子分类：
- G03F1/00： 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜,光罩;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
- G03F3/00： 分色;色调值的校正(一般照相复制设备入G03B)
- G03F5/00： 网屏印刷法;其所用网屏
- G03F7/00： 图纹面,例如,印刷表面的照相制版如光刻工艺;图纹面照相制版用的材料,如:含光致抗蚀剂的材料;图纹面照相制版的专用设备(用于特殊工艺的光致抗蚀剂结构见相关的位置,例如,B44C,H01L,例如,H01L21/00,H05K)
- G03F9/00： 原版、蒙片、片框、照片、图纹表面的对准或定位,例如自动地(G03F7/22优先;照相蒙片的制备入G03F1/00;在复制用的照相印片设备中的入G03B27/00)注意: 从2012年1月1日起,G03F9/70 - G03F9/00T26组不再用于新文献分类。以前文献正逐步转移到下面新的组: - G03F9/70转入G03F9/70 - G03F9/00T12转入G03F9/7003 - G03F9/00T14转入G03F9/7049 - G03F9/00T16转入G03F9/7065 - G03F9/00T18转入G03F9/7069 - G03F9/00T20转入G03F9/7073 - G03F9/00T22转入G03F9/7088 - G03F9/00T24转入G03F9/7092 - G03F9/00T26转入G03F9/7096
| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 161 | 一种富含水的光阻残留物清洗液组合物 | CN201511019286.9 | 2015-12-30 | CN106933067A | 2017-07-07 | 郑玢; 刘兵; 孙广胜; 黄达辉 |
| 本发明公开了一种去除光阻蚀刻残留物的清洗液组合物，其包含:(a)醇胺(b)溶剂(c)水(d)酚类化合物(e)表面活性剂。该清洗液组合物富含水且不含氟化物和羟胺，能够快速的去除由于硬烤、干法刻蚀、灰化和等离子注入引起复杂化学变化，而发生交联硬化的光刻胶，并且能够实现在去除金属线(Metal)、通孔(Via)和金属垫(Pad)晶圆上的光阻残留物的同时，对于基材(如金属铝，非金属二氧化硅等)基本没有攻击，特别是对于金属铝有良好的保护作用。本发明的清洗液在半导体晶片清洗等领域具有良好的应用前景。 | ||||||
| 162 | 光致抗蚀剂组合物、包括光致抗蚀剂组合物的经涂布衬底和形成电子装置的方法 | CN201611196014.0 | 2016-12-21 | CN106933030A | 2017-07-07 | E·阿卡德; W·威廉姆斯三世; J·F·卡梅伦 |
| 一种光致抗蚀剂组合物，其包括酸敏性聚合物和具有式(I)的光酸产生剂化合物：其中，EWG、Y、R和M+与说明书中所描述相同。 | ||||||
| 163 | 一种六自由度调节装置 | CN201511031817.6 | 2015-12-31 | CN106932878A | 2017-07-07 | 王凯 |
| 本发明公开了一种六自由度调节装置，包括定位基座和与所述定位基座连接的六自由度调节机构，所述六自由度调节机构包括用于装配芯片的芯片定位座，用于装配所述芯片定位座的角度调节基板，设于所述角度调节基板上的X/Y向水平调节组件、Z向及绕X/Y向调节组件及绕Z向调节组件。本发明不仅有效实现对光电转换芯片的六自由度调节，无需借助其他定位装置，精度高、操作简便；且光电转换芯片的旋转中心与光轴重合，进行绕光轴旋转调节时，不会使其他自由度发生变化，调节快、效率高，本发明结构简单，重量轻便，成本低廉，切实满足了实际应用的需要。 | ||||||
| 164 | 用于彩色滤光片的光敏树脂组合物及使用其的彩色滤光片 | CN201280063124.3 | 2012-05-17 | CN104024939B | 2017-07-07 | 文京守; 金昇炫; 金宰贤; 辛明晔; 元东勋; 田桓承 |
| 公开了用于彩色滤光片的光敏树脂组合物及使用其的彩色滤光片，该光敏树脂组合物包含：(A)含有选自由以下化学式1和2表示的化合物中的至少一种的方酸菁染料(squaraine dye)、(B)碱溶性树脂、(C)可光聚合单体、(D)光聚合引发剂、以及(E)溶剂。 | ||||||
| 165 | 一种低蚀刻的光阻清洗液组合物 | CN201510999611.6 | 2015-12-28 | CN106919012A | 2017-07-04 | 郑玢; 刘兵; 孙广胜; 黄达辉 |
| 本发明公开了一种低蚀刻的光阻清洗液组合物，其含有(a)醇胺(b)溶剂(c)水(d)腐蚀抑制剂(e)醛类化合物。该清洗液不含氟化物和羟胺，且能够快速地去除经过硬烤、干法刻蚀、灰化和等离子注入引起复杂化学变化后交联硬化的光刻胶，能够在实现去除金属线(metal)、通孔(via)和金属垫(Pad)晶圆上的光阻残留物的同时，对基材(如金属铝，金属钨，非金属二氧化硅等)基本没有攻击。本发明的清洗液在半导体晶片清洗等领域具有良好的应用前景。 | ||||||
| 166 | 搬送方法、曝光方法、曝光裝置、及元件制造方法 | CN201610832269.5 | 2012-12-28 | CN106919001A | 2017-07-04 | 柴崎佑一 |
| 搬送方法、曝光方法、曝光裝置、及元件制造方法。本发明提供一种搬送系统，具备保持被载置的晶片(W)且能沿既定平面移动的微动载台(WFS)、从上方以非接触方式保持晶片且能垂直地移动的夹具本体(130)、以及能在微动载台(WFS)上从下方支承被夹具本体(130)保持的晶片且能垂直移动的垂直动销(140)。又，控制装置，一边维持通过夹具本体对晶片的保持状态以及维持垂直动销对晶片的支承状态，一边驱动夹具本体及垂直动销下降直到晶片下面接触微动载台(WFS)为止，以及解除上述保持状态及支承状态。 | ||||||
| 167 | 三维对象构造 | CN201380071996.9 | 2013-04-30 | CN104956672B | 2017-07-04 | 亚历杭德罗·曼纽尔·德·佩尼亚·亨佩尔; R·韦加·艾因萨; 沙维尔·布鲁克·普拉 |
| 根据本公开各方面的用于构造三维对象的示例性方法包括：通过投影单元将三维对象的截面的图像投影在构建平面上；通过利用与所述三维对象的截面的图像对应的光横向照射所述构建平面上的光聚合材料的界面，来形成固化的截面；横向移动所述支撑平面，以将所述固化的截面与所述构建平面分离，从而产生所述固化的截面与所述构建平面之间的间隙；以及利用光聚合材料填充所述固化的截面与所述构建平面之间的所述间隙。 | ||||||
| 168 | 负型感光性硅氧烷组合物 | CN201280058463.2 | 2012-11-22 | CN103959168B | 2017-07-04 | 横山大志; 高桥惠; 福家崇司; 田代裕治; 田中泰明; 吉田尚史; 野中敏章 |
| 本发明提供一种感光性硅氧烷组合物，其为高分辨率、高耐热性、高透明性，不需提高交联剂和/或硅氧烷化合物的分子量即可抑制在热固化中容易产生的热塌陷，具有高感光度、高残膜率的特性。一种负型感光性聚硅氧烷组合物，其特征在于，其包含(I)聚硅氧烷混合物、(II)固化助剂以及(III)溶剂，所述(I)聚硅氧烷混合物包含(Ia)预烘烤后的膜可溶于5重量％四甲基氢氧化铵水溶液并且其溶解速度为3,000/秒以下的聚硅氧烷、以及(Ib)预烘烤后的膜对2.38重量％四甲基氢氧化铵水溶液的溶解速度为150/秒以上的聚硅氧烷。 | ||||||
| 169 | 光敏树脂组合物及其固化产物 | CN201280037959.1 | 2012-07-26 | CN103718108B | 2017-07-04 | 大西美彩都; 稻垣真也; 今泉尚子; 本田那央 |
| 本发明涉及一种碱显影型光敏树脂组合物，包含：多羧酸树脂(A)，其通过使在两末端具有环氧基并且环氧当量为600g/当量～1,300g/当量的双官能双酚环氧树脂(a)和具有醇羟基的一元羧酸化合物(b)的反应产物(ab)与多元酸酐(c)反应而得到；在一个分子中具有两个以上环氧基的环氧树脂(B)；以及光酸产生剂(C)，其中所述一元羧酸化合物(b)对所述环氧树脂(a)的1当量环氧基的加成率为80当量%以上；并且所述多元酸酐对所述反应产物(ab)的1当量伯羟基的加成率为80当量%以上。 | ||||||
| 170 | 图案形成体的制造方法 | CN201480033453.2 | 2014-06-06 | CN105555533B | 2017-06-30 | 伊藤牧八; 远藤亮介; 尹炅成; 近藤洋文 |
| 本发明提供一种可以简便地得到表面自由能不同的图案的图案形成体的制造方法。在基材(11)上涂布含有表现出低表面自由能的第1化合物和表现出高于第1化合物的表面自由能的第2化合物的树脂组合物(12)，使树脂组合物(12)与形成有基于表面自由能差的图案的原版(20)接触并使其固化，在基材(11)上形成转印有原版(20)的图案的固化树脂层。 | ||||||
| 171 | 触控面板及其制造方法和显示装置 | CN201410419265.5 | 2014-08-22 | CN104216562B | 2017-06-30 | 崔承镇; 牛菁; 孙双; 张方振 |
| 本发明提供一种触控面板，包括多条第一触控电极和多条第二触控电极，第二触控电极包括与第一触控电极同层设置的电极部和位于电极部下方的连接部，电极部包括位于第一触控电极左侧的第一电极部和位于第一触控电极右侧的第二电极部，连接部将第一电极部和第二电极部电连接，且连接部与第一触控电极间隔设置，触控面板还包括一体形成的绝缘件，绝缘件包括位于连接部和第一触控电极之间的第一绝缘部和位于第一电极部与第一触控电极之间以及第二电极部与第一触控电极之间的第二绝缘部。本发明还提供触控面板的制造方法和显示装置。在所述触控面板中，可以通过一次构图工艺获得绝缘部，从而可以简化制造触控面板的制造方法。 | ||||||
| 172 | 正型感射线性组合物、显示元件用层间绝缘膜及其形成方法 | CN201180020623.X | 2011-04-18 | CN102859439B | 2017-06-30 | 一户大吾 |
| 本发明为正型感射线性组合物，其含有：[A]在同一或不同的聚合物分子中包含具有下述式(1)所示的基团的结构单元(I)与含环氧基的结构单元(II)的聚合物；[B]酸产生体；以及[C]由下述式(2)所示的含氮化合物及下述式(3)所示的含氮化合物所组成的群中选出的至少一种含氮化合物。由上述式(2)中的R6及上述式(3)中的R9及R10所组成的群中选出的至少一种基团优选为叔丁基、叔戊基、1‑甲基环己基或1‑乙基环己基。 | ||||||
| 173 | 具有可选择像素密度的全晶片检测方法 | CN201611168660.6 | 2016-12-16 | CN106898564A | 2017-06-27 | D·M·欧文; B-H·李; E·鲍彻; A·M·霍里鲁克 |
| 本发明涉及具有可选择像素密度的全晶片检测方法。本发明公开用于半导体晶片的全晶片检测方法。一种方法包括同时在半导体晶片的整个表面的测量部位上以最大测量部位像素密度ρmax进行选择测量参数的测量以获得测量数据，其中以最大测量部位像素密度ρmax获得的测量部位像素的总数在104与108之间。该方法亦包括定义半导体晶片的表面的多个分区，其中该多个分区中的每一者具有测量部位像素密度ρ，其中该多个分区中的至少两者具有不同尺寸的测量部位像素且因此具有不同测量部位像素密度ρ。该方法亦包括基于多分区及对应测量部位像素密度ρ而处理测量数据。该经处理测量数据可用于对用以在半导体晶片上形成器件的程序进行统计处理控制。 | ||||||
| 174 | 钟表部件 | CN201611022971.1 | 2016-11-18 | CN106896694A | 2017-06-27 | C·沙邦 |
| 本发明涉及一种钟表部件(1)，其包括由适于电成型的材料制成的芯体(2)，在一个实施例中，所述材料包含镍磷合金或者由镍磷合金制成，所述芯体(2)至少局部地涂覆金或金合金的表面层(3)，以改善芯体在包括所述金或金合金的表面层(3)的区域(4)中的摩擦学性能，所述钟表部件(1)通过包括以下步骤的制造方法制成：‑制备适于通过LIGA或电成型技术形成实心芯体(2)的组合物；‑通过LIGA或电成型技术来成形实心芯体(2)；‑至少局部地在经受摩擦的区域(4)中对实心芯体(2)涂覆金或金合金的表面层(3)。 | ||||||
| 175 | 增强分辨率DLP投影机设备及其使用方法 | CN201480026562.1 | 2014-03-13 | CN105209972B | 2017-06-27 | 格申·米勒 |
| 一种用于投影包括多个单色光源(111‑113)的单色显示的DLP投影机设备(10)。DLP投影机(10)适于从它的DMD芯片(100)的每个微反射镜来辐射包括相对于彼此移位的多个辐射位置的图像。DLP投影机设备(10)包括适于根据在对象生产文件中的辐射方案控制从多个光源(111‑113)到该图像的辐射的控制器单元。DLP投影机设备(10)还设置有成像台(240)，其适于在垂直于DLP投影机设备(10)的成像光束的平面中移动。该台的移动与DLP投影机设备(10)的成像方案相互协调和同步。根据在对象生产文件中的辐射方案来控制该成像方案和该台的移动。 | ||||||
| 176 | 曝光装置、掩模及光学膜 | CN201280076086.5 | 2012-10-26 | CN104685417B | 2017-06-27 | 梅泽康昭; 佐藤达弥; 浦和宏; 渡部贤一; 角张祐一 |
| 曝光装置变得复杂。一种曝光装置，其其具备输送部、第一偏振光输出部、第二偏振光输出部、第一掩模部及第二掩模部，所述输送部沿输送方向输送形成有取向膜的基材；所述第一偏振光输出部朝向取向膜，输出第一偏振光方向的第一偏振光；所述第二偏振光输出部配置于输送方向上比第一偏振光输出部靠下游侧，朝向取向膜输出第二偏振光方向的第二偏振光，所述第二偏振光方向以小于90°的角度与第一偏振光方向交叉；所述第一掩模部配置于基材与第一偏振光输出部之间，形成有使对取向膜进行曝光的第一偏振光透过的第一开口部，并对第一偏振光进行遮光；所述第二掩模部配置于基材与第二偏振光输出部之间，形成有使对取向膜进行曝光的第二偏振光透过的第二开口部，并对第二偏振光进行遮光；第一开口部及第二开口部形成为对具有取向膜的某个区域进行重复曝光；第一开口部包含使第一偏振光朝向区域透过的第一开口区域；第二开口部包含使第二偏振光朝向区域透过的第二开口区域。 | ||||||
| 177 | 运动台反力抵消装置 | CN201310612812.7 | 2013-11-26 | CN104678711B | 2017-06-27 | 李莉; 杨辅强; 朱岳彬 |
| 本发明公开了一种运动台反力抵消装置，包括：主动阻尼元件、速度测量元件、弹性元件、解耦机构以及线性导轨；所述线性导轨安装在电机定子下；所述主动阻尼元件的一侧与所述电机定子连接，另一侧与反力支撑架连接；所述弹性元件的一侧与所述电机定子相连，另一侧与所述解耦机构连接；所述解耦机构的另一端与光刻机的反力支撑架相连；所述速度测量元件设置于所述电机定子上。本发明采用主动阻尼元件来提供阻尼完成反力抵消，采用速度测量元件实时监控电机定子的速度，实时控制主动阻尼元件施加的主动阻尼力的大小。结构简单，而且可以根据电机定子的运动情况实时改变阻尼力的大小，保证在有效的缓冲行程内有效衰减直线电机定子动能。 | ||||||
| 178 | 金属结构光刻蚀刻方法以及金属结构光刻蚀刻结构 | CN201710079112.4 | 2017-02-14 | CN106887388A | 2017-06-23 | 沈思杰; 李伟峰; 沈惠平; 肖培 |
| 本发明提供了一种金属结构光刻蚀刻方法以及金属结构光刻蚀刻结构。根据本发明的金属结构光刻蚀刻方法包括：第一步骤：形成金属阻挡层；第二步骤：执行第一金属层的沉积；第三步骤：在第一金属层上依次形成抗反射层和抗反射层光刻胶；第四步骤：在抗反射层光刻胶上形成ARF光刻胶；第五步骤：对抗反射层光刻胶和ARF光刻胶进行图案化处理；第六步骤：利用图案化的抗反射层光刻胶对抗反射层执行刻蚀；第七步骤：利用图案化的ARF光刻胶对金属层执行刻蚀。本发明提供了提供一种能够适用于90nm闪存器件的金属结构光刻蚀刻方法以及金属结构光刻蚀刻结构。 | ||||||
| 179 | 一种步进式光刻机对位监控方法 | CN201410295485.1 | 2014-06-26 | CN105223781B | 2017-06-23 | 姚振海 |
| 本发明提供了一种步进式光刻机对位监控方法，包括提供包括多个视场的测试版，基于每个视场得出一组overlay值；根据每个视场的overlay值计算一组补偿量；将产品的对位补偿值与每一个视场的每组补偿量进行比较，利用产品的对位补偿值对该产品进行对位补偿，其中，该产品的对位补偿值与其中一个视场的一组补偿量接近。本发明兼顾了各种视场的产品，不论视场大小，均可以做到精确补偿，可以加工前就给出预估补偿值，大大降低对位偏移发生的概率，本发明在不增加成本与人力的基础上，有效的改善对位控制。 | ||||||
| 180 | 用于硬掩模组合物的单体和包含单体的硬掩模组合物及使用硬掩模组合物形成图案的方法 | CN201310300799.1 | 2013-07-17 | CN103896736B | 2017-06-23 | 李圣宰; 田桓承; 赵娟振; 李哲虎; 李忠宪 |
| 本发明公开了用于硬掩模组合物的单体和包含单体的硬掩模组合物及使用硬掩模组合物形成图案的方法。用于硬掩模组合物的单体，由下面化学式1表示，其中在化学式1中，A0、A1、A2、L1、L1′、L2、L2′、X1、X2、m和n与具体实施方式中相同。[化学式1] | ||||||
QQ群二维码
意见反馈
意见反馈