首页 / 国际专利分类库 / 物理 / 摄影术;电影术;电记录术;全息摄影术 / 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备(照相排版装置入B41B;为摄影用的感光材料或处理入G03C;电记录、感光层或处理入G03G)
序号 专利名 申请号 申请日 公开(公告)号 公开(公告)日 发明人
1 显示装置 CN201721172053.7 2017-09-13 CN207381400U 2018-05-18 铃村功; 渡壁创; 花田明纮; 渡边裕一
本实用新型涉及显示装置。本实用新型要解决的课题为能够在同一基板内形成LTPSTFT和化物半导体TFT。解决手段为一种显示装置,其为在基板(100)上形成有具有氧化物半导体层(102)的第一TFT、和具有Poly‑Si层(106)的第二TFT的显示装置,显示装置的特征在于,在基板(100)上形成基膜(101),在基膜(101)上方形成氧化物半导体层(102),在氧化物半导体层(102)上方形成第一层间绝缘膜(105),在所述第一层间绝缘膜(105)上方形成所述Poly‑Si层(106)。
2 图像投影装置及系统 CN201721232612.9 2017-02-24 CN207337072U 2018-05-08 D·马克莱; T·L·莱迪戈; T·N·托马斯; 陈正方
本实用新型总体涉及图像投影装置及系统,图像投影装置包括倾斜反射镜和受抑立方体形组件以及数字微镜器件。受抑立方体形组件具有:第一棱镜,所述第一棱镜具有第一表面、第二表面和第一斜边;以及第二棱镜,所述第二棱镜具有第三表面、第四表面和第二斜边。第一斜边和第二斜边面向彼此,并以气隙隔开。受抑立方体形组件可以包括与第二表面相邻的倾斜反射镜。第二表面可为反射衍射光栅。光以法向入射并沿单一光轴穿过图像投影系统来反射到与受抑立方体形组件相邻的数字微镜器件(DMD)。入射在DMD上的光的方向使得从“打开”反射镜反射的光沿着DMD表面的法线并与斜边成45度来引导。输入光束和输出光束是平行的。
3 图像投影装置和系统 CN201720101928.8 2017-01-26 CN206975400U 2018-02-06 D·马克莱; T·莱迪格; T·N·托马斯
本实用新型描述了图像投影装置和系统。更具体地,提供用于将图像投影到基板上的紧凑装置。在一个实施方式中,图像投影装置包括耦接到第一安装板的光导管,以及耦接到第二安装板的受抑棱镜组件、一个或多个数字微镜器件、一个或多个分束器和一个或多个投影光学器件。所述第一安装板和第二安装板是共面的,使得所述图像投影装置紧凑并且可在具有多个图像投影装置的系统中被对准,每个图像投影装置可易于拆卸和替换。
4 光刻系统 CN201621353213.3 2016-12-09 CN206584158U 2017-10-24 B·M·约翰斯通; J·怀特; T·莱帝克
本实用新型提供一种光刻系统。在一个实施方式中,一种光刻系统包括:卡盘,所述卡盘具有基板接收表面;处理单元,所述处理单元设置在所述卡盘上方;一个或多个通气口,所述一个或多个通气口设置在所述处理单元上方;气源,所述气源耦接到所述一个或多个通气口;以及排放端口,所述排放端口设置在所述卡盘下方。
5 受抑立方体形组件 CN201720170550.7 2017-02-24 CN206563865U 2017-10-17 D·马克莱; T·L·莱迪戈; T·N·托马斯; 陈正方
本实用新型总体涉及受抑立方体形组件,所述受抑立方体形组件具有:第一棱镜,所述第一棱镜具有第一表面、第二表面和第一斜边;以及第二棱镜,所述第二棱镜具有第三表面、第四表面和第二斜边。第一斜边和第二斜边面向彼此,并以气隙隔开。受抑立方体形组件可以包括与第二表面相邻的倾斜反射镜。第二表面可为反射衍射光栅。光以法向入射并沿单一光轴穿过图像投影系统来反射到与受抑立方体形组件相邻的数字微镜器件(DMD)。入射在DMD上的光的方向使得从“打开”反射镜反射的光沿着DMD表面的法线并与斜边成45度来引导。输入光束和输出光束是平行的。
6 一种缓存装置及设有该缓存装置的涂胶显影机 CN201620433712.7 2016-05-11 CN205608389U 2016-09-28 汪直超; 宋翔宇; 关永兵; 刘丙强; 曹坤
本实用新型涉及集成电路生产设备技术领域,尤其涉及一种缓存装置及设有该缓存装置的涂胶显影机。缓存装置包括框架和设于所述框架内沿其高度方向依次设置的多层支撑板,所述支撑板用于放置待曝光的基板,所述框架上相应地设有多层支撑部件,每层所述支撑板均滑动地安装于所述支撑部件上。本实用新型提供的缓存装置缩短了维护保养的时间,提高了工作效率以及设备的稼动率。
7 曝光系统、校准系统和光学引擎 CN201220230558.5 2012-05-21 CN202615113U 2012-12-19 梅文辉; 杜卫冲; 曲鲁杰
本实用新型公开了一种曝光系统、校准系统和光学引擎。该曝光系统包括:第一光学引擎;第二光学引擎;光源系统,用于对该第一光学引擎和该第二光学引擎提供曝光光束;第一分束装置,设置在该第一侧,用于对经过该第一光学引擎的入射光束以及对经过该第二光学引擎的入射光束进行分光;第一视觉系统,设置在该第一侧,该第一视觉系统接收经过该第一光学引擎并由该第一分束装置反射的第一光束,以及接收经过该第二光学引擎并由该第一分束装置反射的第二光束,以用于校准该第一光学引擎和该第二光学引擎的光轴。本实用新型的曝光系统、校准系统和光学引擎,能够校准各光学引擎的光轴,从而能够提高曝光质量
8 双台轮换曝光精密定位系统 CN200620044000.2 2006-07-18 CN2938172Y 2007-08-22 李映笙; 李小平; 杨志勇; 关俊; 高少文; 孙文凤; 李刚; 蔡燕民
本实用新型公开了一种双台轮换曝光精密定位系统,至少包括基台、设置在基台上并运行于预处理工位的片台定位单元、运行于曝光工位的硅片台定位单元,每个硅片台定位单元至少包括硅片台、运动定位检测装置、X向导轨、Y向导轨、线性光栅。该系统的预处理工位和曝光工位均设置有两个X向导轨,所述X向导轨位于Y向导轨上方,可沿Y向导轨运动,相邻工位的X向导轨可进行对接。有益效果是:硅片台的交换路径短,导轨受均匀,受工位尺寸约束小,极大地提高了系统的交换速度,运行精度和可扩展性。同时,本实用新型的结构不需采用额外的防碰撞装置,简化了系统,降低了成本,有效地提高了可靠性。
9 控制液体的假配发的系统 CN200420118796.2 2004-10-19 CN2796094Y 2006-07-12 吴宏益; 翁志荣; 倪中政; 游奕欣
液体的假配发的控制,藉由纪录处理基材时的时间;记录配发液体时的时间;以及比较处理基材时的时间与配发液体时的时间,以在需要进行假配发时产生假配发讯号。一种控制液体的假配发的系统,包括至少一信息储存组件,其储存处理基材时的时间以及配发液体时的时间,还包括至少一处理器,其比较处理基材时的时间与配发液体时的时间,以判断是否需要进行假配发。
10 半导体装置 CN200420084786.1 2004-08-24 CN2731706Y 2005-10-05 曾伟雄; 庄平; 涂宏荣; 王静亚; 林俞良; 罗冠腾; 周梅生
本实用新型揭示一种整合蚀刻后续清洁制程(post-etching cleaningprocess)与沉积制程所形成的半导体装置,其包括一基底、一低介电常数材料层、以及一内联机结构。低介电常数材料层是设置于基底上方,其具有至少一镶嵌开口位于被一超临界流体所清洁过的一区域中。内联机结构设置于镶嵌开口内,且其是于实施清洁制程之后,利用超临界流体作为一反应媒介且利用一有机金属错合物作为一沉积前驱物而临场(in-situ)形成的。
11 具有双嵌附层的减光型相移光罩 CN200420066841.4 2004-06-11 CN2713515Y 2005-07-27 林政旻
本实用新型提供了一种具有双嵌附层的减光型相移光罩,其包括:一透明基底;一透光性嵌附层覆盖于透明基底上;以及一稳定性嵌附层覆盖于透光性嵌附层上,透光性嵌附层与稳定性嵌附层构成一双嵌附层,其中稳定性嵌附层的化学稳定性比透光性嵌附层佳,双嵌附层的整体透射率(transmittance;T%)大体为8-15%。透光嵌附层与稳定性嵌附层可由氮化合物所构成,其化学通式分别为:AlSix1Ny1与AlSix2Ny2。
12 电子 CN201721027907.2 2017-08-16 CN207124030U 2018-03-20 小林翔太; 森良彰; 森田豊
本实用新型提供一种电子钹(100),包括具有击打面的圆环状的主体构件(1)、配设在所述主体构件(1)的与击打面为相反侧的下表面的圆环状的罩构件(2)、以及安装在所述罩构件(2)或主体构件(1)上的基板(3)。所述电子钹(100)包括缆线(4),缆线(4)的一端直接连接在基板上且另一端具有端子。罩构件(2)包括外周壁(22),所述外周壁(22)是自所述罩构件(2)的外缘向主体构件(1)的下表面侧突出而形成且以其突出前端与主体构件(1)的下表面隔开的方式配设。将所述缆线(4)收纳在较外周壁(22)更靠内周侧的主体构件(1)与罩构件(2)的对向空间。本公开旨在将缆线直接连接在基板上的情况下也可简化不使用时的操作的电子钹。
13 用于在多部件透镜系统中制造气隙区的装置和头戴式显示光学装置 CN201621413287.1 2016-12-21 CN206920634U 2018-01-23 O.内格雷特
本实用新型公开了用于在多部件透镜系统中制造气隙区的装置和头戴式显示光学装置。一种装置的一种实施方式包括:第一透镜,该第一透镜包括光致抗蚀剂材料图案;通过光致抗蚀剂材料与第一透镜粘合的第二透镜;以及第一透镜和第二透镜之间的气隙区。光致抗蚀剂图案限定第一透镜和第二透镜之间的气隙区。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
14 用于进行浸没场引导的曝光和曝光后烘烤工艺的装置 CN201620555173.4 2016-06-08 CN206057801U 2017-03-29 D·A·小布齐伯格; S·K·南; V·巴巴扬; 欧阳盼盼; L·戈代; S·D·耐马尼
本实用新型涉及用于进行浸没场引导的曝光和曝光后烘烤工艺的装置。在一实施方式中,一种装置包括处理腔室,所述处理腔室包括:基板支撑件,所述基板支撑件具有基板支撑表面;热源,所述热源嵌入在所述基板支撑件中,配置用于将定位在所述基板支撑表面上的基板加热;电极组件,所述电极组件被配置成在基本上垂直于所述基板支撑表面的方向上产生电场,其中所述电极组件与所述基板支撑表面相对地定位,使所述电极组件的向下表面面对所述基板支撑表面,其中所述电极组件与所述基板支撑件间隔开,以便在所述电极组件与所述基板支撑表面之间限定处理容积;以及约束环,所述约束环设置在所述基板支撑件或所述电极组件的边缘,配置用于保持中间介质。
15 一种掩膜板 CN201620514549.7 2016-05-30 CN205880497U 2017-01-11 史大为
本实用新型提供了一种掩膜板,包括:完全透光区和完全不透光区;在完全透光区和完全不透光区的交界位置处设置有半透光结构,且半透光结构的透光性从靠近完全透光区的一侧向靠近完全不透光区的一侧逐渐减弱。本实用新型所提供的掩膜板,在完全透光区和完全不透光区的边界位置处设置半透光结构,且该半透光结构的透光性从靠近完全透光区的一侧向靠近完全不透光区的一侧逐渐减弱,可以对由该掩膜板在树脂层上形成的挖空区域的边界处斜坡的坡度进行控制改良,与现有技术中相比,斜坡的坡度缓和,从而避免了由于树脂层挖空区域边界处斜坡较陡峭而导致的树脂层上下层金属发生短路的现象的发生。
16 LED制造用光罩板 CN201590000167.6 2015-10-02 CN205539916U 2016-08-31 魏晓敏
申请公开了一种LED制造用光罩板,包括:晶圆曝光部及非晶圆曝光部,于所述非晶圆曝光部上设置有用于在不同光罩板之间进行区分的荧光标记。这样,在黄光制程中,荧光标记由于其独特的光显特性,可清楚明确地提醒操作人员其所拿取的光罩板正确与否,从而大大降低错版情况发生的几率。
17 光罩线路检测仪 CN201520468255.0 2015-07-01 CN204832763U 2015-12-02 胡德才; 李朝庭; 张义
本实用新型公开了一种光罩线路检测仪,包括工作平台、横梁、放大装置及显示装置,所述工作平台上设有用于放置光罩的曝光区,所述曝光区的下方设有灯箱,所述工作平台上还设有两条相对设置的导轨,所述横梁可滑动地安装在两条导轨上,所述放大装置可滑动地安装在横梁上,所述显示装置与放大装置电性连接。上述光罩线路检测仪,可根据检测需要,将放大装置移动至曝光区的任意位置对待测光罩上的线路进行放大,放大的图像由显示装置输出。利用该光罩线路检测仪,检测人员可以大幅提升检验的速度,节约检测时间,而且检验的结果更准确,能大大降低了检验成本。检测过程并不需要对光罩进行移动,避免了材料刮花或磨损,也不会对曝光区造成损坏。
18 光扩散部件和显示装置 CN201220209103.5 2012-05-10 CN202614963U 2012-12-19 山本惠美; 前田强; 菅野透
本实用新型提供一种光扩散部件和显示装置。光扩散部件具备:具有透光性的基材;在基材的一个面形成的多个光扩散部;在基材的一个面,在与光扩散部的形成区域不同的区域形成的遮光层;和光散射体。光扩散部在基材侧具有光射出端面,并且在与基材侧的相反的一侧具有面积比光射出端面的面积大的光入射端面。光扩散部的从光入射端面到上述光射出端面的高度比上述遮光层的层厚大。光散射体比所述光扩散部更靠光射出侧地配置。
19 网版和网版组件 CN200990100606.5 2009-12-08 CN202281900U 2012-06-20 T·布鲁姆
本实用新型提供一种网版和网版组件。在一个实施例中,网版适于将电阻器印刷到包括导体的基底上。网版的至少第一区域被乳胶材料覆盖,且网版的至少第二区域限定网版的一区域,厚膜糊剂材料可穿过该区域并被沉积到基底上以形成电阻器。凹槽图案,限定在乳胶材料层的下表面,并匹配基底上的导体图案。当网版降低到基底或其附近时,导体被安放到相应的凹槽中,以确保网版在印刷期间能够靠着基底平坦地放置,无论基底上的导体的数目、尺寸或位置,均能够形成厚度均匀(因此电阻均匀)的电阻器。
20 一种用于图案化集成电路层的微影系统和屏蔽组 CN200920218546.9 2009-10-10 CN201749291U 2011-02-16 淑杰·金·刘
本实用新型提出一种用于图案化集成电路层的微影系统和屏蔽组,所述微影系统包括一光源和一用于使用所述的光源图案化多重屏蔽层的屏蔽组,所述屏蔽组包括:一第一屏蔽,定义一第一屏蔽层中的微细线路特征;一第二屏蔽,用于移除或标定所述的微细线路特征的移除部分,此移除/标定可包括撷取所需布局(具有包括微细线路特征与粗略特征的至少一个布局特征),且仅于沿着这些布局特征的临界维度的方向扩展布局特征;一第三屏蔽,用于在一第二屏蔽层中定义所述的集成电路层的多个粗略特征。所述的第二屏蔽层形成于一图案化的第一屏蔽层上。粗略特征可从所需布局使用收缩/成长操作而得。
QQ群二维码
意见反馈