子分类：
- G03F1/00： 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜,光罩;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
- G03F3/00： 分色;色调值的校正(一般照相复制设备入G03B)
- G03F5/00： 网屏印刷法;其所用网屏
- G03F7/00： 图纹面,例如,印刷表面的照相制版如光刻工艺;图纹面照相制版用的材料,如:含光致抗蚀剂的材料;图纹面照相制版的专用设备(用于特殊工艺的光致抗蚀剂结构见相关的位置,例如,B44C,H01L,例如,H01L21/00,H05K)
- G03F9/00： 原版、蒙片、片框、照片、图纹表面的对准或定位,例如自动地(G03F7/22优先;照相蒙片的制备入G03F1/00;在复制用的照相印片设备中的入G03B27/00)注意: 从2012年1月1日起,G03F9/70 - G03F9/00T26组不再用于新文献分类。以前文献正逐步转移到下面新的组: - G03F9/70转入G03F9/70 - G03F9/00T12转入G03F9/7003 - G03F9/00T14转入G03F9/7049 - G03F9/00T16转入G03F9/7065 - G03F9/00T18转入G03F9/7069 - G03F9/00T20转入G03F9/7073 - G03F9/00T22转入G03F9/7088 - G03F9/00T24转入G03F9/7092 - G03F9/00T26转入G03F9/7096
| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 21 | 用于在远紫外光刻中将同步加速器用作源的装置 | CN200920219115.4 | 2009-10-13 | CN201540455U | 2010-08-04 | L·S·梅尔文三世 |
| 本实用新型提供一种用于在远紫外光刻(EUVL)系统将同步加速器用作源的装置，其中同步加速器的能量随着时间减少。EUVL系统可以包括步进器，其使用步进重复方式或步进扫描方式来将图案从标线片转移到晶片上。要求晶片以基本恒定的剂量曝光。在操作期间，系统可以测量同步加速器电流，并基于同步加速器电流来调整步进器的曝光持续时间或步进器的扫描速度，使得晶片以基本上恒定的剂量曝光。注意，使用同步加速器电流来控制步进器可以使得EUVL系统能够使晶片以基本上恒定的剂量曝光，而无需使用用来监控源的能量的附加设备。 | ||||||
| 22 | 光学元件驱动机构 | CN201721038713.2 | 2017-08-18 | CN207424398U | 2018-05-29 | 吴富源; 郭侲圻; 宋欣忠 |
| 本实用新型公开了一种光学元件驱动机构，设置于一电子装置内并用以承载多个光学元件，包括一底板、一基座、一第一承载件和第二承载件及一偏压组件。前述底板与电子装置的一壳件相互固定，第一承载件和第二承载件分别用以承载一光学元件并设置于基座上。前述偏压组件连接底板与基座，并带动基座与第一承载件和第二承载件相对于底板移动。本实用新型提供的光学元件驱动机构，偏压组件连接底板与基座，并带动基座与第一承载件和第二承载件相对于底板移动，可达成光学对焦或光学晃动补偿的功能。 | ||||||
| 23 | 基板处理装置 | CN201721058463.9 | 2017-08-23 | CN207052580U | 2018-02-27 | 畠山真一; 渡边圣之; 西幸三; 户塚诚也; 吉原健太郎 |
| 本实用新型涉及基板处理装置，特别涉及涂布膜的基板处理装置。能够有效提高涂布膜的膜厚的均匀性。涂布和显影装置具备：喷嘴，其向晶圆喷出处理液；压送部，其向喷嘴侧加压输送处理液；送液管路，其具有从压送部侧向喷嘴侧排列的阀(53、54)，用于从压送部向喷嘴引导处理液；以及控制器。控制器构成为执行以下动作：在阀(54)关闭且阀(53)与阀(54)之间的压力比压送部与阀(53)之间的压力高的状态下打开阀(53)；控制压送部以使由于阀(53)打开而降低的阀(53)与阀(54)之间的压力上升；以及在由于阀(53)打开而阀(53)与阀(54)之间的压力降低之后打开阀(54)。本实用新型能够应用于基板处理装置。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利 | ||||||
| 24 | 一种掩膜板 | CN201621175982.9 | 2016-11-01 | CN206133181U | 2017-04-26 | 吴四权; 张心杰; 陈号 |
| 本实用新型提供了一种掩膜板，所述掩膜板包括：完全透光区和完全不透光区；在所述完全透光区和所述完全不透光区之间的交界位置形成有用于与掩膜形成的开口图案的边界斜坡位置相对应的能够使得光部分透过的部分透光区。本实用新型所提供的掩膜板设置部分透光区，可以对由该掩膜板掩膜形成的过孔(VIA)等开口图案的边界处斜坡的坡度进行控制改良，与现有技术中相比，过孔等开口图案斜坡的坡度缓和，通过对过孔等开口图案的边界位置处的斜坡形状进行改良，以降低过孔等开口图案边缘曝光能量，从而提高过孔等开口图案刻蚀设备管控，降低上层ITO层发生不良，防止出现各种相关产品问题，提高良率。 | ||||||
| 25 | 指纹感测装置 | CN201620045486.5 | 2016-01-18 | CN205486163U | 2016-08-17 | 卡尔·伦达尔 |
| 本实用新型涉及指纹感测装置，该指纹感测装置包括感测芯片，感测芯片包括电容性感测元件的阵列。感测装置包括：涂层材料，涂层材料被布置在感测元件的阵列之上的层中，涂层材料包括填充有粘合剂的多个腔，其中，腔的位置对应于感测元件的位置，以使得腔的横截面区域将对应感测元件的区域中的至少一部分覆盖，以及其中，粘合剂的介电常数高于涂层材料的介电常数；以及，防护板，防护板通过粘合剂附接至感测芯片。本实用新型还涉及以下感测装置：在该感测装置中，涂层包括填充有粘合剂的沟槽，涂层与粘合剂相比具有较高的介电常数。 | ||||||
| 26 | 阵列基板及显示装置 | CN201620080097.6 | 2016-01-27 | CN205318071U | 2016-06-15 | 郝学光; 程鸿飞; 乔勇; 吴新银 |
| 一种阵列基板及显示装置。阵列基板包括衬底基板和在所述衬底基板上设置的栅极金属层、有源层和源漏金属层；所述栅极金属层包括栅线和与所述栅线平行延伸的存储电极线；所述有源层包括作为薄膜晶体管(TFT)沟道区域的第一图案和与所述存储电极线在所述基板的厚度方向上至少部分重叠的第二图案，或者所述源漏金属层包括数据线图案和与所述存储电极线在所述基板的厚度方向上至少部分重叠的金属层图案。 | ||||||
| 27 | 彩色滤光片 | CN201090000939.3 | 2010-04-13 | CN202600174U | 2012-12-12 | 大河原淳平; 纐缬英斗 |
| 本实用新型提供一种彩色滤光片，其包括：光透过性的基材(21)；遮光层，其设置于上述基材(21)上，包含多个开口部组；和设置于上述基材(21)上的不同颜色的多个光透过性着色层组，其中选自上述多个光透过性着色层组中的一个光透过性着色层组，通过光刻法形成在选自上述多个开口部组中的一个开口部组内，选自上述多个光透过性着色层组中的另一个光透过性着色层组，通过喷墨法形成在选自上述多个开口部组中的另一个开口部组内。 | ||||||
| 28 | 用于确定光刻过程的过程模型的装置 | CN200920219220.8 | 2009-10-10 | CN201845335U | 2011-05-25 | J·黄; L·S·梅尔文三世 |
| 本实用新型提供一种用于确定光刻过程的过程模型的装置。光刻过程使用第一布局以对晶片进行第一曝光和显影过程，并且之后使用第二布局以对晶片进行第二曝光和显影过程。当对晶片进行第二曝光和显影过程时，晶片的表面包括至少部分地由于第一曝光和显影过程而产生的外形变化。该装置包括：接收装置，用于接收过程数据，其中过程数据包括在对所述晶片进行所述第二曝光和显影过程之后对图案的关键尺寸测量；第一确定装置，用于确定未校准的过程模型，其中未校准的过程模型包括对外形变化对于第二曝光和显影过程的影响进行建模的外形项；以及第二确定装置，通过将所述未校准的过程模型与所述过程数据进行校准来确定所述过程模型。 | ||||||
| 29 | 无铬膜层相位移光罩 | CN200420117467.6 | 2004-12-08 | CN2777600Y | 2006-05-03 | 张仲兴; 林佳惠; 陈俊光 |
| 本实用新型是关于一种无铬膜层相位移光罩，包括：一透光基底；至少一第一相位移图案，由至少一环状凹陷所构成；以及一第一次解析透光图案，是由上述环状凹陷所环绕的透光基底所构成，以与上述第一相位移图案构成曝光时所欲之转移图案。 | ||||||
| 30 | 可避免电荷效应所导致电子束偏移的光罩母片 | CN200420059606.4 | 2004-05-18 | CN2699337Y | 2005-05-11 | 林政旻 |
| 本实用新型提供了一种可避免电荷效应所导致电子束偏移的光罩母片，其结构包括：一透明基底；以及一遮蔽层，涂布于该透明基底上以完全遮蔽该透明基底。 | ||||||
| 31 | 格子窗户的杆件连接器 | CN97229514.3 | 1997-10-29 | CN2323117Y | 1999-06-09 | 金正赞 |
| 一种用以在格子窗户中水平地和垂直地将多个杆件进行连接的杆件连接器,以便极其便利地应用在同形状的杆件上,而组装杆件的各线条的时间能得到缩短,该杆件连接器包括:多个用以将多个杆件插入其中的插入部件,该插入部件突伸地设置在该杆件连接器的至少一个侧边上;一个具有中空部分以便减轻其质量的连接器主体及一个覆盖该中空部分的盖件。 | ||||||
| 32 | 基板处理装置、器件制造方法及基板处理方法 | CN201580017855.8 | 2015-03-31 | CN106133610B | 2017-12-29 | 加藤正纪; 奈良圭; 铃木智也; 渡边智行; 鬼头义昭; 堀正和 |
| 基板处理装置以使得通过多个描绘单元的各描绘线在基板上描绘出的图案彼此伴随着基板向长度方向的移动而在基板的宽度方向上接合在一起的方式，沿基板的宽度方向配置有多个描绘单元。控制部预先存储有与通过多个描绘单元分别在基板上形成的描绘线的相互的位置关系有关的校准信息，并且基于该校准信息和从移动测量装置输出的移动信息来调整通过多个描绘单元各自的描绘光束在基板上的形成的图案的描绘位置。 | ||||||
| 33 | 负型感光性树脂组合物、树脂固化膜、分隔壁和光学元件 | CN201480069461.2 | 2014-12-12 | CN105829100B | 2017-12-29 | 山田光太郎; 松浦启吾 |
| 提供能够对分隔壁上表面赋予良好的拒墨性、特别是良好的墨掉落性的负型感光性树脂组合物、上表面具有良好的拒墨性的固化膜和分隔壁、以及具有在由分隔壁分隔成的开口部均匀地涂布墨而精度良好地形成的点的光学元件。一种负型感光性树脂组合物、使用该负型感光性树脂组合物而形成的固化膜和分隔壁、以及在基板表面具有多个点和位于相邻的点间的该分隔壁的光学元件。所述负型感光性树脂组合物包含氟原子含有率为1～45质量％的拒墨剂，所述拒墨剂为水解性硅烷化合物混合物的部分水解缩合物，所述水解性硅烷化合物混合物包含具有光固化性的碱溶性树脂或碱溶性单体、光聚合引发剂和水解性硅烷化合物，所述水解性硅烷化合物具有：具备含醚性氧原子的多氟烷基的有机基团、以及水解性基团。 | ||||||
| 34 | 空白罩幕以及光罩的制造方法 | CN201280069965.5 | 2012-10-26 | CN104160335B | 2017-12-26 | 南基守; 姜亘远; 李钟华; 梁澈圭; 权顺基 |
| 本发明提供一种制造光罩(其中硬罩膜图案是用来作为蚀刻罩幕，以蚀刻在硬罩膜图案下的相反转膜)的方法。本发明还提供一种用于制造光罩的方法的空白罩幕以及使用空白罩幕的光罩。根据本发明，可将用于图案化硬罩膜的光阻膜形成为薄厚度，并且可使用具有高蚀刻选择性的硬罩膜图案来蚀刻相反转膜，且因此，光罩可由藉由遮光膜图案而将光学密度维持为3.0的方式来制造，同时可增加图案的分辨率与精确度、减少负载效应以及改善关键尺寸特性(如关键尺寸均匀度与关键尺寸线性度)。 | ||||||
| 35 | 一种曝光机载物平台装置 | CN201710747993.2 | 2017-08-28 | CN107505814A | 2017-12-22 | 袁夏梁 |
| 本发明涉及LCD产生制造技术领域，公开了一种曝光机载物平台装置，包括设置在载物平台上的若干个吸附单元，每个吸附单元包括真空挡墙围成的真空区域，所述真空挡墙的一侧或两侧为斜面，与所述载物平台连接，所述若干个真空挡墙的高度相同。在本发明中，通过以坡度放缓的真空挡墙设计，搭配细小的凸点均匀分布于载物平台上，减轻甚至消除了Stage Mura。 | ||||||
| 36 | 降冰片烯类、马来酸酐和碳酸亚乙烯酯三元共聚催化剂以及三元共聚方法 | CN201710809955.5 | 2017-09-11 | CN107501471A | 2017-12-22 | 徐卫红; 周国权; 王江波; 胡敏杰; 高浩其; 房江华; 杨建平; 王志强; 陈斌 |
| 本发明涉及降冰片烯类、马来酸酐和碳酸亚乙烯酯三元共聚催化剂及三元共聚方法；在氮气氛围的手套箱中，将二茂锇和配体在三角烧瓶中溶解于第一溶剂，得到混合溶液；然后在200-600rpm下，用磁力搅拌器搅拌下，将烷基铝滴入混合溶液中，滴完后在20-60℃下继续搅拌20-60分钟，然后蒸去1/2－3/4的第一溶剂，静置4-8小时，得到固体结晶，过滤即得锇-铝络合物催化剂；按照摩尔比1:1:1取降冰片烯类单体、马来酸酐和碳酸亚乙烯酯加入到多次抽真空、充氮高压釜中，加入第二溶剂溶解；然后加入锇-铝络合物催化剂，在20～120℃下，0.1-6MPa压力下反应1～6小时；反应产物洗涤后即得到降冰片烯类、马来酸酐和碳酸亚乙烯酯三元共聚物。 | ||||||
| 37 | 激光装置、具备该激光装置的曝光装置以及检查装置 | CN201380050529.8 | 2013-07-31 | CN104685414B | 2017-12-22 | 徳久章 |
| 激光装置具备：激光发生部(1)，具有产生第1波长的激光的第1光源和产生第2波长的激光的第2光源；放大部，对第1波长以及第2波长的激光分别进行放大而输出第1放大光和第2放大光；波长变换部，将第1放大光进行波长变换为第1变换光，从第1变换光和第2放大光通过波长变换来产生输出光，或者，将第1放大光和第2放大光分别进行波长变换为第1变换光和第2变换光，从第1变换光和第2变换光通过波长变换来产生输出光；以及控制部，控制激光发生部的动作，控制部构成为通过控制来自第1光源的激光的输出和来自第2光源的激光的输出的相对定时，在波长变换部中的输出光的产生位置，调节第1变换光和第2放大光的时间上的重叠、或者第1变换光和第2变换光的时间上的重叠，控制输出光的输出状态。 | ||||||
| 38 | 用于集成电路图案化的方法 | CN201510111358.6 | 2015-03-13 | CN104916530B | 2017-12-19 | 卢彦丞; 张书豪; 游信胜; 吴瑞庆; 陈政宏; 严涛南 |
| 本发明提供一种形成集成电路的图案的方法。该方法包括在衬底上方形成第一层，其中，第一层的蚀刻速率对诸如远紫外(EUV)辐射或电子束(e‑束)的辐射敏感。该方法进一步包括：在第一层上方形成光刻胶层，并且使光刻胶层暴露于辐射以用于图案化。在暴露期间，第一层的多个部分响应于其中接收的辐射的能量剂量而改变它们的蚀刻速率。该方法进一步包括：显影光刻胶层，蚀刻第一层，并且蚀刻衬底以形成图案。第一层的辐射敏感性用于减小图案的临界尺寸变化。本发明涉及用于集成电路图案化的方法。 | ||||||
| 39 | 设计用于半导体器件制造的布局的系统和方法 | CN201410045040.8 | 2014-02-07 | CN104636530B | 2017-12-19 | 许钦雄; 侯元德; 陈文豪 |
| 本发明提供了用于设计半导体器件布局的系统和方法。例如，接收与半导体器件相关的包括多个目标部件的初始布局。确定将要插入初始布局内的一个或多个伪部件。至少部分地基于一个或多个掩模分配规则，将目标部件和伪部件分配至多个掩模。产生用于制造半导体器件的最终布局。 | ||||||
| 40 | 光刻装置、对准方法及物品的制造方法 | CN201410398286.3 | 2014-08-13 | CN104375395B | 2017-12-19 | 三岛和彦; 古贺慎一郎 |
| 本发明提供一种光刻装置、对准方法及物品的制造方法。该光刻装置用于将原版上形成的图案转印至基板上的多个拍摄区域中的各个，所述光刻装置包括：检测单元，其被构造为检测所述拍摄区域中配设的标记以及所述原版上配设的标记；以及控制单元，其被构造为在所述拍摄区域与所述原版的图案之间的叠加误差落入容许范围内的情况下，以使得由所述检测单元检测的目标区域中的标记与所述原版上的标记偏移了在所述拍摄区域中的各标记与所述原版上的各标记之间生成的位置偏移量的方式，来控制目标拍摄区域与所述原版的图案之间的对准。 | ||||||
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