| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 61 | 氧气传感器 | CN94107885.X | 1994-07-29 | CN1046162C | 1999-11-03 | 杉山富夫; 铃木雅寿; 佐野博美; 斋藤利孝; 野村悟 |
| 一种氧气传感器，包括：正反两面分别装有测量电极和标准电极的固体电解质板，其由含有5-7%(摩尔)三氧化二钇和0-5%(重量)氧化铝的未烧结的氧化锆薄片制成；装有气体通道的通气板；绝缘层以及装有一加热元件的加热底板，所述通气板由含有0-10重量份氧化锆或三氧化二钇稳定的氧化锆的未烧结的氧化铝薄片制成。上述四种元件的薄片在1300-1600℃温度下烧结成一整体，从而形成氧气传感器。 | ||||||
| 62 | 超导电路板 | CN88102627 | 1988-05-07 | CN1040937C | 1998-11-25 | 横山博三; 今中佳彦; 山中一典; 龟原伸男; 丹羽纮一; 涡卷拓也; 铃木均; 町敬人 |
| 本发明提供一种超导电路板，它包括含有氧化铝重量百分比大于99%的烧结氧化铝板和在此氧化铝板上形成的超导陶瓷互连电路图形。由于将Ti或Si联结剂加入形成此互连电路图形的涂料中，改进了互连电路图形与氧化铝板的粘合力。用铜粉代替铜氧化物粉作为涂料中形成超导陶瓷的一种成分有利于印制和获得均匀的超导陶瓷电路图形。 | ||||||
| 63 | 陶瓷坯体焙烧时减小收缩的方法 | CN95119887.4 | 1991-10-04 | CN1145350A | 1997-03-19 | K·R·米克斯卡; D·T·谢弗 |
| 焙烧陶瓷坯体时减小X-Y收缩的方法，有柔性约束层在焙烧时变为多孔，将其加在陶瓷坯体上，柔性约束层在焙烧组合件时，在未焙烧的陶瓷坯体的表面上密切吻合。 | ||||||
| 64 | 陶瓷坯体焙烧时减小收缩的方法 | CN95119889.0 | 1991-10-04 | CN1130606A | 1996-09-11 | K·R·米克斯卡; D·T·谢弗 |
| 焙烧陶瓷坯体时减小X-Y收缩的方法，有柔性约束层在焙烧时变为多孔，将其加在陶瓷坯体上，柔性约束层在焙烧组合件时，在未焙烧的陶瓷坯体的表面上密切吻合。 | ||||||
| 65 | 用于电路电绝缘的绝缘层装置 | CN94191132.2 | 1994-11-26 | CN1117761A | 1996-02-28 | 卡尔-赫尔曼·弗里则; 海因茨·盖依尔; 维尔纳·格鲁根瓦尔德; 克劳迪欧·德·拉·普林塔 |
| 一种特别用于气体探测器的绝缘层装置，包括至少一导电的固体电解质层(10)、一导电层(20)以及该固体电解质层(10)与该导电层(20)之间的至少一电绝缘层(13)。该绝缘层(13)的材料在烧结前含有作为添加剂的铌或钽的五价金属氧化物，该添加剂可在烧结过程中扩散入邻接的固体电解质层(10)中。 | ||||||
| 66 | 氧浓度探测器 | CN94108007.2 | 1994-07-21 | CN1115381A | 1996-01-24 | 斋藤利孝; 铃木雅寿; 佐野博美; 杉山富夫; 野村悟 |
| 本发明提供了一种带有电极的氧浓度探测器，它具有良好的耐热性和耐用性并保持在较高的灵敏度。排气侧的电极形成在固体电解质的一个侧面上，进气侧的电极形成在固体电解质的另一侧面上。排气侧电极包括骨架电极和反应电极。骨架电极具有5至20μm的薄膜厚度和小于10％的孔隙率，它是厚的耐热薄膜，主要用于形成骨架部分。反应电极则具有0.5至2μm的薄膜厚度和10％至50％的孔隙率，它是薄的高灵敏度薄膜，主要用于形成反应部分。 | ||||||
| 67 | 多层超导电路衬底及其制备方法 | CN89109655.8 | 1989-12-31 | CN1044869A | 1990-08-22 | 今中佳彦 |
| 本发明提供了一种多层超导电路衬底，它包括绝缘层和位于绝缘层之间的超导陶瓷材料的内连接模块，借助于超导陶瓷材料通孔将超导陶瓷材料模块连通。超导陶瓷材料的模块最好用金、银、铂及其合金封装。 | ||||||
| 68 | 层叠陶瓷电容器及其制造方法 | CN201480038930.4 | 2014-02-13 | CN105377793B | 2017-12-12 | 和田信之 |
| 本发明提供一种不使介电常数温度特性及高温下的可靠性劣化、且能够实现电介质陶瓷层的薄层化的层叠陶瓷电容器。构成层叠陶瓷电容器的电介质陶瓷层的电介质陶瓷含有：包含Ba及Ti的钙钛矿型化合物；和Ca、R(R是La等稀土类元素)、M(M是Mn等)、以及Si。在将Ti含量设为100摩尔份时，含有0.5～2.5摩尔份的Ca、0.5～4摩尔份的R、0.5～2摩尔份的M、1～4摩尔份的Si。在钙钛矿型晶粒(11)中，将Ca的扩散深度(15)设为晶粒(11)的平均粒径的10％以内，使Ca的扩散区域(13)中的Ca浓度比晶粒(11)的中心(14)附近的Ca浓度高0.2～5摩尔份。 | ||||||
| 69 | 玻璃陶瓷材料和层叠陶瓷电子部件 | CN201480068659.9 | 2014-08-21 | CN105829263A | 2016-08-03 | 足立大树 |
| 如果使将由玻璃陶瓷材料构成的第1陶瓷层和由陶瓷磁性材料构成的第2陶瓷层层叠而成的复合层叠体共烧结，则发生玻璃成分从第1陶瓷层向第2陶瓷层扩散，其结果，第2陶瓷层的烧结性降低、绝缘电阻降低。共模扼流圈(1)所具备的复合层叠体(4)中的第1陶瓷层(2)由玻璃陶瓷材料的烧结体构成，所述玻璃陶瓷材料包含40～90重量％的玻璃和10～60重量％的填料，所述玻璃含有0.5～5重量％的K2O、0～5重量％的Al2O3、10～25重量％的B2O3、以及70～85重量％的SiO2，所述填料含有氧化铝和石英，填料中含有的氧化铝相对于玻璃和填料的合计量为1～10重量％。推测在煅烧途中氧化铝的一部分与玻璃反应，使玻璃粘度变高。 | ||||||
| 70 | 层叠陶瓷电容器及其制造方法 | CN201480038930.4 | 2014-02-13 | CN105377793A | 2016-03-02 | 和田信之 |
| 本发明提供一种不使介电常数温度特性及高温下的可靠性劣化、且能够实现电介质陶瓷层的薄层化的层叠陶瓷电容器。构成层叠陶瓷电容器的电介质陶瓷层的电介质陶瓷含有：包含Ba及Ti的钙钛矿型化合物；和Ca、R(R是La等稀土类元素)、M(M是Mn等)、以及Si。在将Ti含量设为100摩尔份时，含有0.5～2.5摩尔份的Ca、0.5～4摩尔份的R、0.5～2摩尔份的M、1～4摩尔份的Si。在钙钛矿型晶粒(11)中，将Ca的扩散深度(15)设为晶粒(11)的平均粒径的10％以内，使Ca的扩散区域(13)中的Ca浓度比晶粒(11)的中心(14)附近的Ca浓度高0.2～5摩尔份。 | ||||||
| 71 | 层叠陶瓷电容器 | CN201480037368.3 | 2014-06-04 | CN105359236A | 2016-02-24 | 冈本贵史 |
| 本发明提供一种高温负荷时的绝缘劣化耐性高的层叠陶瓷电容器。内层用陶瓷层(11)的组成是以含有Ba及Ti的钙钛矿型化合物作为主成分，含有Nb及Ta的至少一种，并且含有Mn及Al，并且任选地含有Mg及稀土类元素(Y、Gd、Tb、Dy、Ho、Er中的至少一种)，在将Ti的含量设为100摩尔份时，含有：(a)Nb及Ta的合计为0.2～1.5摩尔份、(b)Mg为0.2摩尔份以下(包括0摩尔份)、(c)Mn为1.0～3.5摩尔份、(d)Al为1.0～4.0摩尔份、(e)稀土类元素为0.05摩尔份以下(包括0摩尔份)。此外，每1层的内层用陶瓷层(11)的平均粒子数为3个以下。 | ||||||
| 72 | 压电组合物和压电元件 | CN201510137602.6 | 2015-03-26 | CN104944942A | 2015-09-30 | 佐屋裕子; 政井琢; 古川正仁; 南风盛将光 |
| 本发明的目的在于提供一种从压电特性、尤其是自发极化的最大值Pm与剩余极化Pr的比率大、电阻率充分高、低公害化、对环境性以及生态学的观点出发也优异的压电组合物以及压电元件。所述压电组合物的特征在于，主成分包含钙钛矿结构的下述通式所表示的物质。(Bi(0.5x+y+z)Na0.5x)m(Tix+0.5yMg0.5yAlkzCo(1-k)z)O30.15≤x≤0.70.28≤y≤0.750.02≤z≤0.300.17≤k≤0.830.75≤m≤1.0(式中，x+y+z＝1)。 | ||||||
| 73 | 多层陶瓷基板及其制造方法 | CN201410815104.8 | 2009-04-21 | CN104589738A | 2015-05-06 | 饭田裕一 |
| 使具有空腔的多层陶瓷基板薄型化时，因为规定空腔的底面的底壁部薄型化，所以存在该底壁部容易破损的问题。多层陶瓷基板(1)的规定空腔(3)的底壁部(4)形成高热膨胀系数层(6)被第一低热膨胀系数层(7)和第二低热膨胀系数层(8)夹住的层叠结构。根据这种构成，在烧成后的冷却过程中，在低热膨胀系数层(7、8)中会产生压缩应力，其结果是，可提高底壁部(4)处的机械强度。 | ||||||
| 74 | 管状绝缘装置的制造方法和相应的装置 | CN200880117023.3 | 2008-10-07 | CN101918205B | 2014-06-25 | B·勒克莱尔; O·贝尔纳; A·波捷 |
| 在该方法中，提供绝缘材料(2)，并通过使N层Ci(3)的所述绝缘材料(2)叠置，使所述绝缘材料(2)成形。该方法的特征在于：a)对每个层Ci(3)，形成在所述绝缘材料(2)中预先切割的ni个轴向绝缘元件Ei(4)；b)形成所述管状绝缘装置(1)的毛坯(5)，通过：b1)借助胶(6)沿多个连接区Ji(30)将每层Ci(3)的ni个并置的元件Ei(4)组装在一起，使得层Ci+1的多个连接区Ji+1与相邻层Ci的多个连接区Ji错开；b2)然后使胶(6)聚合；c)使所述毛坯(5)经受热处理。优点：可以得到大机械强度的装置的成本经济的方法。 | ||||||
| 75 | 铁氧体陶瓷组合物、陶瓷电子部件及陶瓷电子部件的制造方法 | CN201280042466.7 | 2012-08-29 | CN103764592A | 2014-04-30 | 冈田佳子; 山本笃史; 中村彰宏 |
| 线圈导体（4）和与该线圈导体（4）分开配置的贯通电极（9）埋设在磁性体层（1）中。磁性体层（1）被一对非磁性体层（2）、（3）夹持。线圈导体（4）和贯通电极（9）由以Cu为主成分的导电性材料形成，磁性体层（1）由Ni-Mn-Zn系铁氧体形成，该Ni-Mn-Zn系铁氧体中，CuO的摩尔含量为5mol%以下，将Fe2O3的摩尔含量x、Mn2O3的摩尔含量y用（x，y）表示时，（x，y）在A（25，1）、B（47，1）、C（47，7.5）、D（45，7.5）、E（45，10）、F（35，10）、G（35，7.5）以及H（25，7.5）的范围内。由此即便与以Cu为主成分的导电性材料同时煅烧，也能够实现确保绝缘性且得到良好的电特性、具有高可靠性并能小型化的陶瓷多层基板等陶瓷电子部件。 | ||||||
| 76 | 多层陶瓷基板、其制造方法及其翘曲抑制方法 | CN200880013670.X | 2008-12-08 | CN101668620B | 2013-11-06 | 斋藤善史 |
| 欲基于所谓无收缩工艺通过在被收缩抑制层夹住的状态下进行烧成来制造包括陶瓷层叠体的多层陶瓷基板时，受到分别形成于陶瓷层叠体的第一及第二主面上的第一及第二表面导体膜的影响，除去了收缩抑制层后的多层陶瓷基板有时会产生翘曲。在烧成工序后，从复合层叠体除去收缩抑制层时，减少在烧成工序中沿着陶瓷生坯层与收缩抑制层的界面生成的第一及第二反应层(22及23)中的至少一层的厚度，藉此使第一及第二反应层(22及23)各自的厚度互不相同，从而调整由反应层(22及23)施加的压缩应力，抑制多层陶瓷基板(11)的翘曲。 | ||||||
| 77 | 铁素体陶瓷组合物、陶瓷电子部件以及陶瓷电子部件的制造方法 | CN201210313966.1 | 2012-08-29 | CN102976728A | 2013-03-20 | 山本笃史; 中村彰宏; 河南亘 |
| 本发明涉及一种铁素体陶瓷组合物、陶瓷电子部件及其制造方法。根据本发明即使与以Cu为主成分的导电性材料同时煅烧，也可实现能够确保绝缘性且能够得到良好的电特性的交替卷绕共模扼流线圈等陶瓷电子部件。其中，由第1线圈图案（4a）、（4b）形成的第1线圈导体、和由第2线圈图案（5a）、（5b）形成的第2线圈导体在磁性体片（3a）～（3i）内交替层叠。第1和第2线圈导体由Cu形成，磁性体部由Ni-Mn-Zn系铁素体形成，其CuO的摩尔含量为5mol%以下且将Fe2O3的摩尔含量x、Mn2O3的摩尔含量y用（x，y）表示时，（x，y）在A（25，1）、B（47，1）、C（47，7.5）、D（45，7.5）、E（45，10）、F（35，10）、G（35，7.5）以及H（25，7.5）的范围。 | ||||||
| 78 | 叠层薄膜以及叠层陶瓷电子部件的制造方法 | CN200810168161.6 | 2008-09-28 | CN101399117B | 2013-02-13 | 饭岛忠良; 饭田修治 |
| 本发明涉及叠层薄膜以及叠层陶瓷电子部件的制造方法。本发明的叠层薄膜的特征在于，具有由合成树脂构成的芯层；和在上述芯层的至少一面上形成的、含有缩合反应型剥离性粘合剂和导电性高分子的导电性脱模层，根据本发明，能够提供一种叠层薄膜，其可以优选作为将浆料状的陶瓷原料片化而制造陶瓷生片时的工序薄膜来使用，能够稳定且以均匀的厚度制造厚度薄的陶瓷生片，并具有优异的抗静电性和剥离性。 | ||||||
| 79 | 陶瓷多层基板及其制造方法 | CN200580036374.8 | 2005-10-25 | CN101049058B | 2012-10-10 | 近川修 |
| 在专利文献1及2所述的多层陶瓷基板的情况下，由于对内装片状陶瓷电子元器件的陶瓷生片层叠体进行烧结，得到多层陶瓷基板，因此利用烧结而得到的多层陶瓷基板的内装片状陶瓷电子元器件会产生裂纹，或者有时片状陶瓷电子元器件甚至损坏。本发明的陶瓷多层基板的制造方法，是通过同时烧结层叠多层陶瓷生片111A而形成的陶瓷生片层叠体111、以及配置在该陶瓷生片层叠体111的内部而且具有外部端子电极部113B的片状陶瓷电子元器件113，来制造内装片状陶瓷电子元器件13的陶瓷多层基板10，这时预先使糊料层115介于片状陶瓷电子元器件113与陶瓷生片层叠体111之间，将这三者进行烧结。 | ||||||
| 80 | 剥离薄膜、陶瓷部件薄片及其制造方法、以及陶瓷部件的制造方法 | CN200910178592.5 | 2009-09-29 | CN101714456B | 2012-06-27 | 饭岛忠良; 饭田修治 |
| 本发明涉及剥离薄膜、陶瓷部件薄片及其制造方法、以及陶瓷部件的制造方法。一种剥离薄膜(10)，具备基材薄膜(12)和设置在基材薄膜(12)的一个面上的聚合物层(14)，聚合物层(14)具备：含有(甲基)丙烯酸酯成分的固化物的层和含有硅酮聚合物成分的膜，其中，硅酮聚合物成分覆盖该层的与基材薄膜侧相反的一侧的表面的一部分，硅酮聚合物成分为(甲基)丙烯酰基和/或乙烯基改性的改性硅油的聚合物。 | ||||||
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