子分类：
- G03F1/00： 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜,光罩;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
- G03F3/00： 分色;色调值的校正(一般照相复制设备入G03B)
- G03F5/00： 网屏印刷法;其所用网屏
- G03F7/00： 图纹面,例如,印刷表面的照相制版如光刻工艺;图纹面照相制版用的材料,如:含光致抗蚀剂的材料;图纹面照相制版的专用设备(用于特殊工艺的光致抗蚀剂结构见相关的位置,例如,B44C,H01L,例如,H01L21/00,H05K)
- G03F9/00： 原版、蒙片、片框、照片、图纹表面的对准或定位,例如自动地(G03F7/22优先;照相蒙片的制备入G03F1/00;在复制用的照相印片设备中的入G03B27/00)注意: 从2012年1月1日起,G03F9/70 - G03F9/00T26组不再用于新文献分类。以前文献正逐步转移到下面新的组: - G03F9/70转入G03F9/70 - G03F9/00T12转入G03F9/7003 - G03F9/00T14转入G03F9/7049 - G03F9/00T16转入G03F9/7065 - G03F9/00T18转入G03F9/7069 - G03F9/00T20转入G03F9/7073 - G03F9/00T22转入G03F9/7088 - G03F9/00T24转入G03F9/7092 - G03F9/00T26转入G03F9/7096
| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 41 | 极紫外光（EUV）光掩模及其制造方法 | CN201310499322.0 | 2013-10-22 | CN104049455B | 2017-12-19 | 黄道旻; 石志聪; 陈嘉仁; 李信昌; 严涛南 |
| 本发明提供了EUV光掩模和用于形成EUV光掩模的方法的实施例。该方法包括：提供衬底、反射层、覆盖层、硬掩模层，以及在其中形成开口。然后，在开口中和硬掩模层的顶面上方填充吸收层。提供平坦化工艺以去除位于硬掩模层的顶面上方的吸收层且在开口中形成吸收体，其中，吸收体顶部的宽度大于其底部的宽度。 | ||||||
| 42 | 一种高亮度LED芯片及其制备方法 | CN201710672725.9 | 2017-08-08 | CN107482089A | 2017-12-15 | 袁章洁 |
| 本发明公开了一种高亮度LED芯片及其制备方法，包括：取外延片，在P型半导体层上制作透明导电层，对透明导电层靠近边缘的区域行刻蚀，在透明导电层上制作绝缘钝化层，用光刻机对绝缘钝化层进行光刻，制作P型电极和P型焊盘，制作N型电极和N型焊盘，退火，获得LED芯片，由于光刻机的光源与掩膜版之间有至少一个滤波片，屏蔽了杂光，从而减小了P型电极和N型电极的宽度，提高了出光效率。 | ||||||
| 43 | 一种负压式纳米压印设备 | CN201710769975.4 | 2017-08-31 | CN107479325A | 2017-12-15 | 赵敏洁; 杨彦涛 |
| 本发明公开了一种负压式纳米压印设备，包括支撑座和升降台，升降台的四周具有多根内部中空的升降柱固定于支撑座上，升降台可以沿升降柱移动，所述支撑座上还设有防滑硅胶垫和样品台，升降台中部设有模板以及位于模板上方的紫外灯。所述升降柱上端开口，升降柱的下端设置于支撑座的空腔底部，下端密闭，并且升降柱位于支撑座空腔内的部分侧面设有气孔，至少一个升降柱内还设有固定于升降台上能够沿升降柱移动的负压阀。采用本发明的设计，升降台下压过程，气流能够在负压阀流通，使得气压正常，不会影响防滑硅胶垫和样品台，上抬过程，体积变大，气流不流通，在空腔内形成负压，能够防止硅胶垫滑动，结构简单，勿需采用真空泵。 | ||||||
| 44 | 一种能够进行空气循环的纳米压印设备 | CN201710769532.5 | 2017-08-31 | CN107479324A | 2017-12-15 | 赵敏洁; 杨彦涛 |
| 本发明公开了一种能够进行空气循环的纳米压印设备，包括支撑座和升降台，支撑座和升降台的外部设有壳体，升降台的四周具有多根升降柱固定于支撑座上，升降台可以沿升降柱移动，所述支撑座上还设有硅胶垫和样品台，升降台中部设有模板以及位于模板上方的紫外灯。所述壳体在样平台的高度位置设有空气进口和空气出口，空气进口和空气出口相对设置，所述壳体上的空气进口沿气流的方向直径越来越大，空气出口沿气流的方向直径越来越小，空气进口直径最大处设有一层能够进行空气滤清的滤网。采用本发明的设计，能够尽量减缓空气在样品台出的空气流速，并且加快整体的空气循环效率，同时防止循环后的空气携带压印杂质，影响下一次的压印效果。 | ||||||
| 45 | 正型感光性树脂组合物 | CN201280075939.3 | 2012-09-24 | CN104641291B | 2017-12-12 | 增田有希; 龟本聪; 大西启之; 富川真佐夫 |
| 本发明涉及一种正型感光性树脂组合物，其含有(a)碱溶性聚酰亚胺、(b)在一分子中具有2个以上的环氧基的化合物、和(c)光酸产生剂，并且相对于100重量份的(a)碱溶性聚酰亚胺，(b)在一分子中具有2个以上的环氧基的化合物的含量为5～50重量份。本发明提供一种正型感光性树脂组合物，其在200℃以下的低温加热处理时，可以获得低翘曲、并且不产生由回流导致的图案掩埋、高分辨率的固化膜。 | ||||||
| 46 | 一种减少PCB板曝光不良的方法 | CN201710563797.X | 2017-07-12 | CN107438334A | 2017-12-05 | 叶志诚; 周睿; 蒋善刚 |
| 本发明提供了一种减少PCB板曝光不良的方法，针对不同的PCB板厚度放置不同厚度的垫片，包括：1)垫片的选取：A、所有不同厚度的垫片宽度为30mm，长度在300mm-750mm；B、垫片应比PCB板厚度薄0.1mm；C、PCB厚度≤0.2mm，PCB板四周可以贴红胶带(红胶带≤0.1mm)代替垫片；PCB厚度＞0.2mm，PCB板四周安放垫片；2)垫片的安放规范：D、PCB板四周都安放垫片，且所有垫片使用胶带固定；E、若PCB板边距玻璃边缘≤100mm，只需贴一条红胶带/垫片；若超过100mm应多加一条红胶带/垫片，若超过200mm应安放3条红胶带/垫片，以此类推；F、最靠近板边的一条红胶带或垫片距板边15mm-100mm。运用本发明方法能够有效降低内层曝光浪造成的报废及重工成本，从而节省成本。 | ||||||
| 47 | 一种显影装置及其喷嘴 | CN201710714454.9 | 2017-08-18 | CN107433233A | 2017-12-05 | 欧阳志华 |
| 本发明公开了一种显影装置的喷嘴，包括喷嘴本体，所述喷嘴本体内开设有中空的通道，所述喷嘴本体末端开设有连通所述通道的喷孔，且所述喷嘴本体末端包括相邻且形成夹角的第一端面和第二端面，所述喷孔设于所述第一端面和所述第二端面的交界线上。本发明还公开了一种显影装置。本发明的显影装置的喷嘴端面具有第一端面，该第一端面下端低于喷孔，使得第一端面成上翘状态，当喷孔喷出显影液时，喷出速度低或被溅射回的显影液经第一端面均匀、缓慢地流到基板上，可以防止显影液反溅以及显影液气泡产生，从而达到降低光阻破洞及光阻残留等产品不良现象的发生几率。 | ||||||
| 48 | 检查设备和方法、具有量测目标的衬底、光刻系统和器件制造方法 | CN201480067198.3 | 2014-10-13 | CN105814491B | 2017-12-05 | S·G·J·玛斯吉森; 斯蒂芬·亨斯克; M·G·M·M·范卡拉埃吉 |
| 一种用于光刻中的检查设备被披露。其包括用于衬底的支撑件，所述支撑件承载多个量测目标；光学系统，用于在预定照射条件下照射目标并且用于检测在所述照射条件下由目标衍射的辐射的预定部分；处理器，所述处理器布置成用来从衍射辐射的所述检测部分计算出对于特定目标的不对称度的测量；以及控制器，用于使所述光学系统和处理器测量出所述目标中至少两个目标的不对称度，所述至少两个目标具有在衬底上的一层内的结构与更小子结构之间的位置偏置的不同的已知分量；并且使所述光学系统和处理器从所述不对称度测量的结果计算出对于所述更小尺寸的结构的光刻过程的性能参数的测量。还披露了具备由光刻过程所形成的多个新型量测目标的衬底。 | ||||||
| 49 | 涂层的形成方法 | CN201410114618.0 | 2014-03-25 | CN104952704B | 2017-12-01 | 章国伟 |
| 一种涂层的形成方法，包括：提供半导体衬底，向半导体衬底表面喷洒涂层材料，所述涂层材料具有第一流动性；采用第一速率旋转半导体衬底进行第一旋涂工艺，使涂层材料覆盖于半导体衬底表面；对半导体衬底进行第一烘烤处理，形成第一材料层以及第二材料层，第一材料层的材料具有第二流动性，且第二流动性小于第一流动性；采用第二速率旋转半导体衬底进行第二旋涂工艺，使第二材料层的材料在第一材料层表面流动，形成具有均匀厚度的第三材料层；对半导体衬底进行第二烘烤处理，形成位于半导体衬底表面的涂层。本发明形成厚度均匀且固化的第一材料层后，进行第二旋涂工艺形成具有均匀厚度的第三材料层，提高形成的涂层的厚度均匀性。 | ||||||
| 50 | 光刻用下层膜形成用材料、光刻用下层膜形成用组合物、光刻用下层膜、抗蚀图案形成方法、及电路图案形成方法 | CN201680013444.6 | 2016-02-19 | CN107407884A | 2017-11-28 | 冈田佳奈; 牧野嶋高史; 越后雅敏; 东原豪; 大越笃 |
| 本发明提供包含将改性萘甲醛树脂氰酸酯化而得到的氰酸酯化合物的光刻用下层膜形成用材料。 | ||||||
| 51 | 清洁制剂 | CN201680018736.9 | 2016-03-31 | CN107406810A | 2017-11-28 | 稻冈诚二; W·J·小卡斯泰尔; 刘文达 |
| 本文描述了用于从图案化微电子器件去除含有铜的蚀刻后和/或灰化后残留物的组合物和方法。该去除组合物包含水、氟离子源、烷醇胺、硫酸和有机酸。该组合物从微电子器件有效去除含铜和钴的蚀刻后残留物，而不损害暴露的低k电介质和金属互连材料。 | ||||||
| 52 | 芳香族锍盐化合物、光产酸剂、抗蚀剂组合物、阳离子聚合引发剂和阳离子聚合性组合物 | CN201580077938.6 | 2015-03-18 | CN107406403A | 2017-11-28 | 柳泽智史; 户田瞳; 滋野浩一; 木村正树 |
| 提供对基板的腐蚀性低、且光刻特性优异的对光产酸剂和阳离子聚合剂有用的芳香族锍盐化合物、使用其的光产酸剂、抗蚀剂组合物、阳离子聚合引发剂和阳离子聚合性组合物。一种芳香族锍盐化合物，如下述通式(I)所示(式(I)中，R1～R10各自独立地表示氢原子、卤素原子、羟基、硝基、氰基、任选具有取代基的碳原子数1～18的烷基等，R11～R15各自独立地表示氢原子、任选具有取代基的碳原子数1～18的烷氧基等，R11～R15中的1个以上不是氢原子，X1-表示1价的有机磺酸阴离子。)。 | ||||||
| 53 | 辐射源和光刻设备 | CN201480046880.4 | 2014-07-24 | CN105474101B | 2017-11-28 | O·诺德曼; M·奥林斯 |
| 本发明公开了一种辐射源，所述辐射源包括：喷嘴，所述喷嘴被配置用于沿着液滴路径将燃料液滴束流朝向等离子体形成位置引导，并且所述辐射源被配置用于接收具有高斯强度分布、具有预定波长和沿预定轨迹传播的高斯辐射束，所述辐射源被进一步配置用于将辐射束聚焦到等离子体形成位置处的燃料液滴上。所述辐射源包括相位板结构，所述相位板结构包括一个或更多个相位板。所述相位板结构具有第一区和第二区。所述区被布置成使得通过第一区的具有预定波长的辐射和通过第二区的具有预定波长的辐射沿着具有不同光程的各个光路传播。光程之间的差是所述预定波长的一半的奇数倍。 | ||||||
| 54 | 用于硬掩模的组合物、利用其形成图案的方法以及包括所述图案的半导体集成电路装置 | CN201280065651.8 | 2012-11-23 | CN104024941B | 2017-11-28 | 李圣宰; 文俊怜; 赵娟振; 金永珉; 尹龙云 |
| 本发明涉及一种用于形成硬掩模的组合物，其包括溶剂和包含由式1和2表示的重复单元的共聚物，一种利用其形成图案的方法，以及一种包括通过所述方法形成的图案的半导体集成电路装置。 | ||||||
| 55 | 一种曝光机光源光学模组 | CN201710780716.1 | 2017-09-01 | CN107390479A | 2017-11-24 | 王华; 陈志特; 高剑 |
| 本发明公开了一种曝光机光源光学模组，包括LED大灯板、LED模组、冷却系统、蜂窝状滤光装置，LED模组包括设置在LED大灯板上的分为32个区域且成阵列分布的UV-LED，32个区域每个区域设有92颗大功率LED；冷却系统为冰水冷却系统，包括设置在LED大灯板底部的冷却水管和水温监控系统；蜂窝状滤光装置包括设于LED大灯板上方的滤光板，滤光板上成阵列地设有蜂窝状的滤光透镜安装孔，滤光透镜安装孔内位于UV-LED的上方上下间隔地设有上、下凸透镜两层光学透镜，上凸透镜的焦距大于下凸透镜的焦距。本发明可消除杂光，保证光源发射的平行度，且能量输出最大化，更能模拟平行光进行PCB曝光，且使用寿命长。 | ||||||
| 56 | 图案形成方法 | CN201510711426.2 | 2015-10-28 | CN105573063B | 2017-11-24 | C-B·李; S·J·卡波瑞奥; J·A·迪西斯托; J·K·朴; 刘骢; C-B·徐; C·安第斯 |
| 形成电子装置的方法，其包含：(a)提供包含一个或多个待图案化的层的半导体衬底；(b)在所述一个或多个待图案化的层上形成光致抗蚀剂层，其中所述光致抗蚀剂层由包含以下的组合物形成：包含具有酸不稳定基团的单元的基质聚合物；光酸产生剂；以及有机溶剂；(c)在所述光致抗蚀剂层上涂布光致抗蚀剂外涂层组合物，其中所述外涂层组合物包含：基质聚合物；添加剂聚合物；碱性淬灭剂；以及有机溶剂；其中所述添加剂聚合物的表面能低于所述基质聚合物的表面能，且其中所述添加剂聚合物以按所述外涂层组合物的总固体计1到20重量％的量存在于所述外涂层组合物中；(d)使所述光致抗蚀剂层曝光于活化辐射；(e)在曝光后烘烤加工中加热所述衬底；以及(f)使用有机溶剂显影剂使所述经曝光膜显影。所述方法在半导体制造业具有特殊适用性。 | ||||||
| 57 | 碱显影型感光性树脂组合物、干膜和固化物、以及印刷电路板 | CN201410039780.0 | 2014-01-27 | CN104808436B | 2017-11-24 | 米元护; 浦国斌 |
| 本发明提供碱显影型感光性树脂组合物、干膜和固化物、以及印刷电路板。该碱显影型感光性树脂组合物的特征在于，含有：(A)碱溶性树脂、(B)光聚合引发剂、(C)热固化性成分、(D)热固化性促进剂、和(E)重晶石。 | ||||||
| 58 | 正性光敏树脂组合物 | CN201280065652.2 | 2012-07-17 | CN104040430B | 2017-11-24 | 权志伦; 李种和; 赵显龙; 金大润; 金上权; 金相均; 金尚洙; 尹银卿; 李俊昊; 李珍泳; 田桓承; 洪忠范; 黃银夏 |
| 公开了正性光敏树脂组合物，该正性光敏树脂组合物包含：(A)选自聚苯并噁唑前体、聚酰亚胺前体、以及它们的组合的碱溶性树脂；(B)光敏重氮醌化合物；(C)苯酚化合物；(D)有机染料以及(E)溶剂，其中，有机染料(D)包含至少一种具有590nm至700nm的吸收波长的红染料、至少一种具有550nm至590nm的吸收波长的黄染料、以及至少一种具有450nm至500nm的吸收波长的蓝染料。 | ||||||
| 59 | 曝光光罩以及光阻材料图形化方法 | CN201710709555.7 | 2017-08-18 | CN107367908A | 2017-11-21 | 李燕 |
| 本发明公开了一种曝光光罩，其包括第一曝光区域、第二曝光区域和包围所述第一曝光区域和第二曝光区域的遮光区域，所述第二曝光区域邻近于所述第一曝光区域的边缘设置，所述第二曝光区域包括按照逐渐远离所述第一曝光区域的方向依次并行排列第1至第M个子曝光区域；其中，第n个子曝光区域的曝光分辨率大于第n+1个子曝光区域的曝光分辨率；其中，M为大于2的整数，n＝1、2、3、…、M-1。本发明还公开了一种光阻材料图形化方法，采用本发明提供的曝光光罩对图形化的光阻结构层进行二次曝光、显影，实现在指定位置对光阻结构层的坡度角(taper angle)进行变更调整。 | ||||||
| 60 | 与光刻及其他应用中的超紫外辐射联用的材料、组件以及方法 | CN201710706564.0 | 2013-01-18 | CN107367900A | 2017-11-21 | 苏普瑞亚·杰斯瓦尔 |
| 描述了用于在紫外(UV)、超紫外(EUV)、和/或软X射线波长上工作的设备和系统中的纳米结构的光子学材料及相关联的组件。此类材料可用针对所选波长范围(诸如在特定UV、EUV、或软X射线波长或波长范围上)设计的纳米尺度特征来制造。此类材料可被用于制作诸如反射镜、透镜或其他光学器件、面板、光源、掩模、光刻胶之类的组件、或者用在诸如光刻、晶片图案化、生物医疗应用之类的应用或其他应用中的其他组件。 | ||||||
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