1 |
掩模坯料、相移掩模的制造方法及半导体器件的制造方法 |
CN202280042861.9 |
2022-03-31 |
CN117769682A |
2024-03-26 |
宍户博明; 穐山圭司; 堀込康隆 |
本发明提供具备能够满足所要求的对于ArF准分子激光的曝光光的耐光性、并且在实际使用中能够以良好的精度容易地进行EB缺陷修正的相移膜的掩模坯料。所述掩模坯料在透光性基板上具备相移膜,相移膜由含有过渡金属、硅及氮的材料形成,相移膜的内部区域中的氮及氧的合计含量相对于过渡金属的含量的比率为12以上且19以下,所述内部区域是除了相移膜的与透光性基板的界面的附近区域、和相移膜的与透光性基板相反侧的表层区域以外的区域。 |
2 |
一种基于二氧化钒的振幅可调自旋电子太赫兹发射器 |
CN202311792436.4 |
2023-12-25 |
CN117767090A |
2024-03-26 |
周婷; 张国斌; 邹崇文 |
本发明公开了一种基于二氧化钒的振幅可调自旋电子太赫兹发射器,属于太赫兹发射技术领域。由三氧化二铝材料的基底上依次设有二氧化钒层、镍层和铂层构成,二氧化钒层为单晶外延薄膜;镍层和铂层均为非晶薄膜,且构成双层膜异质结。本发明振幅可调自旋电子太赫兹发射器既能实现0~3THz的宽谱太赫兹发射,又能实现在同等光路条件下,通过外部温度27~127℃的热刺激、电流0~160mA的电刺激,实现对太赫兹发射振幅的调制。本发明为实现下一代片上太赫兹源、太赫兹调制器的集成提供可能性,在太赫兹相关领域具有巨大的应用前景。 |
3 |
一种准太赫兹波全吸收超表面吸收器及其制备方法 |
CN202311698649.0 |
2023-12-12 |
CN117767012A |
2024-03-26 |
姚红兵; 丁志鹏; 苏巍; 周远航; 李文龙; 叶李鹏安; 岳江; 朱卫华 |
本发明公开了一种准太赫兹波全吸收超表面吸收器及其制备方法,吸收器的结构包括:二氧化硅层、石墨烯多层结构和金属基底的设计;顶部二氧化硅四棱台的结构设计;多层石墨烯同时电控的结构设计。本发明使用多层石墨烯进行增强太赫兹波吸收,通过外部偏置电压的控制,能够操控低频吸收波段的吸收强度,实现一定程度的可调谐性。在太赫兹波段内,本发明提出的超表面吸收器能够在0.5–10.0THz波段内能够达到96.33%的平均吸收率。本发明可以有效解决目前吸收器只能吸收部分太赫兹波段的难题,为太赫兹吸波领域的器件高性能化开辟了一个新的道路。 |
4 |
复合集流体及其制备方法与锂电池 |
CN202211139372.3 |
2022-09-19 |
CN117766772A |
2024-03-26 |
李永伟; 李其其格; 孙欣森; 姜宏峰 |
本发明涉及薄膜镀金属技术领域,公开了一种具有多层结构的复合集流体及其制备方法。所述复合集流体包括基材层以及依次包覆在所述基材层的至少一个表面上的多个镀金属层,且所述镀金属层中的金属含量从包覆所述基材层的第一层镀金属层至最外层的第N层镀金属层呈不同致密度分布。该结构复合集流体与相同厚度常规复合集流体对比导电率高,结合力提高;另外,该结构复合集流体加工工艺能够提高产品生产效率,提高电池电化学性能和安全性能。 |
5 |
一种可弯曲且具有高光电转换效率的硅异质结太阳能电池及其制法 |
CN202311478687.5 |
2023-11-08 |
CN117766640A |
2024-03-26 |
李阳; 郑雨荷; 吴佳婷 |
本发明公开了一种可弯曲且具有高光电转换效率的硅异质结太阳能电池,包括硅基底层;在硅基底层正面依次沉积有氢化非晶硅氧层、氢化非晶硅层、n型氢化纳米晶硅氧层和透明导电氧化物层;在硅基底层背面依次沉积有氢化非晶硅氧层、氢化非晶硅层、p型氢化纳米晶硅层和透明导电氧化物层;在透明导电氧化物层上印刷有金属电极。本发明还公开了上述硅异质结太阳能电池的制备方法,具体为:对硅基底层进行减薄、制绒处理;在硅基底层上连续沉积氢化非晶硅氧层和氢化非晶硅层,形成钝化层;利用二氧化碳和氢气混合气体在两侧钝化层上进行等离子体预处理,实现钝化层浅表面的纳米晶播种;在经过纳米晶播种的正面钝化层上垂直生长掺磷的n型纳米晶硅氧层;在经过纳米晶播种的背面钝化层上垂直生长掺硼的p型纳米晶硅层;沉积铈掺杂氧化铟作为透明导电氧化物层,再在透明导电氧化物层上印刷金属电极。 |
6 |
一种PECVD沉积BSG-硼源层制备硼发射极的方法及硅片与装置系统 |
CN202311783594.3 |
2023-12-22 |
CN117766600A |
2024-03-26 |
王树林; 李鹏飞; 卢卫华 |
本发明提供了一种PECVD沉积BSG‑硼源层制备硼发射极的方法及硅片与装置系统,所述方法包括依次进行的硅片预处理、PECVD沉积和热退火处理;其中,所述PECVD沉积的温度为250‑500℃,压力为800‑3000mTorr,工艺气体包括SiH4、B2H6和N2O,稀释气体包括Ar、H2或N2中的任意一种或至少两种的组合。本发明提供的方法特别适用于大尺寸电池在大管径的PECVD设备上沉积BSG,提升了硼掺杂均匀性及掺杂浓度,降低了表面BSG层去除难度,改善了钝化效果,同时简化了工艺流程,提高了生产效率,有利于大规模推广应用。 |
7 |
一种降低金锡焊料烧结元器件空洞率的烧结工艺 |
CN202311603272.6 |
2023-11-28 |
CN117766409A |
2024-03-26 |
杨剑群; 龙文莲; 李兴冀 |
本发明涉及半导体器件封装技术领域,公开了一种降低金锡焊料烧结元器件空洞率的烧结工艺,步骤包括:取器件管壳、金锡焊料片和待用芯片,制备烧结结构;将烧结结构置于真空回流炉的腔体内,腔体内温度由室温升到T0,升温过程中并抽真空;腔体内温度达到T0后,保持TO不变,进行腔体清洗,过程中间断充入保护性气体;将腔体内温度由T0升至T1,进行腔体预热;保持腔体内温度在T1,并抽真空;将腔体内温度从T1升到T2,并抽真空;保持腔体内温度在T2,并抽真空四,金锡焊料片充分融化,并于待用芯片的背面金属、器件管壳的导电区表面金属完成共晶反应。本发明不但能降低使用金锡焊料烧结元器件时的空洞率,还能提高产品质量和可靠性。 |
8 |
一种柔性铜锑硒太阳能电池光吸收层薄膜的三源共蒸发制备方法 |
CN202311777075.6 |
2023-12-22 |
CN117766405A |
2024-03-26 |
万磊; 焦宇飞; 许光磊; 张子硕; 周儒; 毛小丽; 牛海红; 王欢; 徐进章 |
本发明公开了一种柔性铜锑硒太阳能电池光吸收层薄膜的三源共蒸发制备方法,利用三源共蒸发沉积工艺在柔性基板上制备光吸收层铜锑硒,使得铜锑硒薄膜的制备方法更加简单高效,薄膜的结晶质量高、且太阳能电池可弯曲。本发明从控制蒸发源温度,衬底温度和蒸发时间出发,调节薄膜厚度与铜、锑、硒比例,通过控制温度曲线,保持第二阶段锑源与硒源的持续蒸发,维持锑和硒的蒸气氛围,从而减少薄膜中锑和硒的流失,使得柔性基板上的铜锑硒薄膜的结晶性更好。本发明在柔性基板上得到结晶性较好的铜锑硒薄膜,并制备出柔性铜锑硒太阳能电池,具有广泛的应用前景。 |
9 |
衬底处理方法、半导体器件的制造方法、记录介质及衬底处理装置 |
CN202311004587.9 |
2023-08-10 |
CN117766373A |
2024-03-26 |
宫仓敬弘; 平野晃人; 越保信; 女川靖浩 |
本发明涉及衬底处理方法、半导体器件的制造方法、记录介质及衬底处理装置。提供能够使形成于衬底上的膜的品质提高的技术。具有:(a)向具有凹部的衬底供给含有第14族元素的第1气体的工序;(b)向上述衬底供给含有第15族或第13族元素的第2气体的工序;(c)将上述第2气体设为第1浓度而进行(a)和(b),由此在上述凹部形成含有上述第14族元素的第1膜,并在用上述第1膜将凹部内填满之前停止成膜的工序;和(d)在(c)之后,将上述第2气体设为第2浓度而进行(b),并且对上述衬底进行热处理的工序。 |
10 |
一种含PN结的单晶半导体芯光纤器件及其制备方法 |
CN202311784176.6 |
2023-12-22 |
CN117761824A |
2024-03-26 |
赵子文; 钟双栖; 杜亦凡; 马泽成; 庞拂飞; 文建湘; 王廷云 |
本发明涉及一种含PN结的单晶半导体芯光纤器件及其制备方法。在N型半导体材料上通过离子注入三价元素形成PN结,再由CO2激光照射后制备光纤包层,形成光纤内单晶PN结器件。包括如下步骤:1)采用湿法腐蚀技术对较粗的单晶N型半导体棒进行腐蚀处理,得到直径较小的棒状芯材料;2)将腐蚀过的单晶半导体芯放入离子注入机下,注入合适能量和剂量的三价离子于半导体芯内部;通过退火消除由于高能离子注入半导体芯后与靶原子发生一系列碰撞而产生的晶格损伤;3)选择合适的玻璃毛细管包裹相适应的含PN结单晶半导体芯,用CO2激光器进行照射,使玻璃毛细管收缩形成光纤包层。本发明光纤器件提升了半导体芯光纤内光电器件的光电性能。 |
11 |
铸钢轴箱体激光熔覆修复粉末选型方法 |
CN202311762763.5 |
2023-12-19 |
CN117761277A |
2024-03-26 |
樊云杰; 武永寿; 韩晓辉; 曹金山; 林森 |
本发明涉及轨道车辆技术领域,具体涉及铸钢轴箱体激光熔覆修复粉末选型方法。所述方法包括:初选粉末;工艺优化及试件制备;无损检测;性能试验;宏观、微观组织观察;硬度、拉伸、冲击测试;摩擦磨损测试;盐雾、电化学腐蚀;判断是否性能相近。本发明基于基体材质为G20Mn5QT钢的材料提出一种选型的流程和实验方法,通过该方法选出的粉末可以在同等工艺参数下达到最佳的熔覆层性能,同时熔覆层具有优佳的耐磨性、耐腐蚀性、冲击韧性、疲劳等性能。 |
12 |
炉鼻子溢流槽板体水平度监测装置及监测调平方法 |
CN202311793656.9 |
2023-12-25 |
CN117760386A |
2024-03-26 |
周诗正; 周浩; 张伟浩; 杜蓉; 陈功政; 钟荣飞; 李金; 毛盾; 张中大 |
本公开涉及冷轧带钢生产技术领域,尤其涉及一种炉鼻子溢流槽板体水平度监测装置及监测调平方法。本公开提供了一种炉鼻子溢流槽板体水平度监测装置,包括炉鼻子本体、溢流槽板体和监测机构,所述溢流槽板体设置在所述炉鼻子本体的端部,所述监测机构包括水平监测件和安装件,所述水平监测件通过所述安装件设置在所述炉鼻子本体上,且所述水平监测件用于监测所述溢流槽板体宽度方向的预设水平度变化。本公开的技术方案结构简单,使用效果好该炉鼻子溢流槽的波浪板唇口水平度调节响应迅速高效溢流槽的唇口能够与锌锅中的锌液液位保持水平,高低差值固定,波动小,保证流动顺畅,溢流槽的溢流均匀,节能降耗。 |
13 |
基于原子级缺陷的结构超润滑系统及其制造方法 |
CN202211156278.9 |
2022-09-19 |
CN117759856A |
2024-03-26 |
李群仰; 张帅 |
本申请提供了基于原子级缺陷的结构超润滑系统及其制造方法。结构超润滑系统包括基底材料和滑块,基底材料上设置有原子级缺陷,滑块置于基底材料上且位于原子级缺陷所在的部位,原子级缺陷能够使滑块在基底材料上沿不同方向滑动时,滑块与基底材料之间的摩擦力大小不同,原子级缺陷包括基底材料上供滑块滑动的平面不连续的部位和/或材料取向不连续的部位。结构超润滑系统的制造方法包括提供基底材料,通过机械剥离、化学刻蚀、电子束刻蚀、原子力显微镜探针刻蚀、离子束轰击或电子束轰击的方法制造平面不连续的部位或通过化学气相沉积生长的方法制造取向不连续的部位,提供滑块,将滑块置于平面不连续的部位或材料取向不连续的部位。 |
14 |
桥梁支座的锚固装置及桥梁支座安装方法 |
CN202311794215.0 |
2023-12-25 |
CN117758602A |
2024-03-26 |
于洋; 王丽华; 周鹏; 李东鹏 |
本发明涉及桥梁结构施工领域,具体公开了桥梁支座的锚固装置及桥梁支座安装方法,锚固防锈机构包括:套筒外接筒、防锈板,套筒外接筒包括:第一盖板、第二盖板,第二盖板与第一盖板之间安装有弹簧,套筒外接筒的外侧开设有抱箍槽,桥梁支座包括:顶板、底板,顶板及底板之间连接有钢筒,套筒的内部设置有锚固螺栓,锚固螺栓的外侧位于顶板的上方设置有安装桥墩。锚固防锈机构采用金属活性大于桥梁支座的金属材质,因此在当和桥梁支座及套筒整体连接过后,则整体可以在潮湿的环境下构成一个原电池结构,因此在当锚固用的结构和桥梁支座发生锈蚀时则锚固防锈机构整体可以作为替代。 |
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一种内河码头的浮桥结构 |
CN202311806112.1 |
2023-12-26 |
CN117758596A |
2024-03-26 |
顾勇; 董江平; 王丽华; 于洋; 周鹏 |
本发明公开了一种内河码头的浮桥结构,包括浮块,所述浮块的上端固定连接有支撑钢板,所述支撑钢板的外壁设置有多个安装孔,所述安装孔的内壁螺纹连接有螺杆,所述支撑钢板的一端固定连接有插板;将一个支撑钢板上的插板插入到另一个支撑钢板上的插槽内,来将两个支撑钢板进行固定,并通过螺杆来将两个支撑钢板固定在一起,从而实现增长浮桥长度的铺设,通过缓冲机构来对冲击的海水进行缓冲,从而降低浮块和支撑钢板受到的海水冲击,从而保护浮块和支撑钢板,利用防锈机构,来避免支撑钢板的锈蚀,利用调节机构,来调节浮块的重量,从而提高浮块的抗风抗浪能力,降低浮块被海水冲击的晃动程度。 |
16 |
一种喷淋装置 |
CN202311790875.1 |
2023-12-22 |
CN117758361A |
2024-03-26 |
王健辉; 卢敬权 |
本发明公开了一种喷淋装置,包括:设有绕流结构的原料舟;第一喷口,喷出在原料舟中形成的第三反应气体;第二喷口,喷出隔离气体;第三喷口,喷出第二反应气体;第二喷口和第三喷口依次套设于第一喷口外;第二喷口相对于第三喷口向上缩进,第一喷口相对于第二喷口向上缩进。通过在原料舟中设置绕流结构,使得通入原料舟的第一反应气体在原料舟中绕流,以更好地延长第一反应气体在原料舟内的流动时间,使其与原料舟内的原料充分反应生成第三反应气体,提高气体利用率;同心设置的多个喷口及其内缩,提高了混合气体的扩散均匀度,改进了反应气体的分布,从而有效降低了预反应的概率,达到调节膜厚分布的目的,进而能够确保单晶生长质量。 |
17 |
一种用于166MHz四分之一波长超导腔的酸洗工装 |
CN202311818433.3 |
2023-12-27 |
CN117758277A |
2024-03-26 |
戴劲; 张新颖; 郭琳; 张沛 |
本发明公开了一种用于166MHz四分之一波长超导腔的酸洗工装。本发明酸洗工装包括大束管侧工装、小束管侧组合工装和酸液导流工装;大束管侧工装作为超导腔系统的进酸口或出酸口,其一端与超导腔系统的腔大束管法兰密封连接,另一端通过第一连接法兰和连接管与酸洗设备相连;小束管侧组合工装作为超导腔系统的进酸口或出酸口,其一端与超导腔系统的腔小束管法兰、腔耦合器法兰以及各淋洗口法兰密封连接,另一端通过第二连接法兰和管路与酸洗设备相连;酸液导流工装位于超导腔系统内,与大束管侧工装连通,用于引导经大束管侧工装输入超导腔系统内的酸液流动、平衡酸液流速。本发明大大提高了超导腔的酸洗效果且气泡排除顺畅。 |
18 |
一种硝酸退镀用黄烟抑制剂 |
CN202311832694.0 |
2023-12-28 |
CN117758274A |
2024-03-26 |
李恺; 蔡含平; 吴念龙 |
本发明公开了一种硝酸退镀用黄烟抑制剂,包括尿素、NP‑10、硫脲、六次甲基四胺和水,所述尿素8~10份、NP‑101~3份、硫脲1~3份、六次甲基四胺1~3份、水84~86份;本发明首先通过1份硫脲和1份六次甲基四胺降低退镀反应的速率,避免退镀反应发生的过于迅猛而让抑制剂未充分起到效果,进一步的通过3份NP‑10在反应液体的表面生成泡沫,通过泡沫对气体起到一定的遮蔽作用,进而通过抑制剂充分的与气体发生反应,利用10份尿素吸收退镀时硝酸产生的二氧化氮,起到了对黄烟进行抑制的效果,与现有技术相比也改善了工作间的工作环境。 |
19 |
一种高速镜面抛光研磨剂及其制备方法 |
CN202211127152.9 |
2022-09-16 |
CN117758268A |
2024-03-26 |
高云松; 李文辉; 石慧婷; 李永刚; 李学楠 |
本发明提供一种高速镜面抛光研磨剂及其制备方法,涉及金属表面抛光加工技术领域。一种高速镜面抛光研磨剂及其制备方法,由下述重量份的组分组成:液体石蜡30‑60份,溶剂油10‑20份,硬脂酸10‑60份,三硬脂酸甘油酯10‑60份,甘油2‑10份,表面活性剂1‑5份,防锈剂0.2‑2份,氧化铝微粉20‑50份,氧化硅微粉20‑50份,其他0.2‑2份。通过在研磨剂中加入溶剂油、液态石蜡、三硬脂酸甘油酯、硬脂酸、三硬脂酸甘油酯、其他助剂、氧化铝微粉、氧化硅微粉、甘油和防锈剂,该研磨剂能与各类轻质或弹性抛磨介质配合,在高线速度的设备工况下,实现金属制品表面的镜面抛光,具有良好的浸润、侵蚀、润滑、挤压、清洗、抛光和防锈性能。 |
20 |
用于高氮不锈钢钝化膜耐腐蚀性检测的腐蚀液 |
CN202410076164.6 |
2024-01-18 |
CN117758267A |
2024-03-26 |
王晓南; 于海波; 邹燕珍; 石永; 邢珲珲; 刘汇河; 杨晨星; 俞继瑶; 牛丽丽; 文婧 |
本发明涉及一种用于高氮不锈钢钝化膜耐腐蚀性检测的腐蚀液,属于金属表面处理技术领域。本发明的腐蚀液由CuSO4、NaCl、CH3COOH和水组成,pH值为3.0~4.0;腐蚀液中CuSO4浓度为40~60g/L,NaCl浓度为45~55g/L。腐蚀液中氯化钠提供具有腐蚀性的氯离子,乙酸可以使pH维持在3.0~4.0产生稳定的弱酸性腐蚀环境,乙酸还可以加速氯化钠中氯离子腐蚀速率的作用;硫酸铜可以与高氮不锈钢表面出现的游离铁发生化学反应,使溶液颜色发生变化或出现黑色腐蚀斑点,便于肉眼观察;三者之间协同作用加速腐蚀高氮不锈钢表面钝化膜且便于观察的作用,实现快速检测高氮不锈钢钝化膜耐腐蚀性强弱的目的。 |