标题 | 发布/更新时间 | 阅读量 |
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一种超结器件的制造方法及超结器件 | 2024-02-14 | 127 |
低阻且可抑制负阻效应的SOI‑LIGBT器件及其制造方法 | 2024-02-21 | 723 |
具有渐变沟道的高压无结场效应器件及其形成方法 | 2024-02-23 | 488 |
一种钝化接触全背电极太阳电池结构及其制备方法 | 2024-02-11 | 751 |
MOS器件的栅氧化层结构及工艺方法 | 2024-02-24 | 94 |
N型双面电池及其加工方法 | 2024-02-15 | 363 |
高击穿电压肖特基二极管及制作方法 | 2024-02-16 | 66 |
Ⅲ族氮化物HEMT模块及其制法 | 2024-02-26 | 251 |
一种大功率平面栅D‑MOSFET结构设计 | 2024-02-28 | 806 |
一种金属硫化物应用于锂二次电池正极的方法 | 2024-02-10 | 686 |
两步共沉淀制备微‑纳多孔结构磷酸铁前驱体与磷酸铁锂正极材料的方法 | 2024-02-12 | 383 |
一种电荷耦合功率MOSFET器件及其制造方法 | 2024-02-13 | 95 |
一种沟槽栅金属氧化物场效应晶体管及其制造方法 | 2024-02-19 | 265 |
超结器件及其制造方法 | 2024-02-29 | 861 |
导电桥半导体器件及其制备方法 | 2024-02-27 | 253 |
一种防止分栅快闪存储器浮栅以及字线多晶硅残留的方法 | 2024-02-25 | 618 |
半导体器件及半导体器件的制造方法 | 2024-02-18 | 94 |
沟槽栅IGBT及制作方法 | 2024-02-20 | 873 |
具有固定界面电荷场限环的功率器件 | 2024-02-22 | 128 |
一种集成肖特基二极管的SiC双沟槽型MOSFET器件及其制备方法 | 2024-02-17 | 62 |
标题 | 发布/更新时间 | 阅读量 |
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一种超临界CO2流体协同生物原地浸出采铀方法 | 2020-05-08 | 547 |
以天然气为原料的熔融碳酸盐燃料电池试验模型及设计方法 | 2020-05-08 | 200 |
一种磷光敏化荧光白光有机发光二极管及其制备方法 | 2020-05-08 | 230 |
硅基光波导器件的制造方法 | 2020-05-08 | 523 |
一种含有机硅免烫加工方法 | 2020-05-11 | 22 |
一种场板下方具有蜂窝凹槽势垒层结构的常关型HEMT器件及其制备方法 | 2020-05-08 | 110 |
一种聚氨酯成衣免烫整理液及免烫后整理工艺 | 2020-05-11 | 508 |
一种优化米勒电容和导通压降的功率器件及制备方法 | 2020-05-08 | 336 |
一种软包锂离子电池析锂检测方法 | 2020-05-08 | 59 |
一种固态电池的原位制备方法 | 2020-05-08 | 451 |
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