首页 / 国际专利分类库 / 物理 / 摄影术;电影术;电记录术;全息摄影术 / 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备(照相排版装置入B41B;为摄影用的感光材料或处理入G03C;电记录、感光层或处理入G03G)
序号 专利名 申请号 申请日 公开(公告)号 公开(公告)日 发明人
181 感光性树脂组合物及膜、图案形成材料、聚酰亚胺膜、凹凸图案及制法、及半导体装置 CN201280037948.3 2012-07-12 CN103718109B 2017-06-23 和田健二; 荒山恭平; 雨宫拓马
发明提供一种感光性树脂组合物及膜、图案形成材料、聚酰亚胺膜、凹凸图案及制法、半导体装置及树脂,上述感光性树脂组合物具有分辨率及灵敏度优异的微影性能,在所谓的低温固化下应低,由此可形成防止晶片翘曲的硬化凹凸图案。本发明的感光性树脂组合物含有:(a)具有下述通式(1)所表示的重复单元的树脂、及(b)通过活性光线或放射线的照射而产生酸的化合物。
182 光掩模、光掩模组、曝光装置以及曝光方法 CN201310299004.X 2013-07-16 CN103676495B 2017-06-23 高野祥司; 松田文彦; 成泽嘉彦
发明的课题在于提供能够提高电路板与分别配置于电路板的表面和背面上的光掩模之间的对位精度的光掩模;本发明的光掩模(70)具备:描绘图形(73),其形成于光掩模(70)的与电路板(P)相对置的一面上且用于进行曝光;第一对位标记(TM1),其设置于一面中的、在保持电路板(P)时与电路板(P)相对置且未形成有描绘图形(73)的部位上,并且用于与形成于电路板(P)上的电路板侧标记(P5)进行对位;以及第二对位标记(TM2),其设置于在保持电路板(P)时不与该电路板(P)相对置的部位上,并且用于与设置于另一光掩模(70)上的第三对位标记(TM3)进行对位。
183 光刻装置中交换晶片的方法 CN201310378980.4 2008-07-11 CN103456670B 2017-06-23 吉多·德布尔; 米歇尔·彼得·丹斯贝格; 彼得·克勒伊特
发明涉及在光刻装置中交换晶片(1)的方法。所述光刻装置具有在真空下操作的条件,所述方法包括:将所述晶片(1)放置在晶片工作台(8)上的步骤,将所述晶片工作台(8)和所述晶片(1)插入所述光刻装置的后续步骤(IT),处理所述晶片(1)的步骤(PW),从所述光刻装置移除所述晶片工作台(8)和所述晶片(1)的步骤(RT),将所述晶片(1)从所述晶片工作台(8)上分离的步骤(DW),以及为了在所述光刻装置内交换所述晶片(1)的目的,将所述晶片工作台(8)与另一个晶片工作台进行交换的步骤,以及处理所述光刻装置外侧的所述晶片工作台(8)的步骤,其中,在该处理中,所述晶片工作台(8)的温度是可调节的。
184 一种面状曝光系统及曝光部件 CN201710300864.9 2017-05-02 CN106873317A 2017-06-20 霍永峰
发明涉及紫外光应用技术领域,具体涉及一种面状曝光系统及曝光部件,所述面状曝光系统,包括光源组件,所述光源组件在曝光面内形成有面状光斑,所述光源组件存在有至少一条移动轨迹,以及存在有至少一个曝光行程,所述面状光斑对应的照射区域中存在有至少一个有效曝光区域,当所述光源组件沿所述移动轨迹移动一个所述曝光行程时,所述有效曝光区域内的任意一点或任意一区域的光照能量积分差值小于10%。本申请的面状曝光系统,保证了进行曝光工作时,待曝光区域中各个位置被曝光的均匀性,保证良好的曝光效果;而且,还进一步的消除了因光斑单元内部辐照强度不均匀而导致曝光不均匀的问题。
185 曝光装置、曝光方法以及器件制造方法 CN201710243823.0 2004-02-26 CN106873316A 2017-06-20 长坂博之
发明提供一种曝光装置、曝光方法以及器件制造方法。一种曝光装置,通过隔着液体把规定图案的像投影到基板上来曝光基板,该曝光装置包括:把上述图案的像投影到基板上的投影光学系统;为了在包含投影光学系统的投影区域的一部分基板上形成液浸区域,从在多个不同的方向上与投影区域隔开的多个位置上同时向基板上进行液体供给的液体供给机构。
186 用于高精度网版制作的数字化双面同时直写曝光设备 CN201710063890.4 2017-02-04 CN106873314A 2017-06-20 韩建崴; 廖平强; 李源; 曲鲁杰
发明公开了一种用于高精度网版制作的数字化双面同时直写曝光设备,其特征在于:包括主控计算机、设置于曝光基板两侧且能够通过光速扫描曝光基板的光引擎、及能够使曝光基板与光引擎两者产生相对平面运动的移动平台,所述移动平台及光引擎均受主控计算机控制,该光引擎包括光学系统及内设微反射镜阵列的DMD芯片,且两相对应的所述光引擎所发出的光束的光轴重合,并与曝光基板相垂直。
187 一种框胶固化用的掩膜板 CN201710266443.9 2017-04-21 CN106873202A 2017-06-20 赵凯祥
发明公开一种框胶固化用的掩膜板,包括支撑板,支撑板为平板结构,平板结构包括第一平面和第二平面,所述第一平面上设置有遮蔽层,使用时,掩膜板与涂有待固化框胶的液晶面板平行放置,固化框胶用的光从掩膜板侧照向液晶面板,所述支撑板为透明结构,遮蔽层允许部分光透过。本在显示面板边框变窄的情况下,本发明中的框胶固化用的掩膜板可以很好地应对,避免框胶固化不完全以及液晶分解的情况的产生。
188 回收单元、利用该回收单元的基体处理设备和回收方法 CN201410126255.2 2014-03-31 CN104078389B 2017-06-20 郑恩先; 金禹永; 许瓒宁
提供一种基体处理设备。该基体处理设备包括处理室和回收单元,在处理室中通过使用作为超临界流体提供的流体将保留在基体上的有机溶剂溶解以干燥基体,回收单元包括将有机溶剂与从处理室排出的流体分离以回收流体的回收器。回收器包括:具有用于吸收有机溶剂的吸收剂存储其中的空间的柱状体,将从处理室排出的流体供给至柱状体的空间内的供给管,将在柱状体中与有机溶剂分离的流体排出的排出管,将净化气体供给至柱状体以便将有机溶剂与吸收剂分离的气体供给管,以及将包含有机溶剂的净化气体排出至柱状体的外部的排出管。
189 用于面板日晒的机器及使用该机器来日晒面板的方法 CN201310159216.8 2013-03-13 CN103303672B 2017-06-20 C·库西尼
发明公开了一种用于面板的安装有面板翻转器的日晒机器,并公开了一种日晒方法。根据本发明,该机器包括至少一个第一日晒台(10)以及具有第一面和第二面的面板翻转器(30),该翻转器包括配置为抓取面板(90)的捕捉装置(53、54)、配置为在至少第一和第二日晒台(10、20)之间使得捕捉装置位移的位移装置,以及配置为使得捕捉装置(53、54)枢转并且如此使得面板(90)围绕平行于所述面板(90)的枢转轴线(A)枢转的枢转装置,翻转器(30)被配置成使其可以通过其任一个面抓取面板(90)并且也通过其任一个面释放面板(90)。
190 图案处理方法 CN201611096581.9 2016-12-02 CN106855680A 2017-06-16 J·K·朴; 李明琦; A·M·科沃克; P·D·休斯塔德
图案处理方法包含:(a)提供半导体衬底,所述半导体衬底在其表面上包含图案化特征;(b)将图案处理组合物涂覆到所述图案化特征上,其中所述图案处理组合物包含聚合物,所述聚合物包含用于与所述图案化特征的表面形成键的表面附着基团,及溶剂,并且其中所述图案处理组合物不含交联剂;(c)用第一冲洗剂自所述衬底去除残余图案处理组合物,留下在所述图案化特征的所述表面上方并且结合到所述图案化特征的所述表面的所述聚合物的涂层;及(d)用与所述第一冲洗剂不同的第二冲洗剂冲洗所述经聚合物涂布的图案化特征,其中所述聚合物在所述第一冲洗剂中的溶解性比在所述第二冲洗剂中大。所述方法尤其适用于制造提供高分辨率图案的半导体装置。
191 一种片台曝光区域六自由度位移测量方法 CN201510197948.5 2015-04-23 CN105045042B 2017-06-16 朱煜; 张鸣; 陈安林; 成荣; 杨开明; 刘峰; 宋玉晶; 支凡; 胡金春; 徐登峰; 穆海华; 胡楚雄
一种片台曝光区域六自由度位移测量方法,应用于硅片台曝光区域的六自由度位移测量。硅片台包含线圈阵列和运动台,运动台磁阵列的下方固定平面光栅,将读数头固定在线圈阵列的空隙中,读数头中心线和透镜的中心线重合;读数头的测量光束入射在平面光栅上形成测量区域,测量区域的中心和曝光区域的中心在同一竖直线上;将曝光区域覆盖的那部分运动台近似为刚体,当运动台运动或由于振动发生变形时,由读数头测量得到测量区域的六自由度位移解算得到曝光区域的六自由度位移。实现了硅片台运动过程中任意时刻曝光区域的六自由度位移测量,降低测量复杂性,提高测量精度,尤其在运动台柔性较大时仍能精确测量任意时刻曝光区域的六自由度位移。
192 色调有机溶剂显像的化学增强抗蚀剂 CN201410061770.7 2014-02-24 CN104007623B 2017-06-16 R·D·艾伦; R·阿约西; L·D·玻加诺; W·D·辛斯伯格; L·K·桑德伯格; S·A·斯万松; H·D·特鲁昂; G·M·瓦尔拉夫
提供用包含有机显像剂溶剂显像正色调化学增强抗蚀剂的方法,所述有机显像剂溶剂具有单独或者与其它有机溶剂如异丙醇和/或组合的至少一种多元醇,例如乙二醇和/或甘油。本文所述有机溶剂显像正色调抗蚀剂用于光刻图案形成方法;用于生产半导体器件,例如集成电路(IC);以及用于其中性溶剂不合适的应用,例如用生物分子阵列图案化的芯片的生产或不需要存在酸结构部分的去保护应用。
193 对位标记及基板对位方法 CN201710258537.1 2017-04-19 CN106842838A 2017-06-13 龚成波
发明提供一种对位标记及基板对位方法。所述对位标记包括:条状的主对位标记、以及与所述主对位标记垂直相交的多个条状的辅助对位标记,所述多个辅助对位标记包括:一第一辅助对位标记、至少两个宽度不同的第二辅助对位标记、以及至少两个宽度不同的第三辅助对位标记,所述第二辅助对位标记和第三辅助对位标记相对于主对位标记的位置不同,在基板对位时,可通过任意一个辅助对位标记与主对位标记的交汇区域的中心点坐标求出对位标记整体的中心点坐标,以完成对位标记中心点的定位,能够在对位镜头的视野不变的情况下,增大对位标记的可检测范围,减少基板对位时间,提升基板对位效率。
194 含噁唑烷结构光固化热固化树脂、其制备方法及含有其的感光阻焊材料 CN201710087190.9 2017-02-17 CN106832221A 2017-06-13 盛星; 姚永平; 刘继强; 关计本
发明涉及一种含噁唑烷结构光固化热固化树脂、其制备方法及含有其的感光阻焊材料。该发明在含噁唑烷酮结构光固化热固化树脂的制备过程中将二异氰酸酯、二月桂酸二丁基及季戊四醇三丙烯酸酯分别加入到溶剂中,保持反应温度40℃‑70℃,监测体系中‑NCO基团的浓度变化,当‑NCO基团的含量为初始含量的48%‑55%时停止反应,得到二异氰酸酯半加成物;再将环树脂、催化剂及2,6‑二叔丁基‑4‑甲基苯酚分别加入到所述二异氰酸酯半加成物中,保持反应温度110℃‑140℃,当体系中‑NCO基团的含量为0时停止反应,经测定红外谱图中出现噁唑烷酮环结构中羰基的1750cm‑1处的吸收峰,即得到含有噁唑烷酮环的光固化热固化树脂。该发明制备的光固化热固化树脂具有优异的耐热性和较好的附着
195 衬底保持器和制造衬底保持器的方法 CN201380007834.9 2013-01-17 CN104081285B 2017-06-13 R·拉法雷; S·唐德斯; N·坦凯特; N·德齐奥姆基纳; Y·卡瑞德; E·罗登伯格
用于光刻设备的对象保持器具有主体,该主体具有表面。在该表面上或在薄膜叠层的孔径中形成用于支撑对象的多个突节。通过激光烧结形成突节中的至少一个。通过激光烧结形成的突节中的至少一个可以是先前通过激光烧结或另一方法形成的损坏突节的修复。
196 一种负型感光性树脂组合物、图案形成方法、固化膜、绝缘膜、滤色器及显示装置 CN201280040593.3 2012-06-15 CN103797418B 2017-06-13 盐田大; 黑子麻祐美; 野田国宏; 田所惠典
发明提供能够以低曝光量形成密合性优异的图案的负型感光性树脂组合物、使用该负型感光性树脂组合物的图案形成方法、使用该负型感光性树脂组合物而形成的固化膜、绝缘膜及滤色器、以及具备该固化膜、绝缘膜或滤色器的显示装置。本发明的负型感光性树脂组合物含有下述式(1)所示的化合物。式中,R1和R2分别独立地表示氢原子或有机基团,R1和R2中的至少一方表示有机基团。对于R1和R2,它们可以键合而形成环状结构,也可以包含杂原子的键。R3表示单键或有机基团。R4~R9分别独立地表示氢原子、有机基团等,但是,R6和R7不为羟基。R10表示氢原子或有机基团。
197 激光直接成像曝光机用聚焦结构及聚焦方法 CN201710132090.3 2017-03-07 CN106814554A 2017-06-09 李显杰
发明涉及一种激光直接成像曝光机用聚焦结构及聚焦方法,其包括曝光平台以及位于所述曝光平台正上方的投影物镜;所述曝光平台包括用于承载待曝光板体的吸盘,所述吸盘与用于所述驱动吸盘升降的吸盘升降驱动机构连接;在所述投影物镜的一侧设有聚焦光源,投影物镜的另一侧设置用于接收聚焦光源经过待曝光板体后投影光线的光线探测器,所述光线探测器与吸盘升降驱动机构连接,光线探测器根据投影光线的状态能控制吸盘升降驱动机构的工作状态,直至使得吸盘上的待曝光板体处于最佳焦面位置。本发明结构紧凑,能有效实现曝光成像的聚焦,避免投影物镜的损坏,安全可靠。
198 平版印刷用聚合物的制造方法、抗蚀剂组合物的制造方法及形成有图案的基板的制造方法 CN201410389110.1 2014-08-08 CN104341551B 2017-06-09 安田敦; 向井一晃
申请提供一种未反应的单体或纯化工序中使用的不良溶剂的残存减少了的平版印刷用聚合物的制造方法。一种平版印刷用聚合物的制造方法,其具有聚合工序和纯化工序,所述聚合工序是使单体在聚合溶剂的存在下聚合,得到含有聚合物的聚合反应溶液的工序,所述纯化工序是将所述聚合反应溶液中的聚合物用再沉淀法纯化,得到纯化聚合物的湿粉的工序,所述纯化工序包括在过滤压差为50kPa以上的条件下进行过滤的工序,所述纯化聚合物的湿粉的固态成分含量超过40质量%、小于65质量%。
199 用于半导体装置的自动化检验的配方产生的方法、计算机系统及设备 CN201380024955.4 2013-03-13 CN104303264B 2017-06-09 科恩·德韦尔; 塞德里克·卡雷特
发明揭示一种用于半导体装置的自动化检验的检验配方产生的方法、计算机系统及设备。为产生所述检验配方,使用参考数据集。借助初始配方对所述参考数据集(参考晶片图)的裸片的图像执行自动检验。将来自所述自动检验的所检测检验结果分类,且将所述经分类检验结果与裸片中的缺陷的专家分类进行比较。自动产生过杀及漏杀数目。根据所述过杀及漏杀数目,修改检验配方参数。如果所述检测及/或所述分类低于预定义阈值,那么重复自动检验。
200 热调节单元、光刻设备以及器件制造方法 CN201380025453.3 2013-04-16 CN104303109B 2017-06-09 J·H·W·雅各布斯; J·S·C·维斯特尔拉肯
发明公开了一种热调节单元(100),用以热调节光刻设备中的衬底(W),所述热调节单元包括:热调节元件(200),所述热调节元件包括第一层(210)、第二层(220)以及定位在第一层和第二层之间的热传递部件(230),第一层在使用时面对衬底并且包括具有100W/mK或更大的热导率的材料;和加强构件(110),所述加强构件比热调节元件硬并且配置成支撑热调节元件以便减小其机械变形,其中所述热调节元件与所述加强构件是热隔离的。
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