中的空白掩膜;其制备
- G03F1/52： .反射镜
- G03F1/54： .吸收剂,例如不透明材料
- G03F1/60： .基板
- G03F1/62： .薄膜或薄膜集合,例如在支持框架上具有薄膜;其制备
- G03F1/66： .专门适用于掩膜,空白掩膜或薄膜的容器;其制备
- G03F1/68： .未包含在G03F1/20至G03F1/50组中的制备工艺
- G03F1/88： .通过制备具有模拟浮雕的原版的照相过程的制备
- G03F1/90： .采用蒙太奇方法制备
- G03F1/92： .从印刷表面制备
| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 101 | 滤色器及其制造中所使用的光掩模 | CN200780000206.2 | 2007-03-07 | CN101313235A | 2008-11-26 | 釜田敦子; 河本龙士; 白石淳一 |
| 一种滤色器，其特征在于，具有第1光间隔体和膜厚比该第1光间隔体小的第2光间隔体，所述第2光间隔体具有其纵向宽的长度比横向宽更长的截面形状。该滤光器的光间隔体具有第1光间隔体形成用的第1开口图案和膜厚比该第1光间隔体小的第2光间隔体形成用的第2开口图案，所述第2开口图案是使用具有横向宽在2.0μm～10.0μm的范围内、横向宽∶纵向宽之比为1∶1.25以上的形状的光掩模来制造的。 | ||||||
| 102 | 曝光掩模及使用该曝光掩模制造半导体器件的方法 | CN200710130155.7 | 2007-07-20 | CN101206394A | 2008-06-25 | 郑龙淳 |
| 本发明公开一种用于凹式栅极的曝光掩模，所述曝光掩模包括透明基板和凹式栅极图案。所述凹式栅极图案布置在所述透明基板上方。所述凹式栅极图案包括具有第一线宽的第一部分和具有第二线宽的第二部分，所述第二线宽小于所述第一线宽。在所述第二部分中，所述凹式栅极图案的各元件间隔开。 | ||||||
| 103 | 阵列基板制造用的光掩模、阵列基板及其制造方法 | CN200710305033.7 | 2007-12-19 | CN101206393A | 2008-06-25 | 川野英郎; 砂山英树 |
| 本发明提供一种使用相同的光掩模由母玻璃基板制作多片阵列基板的情况下可以自由地形成或切断连接相邻的曝光区域的配线；即使是在由相同的母玻璃基板制造不同大小的阵列基板的情况下也可以利用相同的检查用探针装置进行检查的光掩模、阵列基板及其制造方法。解决手段是，构成上述光掩模以使得：在阵列基板的上端部形成上部上下走向配线，在下端部形成下部上下走向配线；以及在所述下部上下走向配线的左侧或右侧，形成向所述阵列基板下端侧的边界U转弯的“向边界U转弯部”和再次向所述阵列基板中央部U转弯的“向中央部U转弯部”。 | ||||||
| 104 | 最佳化一集成电路临界尺寸的方法与光罩 | CN200710111439.1 | 2007-06-20 | CN101174581A | 2008-05-07 | 柯志明; 高蔡胜; 游信胜; 谢弘璋 |
| 本发明公开了一种最佳化一集成电路的临界尺寸的方法与光罩。该方法包括：提供一使用于该集成电路中的第一光罩，其中该集成电路至少包括一元件区域；提供一第二光罩，该光罩由该第一光罩复制而成，该光罩至少包括该第一光罩的图案；以及使用该第一光罩及该第二光罩对该集成电路执行至少一次微影制程，其中使用该第二光罩最佳化该集成电路的临界尺寸。本发明不被光栅尺寸或元件范围的位置所限制，用于最佳化曝光区域内临界尺寸均匀度。 | ||||||
| 105 | 中间掩模、半导体芯片及半导体装置的制造方法 | CN200710109967.3 | 2007-06-11 | CN101086613A | 2007-12-12 | 铃木弘之 |
| 本发明涉及一种中间掩模、半导体芯片及半导体装置的制造方法，其目的在于在制造半导体晶片上作为产品的半导体芯片和TEG芯片的情况下，增加从1枚晶片得到的半导体芯片的数量，而且，提高半导体芯片的可靠性及成品率。上下设置TEG芯片图案区域(4a、4b)，使在纵向有规则地排列的多个半导体芯片图案区域(3)夹持在其间。使TEG芯片图案区域(4a、4b)各自纵向的长度X实质上为半导体芯片图案区域(3)的纵向长度L的二分之一。当使用该中间掩模(1)时，在连续的曝光工序的边界，两个TEG芯片图案区域变为一个半导体芯片图案的区域。这样，半导体晶片上的TEG芯片图案的面积变小，从而能相应增加半导体芯片的收获量。 | ||||||
| 106 | 半导体器件的制造方法和晶片及其制造方法 | CN200610075575.5 | 2006-04-20 | CN1979342A | 2007-06-13 | 岩本茂 |
| 本发明提供一种半导体器件的制造方法和晶片及其制造方法，其能够准确地掌握晶片上的芯片位置。该半导体器件的制造方法包括如下步骤：形成最上层布线、钝化膜以及抗蚀层；使用上面形成有焊盘图案的标线片，对抗蚀层的所有曝光投影区域中除了一个曝光投影区域之外的其他曝光投影区域进行曝光；使用上面形成有不同于焊盘图案的图案的标线片，对剩余的一个曝光投影区域执行曝光；对整个抗蚀层进行显影以形成抗蚀图案；以及使用抗蚀图案作为掩模来蚀刻钝化膜，从而在使用这些不同的标线片所曝光的区域中分别形成用于产品芯片的焊盘和基准芯片的开口部分。因此，通过图像识别能够区分产品芯片与基准芯片，从而能够准确地掌握晶片上的芯片位置。 | ||||||
| 107 | 半导体集成电路器件和多芯片模块的制造方法 | CN03105193.6 | 2001-08-15 | CN1295749C | 2007-01-17 | 寺泽恒男; 田中稔彦; 宫崎浩; 长谷川升雄; 森和孝 |
| 一种制造半导体集成电路器件的方法，它包含对写入了图形的光掩模进行照明，并经由曝光光学系统反复执行投影曝光，从而将所述图形印制到半导体衬底上，顺序形成预定的图形的步骤，当每个光掩模所需的曝光处理数目大于预定数目时，使用以金属膜作为不透明元件的光掩模，而当每个光掩模所需的曝光处理数目小于预定数目时，使用以含有机感光树脂膜的有机材料作为不透明元件的光掩模。由此，改善了半导体集成电路器件的产率。 | ||||||
| 108 | 薄膜晶体管阵列面板及其制造方法和用于该面板的掩膜 | CN200410039503.6 | 2004-02-03 | CN1519955A | 2004-08-11 | 朴云用; 李元熙; 金一坤; 林承泽; 宋俞莉; 田尚益 |
| 沉积钝化层并形成光致抗蚀剂。该光致抗蚀剂包括厚度逐渐变小的第一至第三部分，第二部分位于漏极及一部分数据线之上，第三部分位于一部分数据线之上。形成这种光致抗蚀剂的掩膜置于第二部分对应的区域，具有宽度和间距约0.8－2.0μm的多个直线形狭缝。钝化层和其下的半导体层与光致抗蚀剂一同蚀刻，以露出第三部分下面栅极绝缘层部分和第二部分下面钝化层。除去钝化层和栅极绝缘层露出部分，同时露出漏极和栅极线及数据线和一部分半导体层，再除去露出的半导体层部分。 | ||||||
| 109 | 半导体集成电路器件和多芯片模块的制造方法 | CN03105193.6 | 2001-08-15 | CN1516236A | 2004-07-28 | 寺泽恒男; 田中稔彦; 宫崎浩; 长谷川升雄; 森和孝 |
| 一种制造半导体集成电路器件的方法，它包含对写入了图形的光掩模进行照明，并经由曝光光学系统反复执行投影曝光，从而将所述图形印制到半导体衬底上，顺序形成预定的图形的步骤，当每个光掩模所需的曝光处理数目大于预定数目时，使用以金属膜作为不透明元件的光掩模，而当每个光掩模所需的曝光处理数目小于预定数目时，使用以含有机感光树脂膜的有机材料作为不透明元件的光掩模。由此，改善了半导体集成电路器件的产率。 | ||||||
| 110 | 基于网络的光掩模数据输入接口和用于制造光掩模的指令生成器 | CN01815170.1 | 2001-06-29 | CN1452749A | 2003-10-29 | T·T·科格德尔; J·S·彻普; J·E·根特里 |
| 一种用于根据顾客输入的光掩模规格数据而生成用在光掩模制造设备的指令的计算机网络。通常通过互联网连接将一系列订单输入屏下载到远程顾客的计算机上。该顾客被提示要输入光掩模规格数据，该光掩模规格数据被交付到制造商的本地网络的计算机设备中。该制造商的计算设备验证光掩模规格数据，并使用该数据来生成蚀刻指令和设备控制指令。该蚀刻指令与来自顾客的图形设计数据一起被发送到蚀刻机，它用于提供蚀刻图形数据。然后，可以把该控制指令和蚀刻图形数据电子交付到该制造设备。 | ||||||
| 111 | 半导体集成电路器件和多芯片模块的制造方法 | CN01802217.0 | 2001-08-15 | CN1386300A | 2002-12-18 | 寺泽恒男; 田中稔彦; 宫崎浩; 长谷川升雄; 森和孝 |
| 改善了半导体集成电路器件的产率。根据光掩模被使用多少次,恰当地使用具有由金属组成的不透明图形的光掩模以及具有由抗蚀剂膜组成的不透明图形的光掩模,从而执行曝光处理。 | ||||||
| 112 | 蓝宝石图形衬底以及制作蓝宝石图形衬底的掩膜版和方法 | CN201610284240.8 | 2016-04-29 | CN107342349A | 2017-11-10 | 晏小平; 李成立; 顾威威; 王武 |
| 本发明提供的蓝宝石图形衬底以及制作蓝宝石图形衬底的掩膜版和制作方法，在衬底上周期性排列的结构图形的外部围设封闭性隔离墙，每相邻的两个结构图形之间共用一堵隔离墙，与现有技术中未设立围墙的蓝宝石图形衬底相比，本发明具有更多的反射面，用于提供外延生长的面积更大，有利于降低衬底晶体中的位错密度，使得更好地释放由于前道制作工艺而在晶体内部产生的适配应力，进而降低缺陷密度，提高LED芯片的发光效率。 | ||||||
| 113 | 掩膜版和利用掩膜版制备薄膜晶体管的方法 | CN201510122578.9 | 2015-03-19 | CN104716026B | 2017-09-01 | 刘翔 |
| 本发明的实施例公开了一种掩膜版以及利用掩膜版制备阵列基板的像素区的薄膜晶体管的方法。该掩膜版包括掩膜版主体，所述掩膜版主体具有图案区域，所述图案区域包括：用于去除部分光刻胶的光刻胶部分去除区域；用于去除全部光刻胶的光刻胶完全去除区域；以及在光刻胶部分去除区域和光刻胶完全去除区域之间、与光刻胶部分去除区域和光刻胶完全去除区域邻接的用于保留光刻胶的第一光刻胶保留区域，第一光刻胶保留区域用于调整与光刻胶部分去除区域对应的光刻胶部分在曝光并显影后的外形。采用本发明的技术方案，改善了与光刻胶部分去除区域对应的光刻胶部分在曝光并显影后的外形。 | ||||||
| 114 | 掩模 | CN201280059582.X | 2012-12-03 | CN103959157B | 2017-09-01 | 辛富建 |
| 本发明提供一种掩模、一种制造该掩模的方法、一种光照射器件、一种光照射的方法和一种制造取向有序的光配向层的方法。当使用本发明的掩膜时，可以用具有优异的线性性能和均匀的照度的光照射待照射对象的表面上。此外，例如，即使在待照射对象具有弯曲表面时，本发明的掩模可以有效地照射光。 | ||||||
| 115 | 一种步进式光刻机对位监控方法 | CN201410295485.1 | 2014-06-26 | CN105223781B | 2017-06-23 | 姚振海 |
| 本发明提供了一种步进式光刻机对位监控方法，包括提供包括多个视场的测试版，基于每个视场得出一组overlay值；根据每个视场的overlay值计算一组补偿量；将产品的对位补偿值与每一个视场的每组补偿量进行比较，利用产品的对位补偿值对该产品进行对位补偿，其中，该产品的对位补偿值与其中一个视场的一组补偿量接近。本发明兼顾了各种视场的产品，不论视场大小，均可以做到精确补偿，可以加工前就给出预估补偿值，大大降低对位偏移发生的概率，本发明在不增加成本与人力的基础上，有效的改善对位控制。 | ||||||
| 116 | 一种固化光罩及制作显示面板的方法 | CN201611255153.6 | 2016-12-30 | CN106773352A | 2017-05-31 | 李亚锋 |
| 本发明提供了一种固化光罩及制作显示面板的方法，该固化光罩用于通过紫外光从而对显示面板的框胶涂布区域进行固化，所述固化光罩的整个表面为遮光区域，所述光罩与所述显示面板的框胶涂布区域对应的部分设置有使紫外光通过的多个通孔。本发明可以改善显示区域边缘被UV光照射到或者光罩将框胶部分遮挡住造成UV固化不良等现象。 | ||||||
| 117 | 掩膜 | CN201280059575.X | 2012-01-19 | CN103959155B | 2017-02-22 | 金信英; 洪敬奇; 尹赫; 朱元喆; 赵镛一; 朴文洙; 高铜浩; 柳秀英 |
| 本发明涉及一种制造发光器件的方法和光取向层。在本发明的发光器件的一个实施方式中包括的掩膜被设置成以高亮度发射具有良好平行性的光到距离一定距离的要照射的表面上，并且通过使用所述掩膜能够制造具有精确形成的取向图案的光取向层。 | ||||||
| 118 | 一种在网板上制作图形的方法 | CN201610906631.9 | 2016-10-18 | CN106292178A | 2017-01-04 | 贾云涛 |
| 本发明提供了一种制作丝网印刷用网板的掩膜版的方法，包括：对固定在载体上的构成丝网的微观结构进行图像识别的光电扫描；在电子计算机上对丝网的丝线的扫描结果生成空间关系结构模型；电子计算机根据生成的丝网模型建模，可生成掩膜版图形；制作带有栅线图形的掩膜版。本发明还提供了利用所制作的掩膜版在网板上制作图形的方法。本发明所提供的制作掩膜版和在网板上制作图形的方法，能够根据丝网的丝线走势制作掩膜版的栅线图形，从而避免了或尽可能的避免了网板上制作的槽线(印刷图形)与丝网的丝线交叉的情况。 | ||||||
| 119 | 光掩膜、薄膜晶体管元件及制作薄膜晶体管元件的方法 | CN201310733217.9 | 2013-12-26 | CN103728827B | 2016-07-06 | 衣志光 |
| 本发明实施例公开了一种用于定义薄膜晶体管元件的数据层及半导体层的图案的光掩膜。该光掩膜上开设有贯穿该光掩膜的多条狭缝，该多条狭缝彼此平行并等间距排列。该光掩膜上除该多条狭缝以外的区域被定义为遮光图案区，该遮光图案区将该多条狭缝包围起来。另外，本发明实施例还公开了一种薄膜晶体管元件及一种制作薄膜晶体管元件的方法。 | ||||||
| 120 | 曝光装置及其曝光方法 | CN201310069610.2 | 2013-03-05 | CN104035285B | 2016-06-29 | 伍强; 祖延雷; 胡华勇; 顾一鸣 |
| 一种曝光装置及其曝光方法，所述曝光装置，包括：基台；晶圆载物台组，所述晶圆载物台组包括若干晶圆载物台，若干晶圆载物台依次在基台上的第一位置和第二位置之间循环移动；对准检测单元，进行晶圆的对准；掩膜板载物台，用于装载圆筒形掩膜板，并使所述圆筒形掩膜板绕中心轴旋转；光学投影单元，将透过圆筒形掩膜板的光投射到晶圆载物台上晶圆的曝光区；当晶圆载物台从第一位置移动到第二位置，然后沿扫描方向的单方向扫描时，圆筒形掩膜板绕中心轴旋转，透过圆筒形掩膜板的光投射到晶圆载物台上的晶圆上，对晶圆上的沿扫描方向排列的某一列曝光区进行曝光。进行曝光时，晶圆载物台不需要改变扫描方向，从而节省了曝光时间，提高了曝光效率。 | ||||||
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