标题 | 发布/更新时间 | 阅读量 |
---|---|---|
一种超结器件的制造方法及超结器件 | 2024-02-14 | 127 |
低阻且可抑制负阻效应的SOI‑LIGBT器件及其制造方法 | 2024-02-21 | 723 |
具有渐变沟道的高压无结场效应器件及其形成方法 | 2024-02-23 | 488 |
一种钝化接触全背电极太阳电池结构及其制备方法 | 2024-02-11 | 751 |
MOS器件的栅氧化层结构及工艺方法 | 2024-02-24 | 94 |
N型双面电池及其加工方法 | 2024-02-15 | 363 |
高击穿电压肖特基二极管及制作方法 | 2024-02-16 | 66 |
Ⅲ族氮化物HEMT模块及其制法 | 2024-02-26 | 251 |
一种大功率平面栅D‑MOSFET结构设计 | 2024-02-28 | 806 |
一种金属硫化物应用于锂二次电池正极的方法 | 2024-02-10 | 686 |
两步共沉淀制备微‑纳多孔结构磷酸铁前驱体与磷酸铁锂正极材料的方法 | 2024-02-12 | 383 |
一种电荷耦合功率MOSFET器件及其制造方法 | 2024-02-13 | 95 |
一种沟槽栅金属氧化物场效应晶体管及其制造方法 | 2024-02-19 | 265 |
超结器件及其制造方法 | 2024-02-29 | 861 |
导电桥半导体器件及其制备方法 | 2024-02-27 | 253 |
一种防止分栅快闪存储器浮栅以及字线多晶硅残留的方法 | 2024-02-25 | 618 |
半导体器件及半导体器件的制造方法 | 2024-02-18 | 94 |
沟槽栅IGBT及制作方法 | 2024-02-20 | 873 |
具有固定界面电荷场限环的功率器件 | 2024-02-22 | 128 |
一种集成肖特基二极管的SiC双沟槽型MOSFET器件及其制备方法 | 2024-02-17 | 62 |
标题 | 发布/更新时间 | 阅读量 |
---|---|---|
一种超临界CO2流体协同生物原地浸出采铀方法 | 2020-05-08 | 547 |
一种霍尔离子源装置 | 2020-05-08 | 324 |
一种等离子体发生装置、压裂系统及压裂方法 | 2020-05-08 | 843 |
无源射频器件机器制作方法 | 2020-05-08 | 824 |
一种离子注入装置 | 2020-05-08 | 186 |
一种提高四探针RS测试准确性的方法 | 2020-05-08 | 502 |
通过掺杂自旋转移扭矩(STT)磁阻式随机存取存储器(MRAM)的氧化盖层的高热稳定性 | 2020-05-08 | 931 |
一种酶促化学发光底物液配制方法以及加注装置 | 2020-05-08 | 538 |
一种低温用玻纤气凝胶复合纸的制备工艺 | 2020-05-11 | 248 |
光电转换设备、光电转换系统和能够移动的物体 | 2020-05-08 | 316 |
高效检索全球专利专利汇是专利免费检索,专利查询,专利分析-国家发明专利查询检索分析平台,是提供专利分析,专利查询,专利检索等数据服务功能的知识产权数据服务商。
我们的产品包含105个国家的1.26亿组数据,免费查、免费专利分析。
专利汇分析报告产品可以对行业情报数据进行梳理分析,涉及维度包括行业专利基本状况分析、地域分析、技术分析、发明人分析、申请人分析、专利权人分析、失效分析、核心专利分析、法律分析、研发重点分析、企业专利处境分析、技术处境分析、专利寿命分析、企业定位分析、引证分析等超过60个分析角度,系统通过AI智能系统对图表进行解读,只需1分钟,一键生成行业专利分析报告。