子分类：
- G03F1/00： 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜,光罩;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
- G03F3/00： 分色;色调值的校正(一般照相复制设备入G03B)
- G03F5/00： 网屏印刷法;其所用网屏
- G03F7/00： 图纹面,例如,印刷表面的照相制版如光刻工艺;图纹面照相制版用的材料,如:含光致抗蚀剂的材料;图纹面照相制版的专用设备(用于特殊工艺的光致抗蚀剂结构见相关的位置,例如,B44C,H01L,例如,H01L21/00,H05K)
- G03F9/00： 原版、蒙片、片框、照片、图纹表面的对准或定位,例如自动地(G03F7/22优先;照相蒙片的制备入G03F1/00;在复制用的照相印片设备中的入G03B27/00)注意: 从2012年1月1日起,G03F9/70 - G03F9/00T26组不再用于新文献分类。以前文献正逐步转移到下面新的组: - G03F9/70转入G03F9/70 - G03F9/00T12转入G03F9/7003 - G03F9/00T14转入G03F9/7049 - G03F9/00T16转入G03F9/7065 - G03F9/00T18转入G03F9/7069 - G03F9/00T20转入G03F9/7073 - G03F9/00T22转入G03F9/7088 - G03F9/00T24转入G03F9/7092 - G03F9/00T26转入G03F9/7096
| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 101 | 用于以光学方式将结构传输到记录介质中的方法 | CN201380043823.6 | 2013-07-12 | CN104662477B | 2017-09-15 | H.哈特德根; M.米库利茨 |
| 在本发明的框架内开发一种用于以光学方式将结构传输到记录介质中的方法，所述记录介质通过来自光子源的光子的照射能够局部地从第一未描画状态转变为第二描画状态。在此，记录介质的两种状态在记录介质的不同物理和/或化学特性中显现。根据本发明，选择至少一个具有少于每秒104个光子的光子流的光子源用于光子照射。已认识到，有利的是，利用这样少量的光子流能够传输特别精细的结构到记录介质中，而无需通过掩膜部分地遮挡照射。以该方式能够利用给定的光子波长（能量）来传输结构，所述结构明显小于由衍射极限预先确定的、所发出光子撞击的位置的概率分布的宽度。 | ||||||
| 102 | 用于光刻图案化的方法 | CN201611178550.8 | 2016-12-19 | CN107153326A | 2017-09-12 | 张书豪; 高国璋; 黄建元; 陈政宏 |
| 本发明的实施例公开了用于光刻图案化的方法。该方法包括提供衬底，在衬底上方形成沉积增强层(DEL)并且使有机气体在DEL的表面附近流动。在有机气体的流动期间，该方法还包括用图案化的辐射辐照DEL和有机气体。有机气体的元素通过图案化的辐射而聚合，从而在DEL上方形成光刻胶图案。该方法还包括用光刻胶图案作为蚀刻掩模蚀刻DEL，从而形成图案化的DEL。 | ||||||
| 103 | 不对称二肟酯化合物及其制造方法与应用 | CN201410253184.2 | 2014-06-09 | CN104910053B | 2017-09-12 | 赵文超; 王永林; 王辰龙; 麻忠利; 姚丽秀; 胡伟静 |
| 本发明涉及一类由通式Ⅰ所示的不对称二肟酯化合物及其制造方法，通式Ⅰ中，Ar1为被X1取代的C6‑C20邻亚芳基、C3‑C20邻亚杂芳基；Ar2为C6‑C20亚芳基、C3‑C20亚杂芳基，通过X1与Ar1相连接，或通过X1与Ar1相连接同时，其取代基X1邻位的Ar2碳原子通过直键、碳原子、羰基、O、S、NR18再与Ar1相连接构成环状结构；n为0或1；X1为NR18、O、S、C＝O或S＝O；Y1为(CH2)mCR15R16、NR19、O(CR15R16)m、S(CR15R16)m、(CR15R16)m C＝O、S＝O；m为0或1；R1，R2，R3各自分别为氢原子、烷基或烷氧基、被任意基团取代的烷基或烷氧基、环烷基、被任意基团取代的芳基、酰基；本发明还涉及以通式Ⅰ化合物作为光引发剂的光固化组合物，该组合物用于制备光阻器件例如显示屏用彩色滤光片时显示了非常高的固化敏感性。 | ||||||
| 104 | 合成物、压印墨和压印方法 | CN201380067330.6 | 2013-12-13 | CN104870576B | 2017-09-12 | M.A.维斯楚伦; R.范布拉克 |
| 所公开的是一种用于形成用于压印光刻应用的压印墨的基于硅烷的合成物，其中合成物中的硅烷的交联通过包括化学式3的化合物来压制：化学式3：其中R9选自包括C1‑C6线性或支化烷基和苯基的组，并且其中n为具有至少为2的值的正整数。墨可以通过向合成物添加PAG、光引发剂或TAG使得在其激活时交联反应完成来形成。还公开了使用10这样的墨的压印方法。 | ||||||
| 105 | 支撑装置、光刻装置和器件制造方法 | CN201380028677.X | 2013-05-17 | CN104412164B | 2017-09-12 | S·N·L·唐德斯; M·菲恩; C·A·霍根达姆; M·霍本; J·H·W·雅各布斯; A·H·凯沃特斯; R·W·L·拉法雷; J·V·奥弗卡姆普; N·坦凯特; J·S·C·韦斯特拉肯; A·F·J·德格罗特; M·范贝杰纳姆 |
| 一种用于光刻装置的支撑装置(60)，具有物体保持件(61)和在物体保持件径向外侧的提取主体(65)。物体保持件被配置为支撑物体(W)。提取主体包括被配置为从支撑装置的顶面提取流体的提取开口(66)。提取主体与物体保持件间隔开，使得提取主体与物体保持件基本解耦。提取主体包括突起(30)，所述突起被配置为使得其围绕物体保持件，并且使得在使用中液体(32)的层保留在突起上且接触支撑在物体保持件上的物体。 | ||||||
| 106 | 硅片对准标记的曝光装置和曝光方法 | CN201710561689.9 | 2017-07-11 | CN107145043A | 2017-09-08 | 黄惠杰; 朱箐 |
| 一种硅片对准标记的曝光装置和曝光方法，曝光装置由光源模块、照明模块、能量监测模块、成像模块、安装主框架、硅片高度传感器、掩模台、硅片台和控制模块组成，本发明包含两个以上的照明‑成像单元，可在硅片表面同时进行两个或两个以上对准标记的曝光。节省了硅片对准标记的曝光时间，从而提高了IC生产线的生产效率，节省了IC生产成本。 | ||||||
| 107 | 液体处理装置和液体处理方法 | CN201511001407.7 | 2013-02-22 | CN105413247B | 2017-09-08 | 吉原孝介; 一野克宪; 古庄智伸; 佐佐卓志; 土屋胜裕; 寺下裕一; 竹口博史 |
| 本发明提供与对被处理基板供给处理液的处理液供给喷嘴连接的液体处理装置，其包括：将处理液存储容器和该处理液供给喷嘴连接的供给管路；设置于供给管路的过滤器装置；过滤器装置的二次侧的泵；将泵的排出侧和过滤器装置的吸入侧连接的循环管路；在泵的二次侧的供给管路设置的供给控制阀；在循环管路设置的循环控制阀；和控制泵、供给控制阀和循环控制阀的控制装置，利用控制装置，使得通过关闭供给控制阀使从该处理液供给喷嘴向被处理基板的处理液的供给停止时，打开循环控制阀，驱动泵，使处理液在具有过滤器装置的供给管路与循环管路之间循环。 | ||||||
| 108 | 一种提高阵列基板掩膜剥离效率的方法、阵列基板及显示面板 | CN201710233398.7 | 2017-04-11 | CN107134434A | 2017-09-05 | 曾勉; 刘晓娣 |
| 本申请公开了一种提高阵列基板掩膜剥离效率的方法、阵列基板及显示面板。该方法包括在非显示区形成图形化的掩膜；对该图形化的掩膜覆盖不到的非显示区部分进行刻蚀；沉积透明电极层，以在该图形化的掩膜表面及非显示区被刻蚀的表面分别形成图形化的第一透明电极层及图形化的第二电极层；去除该图形化的掩膜。通过该方法能够提高阵列基板掩膜的剥离效率，进而提高显示面板的制作效率。 | ||||||
| 109 | 表面活性剂及其制备和使用方法 | CN201480006221.8 | 2014-01-09 | CN104955854B | 2017-09-05 | W·M·拉曼纳; P·M·萨伍; J·M·科伦 |
| 本发明题为表面活性剂及其制备和使用方法。本发明提供了一种阴离子型表面活性剂，其具有式：RfSO2N(H)‑CH2CH(CH3)OH；或RfSO2N(H)‑(CH2CH2O)xH，其中x为2‑6的整数。Rf为具有3至8个碳原子的氟烷基基团。本发明还提供了一种中性表面活性剂，其具有式：(a)RfSO2N[CH2CH(CH3)OH]2；(b)RfSO2N[CH2CH(CH3)OH][(CH2CH2O)nH]，其中n为1‑6的整数；(c)RfSO2N(R)[(CH2CH2O)pH]，其中p为2‑6的整数，并且R为具有1‑4个碳原子的烷基基团；或(d)RfSO2N[(CH2CH2O)qH][(CH2CH2O)mH]，其中q为1‑6的整数并且m为3‑6的整数。Rf为具有3至8个碳原子的氟烷基基团。 | ||||||
| 110 | 闪烁体面板及其制备方法 | CN201380061618.2 | 2013-11-20 | CN104798141B | 2017-09-05 | 木下英树; 滨野翼; 冈村昌纪 |
| 本发明的目的在于：提供一种大面积、高精度地形成窄宽度的间壁，并且发光效率高，实现清晰的画质的闪烁体面板。本发明提供一种闪烁体面板，其具有平板状的基板、在该基板上设置的间壁和填充在由上述间壁分隔的单元内的闪烁体层，其中，上述间壁由以低熔点玻璃为主要成分的材料构成，上述闪烁体层由荧光体和粘合剂树脂形成。 | ||||||
| 111 | 一种光刻胶管路设计 | CN201710425257.5 | 2017-05-25 | CN107121897A | 2017-09-01 | 朱治国; 孙国庆 |
| 本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种光刻胶管路设计，包括：光刻胶容器，放置于一温度控制室内；光刻胶容器包括一进气口和一出胶口，进气口用于通入气体将光刻胶容器内的光刻胶从出胶口压出；第一管道，依次连接光刻胶容器的出胶口、一预存容器、一过滤器、一近端容器、一泵以及一喷头；第一管道外包裹有第二管道，第二管道用于通入加热介质对第一管道进行加热；上述技术方案的有益效果是：能够在不影响光刻胶的喷涂的同时提高光刻胶的使用有效期。 | ||||||
| 112 | 一种光束干涉角调整装置及干涉角的调整方法 | CN201710447079.6 | 2017-06-14 | CN107121894A | 2017-09-01 | 梁万国; 李广伟; 张新汉; 陈怀熹; 缪龙; 冯新凯; 邹小林 |
| 本发明涉及光束干涉角调整装置及干涉角的调整方法，该装置包括激光器、分束镜、第一反射镜、第二反射镜、第一透光板、第二透光板和角度规；激光器发出紫外光，分束镜将激光器发出的紫外光分为第一光束和第二光束；第一反射镜反射第一光束穿过第一透光板，第二反射镜反射第二光束穿过第二透光板，第一光束和第二光束最终汇聚于一点；第一反射镜、第二反射镜、第一透光板和第二透光板的位置可调；角度规包括角度规反射镜、精密电动转台和调整架，角度规反射镜反射第一光束至第一透光板上，角度规反射镜反射第二光束至第二透光板上，精密电动转台调整角度规反射镜在水平面上的角度，调整架调整精密电动转台和角度规反射镜二者整体的空间位置。 | ||||||
| 113 | 一种显示面板和显示面板的制造方法 | CN201710313650.5 | 2017-05-05 | CN107121802A | 2017-09-01 | 陈猷仁 |
| 本发明公开了一种显示面板和显示面板的制造方法，该显示面板包括：第一基板，与第一基板相对设置的第二基板；设置在所述第一基板和第二基板之间的液晶层；所述第一基板包括栅极电路，以及与所述液晶层对应设置的显示区；所述第一基板还包括第一透明电极，所述第二基板包括第二透明电极，所述第二透明电极对应所述栅极电路设置镂空区域。本发明的显示面板能够减少RC负载的存在和影像。 | ||||||
| 114 | 压印用固化性组合物 | CN201480032326.0 | 2014-05-23 | CN105378893B | 2017-09-01 | 山口纯司; 谷本尚志; 伊部武史; 矢田真; 矢木直人 |
| 本发明提供一种固化性组合物，其特征在于，其为含有聚合性化合物的压印用固化性组合物，(a)上述聚合性化合物的聚合性基团浓度为4.3～7.5mmol/g，(b)相对于全部聚合性化合物以40～95质量％的范围含有大西参数为3.5以下、环参数为0.35以上的聚合性化合物X，(c)进而，相对于全部聚合性化合物以5～20质量％的范围含有具有3个以上聚合性基团的聚合性化合物C，(d)组合物的25℃下的粘度在不含溶剂的状态下为3～8000mPa·s的范围。 | ||||||
| 115 | 计量图案布局及其使用方法 | CN201510141230.4 | 2015-03-30 | CN104950590B | 2017-09-01 | G·宁; G·于贝尔赖特; L·C·里特; P·阿克曼 |
| 本发明涉及计量图案布局及其使用方法。该计量图案布局包括多个象限，在这些象限中可布置第一晶圆测量图案、第二晶圆测量图案、光罩对位图案以及光罩测量图案，从而有利于将光罩计量数据与晶圆计量数据关联。该光罩对位图案还可包括一个或多个最外结构元件，其经设计以在光学邻近校正过程中保护该光罩测量图案内的其它结构元件免受修改。本发明提供一种光学邻近校正过程的方法，其中，可获得光罩测量图案并对其分类，以添加或修改该光学邻近校正过程的规则组。 | ||||||
| 116 | 掩膜版和利用掩膜版制备薄膜晶体管的方法 | CN201510122578.9 | 2015-03-19 | CN104716026B | 2017-09-01 | 刘翔 |
| 本发明的实施例公开了一种掩膜版以及利用掩膜版制备阵列基板的像素区的薄膜晶体管的方法。该掩膜版包括掩膜版主体，所述掩膜版主体具有图案区域，所述图案区域包括：用于去除部分光刻胶的光刻胶部分去除区域；用于去除全部光刻胶的光刻胶完全去除区域；以及在光刻胶部分去除区域和光刻胶完全去除区域之间、与光刻胶部分去除区域和光刻胶完全去除区域邻接的用于保留光刻胶的第一光刻胶保留区域，第一光刻胶保留区域用于调整与光刻胶部分去除区域对应的光刻胶部分在曝光并显影后的外形。采用本发明的技术方案，改善了与光刻胶部分去除区域对应的光刻胶部分在曝光并显影后的外形。 | ||||||
| 117 | 掩模 | CN201280059582.X | 2012-12-03 | CN103959157B | 2017-09-01 | 辛富建 |
| 本发明提供一种掩模、一种制造该掩模的方法、一种光照射器件、一种光照射的方法和一种制造取向有序的光配向层的方法。当使用本发明的掩膜时，可以用具有优异的线性性能和均匀的照度的光照射待照射对象的表面上。此外，例如，即使在待照射对象具有弯曲表面时，本发明的掩模可以有效地照射光。 | ||||||
| 118 | 使用图案形成装置形貌引入的相位的方法和设备 | CN201580069138.X | 2015-11-25 | CN107111244A | 2017-08-29 | J·M·芬德尔斯 |
| 一种方法包括：对于由光刻图案形成装置的图案的辐射进行的照射，获得由所述图案的三维形貌导致的计算的波前相位信息；以及基于该波前相位信息且使用计算机处理器来调整照射的参数和/或调整该图案的参数。 | ||||||
| 119 | 使用图案形成装置形貌引入的相位的方法和设备 | CN201580068501.6 | 2015-11-24 | CN107111240A | 2017-08-29 | J·M·芬德尔斯 |
| 一种方法包括：获得由光刻图案形成装置的图案的三维形貌导致的计算的波前相位信息；和基于该计算的波前信息且使用计算机处理器来计算图案形成装置的图案的三维形貌的成像效应。 | ||||||
| 120 | 使用图案形成装置形貌引入的相位的方法和设备 | CN201580068449.4 | 2015-11-25 | CN107111239A | 2017-08-29 | J·M·芬德尔斯 |
| 一种方法包括：测量光刻图案形成装置的图案的特征的三维形貌；和根据测量结果计算由图案的三维形貌所导致的波前相位信息。 | ||||||
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