子分类：
- G03F1/0007： .{应用一个有弹性的感光底片或涉及光学失真,例如:在不平的表面印刷}
- G03F1/0015： .{通过制图,记录,例如:在感光的表面,或通过雕刻术,例如:使用触针;应用打印机;应用化学的拷贝片}
- G03F1/0046： .{相移掩模}
- G03F1/0092： .{与原版有关的辅助处理,例如:修理,清洗或检查}
- G03F1/02： .用模拟凸版制造原型的照相方法的
- G03F1/04： .用拼版方法的
- G03F1/06： .来自印刷表面的{例如:使用一个感热或感压的金属薄片,通过牵引感觉,例如:在感光片上}
- G03F1/08： .原版带有无机成像层,例如:铬掩模{G03F1/12 优先;X射线吸收器入G03F1/148}
- G03F1/10： .通过曝光和水洗颜料或彩色有机层的,通过对高分子晶格染色的
- G03F1/12： .通过对卤化银感光材料或重氮感光材料曝光的
- G03F1/14： .以细部结构为特征的原版,例如:基片层,覆盖层,薄膜环
- G03F1/16： .原版带有窗孔的,例如:微粒平板印刷术
- G03F1/20： .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
- G03F1/22： .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外[EUV]掩膜;其制备
- G03F1/26： .相移掩膜 [PSM];PSM空白;其制备
- G03F1/36： .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
- G03F1/38： .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
- G03F1/50： .未包含在G03F 1/20-G03F 1/26组中的空白掩膜;其制备
- G03F1/52： .反射镜
- G03F1/54： .吸收剂,例如不透明材料
- G03F1/60： .基板
- G03F1/62： .薄膜或薄膜集合,例如在支持框架上具有薄膜;其制备
- G03F1/66： .专门适用于掩膜,空白掩膜或薄膜的容器;其制备
- G03F1/68： .未包含在G03F1/20至G03F1/50组中的制备工艺
- G03F1/88： .通过制备具有模拟浮雕的原版的照相过程的制备
- G03F1/90： .采用蒙太奇方法制备
- G03F1/92： .从印刷表面制备
| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 121 | 显示基板及其制作方法、掩膜板、掩膜板组 | CN201410184478.4 | 2014-05-04 | CN103969875B | 2016-06-29 | 辛燕霞; 朴承翊; 石天雷 |
| 本发明提供一种显示基板及其制作方法、掩膜板、掩膜板组，该显示基板包括多个子显示基板，每一个该子显示基板包括多个像素单元，每一个像素单元包括像素电极、公共电极及源漏极沟道，其中，从该显示基板的中心到该显示基板的边缘，该多个子显示基板按照像素电极与公共电极的重合面积从大到小排列和/或该多个子显示基板按照该子显示基板的源漏极沟道的宽长比从小到大排列。本发明能够减小不同位置的子显示基板之间的电学性差异，有效避免由镀膜制备工艺产生的显示基板边缘开态电流小，阈值电压大，关态电流大引起的位于边缘处的子显示基板的电学性不良。 | ||||||
| 122 | 掩膜板 | CN201610016716.X | 2016-01-11 | CN105629655A | 2016-06-01 | 马骏; 杨成绍 |
| 本发明公开了一种掩膜板，属于显示技术领域。该掩膜板包括：透明基板；所述透明基板上形成有至少两层电致变色薄膜图形，每层所述电致变色薄膜图形的上下两侧形成有透明电极；所述至少两层电致变色薄膜图形能够在所述透明电极的作用下在显示基板上形成至少两种不同的掩膜图形。本发明提供的掩膜板能够在显示基板上形成至少两种不同的掩膜图形，解决了相关技术中显示基板制造成本较高的问题，降低了显示基板制造过程中所需要使用的掩膜板的数量，从而简化了TFT-LCD的制造工艺，降低了TFT-LCD的制造成本。本发明用于制造显示基板。 | ||||||
| 123 | 掩模板及光配向方法 | CN201610171864.9 | 2016-03-24 | CN105572975A | 2016-05-11 | 马国靖; 徐长健; 王丹 |
| 本发明的实施例提供了一种掩模板，包括多个挡板、框体和透光区域。在框体上设置有支撑部件和移动部件。挡板被配置为用于遮挡透光区域。支撑部件被配置为支撑遮挡透光区域的挡板。移动部件被配置为将挡板移动到遮挡透光区域的位置。采用本发明的实施例的掩模板，使得一块掩模板可以应用于生产不同MMG产品，生产过程中，换掩模板不需要更换即可进行照射取向，并且掩模板在其正常使用寿命范围之内时也不需卸载，优化了生产工艺，有效的降低了成本。 | ||||||
| 124 | 鳍式场效应晶体管（FinFET）器件的图案化工艺 | CN201210204386.9 | 2012-06-15 | CN103247575B | 2016-01-13 | 何韦德; 谢铭峰; 张庆裕 |
| 本发明涉及鳍式场效应晶体管(FinFET)器件的图案化工艺，其中，用于以非矩形图案对集成电路器件上的多个部件进行图案化的方法，包括：提供包括表面的衬底，该衬底具有第一层和第二层；在第一层和第二层上方的第三层中形成多个伸长凸起；以及在多个伸长凸起的上方形成第一图案化层。蚀刻多个伸长凸起，以形成伸长凸起的第一图案，第一图案包括至少一个内角。该方法还包括在第一图案的伸长凸起上方形成第二图案化层以及在第一图案的伸长凸起上方形成第三图案化层。使用第二和第三图案化层蚀刻多个伸长凸起，以形成伸长凸起的第二图案，第二图案包括至少一个内角。 | ||||||
| 125 | 显示面板及其制备方法、掩膜板及其制备方法、显示装置 | CN201310083869.2 | 2013-03-15 | CN103235450B | 2015-12-02 | 袁慧芳 |
| 本发明公开了一种显示面板，包括相对设置的第一显示基板和第二显示基板，以及设置在第一显示基板和第二显示基板之间的主隔垫物和辅助隔垫物，其特征在于，主隔垫物和辅助隔垫物均设置于第一显示基板上，或主隔垫物和辅助隔垫物均设置于第二显示基板上，并且至少一个辅助隔垫物的悬空一端的端面为平面，和/或至少一个辅助隔垫物的悬空一端的端面为凸面。本发明提供的显示面板中辅助隔垫物的支撑稳定性较高。本发明还提供了制备上述显示面板的半色调掩膜板和该半色调掩膜板的两种制备方法。本发明还提供了一种显示面板的制备方法、一种具有上述显示面板的显示装置。 | ||||||
| 126 | 用于光配向的光罩及光配向方法 | CN201510553278.6 | 2015-09-01 | CN105068375A | 2015-11-18 | 韩丙 |
| 本发明提供一种用于光配向的光罩及光配向方法，通过设置所述光罩中组成第一光罩图形的第一透光图案的末端对齐，组成第二光罩图形的第二透光图案的前端对齐，使得在光配向过程中，所述第一基板单元的末端和第二基板单元的前端不存在未曝光或者曝光不足的区域，解决了传统的光配向制程中因存在未曝光或者曝光不足的区域导致的显示器亮度不均匀等问题，同时有利于缩小基板上第一基板单元与第二基板单元之间的距离，从而提高基板利用率。 | ||||||
| 127 | 光掩模坯料、制造光掩模的方法、以及含铬材料膜 | CN201180056117.6 | 2011-11-18 | CN103229099B | 2015-10-07 | 吉川博树; 深谷创一; 稻月判臣; 山本恒雄; 中川秀夫 |
| 在本发明的含铬材料膜中，添加有能够使与铬的混合体系在400℃以下的温度下成为液相的元素。当将所述含铬材料膜用作可用于光掩模坯料中的光学膜(例如遮光膜、蚀刻掩膜、蚀刻停止膜)时，可在不依赖于特别膜设计的情况下，在维持常规含铬材料膜的光学特性等的同时，提高氯干蚀刻的速度，并且可提高图案化的精度。 | ||||||
| 128 | 一种双重图形及半导体器件结构的制作方法 | CN201410114647.7 | 2014-03-26 | CN104952705A | 2015-09-30 | 余云初; 沈忆华 |
| 本发明提供一种双重图形及半导体器件结构的制作方法，所述双重图形包括：第一掩膜，具有相隔排列的至少两排条状图形阵列，各排条状图形阵列包括多个间隔排列的条状图形，且各该条状图形的端部对应为待切割区域；以及第二掩膜，其于第一掩膜的相邻两排条状图形阵列间具有切割窗口，且该切割窗口同时覆盖于所述两排条状图形阵列中各条状图形的端部。本发明采用一个宽度较大的切割窗口同时覆盖于所述两排条状图形阵列中各条状图形的端部，用于对两排线端同时进行切割，相比于现有采用两个小宽度切割窗分别对两排线端切割的方法来说，可以有效减小两排线端之间的距离，从而提高电路的集成度。 | ||||||
| 129 | 掩膜装置及掩膜系统 | CN201510308594.7 | 2015-06-08 | CN104880907A | 2015-09-02 | 曾杰; 李安石 |
| 本发明实施例公开一种掩膜装置及掩膜系统。掩膜装置包括滚筒掩膜版及置于滚筒掩膜版内的光源组件。滚筒掩膜版的外表面上设置有掩膜图案，光源组件的外表上设置有光源。在光源的照射下，滚筒掩膜版在玻璃基板上滚过时，可在玻璃基板的感光材料上形成掩膜图案。本发明在不需要制作大面积掩膜板的情况下，可在大面积的玻璃基板的感光材料上形成掩膜图案，从而节省成本。 | ||||||
| 130 | 双重图形化的形成方法 | CN201310745809.2 | 2013-12-30 | CN104752170A | 2015-07-01 | 胡华勇 |
| 一种双重图形化的形成方法，包括：提供基底，所述基底表面形成有掩膜层；依次在所述掩膜层表面形成第一光刻胶层和第二光刻胶层；对所述第一光刻胶层和第二光刻胶层进行曝光显影处理，在第一光刻胶层内形成第一通孔，在第二光刻胶层内形成第二通孔，且所述第一通孔的宽度大于第二通孔的宽度；形成填充满所述第一通孔和第二通孔的填充材料层；回刻蚀所述填充材料层，去除位于第二光刻胶层表面的填充材料层，且去除位于第二通孔内、以及第二通孔下方的填充材料层，直至暴露出掩膜层表面；去除第二光刻胶层和第一光刻胶层，剩余的填充材料层为双重图形化的掩膜。本发明提供一种双重图形化的掩膜的形成方法，提高形成的双重图形化的掩膜的图形质量。 | ||||||
| 131 | 光罩制作过程中的参数优化方法 | CN201410815064.7 | 2014-12-24 | CN104570583A | 2015-04-29 | 杜武兵; 林伟 |
| 本发明实施例公开了一种光罩制作过程中的参数优化方法，包括参数选取步骤：选取至少3种影响光罩品质的参数，每种参数赋予预定数目个参数值，以构成实验用正交表，其他参数保持固定不变；实验步骤：根据所述正交表进行实验获得实验结果，并对每次实验的结果进行参数设计，求出每个参数在不同取值时的平均信噪比值即S/N；及绘图步骤：根据所述S/N绘制S/N 效应图，通过所述S/N 效应图分析预测出优化参数组合。本发明实施例利用正交表来挑选具有代表性的实验参数组合进行实验，以对多个主要影响光罩产品精度的参数进行优化，并确定最佳的工艺参数组合，具有优化方法简单、快速及有效的特点，大大提高了光罩产品的制作精度。 | ||||||
| 132 | 掩模板及光配向方法 | CN201410829680.8 | 2014-12-26 | CN104570489A | 2015-04-29 | 孙杰 |
| 本发明提供了一种光配向方法，包括以下步骤，提供上层面板与下层面板；提供掩模板以遮挡所述上层面板与所述下层面板，并设置所述掩膜板的透光区域；利用掩模板以第一入射方向发出紫外线曝光所述上层面板的上层配向膜与下层面板的下层配向膜；调整所述掩膜板的透光区域；利用掩模板以第二入射方向发出紫外线曝光所述上层面板的上层配向膜与下层面板的下层配向膜。本发明还公开一种掩膜板。本发明的掩模板只需一块掩模板进行次曝光就可以完成整个液晶显示装置中配向膜的制程，可有效减少曝光次数、简化制造过程。 | ||||||
| 133 | 使用不对称嵌入式成像目标的聚焦监测方法 | CN201380036087.1 | 2013-06-04 | CN104412359A | 2015-03-11 | 崔东燮; B·皮尔逊; 戴维·天; J·曼卡; 朴东顺 |
| 本发明涉及一种用于监测掩模聚焦的方法，其包含测量包含亚分辨率辅助特征的目标特征中的轮廓不对称性及基于轮廓与对应掩模的聚焦之间的已知相关导出聚焦响应。计算机系统可在光刻工艺中基于此类所导出的信息调整掩模聚焦以符合所要制造工艺。 | ||||||
| 134 | 曝光装置、液晶显示装置及其制造方法 | CN201080059879.7 | 2010-10-29 | CN102687078B | 2014-09-17 | 井上威一郎; 宫地弘一 |
| 本发明提供一种在扫描曝光时即使扫描暂时停止也能够抑制在接续部视认出显示不均的曝光装置、液晶显示装置及其制造方法，本发明是用于对设置于基板上的光取向膜进行曝光的曝光装置，曝光装置包括光源和光掩模，且一边对光源和基板中的至少一个进行扫描，一边隔着光掩模对光取向膜进行曝光，当将对光源和基板中的至少一个进行扫描的方向设为扫描方向，将与扫描方向垂直的方向设为垂直方向时，光掩模具有：第一区域；和沿垂直方向与第一区域相邻的第二区域，第一区域在第一遮光部内具有多个第一透光部，多个第一透光部沿垂直方向排列，第二区域在第二遮光部内具有多个第二透光部，多个第二透光部比多个第一透光部小，多个第二透光部沿垂直方向排列并且沿扫描方向离散地分散。 | ||||||
| 135 | 曝光装置及其曝光方法 | CN201310069610.2 | 2013-03-05 | CN104035285A | 2014-09-10 | 伍强; 祖延雷; 胡华勇; 顾一鸣 |
| 一种曝光装置及其曝光方法，所述曝光装置，包括：基台；晶圆载物台组，所述晶圆载物台组包括若干晶圆载物台，若干晶圆载物台依次在基台上的第一位置和第二位置之间循环移动；对准检测单元，进行晶圆的对准；掩膜板载物台，用于装载圆筒形掩膜板，并使所述圆筒形掩膜板绕中心轴旋转；光学投影单元，将透过圆筒形掩膜板的光投射到晶圆载物台上晶圆的曝光区；当晶圆载物台从第一位置移动到第二位置，然后沿扫描方向的单方向扫描时，圆筒形掩膜板绕中心轴旋转，透过圆筒形掩膜板的光投射到晶圆载物台上的晶圆上，对晶圆上的沿扫描方向排列的某一列曝光区进行曝光。进行曝光时，晶圆载物台不需要改变扫描方向，从而节省了曝光时间，提高了曝光效率。 | ||||||
| 136 | 用于硬掩模组合物的单体、包含该单体的硬掩模组合物、以及使用该硬掩模组合物形成图案的方法 | CN201280065648.6 | 2012-11-29 | CN104024940A | 2014-09-03 | 金润俊; 田桓承; 赵娟振; 尹龙云; 李忠宪; 权孝英; 崔有廷 |
| 本发明涉及一种由式1表示的用于硬掩模组合物的单体、包含该单体的硬掩模组合物、以及使用该硬掩模组合物形成图案的方法。 | ||||||
| 137 | 形成抗静电膜的组合物及低聚物化合物 | CN201280059789.7 | 2012-11-12 | CN103975038A | 2014-08-06 | 西田登喜雄; 水落龙太; 坂本力丸; 山田智久; 中家直树; 高山祐树 |
| 本发明的课题是提供一种对抗蚀剂表面的涂布性优异，用于形成可以防止抗蚀剂膜带电的抗静电膜的组合物。作为解决本发明课题的方法涉及一种形成抗静电膜的组合物，其含有下述式(1A)所示的低聚物化合物和水。(1)(式中，R1表示氢原子或下述式(2)所示的基团，R2和R3各自独立地表示氢原子或者下述式(3)或式(4)所示的基团，多个R中的至少一个表示磺基，a和b表示满足2≤(a+b)≤6的正整数，多个x各自独立地表示0～4的整数。)(2)(3)(4)(式中，n表示满足1≤n＜(a+b+4)的整数，a、b、R和x与上述式(1A)中的含义相同，多个y各自独立地表示0～5的整数。)。 | ||||||
| 138 | 掩模 | CN201280059582.X | 2012-12-03 | CN103959157A | 2014-07-30 | 辛富建 |
| 本发明提供一种掩模、一种制造该掩模的方法、一种光照射器件、一种光照射的方法和一种制造取向有序的光配向层的方法。当使用本发明的掩膜时，可以用具有优异的线性性能和均匀的照度的光照射待照射对象的表面上。此外，例如，即使在待照射对象具有弯曲表面时，本发明的掩模可以有效地照射光。 | ||||||
| 139 | 掩模 | CN201280059578.3 | 2012-12-03 | CN103959156A | 2014-07-30 | 辛富建 |
| 本发明提供一种掩模、一种制造该掩模的方法、一种光照射器件、一种光照射的方法和一种制造取向有序的光配向层的方法。当使用本发明的掩膜时，可以用具有优异的线性性能和均匀的照度的光照射待照射对象的表面上。此外，例如，即使在待照射对象具有弯曲表面时，本发明的掩模可以有效地照射光。 | ||||||
| 140 | 硬掩模表面处理 | CN201410153574.2 | 2014-01-20 | CN103941547A | 2014-07-23 | D·王; P·特雷福纳斯三世; 山田晋太郎; K·M·奥康纳 |
| 硬掩模表面处理。提供了一种组合物，所述组合物包括：有机金属化合物；表面能为20-49erg/cm2的表面处理聚合物，所述表面处理聚合物包含选自羟基、被保护的羟基、被保护的羧基及其混合的表面处理基团和溶剂。 | ||||||
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