掩模组件和掩模组件制造方法

申请号 CN202311340728.4 申请日 2023-10-16 公开(公告)号 CN117915737A 公开(公告)日 2024-04-19
申请人 三星显示有限公司; 发明人 金桢国; 金辉; 文英慜;
摘要 提供了一种掩模组件制造方法和一种掩模组件,所述掩模组件制造方法包括以下步骤:准备掩模片和 框架 ;将掩模片拉伸并固定到框架;将单位掩模固定在掩模片上;以及在将单位掩模固定在掩模片上之后,通过去除掩模片的与单位掩模叠置的叠置部分来形成开口。
权利要求

1.一种掩模组件制造方法,所述方法包括以下步骤:
准备掩模片和框架
将所述掩模片拉伸并固定到所述框架;
将单位掩模固定在所述掩模片上;以及
在将所述单位掩模固定在所述掩模片上之后,通过去除所述掩模片的与所述单位掩模叠置的叠置部分来形成开口。
2.根据权利要求1所述的掩模组件制造方法,其中,
所述单位掩模包括:
单元区域,包括多个沉积开口;以及
保持区域,与所述单元区域相邻,并且
所述掩模片的所述开口与所述单元区域叠置。
3.根据权利要求2所述的掩模组件制造方法,所述方法还包括:
在所述掩模片中形成与所述单元区域叠置的预备开口,
其中,所述预备开口的尺寸小于所述开口的尺寸。
4.根据权利要求2所述的掩模组件制造方法,所述方法还包括:
通过去除所述掩模片的与所述单元区域叠置的第一部分的上表面的一部分来形成凹槽,
其中,所述凹槽的深度小于所述掩模片的与所述第一部分相邻的第二部分的厚度。
5.根据权利要求4所述的掩模组件制造方法,其中,形成所述开口的步骤包括去除所述掩模片的与所述凹槽叠置的部分。
6.根据权利要求1所述的掩模组件制造方法,所述方法还包括:
沿着所述掩模片的所述叠置部分的外线形成彼此分开布置的多个孔,
其中,所述多个孔均从所述掩模片的上表面朝向所述掩模片的下表面穿透所述掩模片。
7.根据权利要求1所述的掩模组件制造方法,所述方法还包括:
沿着所述掩模片的所述叠置部分的外线形成彼此分开布置的多个凹槽,其中,所述多个凹槽中的每个的深度均小于所述掩模片的厚度。
8.根据权利要求1所述的掩模组件制造方法,所述方法还包括:
沿着所述掩模片的所述叠置部分的外线形成凹槽,
其中,所述凹槽的深度小于所述掩模片的厚度。
9.根据权利要求8所述的掩模组件制造方法,其中,在平面上,所述凹槽具有闭合曲线形状。
10.根据权利要求1所述的掩模组件制造方法,其中,形成所述开口的步骤包括通过用激光照射所述掩模片的下表面来形成多个开口。
11.根据权利要求10所述的掩模组件制造方法,其中,形成所述多个开口的步骤还包括:
形成第一开口;以及
形成在一方向上与所述第一开口间隔开的第二开口。
12.根据权利要求10所述的掩模组件制造方法,其中,形成所述多个开口的步骤还包括:
在所述掩模片的边缘上形成第一开口;以及
在形成所述第一开口之后,形成与所述掩模片的中心部分相邻的第二开口。
13.一种掩模组件,所述掩模组件包括:
框架,包括框架开口;
掩模片,覆盖所述框架开口,并且包括开口;以及
多个单位掩模,均包括:单元区域,与所述开口叠置;以及保持区域,与所述单元区域相邻,并且通过多个焊接点与所述掩模片结合,
其中,所述掩模片的限定所述开口的内表面包括至少一个突起。
14.根据权利要求13所述的掩模组件,其中,
所述至少一个突起包括多个突起,并且
在平面上,所述多个突起沿着所述内表面彼此间隔开。
15.一种掩模组件,所述掩模组件包括:
框架,包括框架开口;
掩模片,覆盖所述框架开口;以及
多个单位掩模,均包括:单元区域,包括多个沉积开口;以及保持区域,与所述单元区域相邻,并且通过多个焊接点与所述掩模片结合,
其中,所述掩模片包括:第一部分,完全覆盖所述多个沉积开口中的至少一部分沉积开口;以及第二部分,与所述第一部分相邻。
16.根据权利要求15所述的掩模组件,其中,所述掩模片的所述第一部分的厚度小于所述第二部分的厚度。
17.根据权利要求15所述的掩模组件,其中,
所述掩模片包括沿着所述掩模片的所述第一部分与所述第二部分之间的边界布置的多个孔,并且
所述多个孔中的每个的深度等于所述掩模片的厚度。
18.根据权利要求15所述的掩模组件,其中,
所述掩模片包括沿着所述掩模片的所述第一部分与所述第二部分之间的边界的凹槽,并且
所述凹槽的深度小于所述掩模片的厚度。
19.根据权利要求18所述的掩模组件,其中,所述凹槽形成在所述掩模片的与所述多个单位掩模结合的上表面中。
20.根据权利要求15所述的掩模组件,其中,
所述掩模片包括在所述掩模片的所述第一部分中的多个预备开口,并且所述多个预备开口中的每个的尺寸小于所述单元区域的尺寸。

说明书全文

掩模组件和掩模组件制造方法

[0001] 本申请要求于2022年10月17日在韩国知识产权局(KIPO)提交的第10‑2022‑0132934号韩国专利申请的优先权和权益,该韩国专利申请的全部内容通过引用包含于此。

技术领域

[0002] 公开在此涉及一种改善沉积精度的掩模组件和掩模组件制造方法。

背景技术

[0003] 显示器可以通过各种工艺制造。例如,在制造显示器时,可以使用沉积工艺。在用于制造显示器的沉积工艺中,可以使用与基底紧密接触以沉积有机材料的精细金属掩模(FMM)。然而,掩模不限于此,并且可以在用于制造显示器的沉积工艺中使用单元单位掩模。
[0004] 将理解的是,该背景技术部分部分地意图提供用于理解技术的有用背景。然而,该背景技术部分还可以包括不是相关领域技术人员在在此公开的主题的对应的有效提交日期之前已知或理解的内容的部分的想法、构思或认识。发明内容
[0005] 公开提供了一种具有改善的沉积精度的掩模组件。
[0006] 公开还提供了一种用于制造具有改善的沉积精度的掩模组件的掩模组件制造方法。
[0007] 通过公开将实现的技术目的不限于在此描述的技术目的,并且本领域技术人员从公开的描述中将清楚地理解在此未提及的其它技术目的。
[0008] 公开的实施例提供了一种掩模组件制造方法,所述方法包括以下步骤:准备掩模片和框架;将掩模片拉伸并固定到框架;将单位掩模固定在掩模片上;以及在将单位掩模固定在掩模片上之后,通过去除掩模片的与单位掩模叠置的叠置部分来形成开口。
[0009] 在实施例中,单位掩模可以包括:单元区域,包括多个沉积开口;以及保持区域,与单元区域相邻,并且掩模片的开口可以与单元区域叠置。
[0010] 在实施例中,掩模组件制造方法还可以包括在掩模片中形成与单元区域叠置的预备开口,并且预备开口的尺寸可以小于开口的尺寸。
[0011] 在实施例中,掩模组件制造方法还可以包括通过去除掩模片的与单元区域叠置的第一部分的上表面的一部分来形成凹槽,并且凹槽的深度可以小于掩模片的与第一部分相邻的第二部分的厚度。
[0012] 在实施例中,形成开口的步骤可以包括去除掩模片的与凹槽叠置的部分。
[0013] 在实施例中,掩模组件制造方法还可以包括沿着掩模片的叠置部分的外线形成彼此分开布置的多个孔,并且多个孔可以均从掩模片的上表面朝向掩模片的下表面穿透掩模片。
[0014] 在实施例中,掩模组件制造方法还可以包括沿着掩模片的叠置部分的外线形成彼此分开布置的多个凹槽,并且多个凹槽中的每个的深度均可以小于掩模片的厚度。
[0015] 在实施例中,掩模组件制造方法还可以包括沿着掩模片的叠置部分的外线形成凹槽,并且凹槽的深度可以小于掩模片的厚度。
[0016] 在实施例中,在平面上,凹槽可以具有闭合曲线形状。
[0017] 在实施例中,形成开口的步骤可以包括通过用激光照射掩模片的下表面来形成多个开口。
[0018] 在实施例中,形成多个开口的步骤还可以包括:形成第一开口;以及形成在一方向上与第一开口间隔开的第二开口。
[0019] 在实施例中,形成多个开口的步骤还可以包括:在掩模片的边缘上形成第一开口;以及在形成第一开口之后,形成与掩模片的中心部分相邻的第二开口。
[0020] 在公开的实施例中,掩模组件包括:框架,包括框架开口;掩模片,覆盖框架开口,并且包括开口;以及多个单位掩模,均包括:单元区域,与开口叠置;以及保持区域,与单元区域相邻,并且通过多个焊接点与掩模片结合,并且掩模片的限定开口的内表面包括至少一个突起。
[0021] 在实施例中,至少一个突起可以包括多个突起,并且在平面上,多个突起可以沿着内表面彼此间隔开。
[0022] 在公开的实施例中,掩模组件包括:框架,包括框架开口;掩模片,覆盖框架开口;以及多个单位掩模,均包括:单元区域,包括多个沉积开口;以及保持区域,与单元区域相邻,并且通过多个焊接点与掩模片结合,并且掩模片包括:第一部分,完全覆盖多个沉积开口中的至少一部分沉积开口;以及第二部分,与第一部分相邻。
[0023] 在实施例中,掩模片的第一部分的厚度可以小于第二部分的厚度。
[0024] 在实施例中,掩模片可以包括沿着掩模片的第一部分与第二部分之间的边界布置的多个孔,并且多个孔中的每个的深度可以等于掩模片的厚度。
[0025] 在实施例中,掩模片可以包括沿着掩模片的第一部分与第二部分之间的边界的凹陷的凹槽,并且凹槽的深度可以小于掩模片的厚度。
[0026] 在实施例中,凹槽可以形成在掩模片的与多个单位掩模结合的上表面中。
[0027] 在实施例中,掩模片可以包括在掩模片的第一部分中的多个预备开口,并且多个预备开口中的每个的尺寸可以小于单元区域的尺寸。附图说明
[0028] 附图被包括以提供对公开的进一步理解,并且附图被并入本说明书中并构成本说明书的一部分。附图示出了公开的实施例,并且与描述一起用于解释公开的原理。在附图中:
[0029] 图1是根据公开的实施例的掩模组件制造方法的示意性流程图
[0030] 图2是示出根据公开的实施例的掩模组件制造方法的一部分的示意性透视图;
[0031] 图3是示出根据公开的实施例的掩模组件制造方法的一部分的示意性透视图;
[0032] 图4A是示出根据公开的实施例的掩模组件制造方法的一部分的示意性透视图;
[0033] 图4B是沿着图4A中的切割线I‑I'截取的示意性剖视图;
[0034] 图5是示出根据公开的实施例的掩模组件制造方法的一部分的示意性透视图;
[0035] 图6A是根据公开的实施例的掩模片的示意性平面图;
[0036] 图6B是根据公开的实施例的掩模片的示意性平面图;
[0037] 图7是根据公开的实施例的掩模组件制造方法的示意性流程图;
[0038] 图8A是示出根据公开的实施例的掩模组件制造方法的一部分的示意性透视图;
[0039] 图8B是沿着图8A中的切割线II‑II'截取的示意性剖视图;
[0040] 图9A是示出根据公开的实施例的掩模组件制造方法的一部分的示意性透视图;
[0041] 图9B是沿着图9A中的切割线III‑III'截取的示意性剖视图;
[0042] 图10A是示出根据公开的实施例的掩模组件制造方法的一部分的示意性透视图;
[0043] 图10B是沿着图10A中的切割线IV‑IV'截取的示意性剖视图;
[0044] 图11A是示出根据公开的实施例的掩模组件制造方法的一部分的示意性透视图;
[0045] 图11B是沿着图11A中的切割线V‑V'截取的示意性剖视图;
[0046] 图11C是示出根据公开的实施例的掩模组件制造方法的一部分的示意性剖视图;
[0047] 图12A是示出根据公开的实施例的掩模组件制造方法的一部分的示意性透视图;
[0048] 图12B是沿着图12A中的切割线VI‑VI'截取的示意性剖视图;
[0049] 图12C是示出根据公开的实施例的掩模组件制造方法的一部分的示意性平面图;以及
[0050] 图13是根据公开的实施例的掩模组件的示意性透视图。

具体实施方式

[0051] 在本说明书中,当组件(或区域、层、部分等)被称为“在”另一组件“上”、“连接”或“结合”到另一组件时,意味着所述组件直接放置在所述另一组件上/连接/结合到另一组件,或者第三组件可以设置在所述组件与所述另一组件之间。
[0052] 相同的附图标记或符号指相同的元件。另外,在附图中,为了技术内容的有效描述,可以夸大组件的厚度、比率和尺寸。
[0053] 术语“和/或”包括相关构造可以限定的内容中的一个或更多个的任何组合和所有组合。例如,“A和/或B”可以理解为意味着“A、B或者A和B”。
[0054] 出于本公开的目的,短语“A和B中的至少一个(种/者)”可以被解释为仅A、仅B或者A和B的任何组合。此外,“X、Y和Z中的至少一个(种/者)”和“选自由X、Y和Z组成的组中的至少一个(种/者)”可以被解释为仅X、仅Y、仅Z或者X、Y和Z中的两个或更多个的任何组合。
[0055] 诸如“第一”和“第二”的术语可以用于描述各种组件,但是组件不应受所述术语的限制。这些术语仅用于将一个组件与其它组件区分开的目的。例如,在不脱离公开的范围的情况下,第一组件可以被称为第二组件,并且类似地,第二组件可以被称为第一组件。除非上下文另外清楚地指出,否则单数表述包括复数表述。
[0056] 诸如“在……下方”、“下”、“在……上方”和“上”的术语用于描述附图中所示的组件之间的关系。所述术语是相对概念,并且基于附图中指示的方向来描述。
[0057] 诸如“包括”、“包含”或“具有”的术语意图表明存在说明书中描述的特征、数量、步骤、操作、组件、部分或它们的组合,并且应当理解的是,不排除存在或添加一个或更多个其它特征、数量、步骤、操作、组件、部分或它们的组合的可能性。
[0058] 除非在此另有定义或暗示,否则本说明书中使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属领域的普通技术人员通常理解的含义相同的含义。还将理解的是,术语(诸如在常用词典中定义的术语)应该被解释为具有与相关领域的上下文中具有的含义一致的含义,并且不应该被解释为过于理想化或过于形式化,除非在此明确地如此定义。
[0059] 在下文中,将参照附图描述公开的实施例。
[0060] 图1是根据公开的实施例的掩模组件制造方法的示意性流程图。
[0061] 参照图1,掩模组件制造方法可以是用于使用掩模组件制造设备来制造在显示装置制造工艺之中的沉积工艺中使用的显示装置工艺掩模MK(在下文中,简称为“掩模组件”,见例如图13)的方法。更具体地,与用于沉积工艺的基底紧密接触的掩模组件MK可以通过掩模组件制造方法制造。
[0062] 掩模组件制造方法可以包括准备掩模片和框架的操作(S100)、将掩模片拉伸并固定到框架的操作(S200)、将单位掩模固定在掩模片上的操作(S300)以及在掩模片中形成开口的操作(S400)。
[0063] 图2是示出根据公开的实施例的掩模组件制造方法的一部分的示意性透视图。
[0064] 参照图1和图2,可以准备掩模片MS和框架FR(S100)。框架开口OP_FR可以被限定在框架FR中。框架FR可以包括刚性材料。例如,框架FR可以包括SUS、因瓦合金(invar)等或者由SUS、因瓦合金等构成。
[0065] 掩模片MS可以被准备为在剖视图或厚度方向上(例如,在第三方向DR3上)与框架开口OP_FR叠置。掩模片MS可以包括刚性材料。例如,掩模片MS可以包括SUS、因瓦合金等或者由SUS、因瓦合金等构成。根据实施例的掩模片MS可以是其中未形成有开口的掩模片MS。例如,掩模片MS可以具有作为整体的板形式。
[0066] 掩模片MS在第一方向DR1上和第二方向DR2上的长度可以分别小于框架FR在第一方向DR1上和第二方向DR2上的长度。掩模片MS和框架FR可以具有相同的厚度,但是公开的实施例不限于此。
[0067] 图3是示出根据公开的实施例的掩模组件制造方法的一部分的示意性透视图。
[0068] 参照图1和图3,可以将掩模片MS拉伸并固定到框架FR(S200)。掩模片MS可以被拉伸以覆盖框架开口OP_FR。例如,掩模片MS可以根据在第一方向DR1上和与第一方向DR1相反的方向上作用在其上的而在第一方向DR1上和与第一方向DR1相反的方向上被拉伸,并且可以根据在第二方向DR2上和与第二方向DR2相反的方向上作用在其上的力而在第二方向DR2上和与第二方向DR2相反的方向上被拉伸。因此,掩模片MS可以被拉伸以与框架开口OP_FR叠置,并且拉伸的掩模片MS可以通过焊接固定到框架FR上。
[0069] 图4A是示出根据公开的实施例的掩模组件制造方法的一部分的示意性透视图。图4B是沿着图4A中的切割线I‑I'截取的示意性剖视图。
[0070] 参照图1、图4A和图4B,可以将单位掩模UM固定到掩模片MS上。单位掩模UM可以包括其中限定有沉积开口HP的单元区域CA和与单元区域CA相邻的保持区域HA。单位掩模UM的单元区域CA可以是与稍后将在掩模片MS中形成的开口OP(见例如图5)叠置的区域。
[0071] 掩模组件制造设备(未示出)可以接触单位掩模UM的保持区域HA(或可以与单位掩模UM的保持区域HA接触)以拉伸单位掩模UM。例如,掩模组件制造设备(未示出)可以通过抽吸而附接到单位掩模UM的保持区域HA,并且可以在第一方向DR1上拉伸单位掩模UM。图4A示出了其两条边在第一方向DR1上被拉伸的单位掩模UM。然而,公开的实施例不限于此。例如,单位掩模UM的四条边可以在第一方向DR1上和第二方向DR2上被拉伸。在另一示例中,单位掩模UM的边可以在各个方向上被拉伸。
[0072] 拉伸的单位掩模UM可以通过掩模组件制造设备(未示出)的焊接构件(未示出)焊接到掩模片MS上。例如,焊接构件(未示出)可以通过用激光照射单位掩模UM的保持区域HA而在保持区域HA中形成焊接点,并且单位掩模UM可以通过焊接点结合到掩模片MS上。
[0073] 图4A和图4B示出了单个单位掩模UM被固定,但是通过重复图4A和图4B中所示的操作,可以将多个单位掩模UM固定到掩模片MS。例如,可以固定与掩模片MS的十个叠置部分PP叠置的十个单位掩模UM,但是要固定的单位掩模UM的数量不限于此。单位掩模UM的数量可以根据要制造的显示装置的尺寸或要制造的掩模组件MK(见图13)的尺寸而改变。
[0074] 图5是示出根据公开的实施例的掩模组件制造方法的一部分的示意性透视图。
[0075] 参照图1和图5,在将单位掩模UM固定到掩模片MS(S300)之后,可以在掩模片MS中形成开口OP(S400)。例如,可以通过使用激光装置LS用激光照射掩模片MS的与单位掩模UM叠置的叠置部分PP来去除叠置部分PP,并且可以形成掩模片MS的开口OP。激光装置LS可以用激光照射掩模片MS的下表面B‑MS。掩模片MS的通过以上工艺形成的开口OP可以与单位掩模UM的单元区域CA叠置。
[0076] 图5示出了形成一个开口OP,但是公开的实施例不限于此。形成开口的操作(S400,见例如图1)还可以包括形成多个开口OP的操作。例如,激光装置LS可以用激光照射掩模片MS的下表面B‑MS以形成多个开口OP。
[0077] 根据公开的实施例,在将所有单位掩模UM结合到(或连接到)其中未限定开口OP的掩模片MS之后,可以在掩模片MS中形成分别与单位掩模UM叠置的开口OP。由于通过在掩模片MS中形成开口OP而产生的变形力在与通过将单位掩模UM结合到掩模片MS而产生的变形力的方向相反的方向上起作用,因此可以减小在整个掩模片MS中产生的变形力。因此,由于掩模片MS的变形力减小,因此可以减小通过拉伸产生的应力,并且可以改善像素位置精度(PPA)。像素位置精度(PPA)可以被称为沉积精度。
[0078] 图6A是根据公开的实施例的掩模片MS的示意性平面图。图6A示出了形成掩模片MS的开口OP1、OP2、OP3、OP4、OP5、OP6、OP7、OP8、OP9和OP10的顺序。
[0079] 参照图6A,形成开口OP1、OP2、OP3、OP4、OP5、OP6、OP7、OP8、OP9和OP10的操作可以包括形成第一开口OP1的操作和形成第二开口OP2的操作。第二开口OP2可以在第一方向DR1上与第一开口OP1间隔开。例如,第一开口OP1可以与第一叠置部分PP1对应,并且第二开口OP2可以与第二叠置部分PP2对应。
[0080] 可以在掩模片MS中顺序地形成分别与第一叠置部分PP1、第二叠置部分PP2、第三叠置部分PP3、第四叠置部分PP4、第五叠置部分PP5、第六叠置部分PP6、第七叠置部分PP7、第八叠置部分PP8、第九叠置部分PP9和第十叠置部分PP10对应的开口OP1、OP2、OP3、OP4、OP5、OP6、OP7、OP8、OP9和OP10。
[0081] 然而,形成开口OP1、OP2、OP3、OP4、OP5、OP6、OP7、OP8、OP9和OP10的顺序不限于此。例如,可以顺序地形成分别与第六叠置部分PP6、第七叠置部分PP7、第八叠置部分PP8、第九叠置部分PP9、第十叠置部分PP10、第一叠置部分PP1、第二叠置部分PP2、第三叠置部分PP3、第四叠置部分PP4和第五叠置部分PP5对应的开口OP6、OP7、OP8、OP9、OP10、OP1、OP2、OP3、OP4和OP5。
[0082] 根据实施例,在顺序地形成在第一方向DR1上彼此间隔开的开口OP1、OP2、OP3、OP4和OP5以及在第一方向DR1上彼此间隔开的开口OP6、OP7、OP8、OP9和OP10的情况下,由于发射激光的激光装置LS(见例如图5)的移动距离减小,因此用于制造掩模组件MK(见例如图13)的工艺的速度可以增大。
[0083] 图6B是根据公开的实施例的掩模片MSa的示意性平面图。图6B示出了形成掩模片MSa的开口OP1a和OP2a的顺序。
[0084] 参照图6B,可以以从靠近掩模片MSa的边缘(或与掩模片MSa的边缘相邻)的开口开始到靠近掩模片MSa的中心部分的开口的顺序形成开口OP1a和OP2a。形成开口的操作可以包括在掩模片MSa的边缘中形成第一开口OP1a的操作和形成靠近掩模片MSa的中心部分的第二开口OP2a的操作。可以在形成第一开口OP1a之后形成第二开口OP2a。第一开口OP1a可以与第一叠置部分PP1a对应,并且第二开口OP2a可以与第十叠置部分PP10a对应。
[0085] 可以在掩模片MSa中顺序地形成分别与第一叠置部分PP1a、第二叠置部分PP2a、第三叠置部分PP3a、第四叠置部分PP4a、第五叠置部分PP5a、第六叠置部分PP6a、第七叠置部分PP7a、第八叠置部分PP8a、第九叠置部分PP9a和第十叠置部分PP10a对应的开口。然而,这是示例,并且形成开口的顺序不限于此。例如,可以顺序地形成分别与第四叠置部分PP4a、第三叠置部分PP3a、第二叠置部分PP2a、第一叠置部分PP1a、第八叠置部分PP8a、第七叠置部分PP7a、第六叠置部分PP6a、第五叠置部分PP5a、第十叠置部分PP10a和第九叠置部分PP9a对应的开口。即使在这种情况下,也可以首先形成靠近掩模片MSa的边缘的开口,然后,可以形成靠近掩模片MSa的中心部分的开口。
[0086] 根据实施例,可以不顺序地形成相邻的开口。换言之,可以首先形成限定在掩模片MSa的外部区域中的第一开口OP1a,此后可以形成与掩模片MSa的中心部分相邻的第二开口OP2a。由于在掩模片MSa中对称地形成开口,因此可以减小掩模片MSa的变形程度。
[0087] 根据公开的实施例,由于在将单位掩模UM结合到掩模片MSa之后形成开口OP1a和OP2a,因此可以减小掩模片MSa的变形程度。通过控制形成开口OP1a和OP2a的顺序,可以另外校正掩模片MSa的像素位置精度的偏差。因此,可以制造其中掩模片MSa的变形减小的掩模组件MK(见图13)。
[0088] 参照图6A和图6B,通过控制形成开口的顺序,可以控制作用在掩模片MS或MSa上的变形力,并且还可以控制像素位置精度(PPA)。
[0089] 图7是根据公开的实施例的掩模组件制造方法的示意性流程图。
[0090] 参照图7,掩模组件制造方法可以包括处理预备掩模片的操作(S100‑1)、准备掩模片和框架的操作(S200‑1)、将掩模片拉伸并固定到框架的操作(S300‑1)、将单位掩模固定在掩模片上的操作(S400‑1)以及在掩模片中形成开口的操作(S500‑1)。
[0091] 准备掩模片和框架的操作(S200‑1)、将掩模片拉伸并固定到框架的操作(S300‑1)、将单位掩模固定在掩模片上的操作(S400‑1)以及在掩模片中形成开口的操作(S500‑1)可以分别是与准备掩模片和框架的操作(S100,见例如图1)、将掩模片拉伸并固定到框架的操作(S200,见例如图1)、将单位掩模固定在掩模片上的操作(S300,见例如图1)以及在掩模片中形成开口的操作(S400,见例如图1)基本上相同的工艺。例如,除了图1中的掩模组件制造方法之外,图7中的掩模组件制造方法还可以包括处理预备掩模片的操作(S100‑1)。
[0092] 图8A是示出根据公开的实施例的掩模组件制造方法的一部分的示意性透视图。图8B是沿着图8A中的切割线II‑II'截取的示意性剖视图。图8B示出了在掩模片中形成开口的操作(S500‑1,见例如图7)。图8A示出了将单个单位掩模UM结合到掩模片F‑MS,但是公开不限于此。例如,可以将十个单位掩模UM结合到掩模片F‑MS以与十个叠置部分PP对应。
[0093] 参照图8A和图8B,处理预备掩模片的操作(S100‑1,见例如图7)可以对应于通过去除预备掩模片(未示出)的第一部分P1的上表面的一部分来形成凹槽HM的操作。在处理预备掩模片的情况下,可以使用湿蚀刻、激光或机械冲压。例如,可以通过经由湿蚀刻、激光或机械冲压去除上表面的一部分来形成凹槽HM。然而,这是示例,并且用于处理预备掩模片的方法不限于此。
[0094] 掩模片F‑MS的其中形成有凹槽HM的第一部分P1可以与单位掩模UM的单元区域CA叠置。掩模片F‑MS的第一部分P1的厚度H‑D1可以小于掩模片F‑MS的第二部分P2的厚度H‑D2,并且掩模片F‑MS的凹槽HM的深度D‑HM可以小于掩模片F‑MS的与第一部分P1相邻的第二部分P2的厚度H‑D2。
[0095] 参照图8B,可以通过去除掩模片F‑MS的与凹槽HM叠置的部分来形成在掩模片F‑MS中形成的开口OP(见图5)。例如,激光装置LS可以通过朝向掩模片F‑MS的与凹槽HM叠置的下表面B‑MS发射激光来形成开口OP。可以通过朝向凹槽HM的边缘发射激光来形成与单位掩模UM的单元区域CA叠置的开口OP。
[0096] 根据实施例,由于在将单位掩模UM结合到掩模片F‑MS之后形成掩模片F‑MS的开口OP,因此作用在掩模片F‑MS上的变形力可以小于在将单位掩模UM结合到其中已经形成有开口OP的掩模片的情况下的变形力。因此,由于掩模片F‑MS的变形力变小,因此通过拉伸产生的应力可以更低,并且可以进一步改善像素位置精度(PPA)。
[0097] 由于首先执行处理掩模片F‑MS的操作,因此可以减少或消除对单位掩模UM的损坏。例如,由于掩模片F‑MS的第一部分P1可以与结合到掩模片F‑MS上的单位掩模UM间隔开,因此可以减少或消除由于朝向掩模片F‑MS的下表面B‑MS发射的激光对单位掩模UM的损坏。
[0098] 图9A是示出根据公开的实施例的掩模组件制造方法的一部分的示意性透视图。图9B是沿着图9A中的切割线III‑III'截取的示意性剖视图。图9B示出了在掩模片中形成开口的操作(S500‑1,见例如图7)。图9A示出了将单个单位掩模UM结合到掩模片F‑MSa,但是公开不限于此。例如,可以将十个单位掩模UM结合到掩模片F‑MSa以与十个叠置部分PP对应。
[0099] 参照图9A和图9B,处理预备掩模片的操作(S100‑1)可以对应于沿着预备掩模片(未示出)的叠置部分PP的外线形成彼此分开布置的多个孔HO的操作。例如,可以限定沿着掩模片F‑MSa的第一部分P1与第二部分P2之间的边界布置的孔HO。其中形成有孔HO的掩模片F‑MSa的孔HO中的每个可以从掩模片F‑MSa的上表面U‑MSa穿透掩模片F‑MSa到掩模片F‑MSa的下表面B‑MSa。孔HO中的每个的深度D‑HO可以等于掩模片F‑MSa的厚度D‑MS。
[0100] 参照图9B,可以通过朝向掩模片F‑MSa的下表面B‑MSa发射激光以去除掩模片F‑MSa的一部分来形成在掩模片F‑MSa中形成的开口OP(见例如图5)。例如,激光装置LS可以通过将激光发射到掩模片F‑MSa的孔HO之间的区域中来形成与单位掩模UM的单元区域CA叠置的开口OP。
[0101] 根据实施例,由于在将单位掩模UM结合到掩模片F‑MSa之后形成掩模片F‑MSa的开口OP,因此作用在掩模片F‑MSa上的变形力可以小于在将单位掩模UM结合到其中已经形成有开口OP的掩模片的情况下的变形力。因此,由于掩模片F‑MSa的变形力变小,因此通过拉伸产生的应力可以更低,并且可以进一步改善像素位置精度(PPA)。由于首先执行在掩模片F‑MSa中形成孔HO的处理操作,因此可以容易地形成开口OP。
[0102] 图10A是示出根据公开的实施例的掩模组件制造方法的一部分的示意性透视图。图10B是沿着图10A中的切割线IV‑IV'截取的示意性剖视图。图10B示出了在掩模片中形成开口的操作(S500‑1,见例如图7)。图10A示出了将单个单位掩模UM结合到掩模片F‑MSb,但是公开不限于此。例如,可以将十个单位掩模UM结合到掩模片F‑MSb以与十个叠置部分PP对应。
[0103] 参照图10A和图10B,处理预备掩模片的操作(S100‑1,见例如图7)可以对应于在预备掩模片中形成预备开口AOP的操作。预备开口AOP可以与单位掩模UM的单元区域CA叠置。可以在其中形成有预备开口AOP的掩模片F‑MSb的第一部分P1中限定预备开口AOP,并且预备开口AOP中的每个的尺寸可以小于单元区域CA的尺寸。例如,预备开口AOP中的每个的尺寸可以小于开口OP(见图5)的尺寸。
[0104] 参照图10B,可以通过朝向掩模片F‑MSb的下表面B‑MSb发射激光以去除掩模片F‑MSb的一部分来形成在掩模片F‑MSb中形成的开口OP。例如,激光装置LS可以朝向与预备开口AOP相邻的掩模片F‑MSb的下表面B‑MSb发射激光,从而形成开口OP。
[0105] 根据实施例,由于在将单位掩模UM结合到掩模片F‑MSb之后形成掩模片F‑MSb的开口OP,因此作用在掩模片F‑MSb上的变形力可以小于在将单位掩模UM结合到其中已经形成有开口OP的掩模片的情况下的变形力。因此,由于掩模片F‑MSb的变形力变小,因此通过拉伸产生的应力可以更低,并且可以进一步改善像素位置精度(PPA)。由于首先执行在掩模片F‑MSb中形成预备开口AOP的处理操作,因此可以容易地形成开口OP。
[0106] 图11A是示出根据公开的实施例的掩模组件制造方法的一部分的示意性透视图。图11B是沿着图11A中的切割线V‑V'截取的示意性剖视图。图11B示出了在掩模片中形成开口的操作(S500‑1,见例如图7)。图11A示出了将单个单位掩模UM结合到掩模片F‑MSc,但是公开不限于此。例如,可以将十个单位掩模UM结合到掩模片F‑MSc以与十个叠置部分PP对应。
[0107] 参照图11A和图11B,处理预备掩模片的操作(S100‑1)可以对应于在掩模片F‑MSc中沿着叠置部分PP的外线形成凹槽HMa的操作。凹槽HMa的深度D‑HMa可以小于掩模片F‑MSc的厚度D‑MS。凹槽HMa在平面图中可以具有闭合曲线形状。可以沿着其中形成有凹槽HMa的掩模片F‑MSc的第一部分P1与第二部分P2之间的边界限定凹陷的凹槽HMa。
[0108] 参照图11B,可以通过去除掩模片F‑MSc的与凹槽HMa叠置的部分来形成在掩模片F‑MSc中形成的开口OP(见图5)。例如,激光装置LS可以朝向掩模片F‑MSc的与凹槽HMa叠置的下表面B‑MSc发射激光,从而形成开口OP。
[0109] 根据实施例,由于在将单位掩模UM结合到掩模片F‑MSc之后形成掩模片F‑MSc的开口OP,因此作用在掩模片F‑MSc上的变形力可以小于在将单位掩模UM结合到其中已经形成有开口OP的掩模片的情况下的变形力。因此,由于掩模片F‑MSc的变形力变小,因此通过拉伸产生的应力可以更低,并且可以进一步改善像素位置精度(PPA)。
[0110] 由于首先执行处理掩模片F‑MSc的操作,因此可以减少或消除对单位掩模UM的损坏。例如,由于掩模片F‑MSc的第一部分P1的与凹槽HMa叠置的部分与结合到掩模片F‑MSc上的单位掩模UM间隔开,因此可以减少或消除由于朝向掩模片F‑MSc的下表面B‑MSc发射的激光对单位掩模UM的损坏。
[0111] 图11C是示出根据公开的实施例的掩模组件制造方法的一部分的示意性剖视图。图11C示出了其中形成有开口OP的掩模片F‑MSc。
[0112] 参照图11C,掩模片F‑MSc的限定开口OP的内表面可以包括突起PT。由于将单位掩模UM的单元区域CA结合为与通过处理预备掩模片形成的凹陷的凹槽HMa(见图11B)叠置,并且在与单元区域CA叠置的部分中形成开口OP,因此掩模片F‑MSc的开口OP可以包括突起PT形状。
[0113] 图12A是示出根据公开的实施例的掩模组件制造方法的一部分的示意性透视图。图12B是沿着图12A中的切割线VI‑VI'截取的示意性剖视图。图12B示出了在掩模片中形成开口的操作(S500‑1,见例如图7)。图12A示出了将单个单位掩模UM结合到掩模片F‑MSd,但是公开不限于此。例如,可以将十个单位掩模UM结合到掩模片F‑MSd以与十个叠置部分PP对应。
[0114] 参照图12A和图12B,处理预备掩模片的操作(S100‑1,见例如图7)可以对应于在预备掩模片(未示出)中沿着叠置部分PP的外线形成彼此分开布置的凹槽HMb的操作。凹槽HMb中的每个的深度D‑HMb可以小于掩模片F‑MSd的厚度D‑MS。凹槽HMb可以限定在掩模片F‑MSd的结合到单位掩模UM的上表面U‑MSd中。
[0115] 参照图12B,可以通过朝向掩模片F‑MSd的下表面B‑MSd发射激光以去除掩模片F‑MSd的一部分来形成在掩模片F‑MSd中形成的开口OP(见图5)。例如,激光装置LS可以将激光发射到掩模片F‑MSd的与凹槽HMb叠置的部分上,从而形成与单位掩模UM的单元区域CA叠置的开口OP。
[0116] 图12C是示出根据公开的实施例的掩模组件制造方法的一部分的示意性平面图。图12C示出了掩模片F‑MSd(见图12B)的形成为与图12B中的第一部分P1叠置的开口OP(见图
5)的平面形状。
[0117] 参照图12B和图12C,掩模片F‑MSd的限定开口OP的内表面可以包括突起PTa。突起PTa可以设置为多个,并且突起PTa可以沿着内表面彼此间隔开。
[0118] 由于将单位掩模UM的单元区域CA结合为与通过处理预备掩模片形成的凹槽HMb叠置,并且在与单元区域CA叠置的部分中形成开口OP,因此掩模片F‑MSd的开口OP可以包括突起PTa形状。可以由凹槽HMb形成突起PTa之间的凹陷的凹槽,并且可以通过其中激光装置LS通过发射激光形成开口OP的切割工艺形成突起PTa。
[0119] 根据实施例,由于在将单位掩模UM结合到掩模片F‑MSd之后形成掩模片F‑MSd的开口OP,因此作用在掩模片F‑MSd上的变形力可以小于在将单位掩模UM结合到其中已经形成有开口OP的掩模片的情况下的变形力。因此,由于掩模片F‑MSd的变形力变小,因此通过拉伸产生的应力可以更低,并且可以进一步改善像素位置精度(PPA)。由于首先执行在掩模片F‑MSd中形成凹槽HMb的处理操作,因此可以容易地形成开口OP。
[0120] 图13是根据公开的实施例的掩模组件的示意性透视图。
[0121] 参照图13,掩模组件MK可以包括框架FR、掩模片MS和单位掩模UM。
[0122] 框架开口OP_FR(见例如图3)可以限定在框架FR中。掩模片MS可以覆盖框架开口OP_FR。掩模片MS可以是图8A至图12C中所示的经处理的掩模片F‑MS、F‑MSa、F‑MSb、F‑MSc和F‑MSd以及图3中的掩模片MS中的至少一个。单位掩模UM可以包括其中限定有沉积开口HP(见图4A)的单元区域CA和保持区域HA(见图4A)。单位掩模UM可以被拉伸并利用焊接点在保持区域HA中结合到掩模片MS上。掩模片MS可以包括第一部分P1(见例如图8B)和与第一部分P1相邻的第二部分P2。第一部分P1可以完全覆盖沉积开口HP中的至少一部分沉积开口HP。
[0123] 根据以上描述,由于在将单位掩模结合到掩模片之后形成掩模片的开口,因此作用在掩模片上的变形力可以小于在将单位掩模结合到其中已经形成有开口的掩模片的情况下的变形力。因此,由于掩模片的变形力变小,因此通过拉伸产生的应力可以更低,并且可以进一步改善像素位置精度(PPA)。
[0124] 在实施例中,由于首先执行处理掩模片的操作,因此可以减少或去除对结合到掩模片上的单位掩模的损坏。由于预先处理掩模片,因此可以容易地形成开口。
[0125] 根据实施例,由于在顺序地形成在第一方向上彼此间隔开的开口的情况下发射激光的激光装置的移动距离减小,因此可以增大用于制造掩模组件的工艺的速度。由于对称地形成开口,因此可以减小掩模片的变形力。因此,可以制造其中掩模片变形较小的掩模组件。调节形成开口的顺序可以控制作用在掩模片上的变形力,并且还可以控制像素位置精度。
[0126] 以上描述是公开的技术特征的示例,并且公开所属领域的技术人员将能够进行各种修改和变化。因此,上述公开的实施例可以单独地或彼此组合地实现。
[0127] 因此,公开中所公开的实施例不意图限制公开的技术精神,而是描述公开的技术精神,并且公开的技术精神的范围不受这些实施例的限制。公开的保护范围应由权利要求解释,并且应解释为等同范围内的所有技术精神都包括在公开的范围内。
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