子分类：
- G03F1/00： 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜,光罩;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
- G03F3/00： 分色;色调值的校正(一般照相复制设备入G03B)
- G03F5/00： 网屏印刷法;其所用网屏
- G03F7/00： 图纹面,例如,印刷表面的照相制版如光刻工艺;图纹面照相制版用的材料,如:含光致抗蚀剂的材料;图纹面照相制版的专用设备(用于特殊工艺的光致抗蚀剂结构见相关的位置,例如,B44C,H01L,例如,H01L21/00,H05K)
- G03F9/00： 原版、蒙片、片框、照片、图纹表面的对准或定位,例如自动地(G03F7/22优先;照相蒙片的制备入G03F1/00;在复制用的照相印片设备中的入G03B27/00)注意: 从2012年1月1日起,G03F9/70 - G03F9/00T26组不再用于新文献分类。以前文献正逐步转移到下面新的组: - G03F9/70转入G03F9/70 - G03F9/00T12转入G03F9/7003 - G03F9/00T14转入G03F9/7049 - G03F9/00T16转入G03F9/7065 - G03F9/00T18转入G03F9/7069 - G03F9/00T20转入G03F9/7073 - G03F9/00T22转入G03F9/7088 - G03F9/00T24转入G03F9/7092 - G03F9/00T26转入G03F9/7096
| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 121 | EUV投射曝光设备的反射镜布置及其操作方法，及EUV投射曝光设备 | CN201380039384.1 | 2013-07-16 | CN104487899B | 2017-08-29 | B.比特纳; N.韦伯拉; S.施奈德; R.施奈德; H.瓦格纳; R.伊利夫; W.保尔斯 |
| 一种微光刻的EUV投射曝光设备的反射镜布置，包含多个反射镜，所述多个反射镜各具有在EUV光谱范围中为反射的层(32)及具有主体(34)，可对所述层施加EUV辐射。在此情况下，该多个反射镜的至少一个反射镜(32)具有包含具有负热膨胀系数的材料的至少一个层(36)。此外，还描述了一种操作反射镜布置及投射曝光设备的方法。布置至少一个热源，以便以有目标的方式局部施加热至该至少一个反射镜的具有负热膨胀系数的该至少一个层。 | ||||||
| 122 | 一种硅片边缘保护装置 | CN201410857409.5 | 2014-12-30 | CN105807575B | 2017-08-25 | 周旭; 崔海仓; 倪费; 葛黎黎 |
| 本发明公开了一种硅片边缘保护装置，包括：水平运动机构；垂直运动机构；调速装置，用于调节所述垂直运动机构的运行速度；柔性防撞机构，用于连接所述水平运动机构和所述垂直运动机构；控制装置，所述控制装置与所述调速装置信号连接，发出控制信号至调速装置，控制所述垂直运动机构的运动。本发明提供的硅片边缘保护装置可以避免瞬间强烈冲击工件台，避免压碎硅片；当发生碰撞时，可以保护工作台和硅片；并且提高了生产效率。 | ||||||
| 123 | 改善制造半导体组件的微影制程的设计特征分析法 | CN201410201861.6 | 2014-05-14 | CN104779144B | 2017-08-25 | 庄少特; 林志诚 |
| 检测一半导体装置中一定数量的晶圆，以产生多个晶圆检测数据。根据多个晶圆检测数据，利用设计特征分析法来辨识关键重要点，以改善制造半导体组件的微影制程的方法。该设计特征分析法包括了全域校准、完整芯片图案相关对比、图案特性化以及设计特征推论。全域校准系补偿芯片设计数据与晶圆检测数据之间的实体坐标偏差。完整芯片图案相关对比使用多段式图案匹配与分组以辨识高重复性缺陷为重要点。图案特性化撷取高重复性缺陷的设计图案以及设计特征。设计特征推论分析设计特征、辨识关键设计特征并且判别关键设计特征的关键性。 | ||||||
| 124 | 物镜支撑装置及光刻机 | CN201310752319.5 | 2013-12-31 | CN104749904B | 2017-08-25 | 王茜 |
| 本发明公开了一种物镜支撑装置及光刻机，该物镜支撑装置安装在光刻机上，包括：主支撑装置和辅助支撑装置；其中，所述主支撑装置的一端与物镜法兰相连，所述主支撑装置的另一端安装在主基板上；所述辅助支撑装置的一端与物镜主体连接，所述辅助支撑装置的另一端安装在内部框架上。本发明的物镜支撑装置，通过在物镜法兰处及物镜主体处分别设置主支撑装置和辅助支撑装置，从而消除以物镜法兰安装面为中心整体绕水平向（X向或Y向）转动模态振型，提高各阶振型的模态频率值，缩减物镜顶端、中心、底端间的位移响应差值，提高曝光精度。 | ||||||
| 125 | 一种计算机直接制版的柔性版及其制备方法 | CN201310710866.7 | 2013-12-19 | CN104723717B | 2017-08-25 | 王国才; 高英新; 张刚; 李志勇; 高峰; 赵军权 |
| 本发明公开一种计算机直接制版的柔性版及其制备方法，该柔性版自下而上包括支持体、感光弹性体层、防粘层和保护膜，所述版材直接用计算机扫描，然后用水或溶剂清洗，热风干燥，就可制成柔性版印版，计算机扫描在保护膜剥离前扫描或者在保护膜剥离后扫描，感光弹性体层对紫光及紫外光高度敏感，能充分交联固化；保护膜为透明薄膜。本发明实现了激光快速制版与精细网点还原的有机结合，并且与柔性版感光弹性体层粘接力好。 | ||||||
| 126 | 处理靶材的光刻系统和方法 | CN201380024169.4 | 2013-03-08 | CN104272194B | 2017-08-25 | N.弗奇尔 |
| 本发明提供一种操作用以处理夹盘(13)上的靶材(23)的靶材处理系统的方法，该方法包括：在该夹盘(13)上提供至少第一夹盘位置标记(27)和第二夹盘位置标记(28)；提供对准感测系统(17)，其被布置成用以检测这些第一和第二夹盘位置标记(27，28)，对准感测系统(17)包括至少第一对准传感器(61)和第二对准传感器(62)；以对准感测系统(17)的至少一个测量值为基础将该夹盘(13)移动至第一位置；以及测量和夹盘的第一位置有关的至少一个值。 | ||||||
| 127 | 用于EUV掩模版的表膜和多层反射镜 | CN201410077948.7 | 2011-03-17 | CN103901737B | 2017-08-25 | A·亚库宁; V·班尼恩; E·鲁普斯特拉; H·范德斯库特; L·史蒂文斯; M·范卡朋 |
| 本发明公开了一种用于EUV掩模版的表膜、多层反射镜和光刻设备，该光刻设备包括：辐射源，配置成产生辐射束；和支撑件，配置成支撑图案形成装置。所述图案形成装置配置成将图案赋予辐射束以形成图案化的辐射束。腔定位在辐射源和图案形成装置之间。所述腔包含配置成反射辐射束的至少一个光学部件，所述腔配置成允许来自辐射源的辐射通过其中。隔膜（44）配置成允许辐射束通过并阻止污染物颗粒（54）通过隔膜的管道。颗粒捕获结构（52）配置成允许气体沿间接路径从腔内部流至腔外部。间接路径配置成基本上阻止污染物颗粒（58）从腔内部到达腔外部。 | ||||||
| 128 | 消除光刻工艺过程中显影残留的方法和显示面板的制作方法 | CN201710281256.8 | 2017-04-26 | CN107065454A | 2017-08-18 | 董立文; 谷丰 |
| 本发明公开了一种消除光刻工艺过程中显影残留的方法和显示面板的制作方法。消除光刻工艺过程中显影残留的方法包括：直立旋转残留有光刻胶的基板，通过清洗液冲洗基板来去除基板上残留的光刻胶。本发明提供的消除光刻工艺过程中显影残留的方法，冲洗过程中，基板进行直立旋转，以通过重力及冲洗力的作用下使得残留的光刻胶完全的被冲洗掉，冲洗后的基板上的曝光区域不存在残留的光刻胶，确保了后续蚀刻工艺的正常进行，进而确保了后续制成的薄膜晶体管的性能，并且不会影响产量、关键尺寸和电学性能。 | ||||||
| 129 | 简易光刻机 | CN201710433003.8 | 2017-06-09 | CN107065451A | 2017-08-18 | 王伟; 白瑞光; 林萍 |
| 本发明涉及一种简易光刻机,包括箱体，箱体顶部设置有盒体，盒体内设置有电源，箱体一侧设置铰接有开关门，箱体内部上侧设置有高压汞灯，箱体内底部设置有电动转盘，高压汞灯、电动转盘均与电源电性连接，箱体下部设置有进风口，上部设置有出风口，开关门上设置有观察窗和把手，观察窗上设置有绿基玻璃，出风口设置有与电源电性连接的散热风扇，箱体内部上侧沿横向设置有卷轴，卷轴上对称设置有两个绕线轴围，绕线轴围上缠绕有悬挂软线，悬挂软线一端与绕线轴围相连接，另一端与高压汞灯相连接，本发明结构简单，设计合理，操作使用方便，简易、安全和曝光均匀。 | ||||||
| 130 | 一种多光谱混合波合束光源与曝光机 | CN201710174525.0 | 2017-03-22 | CN107065448A | 2017-08-18 | 林国栋; 张松岭; 黄明明 |
| 本发明涉及光学设备领域，公开了一种多光谱混合波合束光源与曝光机，其中光源包括第一光源、第二光源与光源合束镜，光源合束镜设于第一光源与第二光源所射出的光束的相交处，其可对第一光源射出的第一光束进行折射，以及对第二光源射出的第二光束进行反射，第二光束经反射后沿第一光束前进的方向射出，以与第一光束形成混合光束。本发明通过光源合束镜的折射及反射功能可以获得包含至少两种波长的混合光束，该混合光束在与待曝光玻璃上的油墨反应时能满足曝光工艺中的能量需求，同时混合光束中的各组成光束相互平行，从而可以保证曝光的尺寸精度，达到最佳的固化效果。 | ||||||
| 131 | 一种激光直写的数据处理方法及系统 | CN201611267996.8 | 2016-12-31 | CN107065442A | 2017-08-18 | 王运钢; 陈修涛; 韩非; 高明; 吴景舟 |
| 本发明公开了一种激光直写的数据处理系统，所述系统包括主机、从机、数据处理模块和空间光调制器；所述数据处理模块由数据接收单元、数据处理单元、数据存储单元和数字光处理芯片组构成；所述数字光处理芯片组包括数字光处理芯片、程序存储芯片和图像传输芯片；所述主机和所述从机之间以及所述从机和所述数据处理模块之间通过数据传输线相连；所述数据处理模块和空间光调制器间通过数据排线相连。本发明还公开了利用所述系统进行数据处理的方法。本发明的数据处理系统相对于现有的激光直写数据处理系统精简光纤传输板，减少数据传输节点，缩短数据链路，系统集成度高，处理过程简洁，便于维护；组件间数据传输量小；成本低。 | ||||||
| 132 | 微影方法 | CN201611071435.0 | 2016-11-29 | CN107045263A | 2017-08-15 | 訾安仁; 张庆裕 |
| 本公开提供半导体装置的形成方法与材料。此方法包含形成光致抗蚀剂于基板上。光致抗蚀剂包含酸活性基团(ALG)连接至极性单元。此方法亦包含以射线束曝光光致抗蚀剂、烘烤光致抗蚀剂；以及对光致抗蚀剂进行显影工艺。 | ||||||
| 133 | 一种检测显示性能的检测板及其检测方法 | CN201710377598.X | 2017-05-25 | CN107037694A | 2017-08-11 | 程天顺; 赵勇伟; 张俊鹏; 张小勇 |
| 本发明公开了一种检测显示性能的检测板，包括一介质板A；所述的介质板A上的同一水平方向上设有不同的图形，图形在介质板A上呈一定的规则排布；所述的图形上包括有不同粗细的图形线，所述的图形线之间也呈规则排布；所述的不同的图形之间留设有规则排布的图形间距；所述的图形的一侧还设有标示符，所述的标示符与图形之间至少设有一个空白间隙；所述的不同的图形线之间设有图形线间距，所述的图形线间距呈有序规则排布；所述的图形线及图形间距的尺寸精度必须为0.01mm。本发明还公开了检测板的检测方法，此方法可快速检测检测板的曝光精度及曝光所需的能量，且方法操作简单，提高了检测的效率，加速了曝光行业的生产加工过程。 | ||||||
| 134 | 一种新型的UVLED曝光光源均匀性实时测试系统 | CN201610956379.2 | 2016-10-28 | CN107037693A | 2017-08-11 | 谭艾英; 杨若夫; 孙秀辉; 蔡文涛; 陈建军; 尹韶云 |
| 本申请公开了一种新型的UVLED曝光光源均匀性实时测试系统，包括多个PIN光电探测及信号处理模块、高精度A/D采集模块、中心控制及数据处理模块和显示模块，每个PIN光电探测及信号处理模块分别独立封装，高精度A/D采集模块、中心控制及数据处理模块和显示模块集成于同一电路板上，PIN光电探测及信号处理模块与高精度A/D采集模块之间可拆卸连接，多个PIN光电探测及信号处理模块用以获取曝光面在同一时刻不同定点处的照度，中心控制及数据处理模块连接于高精度A/D采集模块和显示模块之间。本发明采用多个探头模组，自动快速探测曝光面照度，并实时计算和显示光照面的均匀性，具有均匀度测试计算简单、快速、便捷、准确、便于仪器均匀性调节、便于携带等优点。 | ||||||
| 135 | 半导体装置的制造方法 | CN201611024469.4 | 2016-11-15 | CN107037687A | 2017-08-11 | 石训全; 李岳勋; 朱远志; 秦圣基 |
| 本公开的实施例提供半导体装置的制造方法，此方法包含以辐射光束照射基底的第一表面。当照射基底的第一表面时，将前驱气体引入靠近第一表面，以沉积包含第一材料的一层。在沉积此层之后，从靠近第一表面处将前驱气体移除。在移除前驱气体之后与在形成另一层于此层上方之前，当照射此层的第二表面时，将清洁气体引入靠近此层的第二表面，以将第一材料转变为第二材料。 | ||||||
| 136 | 物体交换方法、物体交换系统、曝光装置、平面显示器的制造方法、及组件制造方法 | CN201380049087.5 | 2013-08-07 | CN104662478B | 2017-08-11 | 青木保夫 |
| 将载置于基板载台装置(20)上的基板(P1)交换成其他基板(P2)，其包含：使保持有基板(P1)的基板载台装置(20)位于既定的物体交换位置的动作；使基板(P1)悬垂支撑于设在物体交换位置的悬垂支撑装置(50)的动作；使悬垂支撑于悬垂支撑装置(50)的基板(P1)从基板载台装置(20)离开的动作；将基板(P2)插入悬垂支撑于悬垂支撑装置(50)的基板(P1)与基板载台装置(20)之间而将该基板(P2)移交至基板载台装置(20)的动作；以及通过使基板(P1)相对悬垂支撑装置(50)移动以将基板(P1)从物体交换位置搬出的动作。 | ||||||
| 137 | 一种高精度三维激光曝光固化工艺 | CN201710354582.7 | 2017-05-19 | CN107024837A | 2017-08-08 | 朱刚; 周劼; 文林海; 吕俊峰 |
| 本发明提供一种高精度三维激光曝光固化工艺，包括以下步骤，S1：读取待加工物件的三维矢量图；S2：计算待加工物件的三维曝光路径，并依据三维矢量图进行三维路径插补；S3：根据三维曝光路径及激光加工设备的光路系统中各镜片的参数信息计算实际加工过程各时间点激光加工设备中扩束镜与三维动态聚焦振镜之间在光轴方向的距离；S4：将待加工物件固定在激光加工设备中的三维旋转夹具系统中；S5：启动激光加工设备，使得三维旋转夹具系统与三维动态聚焦系统同时运行，实际激光固化过程可以达到灵活驱动高速动态Z轴，实现激光光斑的高速变焦，由于实际的聚焦面为曲面，所以采用本工艺可以较好的实现针对曲面的曝光固化加工，保证高精确度和高效率。 | ||||||
| 138 | 扫描装置 | CN201480035425.4 | 2014-06-20 | CN105324722B | 2017-08-08 | 乌尔里希·克鲁格; 托马斯·德雷斯勒; 斯特凡·海涅曼 |
| 本发明涉及一种扫描装置，其包括光源(1)、具有多面镜(2.1)的扫描单元(2)、前置扫描光学件(3)和后置扫描光学件(4)，其中，前置扫描光学件(3)前置于多面镜(2.1)，使得来自光源(1)的射线束(1.1)在交叉扫描平面中以入射角(α)照射到多面镜(2.1)上，并且后置扫描光学件的光学轴线(4.0)沿多面镜(2.1)的反射方向布置。通过如下方式使在光源(1)成像到扫描线(5)上时出现的失真，即梯形失真和扫描弧最小化，即，后置扫描光学件(4)的柱镜(4.2)在交叉扫描平面中相对于多面镜(2.1)的面法线以第一倾斜角(β)倾斜，并且扫描光学件(4)的两个修正透镜中的一个(4.1.1、4.1.2)相对于后置扫描光学件的光学轴线(4.0)以第二倾斜角(γ)倾斜并且错开了间距(a)地布置。 | ||||||
| 139 | 家用电器的外部装饰面板及其制造的方法 | CN201410643464.4 | 2014-11-10 | CN104630873B | 2017-08-08 | 崔原硕; 林泰勋; 金善圭; 金封香 |
| 制造家用电器的外部装饰面板包括：在金属板的正面上层叠感光干膜，所述感光干膜具有比所述金属板更高的对抗电解液的抗蚀阻力；光掩模附着于所述金属板的所述感光干膜，以在所述感光干膜中创造具有最小宽度0.1mm的图案，由此暴露对应于所述感光干膜中所述图案的所述金属板的所述正面；通过将所述光掩模金属板浸在电解槽中，电解抛光所述光掩模金属板，以允许所述电解液接触所述金属板的所述被暴露的正面并且在所述金属板的所述正面中形成所述图案；以及在所述金属板上执行后处理，所述后处理包括洗涤和去除所述感光干膜。 | ||||||
| 140 | 重氮树脂、光刻胶组合物及其配制方法 | CN201510012836.8 | 2015-01-09 | CN104530342B | 2017-08-08 | 汪建国 |
| 本发明提供一种含有重氮树脂的光刻胶组合物及其配制方法，用于解决现有技术存在的重氮树脂由于热稳定性差，产生重氮树脂存储期限短，以及由重氮树脂制成的感光胶存储期限短，而无法应用于LCD光刻胶中的问题。本发明提供的重氮树脂、光刻胶组合物及其配制方法，由于重氮树脂的热稳定性优良，运用于负性光刻胶中，抗干法刻蚀能力强，分辨率也高；同时，在曝光过程中，部分重氮树脂能与形成阻挡层或钝化层的SiO或SiON膜表面的氢键交联而提高光刻胶与膜层的附着力，显影过程中不会出现光刻胶脱落，从而省去掩模前还要使用增粘剂来增强光刻胶与SiO或SiON膜表面附着力的工艺过程。 | ||||||
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