子分类：
- C23C2/00：用熔融态覆层材料且不影响形状的热浸镀工艺；其所用的设备
- C23C4/00：熔融态覆层材料喷镀法，例如火焰喷镀法、等离子喷镀法或放电喷镀法的镀覆
- C23C6/00：基体上浇铸熔融材料的镀覆
- C23C8/00：金属材料表面中仅渗入非金属元素的固渗
- C23C10/00：金属材料表面中仅渗入金属元素或硅的固渗
- C23C12/00：金属材料表面中至少渗入一种硅以外的非金属元素及至少一种金属元素或硅的固渗
- C23C14/00：通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
- C23C16/00：通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
- C23C18/00：通过液态化合物分解抑或覆层形成化合物溶液分解、且覆层中不留存表面材料反应产物的化学镀覆（表面化学反应的入C23C 8/00、C23C 22/00）；接触镀
- C23C20/00：通过固态覆层化合物抑或覆层形成化合物悬浮液分解且覆层中不留存表面材料反应产物的化学镀覆
- C23C22/00：表面与反应液反应、覆层中留存表面材料反应产物的金属材料表面化学处理，例如转化层、金属的钝化
- C23C24/00：自无机粉末起始的镀覆
- C23C26/00：不包含在C23C 2/00至C23C 24/00各组中的镀覆
- C23C28/00：用不包含在C23C 2/00至C23C 26/00各大组中单一组的方法，或用包含在C23C小类的方法与C25D小类中方法的组合以获得至少二层叠加层的镀覆
- C23C30/00：仅以金属材料组成为特征的金属材料镀覆，即不以镀覆工艺为特征
| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 1 | 一种油管内表面耐冲蚀碳基涂层及制备方法 | CN202211296369.2 | 2022-10-21 | CN117917484A | 2024-04-23 | 王少龙; 付安庆; 尹成先 |
| 本发明公开了一种油管内表面耐冲蚀碳基涂层及制备方法，包括：(Si,N)界面层和多层交替结构；所述多层交替结构由纳米((Si,N)‑DLC)x层和微米((Si,N)‑DLC)y层交替形成，所述油管内表面、所述(Si,N)界面层和所述多层交替结构依次连接。通过(Si,N)界面层可提升涂层与油管基体的结合强度并降低界面应力，增强涂层整体耐冲蚀性能，且纳米((Si,N)‑DLC)x层和微米((Si,N)‑DLC)y层所形成的交替结构，不仅可以降低涂层整体内应力水平，而且可以显著提升涂层与油管基体、(Si,N)界面层之间的结合强度，同时获得较高硬度，从而进一步显著提升所述油管内表面耐冲蚀碳基涂层的耐冲蚀性能。 | ||||||
| 2 | 在幅材如集流体箔上涂覆金属层如锂金属的方法 | CN202310524307.0 | 2023-05-10 | CN117917483A | 2024-04-23 | Y·任; 王铭; 徐劭懋; R·C·塞科尔 |
| 一种用金属层涂覆幅材的方法包括加热容器中的金属以产生熔融金属。金属选自锂(Li)、钠(Na)、钾(K)、铟(In)、锡(Sn)、镉(Cd)、锌(Zn)和铅(Pb)。所述方法包括使用熔融金属用金属层涂覆幅材的至少一个表面。幅材由选自铜(Cu)、镍(Ni)、钛(Ti)、不锈钢、聚合物和碳的材料制成。 | ||||||
| 3 | 一种自陷光结构硒化锑太阳电池及其制备方法 | CN202410179919.5 | 2024-02-18 | CN117727815B | 2024-04-23 | 李志强; 曹文杰; 王新华; 梁晓杨 |
| 本发明提供了一种自陷光结构硒化锑太阳电池及其制备方法。该自陷光结构硒化锑太阳电池中的硒化锑吸收层由底层致密的薄膜和顶层纳米棒阵列组成。本发明方法为应用真空沉积方法在背电极上制备自陷光结构硒化锑吸收层，使硒化锑底部形成致密的薄膜，表面形成纳米棒阵列，然后再制备缓冲层、窗口层、顶电极。自陷光结构硒化锑吸收层不仅改善了硒化锑的形貌，使太阳光在该结构中进行充分的反射和漫反射，极大地增加光程，实现表面高减反特性，太阳电池在宽波段(300nm‑1100nm)内的反射率大幅降低；而且增强了硒化锑的光吸收能力，产生了更多的光生载流子，提高了太阳电池的短路电流和转换效率，实现了高效硒化锑薄膜太阳电池的制备。 | ||||||
| 4 | 一种磁控溅射阴极装置及磁控溅射设备 | CN202211351999.5 | 2022-10-31 | CN115537747B | 2024-04-23 | 张永胜; 解传佳; 周振国; 武瑞军; 彭孝龙; 莫超超 |
| 本发明涉及真空溅射镀膜技术领域，尤其涉及一种磁控溅射阴极装置及磁控溅射设备。磁控溅射阴极装置包括靶材筒组件、磁棒组件及汇聚磁铁组件，靶材筒组件位于真空腔室内，磁棒组件位于靶材筒组件的内部，汇聚磁铁组件设置在靶材筒组件靠近真空腔室侧壁的一侧，汇聚磁铁组件产生的磁力线能够朝靠近待镀膜基片的方向挤压磁棒组件产生的磁力线，避免溅射的原子沉积到真空腔室的侧壁上，使更多的原子沉积到待镀膜基片上。磁控溅射设备通过应用上述磁控溅射阴极装置，减少了靶材的损耗，降低了生产成本，提升了产品良率，延长了磁控溅射设备的维护周期，提高了设备的开机效率。 | ||||||
| 5 | 导磁锅具及其制备方法 | CN202111052097.7 | 2021-09-08 | CN115137203B | 2024-04-23 | 李超; 瞿义生; 袁华庭; 张明 |
| 本申请提供了一种导磁锅具及其制备方法。所述导磁锅具包括锅身基体和形成于锅身基体的表层的磁性非晶合金层，所述磁性非晶合金层包含非晶结构，并且包含通过离子注入方式添加的铁磁性元素。通过该方式在锅身基体的表面形成磁性非晶合金层，使得锅具具有优异的耐腐蚀性。 | ||||||
| 6 | 一种聚苯胺改性氮化硼复合材料及其制备方法和应用 | CN202210015544.X | 2022-01-07 | CN114318312B | 2024-04-23 | 范永哲; 桑云龙; 李世杰; 马瑞娜; 杜安; 赵雪; 杨洋; 曹晓明 |
| 本发明公开了一种聚苯胺改性氮化硼复合材料及其制备方法和应用。本发明实现了聚苯胺与六方氮化硼的共价连接，通过掺杂态聚苯胺与氮化硼的协同效应共同提高钝化膜的耐腐蚀性能：通过对氨基苯甲酸对羟基氮化硼进行改性，使氮化硼表面具有聚苯胺的接枝位点，再通过聚苯胺对PABA‑BN进行共价改性，使苯胺在PABA‑BN表面成功聚合，提高了层片状二维材料六方氮化硼在钝化剂中的分散性能，减小了其团聚现象，提高了钝化膜的阻隔屏蔽性能，同时由于聚苯胺的可掺杂性质，采用大分子有机膦酸缓蚀剂对聚苯胺进行掺杂，使钝化膜对镀锌钢的防护更长久，得到缓蚀剂掺杂PANI‑BN纳米复合材料。 | ||||||
| 7 | 掩模制造方法及掩模 | CN202111149555.9 | 2021-09-29 | CN114293170B | 2024-04-23 | 李永浩 |
| 本发明涉及掩模制造方法以及掩模。根据本发明的掩模制造方法，所述掩模包括至少一个掩模片材及附着有掩模片材的框架且用于形成OLED像素，该方法包括以下步骤：(a)准备支撑板，所述支撑板粘合有形成有多个开口图案的掩模片材；(b)将掩模片材对应至包括至少一个掩蔽区的框架中的一个掩蔽区上；(c)将掩模片材附着到框架上，在步骤(a)中，掩模片材包括单元部及单元部外围的副框架部，单元部上形成有多个开口图案，且副框架部比单元部厚。 | ||||||
| 8 | 氧化物半导体薄膜、薄膜晶体管及溅射靶 | CN202080007374.X | 2020-01-16 | CN113348562B | 2024-04-23 | 寺前裕美; 西山功兵; 越智元隆; 后藤裕史 |
| 本发明涉及氧化物半导体薄膜、薄膜晶体管及溅射靶。氧化物半导体薄膜具有第一氧化物半导体层与第二氧化物半导体层，分别包含In、Ga、Zn、Sn及O，第一氧化物半导体层满足0.05≦In/In+Ga+Zn+Sn≦0.25、0.20≦Ga/In+Ga+Zn+Sn≦0.60、0.20≦Zn/In+Ga+Zn+Sn≦0.60、0.05≦Sn/In+Ga+Zn+Sn≦0.15，第二氧化物半导体层满足0.20≦In/In+Ga+Zn+Sn≦0.60、0.05≦Ga/In+Ga+Zn+Sn≦0.25、0.15≦Zn/In+Ga+Zn+Sn≦0.60、0.01≦Sn/In+Ga+Zn+Sn≦0.20。 | ||||||
| 9 | 用于制备含硅和氮的膜的方法 | CN201980062463.1 | 2019-09-24 | CN112805405B | 2024-04-23 | M·B·拉奥; 雷新建; M·R·麦克唐纳; 金武性; 李世远 |
| 用于沉积高质量的氮化硅的组合物引入含有衬底的反应器中，接着引入包括氨源的等离子体。所述组合物包括具有如本文中限定的式I的硅前体化合物。 | ||||||
| 10 | 基板处理装置、半导体装置的制造方法以及存储介质 | CN202010088914.3 | 2020-02-12 | CN111564388B | 2024-04-23 | 奥田和幸; 樱井修三; 井之口泰启; 南政克 |
| 本发明提供一种基板处理装置、半导体装置的制造方法以及存储介质，能够提高基板上所形成的膜的基板面内膜厚分布的控制性。基板处理装置的气体供给系统具备：将第一处理气体暂时性地贮留的第一贮留部、将第一处理气体暂时性地贮留的第二贮留部、使第一贮留部内贮留的第一处理气体从基板的外周向朝向基板的中心的方向供给的第一气体供给口、以及构成为将第二贮留部内贮留的第一处理气体从基板的外周向比从基板的外周向朝向基板的中心的方向靠基板的外周侧的方向供给的第二气体供给口。 | ||||||
| 11 | 一种石墨舟的缓存导正装置及管式PECVD设备 | CN201910888621.0 | 2019-09-19 | CN110777364B | 2024-04-23 | 王玉明; 刘景博; 陈晖; 张庶 |
| 本发明公开了一种石墨舟的缓存导正装置及管式PECVD设备，该石墨舟的缓存导正装置包括：底座，其将各个组件固定；至少两组校正机构，其调整石墨舟的位置；以及感应组件，其包括触发组件和响应组件；其中，两两所述校正机构对称设置于所述底座的两侧，所述感应组件固定于所述底座的一侧且位于两两所述校正机构之间。本案的石墨舟的缓存导正装置有效防止石墨舟由缓存架上反复取放的过程中，对石墨舟造成划伤破损，导致石墨舟定位偏差加大、石墨舟掉落、石墨舟维护成本升高等问题的出现。 | ||||||
| 12 | 一种原子层沉积设备用工艺残余气体的过滤装置 | CN201910859313.5 | 2019-09-11 | CN110453199B | 2024-04-23 | 靳伟; 崔国东; 戴秀海 |
| 本发明涉及薄膜制备技术领域，尤其涉及一种原子层沉积设备用工艺残余气体的过滤装置，其特征在于：所述过滤装置设置在原子层沉积真空腔体与用于抽吸所述原子层沉积真空腔体内工艺残余气体的真空干泵之间；所述过滤装置至少包括冷凝过滤装置以及反应过滤装置，所述冷凝过滤装置的入口与所述原子层沉积真空腔体相连接，出口与所述反应过滤装置的入口相连接，所述反应过滤装置的出口与所述真空干泵相连接。本发明的优点是：1)可实现过滤99%的原子层沉积残余工艺气体；2)大大的减少粉尘进入到干泵中，延长干泵的使用寿命。 | ||||||
| 13 | 通过接连地沉积不同材料进行的对于金属零件的处理 | CN202280059030.2 | 2022-07-28 | CN117916402A | 2024-04-19 | M·古奥特; L·梅兰; M·库尔托; P·贝耶 |
| 本发明涉及一种处理设施(IT)，所述处理设施负责处理金属零件(PM)，所述金属零件包括相反的第一面(F1)和第二面(F2)。该设施(IT)包括：第一装置(D1)，所述第一装置能够按照相对于所述金属零件(PM)的经选择路线移动，以便实施第一材料在所述第一面(F1)的第一区域(Z1)上的沉积；以及第二装置(D2)，所述第二装置能够按照相对于所述金属零件(PM)的该经选择路线移动，以便以相对于所述第一材料的沉积的经选择时间差在该第一区域(Z1)上沉积第二防腐材料层。 | ||||||
| 14 | 掩模组件和掩模组件制造方法 | CN202311340728.4 | 2023-10-16 | CN117915737A | 2024-04-19 | 金桢国; 金辉; 文英慜 |
| 提供了一种掩模组件制造方法和一种掩模组件，所述掩模组件制造方法包括以下步骤：准备掩模片和框架；将掩模片拉伸并固定到框架；将单位掩模固定在掩模片上；以及在将单位掩模固定在掩模片上之后，通过去除掩模片的与单位掩模叠置的叠置部分来形成开口。 | ||||||
| 15 | 一种用于PCB六面镀铜的化金装置及化金工艺 | CN202410315746.5 | 2024-03-20 | CN117915575A | 2024-04-19 | 蒋华芳; 曹火生; 许伟 |
| 本发明公开了一种用于PCB六面镀铜的化金装置及化金工艺，涉及PCB镀铜化金技术领域。本发明中工位切换动力系统固定安装在滑轨上，转向动力系统套设在滑轨上，且转向动力系统通过工位切换动力系统驱使其沿着滑轨进行水平移动，PCB定位系统对称设置在转向动力系统的上下两侧，且两PCB定位系统之间通过伸缩柱连接，转向动力系统固定安装在下方PCB定位系统上，且转向动力系统用于控制上下设置的两PCB定位系统转动180°，PCB定位系统包括两组一号定位机构和两组二号定位机构。本发明通过转向动力系统可控制上下两PCB定位系统围绕滑轨旋转180°进行电镀工位切换，满足上下布置两PCB定位系统上承载的PCB板的交替式镀铜化金，提高了镀铜化金的生产效率和自动化水平。 | ||||||
| 16 | 一种图形化薄膜的原位沉积机构及方法 | CN202311725695.5 | 2023-12-15 | CN117913179A | 2024-04-19 | 宣荣卫; 孙胜华; 钱刚祥 |
| 本发明涉及IBC电池制造技术领域，具体为一种图形化薄膜的原位沉积机构及方法，原位沉积机构包括机械传输平台和反应腔室，所述机械传输平台用于带动硅片移动，所述反应腔室中包括第一反应气体进气口、第二反应气体进气口，所述第一反应气体进气口和所述第二反应气体进气口之间设置有惰性气体进气口，所述第一反应气体进气口用于通入第一反应气体在硅片上形成第一沉积薄膜，所述第二反应气体进气口用于通入第二反应气体在硅片上形成第二沉积薄膜，所述惰性气体进气口用于通入氮气或氩气。 | ||||||
| 17 | 一种碳化硅器件高温氧化工艺方法 | CN202311740535.8 | 2023-12-18 | CN117912940A | 2024-04-19 | 李志荣; 罗志明; 李志方; 杨钊; 李迎春 |
| 本发明涉及一种碳化硅器件高温氧化工艺方法，包括如下步骤：1)表面清洗；2)高温氧化；所述步骤1)通过如下方式实施，包括如下分步骤：1‑1)采用等离子体刻蚀工艺在真空腔内对所述碳化硅器件进行刻蚀，清除表面氧化层；1‑2)然后再通过化学气相沉积工艺在所述碳化硅器件表面沉积一层氧化硅膜。本发明先去除碳化硅器件表面质量较差的不均匀的原生或残留的氧化层，然后再镀上一层致密的氧化硅保护薄膜，防止碳化硅器件在进入高温氧化炉之前再次被氧化，如此，在碳化硅器件放入高温氧化炉后，就不会因为底层自带氧化层质量问题而影响最终氧化层的均匀性，进而降低产品性能。 | ||||||
| 18 | 一种超高真空电子束发射装置 | CN202311749374.9 | 2023-12-19 | CN117912919A | 2024-04-19 | 姚南; 谢如应; 陈军; 任雪堂 |
| 本发明提出一种超高真空电子束发射装置，包括基体组件和磁场组件，所述基体组件中部设有灯丝块组件，所述灯丝组件包括灯丝，所述灯丝通过灯丝夹固定安装在阴极块上端，所述阴极块正面底端连接导电片，所述阴极块正面顶部设有发射口，所述阴极块背面连接有绝缘块，所述绝缘块通过固定块固定在阳极块上，阳极块顶部有阳极板，本发明将灯丝块隐藏安装，并优化阴阳极块及磁场设置，以获得更高能量的蒸发粒子。同时使用特殊的密封形式与材料让装置能在超高真空下使用。 | ||||||
| 19 | 一种高分子导电膜及制备方法、储能装置和电池屏蔽膜 | CN202311663141.7 | 2023-12-06 | CN117912748A | 2024-04-19 | 臧世伟 |
| 本发明提供一种高分子导电膜及制备方法、储能装置和电池屏蔽膜，该高分子导电膜包括：原膜，以及设置在原膜第一表面和第二表面的导电材料层；其中，导电材料层的导电材料颗粒的平均晶粒尺寸在50nm在200nm之间，导电材料层的厚度在500nm至1500nm之间。本发明实施例中，当导电材料层的导电材料的平均晶粒尺寸在50nm‑200nm之间时，晶粒之间相互接触面积较大，其加大了晶粒与晶粒之间的作用力，同时导电材料颗粒与原膜之间的作用力配合晶粒与晶粒之间的作用力、以及导电材料层的厚度所带来的重量实现了平衡，进而增加了导电材料层与原膜之间的结合力避免导电材料层从原膜上脱落。 | ||||||
| 20 | 基于间隔织物的Ag修饰保温加热器及其制备方法 | CN202410105731.6 | 2024-01-25 | CN117904865A | 2024-04-19 | 张宪胜; 曲丽君; 贺桂芳; 王潇; 王莉莉 |
| 本发明涉及复合保温加热材料技术领域，尤其是基于间隔织物的Ag修饰保温加热器及其制备方法，是在间隔织物一表面上采用磁控溅射的方式沉积致密的Ag层，然后在Ag层上喷涂疏水层而形成的具有自清洁、透气透湿性能和高机械强度的加热保温复合材料。其集间隔织物隔热、低辐射散热、太阳能加热等多模态加热保暖方式于一体，间隔织物的立体空间结构构筑隔热层，通过引入Ag层对红外发射率进行调整，得到辐射隔热效果，采用太阳能主动辐射加热，满足室内和室外，不同人体对加热的需求。 | ||||||
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