序号 专利名 申请号 申请日 公开(公告)号 公开(公告)日 发明人
41 压电元件、液体喷射头、液体喷射装置、致动器以及电机 CN201410573460.3 2014-10-23 CN104576916A 2015-04-29 滨田泰彰
发明提供压电元件、液体喷射头、液体喷射装置、致动器以及电机。上述压电元件、液体喷射头以及液体喷射装置能够改善压电特性的温度依赖性。一种压电元件,其具备由压电材料构成的压电体层和夹着该压电体层的一对电极,该压电元件在最低使用温度T1至最高使用温度T2之间使用,上述压电材料包含具有矿型构造的复合化物,上述压电材料具有相对于温度轴倾斜的组成相界,当与该组成相界对应的温度最低为T3、最高为T4时,满足T3≤T1≤T4以及T3≤T2≤T4的式子中的至少一个。
42 成型体以及成型体的制造方法 CN201180034845.7 2011-06-23 CN103003038B 2015-03-25 吉冈邦彦; 金子公久; 大森诚; 铃木宪次
在具有平面的第1成型模具的该平面上,设置第2成型模具,形成第1成型空间。第1成型空间内,填充含有第1原料粉体、分散剂以及凝胶剂的第1原料浆料,将该浆料成型·固化,在第1成型模具的平面上形成第1成型体部。在去除了第2成型模具且形成有第1成型体部的第1成型模具的平面上,设置第3成型模具,形成第2成型空间。第2成型空间内,填充含有与第1原料粉体的材料不同的第2原料粉体、分散剂以及凝胶剂的第2原料浆料,将该浆料成型·固化为与第1成型体部接触,在第1成型模具的平面上形成第2成型体部。由此,提供接合了材料不同的2种成型体部、2种成型体部接合面的接合强度高的成型体。
43 电介质陶瓷组合物及包括其的多层陶瓷电容器 CN201310626974.6 2013-11-28 CN104072126A 2014-10-01 崔斗源; 宋旻星; 朴宰成; 姜晟馨; 金昶勋
发明公开一种电介质陶瓷组合物,该电介质陶瓷组合物包括由(Ba(1-x)+REx)mTiO(3+x)(在此,0.995≤m≤1.010,0.001原子)或Bam(Ti+REx)O(3-x)(在此,0.995≤m≤1.010,0.001化物可确保高介电常数(介电常数为1800或更大)及高温可靠性。
44 陶瓷电子元件及陶瓷电子元件的制造方法 CN201180012470.4 2011-03-04 CN102792395A 2012-11-21 中村彰宏; 山本笃史; 野宫裕子
发明提供一种陶瓷电子元件及陶瓷电子元件的制造方法。该陶瓷电子元件具有:磁性体部(2),其由体材料构成;和导电部(3),其以Cu作为主成分,磁性体部(2)含有3价的Fe、和至少包含2价的Ni的2价元素,并且所述Fe的含有量在换算成Fe2O3的情况下以摩尔比计为20~48%。Mn相对于Fe与Mn的总量的比率在分别换算成Mn2O3以及Fe2O3的情况下以摩尔比计小于50%的范围内,磁性体部(2)含有Mn。磁性体部(2)和导电部(3)在Cu-Cu2O的平衡氧分压以下的气氛中被同时烧成。由此,即便同时烧成以Cu作为主成分的导电部(3)和磁性体部(2),也能够确保绝缘性,能够获得良好的电气特性。
45 具有相同材料的电极传感器 CN200980146063.5 2009-11-19 CN102216761A 2011-10-12 B·G·奈尔; B·T·亨德森; T·K·佩斯; G·王
一种用于监测气体中的成分的浓度的传感器(20,24)包括:离子导电层(34,36,38,38A)以及耦合到所述离子导电层的感测电极(50,50A)。所述感测电极被暴露到气体。所述传感器还包括参考电极(40,40A),其被暴露到所述气体并由与所述感测电极基本上相同的材料制成。
46 管状绝缘装置的制造方法和相应的装置 CN200880117023.3 2008-10-07 CN101918205A 2010-12-15 B·勒克莱尔; O·贝尔纳; A·波捷
在该方法中,提供绝缘材料(2),并通过使N层Ci(3)的所述绝缘材料(2)装置,使所述绝缘材料(2)成形。该方法的特征在于:a)对每个层Ci(3),形成在所述绝缘材料(2)中预先切割的ni个轴向绝缘元件Ei(4);b)形成所述管状绝缘装置(1)的毛坯(5),通过:b1)借助胶(6)沿多个连接区Ji(30)将每层Ci(3)的ni个并置的元件Ei(4)组装在一起,使得层Ci+1的多个连接区Ji+1与相邻层Ci的多个连接区Ji错开;b2)然后使胶(6)聚合;c)使所述毛坯(5)经受热处理。优点:可以得到大机械强度的装置的成本经济的方法。
47 多层热保护系统及其制造方法 CN201010170938.X 2010-03-26 CN101845969A 2010-09-29 H·-P·博斯曼; S·巴彻戈达; M·埃斯奎尔; R·伊滕
发明涉及多层热保护系统及其制造方法。描述了多层热保护系统,其中第一陶瓷层(3)通过粘合涂层(4)结合在金属衬底(5)上,其中在第一陶瓷层(3)上提供至少一个通过陶瓷粘附层(2)结合到第一陶瓷层(3)的第二陶瓷层(1),其中第一陶瓷层(3)是低温陶瓷层而第二陶瓷层(1)是高温陶瓷层。
48 对低温共焙烧的具有表面电路图案的陶瓷进行无压强制烧结的改进工艺 CN200780022144.5 2007-06-13 CN101480115A 2009-07-08 C·B·王; M·A·史密斯
发明涉及一种制造无裂纹、非拱形、无变形、零收缩、低温共焙烧的陶瓷(LTCC)体、复合物、模或封装的方法,所述陶瓷体、复合物、模块或封装由具有一种或多种不同电介质带状化学材料的多层结构的前体生坯(未焙烧的)层叠物制成,所述电介质带状化学材料用可共焙烧的厚膜电路材料进行图案化,厚膜电路材料例如是用于各带层的导体,通孔填充,电容器,电感器或电阻,所述带层包括与牺牲隔离带直接接触的顶表面带层和底表面带层。
49 层叠型陶瓷电子元器件 CN200780021843.8 2007-06-12 CN101467221A 2009-06-24 西泽吉彦
由于体的基本性质,包括具有由铁氧体形成的层叠结构的陶瓷层叠体的层叠型陶瓷电子元器件具有比较脆的问题。陶瓷层叠体(5)由同时煅烧的、陶瓷基材层(2)和配置在其两主面上的陶瓷辅助层(3及4)构成。陶瓷基材层(2)以及陶瓷辅助层(3及4)互相由相同组成系的铁氧体形成,实质上具有互相相同的晶体结构,但陶瓷辅助层(3及4)的线膨胀系数比陶瓷基材层(2)的线膨胀系数更小。
50 陶瓷多层基板及其制造方法 CN200580036374.8 2005-10-25 CN101049058A 2007-10-03 近川修
专利文献1及2所述的多层陶瓷基板的情况下,由于对内装片状陶瓷电子元器件的陶瓷生片层叠体进行烧结,得到多层陶瓷基板,因此利用烧结而得到的多层陶瓷基板的内装片状陶瓷电子元器件会产生裂纹,或者有时片状陶瓷电子元器件甚至损坏。本发明的陶瓷多层基板的制造方法,是通过同时烧结层叠多层陶瓷生片111A而形成的陶瓷生片层叠体111、以及配置在该陶瓷生片层叠体111的内部而且具有外部端子电极部113B的片状陶瓷电子元器件113,来制造内装片状陶瓷电子元器件13的陶瓷多层基板10,这时预先使糊料层115介于片状陶瓷电子元器件113与陶瓷生片层叠体111之间,将这三者进行烧结。
51 多层陶瓷复合材料 CN200380110161.6 2003-11-19 CN1758953A 2006-04-12 F·埃伦; O·宾克勒; R·农宁格
在一种用于制造陶瓷复合材料的方法中,在一个生的载体层上涂覆一个第二生层,其陶瓷颗粒具有一个x≤100nm的尺寸。在共同烧结各生层时第二颗粒层压缩成一个无缺陷的细孔的功能层。
52 复合陶瓷生基板及其制造方法、陶瓷烧结主体及气体传感器 CN200510052821.0 2005-02-28 CN1694599A 2005-11-09 都筑正词; 粟野真也
一种复合陶瓷生基板,包括:包括第一基板材料的第一基板部;以及包括第二基板材料第二基板部,所述第二基板部在烧制性能上不同于第一基板部;混合部,在所述第一和第二基板部之间,包括第一和第二基板材料的混合物,具有复合陶瓷基板的厚度至少两倍的宽度,其中而所述第一和第二基板部通过混合部在扩展方向彼此结合在一起。
53 合成多层陶瓷电子部件及其制造方法 CN01143780.4 2001-12-19 CN1215502C 2005-08-17 杉本安隆; 近川修; 森直哉
一种合成多层陶瓷电子部件,它包括相互层迭的高介电常数层和至少一个低介电常数层。高介电常数层包括一种高介电常数材料,相对介电常数εγ的为20或更大,低介电常数层包括一种低介电常数材料,相对介电常数εγ约为10或更小。高介电常数材料主要包含BaO-TiO3-ReO3/2介质,与第一玻璃成分,BaO-TiO3-ReO3/2介质表示为xBaO-yTiO3-zReO3/2介质,x、y与z为%克分子并满足8≤x≤18,52.5≤y≤65,20≤z≤40,且x+y+z=100,Re为稀土元素,低介电常数材料包含由陶瓷与第二玻璃成分组成的合成物。该合成多层陶瓷电子部件在不同类材料界面处防脱层或变形,能以低温烧制,适合高频应用。
54 绝缘陶瓷压 CN01122799.0 2001-07-20 CN1197822C 2005-04-20 近川修; 森直哉; 杉本安隆
一种包括(A)MgAl2O4、Mg3B2O6和/或Mg2B2O5的陶瓷粉末和(B)玻璃粉末的烧制混合物的绝缘陶瓷压,玻璃粉末包含约13-50%重量的按SiO2计算的、约8-60%重量的按B2O3计算的氧化、0-约20%重量的按Al2O3计算的氧化和约10-55%重量的按MgO计算的氧化镁。该绝缘陶瓷压块可通过在约1000℃或更低温度下烧制获得,可以和Ag或Cu烧结制得,具有低的介电常数和高Q值,适合在高频范围使用。
55 绝缘陶瓷压 CN200410043458.1 2001-07-20 CN1548393A 2004-11-24 近川修; 森直哉; 杉本安隆
一种包括(A)MgAl2O4、Mg3B2O6和/或Mg2B2O5的陶瓷粉末和(B)玻璃粉末的烧制混合物的绝缘陶瓷压,玻璃粉末包含约13-50%重量的按SiO2计算的、约8-60%重量的按B2O3计算的氧化、0-约20%重量的按Al2O3计算的氧化和约10-55%重量的按MgO计算的氧化镁。该绝缘陶瓷压块可通过在约1000℃或更低温度下烧制获得,可以和Ag或Cu烧结制得,具有低的介电常数和高Q值,适合在高频范围使用。
56 陶瓷接合体 CN02803542.9 2002-08-12 CN1484855A 2004-03-24 伊藤康隆; 大仓一辉
发明的目的是提供一种陶瓷接合体,该陶瓷接合体包括:陶瓷基板和诸如筒状体那样的陶瓷体,该陶瓷基板和陶瓷体相互牢固接合,并且用于半导体产品制造/检查步骤的陶瓷基板的耐腐蚀性优良。根据本发明的陶瓷接合体包括:陶瓷基板,其内部设有导电体;以及陶瓷体,其与陶瓷基板的底面接合。该陶瓷接合体具有在陶瓷基板和陶瓷体的接合界面的上方区域的至少一部分中不形成导电体的区域。
57 陶瓷坯体焙烧时减小收缩的方法 CN95119889.0 1991-10-04 CN1125002C 2003-10-22 K·R·米克斯卡; D·T·谢弗
焙烧陶瓷坯体时减小X-Y收缩的方法,有柔性约束层在焙烧时变为多孔,将其加在陶瓷坯体上,柔性约束层在焙烧组合件时,在未焙烧的陶瓷坯体的表面上密切吻合。
58 陶瓷叠层及其制造方法 CN03103113.7 2003-01-28 CN1436032A 2003-08-13 吉川秀树; 梅本卓史; 藏本庆一; 平野均
为了不影响线路图案(12A-12C)和(14A-14C),在绝缘陶瓷层(11A-11C)和磁性陶瓷层(13A-13C)间形成了金属醇盐溶液薄膜。接着,绝缘陶瓷层(11A-11C)和磁性陶瓷层(13A-13C)被堆叠并在大约200-400℃的温度下进行加热处理。所述热处理导致了金属醇盐溶液的溶胶—凝胶反应,由此产生中间层(15)。通过中间层(15),相邻的陶瓷层彼此接合。因为,陶瓷层利用在大约200-400℃低温下进行的溶胶—凝胶反应而彼此接合,陶瓷层间的热收缩系数的差异所导致的陶瓷叠层的变形得到了抑制。由此提供一种没有弯曲和剥离的陶瓷叠层。
59 合成多层陶瓷电子部件及其制造方法 CN01143780.4 2001-12-19 CN1360320A 2002-07-24 杉本安隆; 近川修; 森直哉
一种合成多层陶瓷电子部件,它包括相互层迭的高介电常数层和至少一个低介电常数层。高介电常数层包括一种高介电常数材料,相对介电常数εγ的为20或更大,低介电常数层包括一种低介电常数材料,相对介电常数εγ约为10或更小。高介电常数材料主要包含BaO-TiO3-ReO3/2介质,与第一玻璃成分,BaO-TiO3-ReO3/2介质表示为xBaO-yTiO3-zReO3/2介质,x、y与z为%克分子并满足8 x 18,52.5 y 65,20 z 40,且x+y+z=100,Re为稀土元素,低介电常数材料包含由陶瓷与第二玻璃成分组成的合成物。该合成多层陶瓷电子部件在不同类材料界面处防脱层或变形,能以低温烧制,适合高频应用。
60 浓度探测器 CN94108007.2 1994-07-21 CN1053738C 2000-06-21 斋藤利孝; 铃木雅寿; 佐野博美; 杉山富夫; 野村悟
发明提供了一种带有电极浓度探测器,它具有良好的耐热性和耐用性并保持在较高的灵敏度。排气侧的电极形成在固体电解质的一个侧面上,进气侧的电极形成在固体电解质的另一侧面上。排气侧电极包括骨架电极和反应电极。骨架电极具有5至20μm的薄膜厚度和小于10%的孔隙率,它是厚的耐热薄膜,主要用于形成骨架部分。反应电极则具有0.5至2μm的薄膜厚度和10%至50%的孔隙率,它是薄的高灵敏度薄膜,主要用于形成反应部分。
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