| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 81 | 层叠型陶瓷电子元器件 | CN200780021843.8 | 2007-06-12 | CN101467221B | 2012-06-13 | 西泽吉彦 |
| 由于铁氧体的基本性质，包括具有由铁氧体形成的层叠结构的陶瓷层叠体的层叠型陶瓷电子元器件具有比较脆的问题。陶瓷层叠体(5)由同时煅烧的、陶瓷基材层(2)和配置在其两主面上的陶瓷辅助层(3及4)构成。陶瓷基材层(2)以及陶瓷辅助层(3及4)互相由相同组成系的铁氧体形成，实质上具有互相相同的晶体结构，但陶瓷辅助层(3及4)的线膨张系数比陶瓷基材层(2)的线膨张系数更小。 | ||||||
| 82 | 金属陶瓷基片以及用于制造这种基片的方法 | CN201110330450.3 | 2011-10-27 | CN102458043A | 2012-05-16 | A·梅耶尔; J·舒尔策-哈德 |
| 特别用于电路或模块的金属陶瓷基片包括至少一个第一外部金属层，该第一外部金属层形成金属陶瓷基片的第一表面侧，该金属陶瓷基片还包括至少一个第二外部金属层，该第二外部金属层形成金属陶瓷基片的第二表面侧，第一、第二外部金属层分别通过两维结合而与板形基片本体的表面侧结合。 | ||||||
| 83 | 陶瓷基板的制造方法以及陶瓷基板 | CN200680013419.4 | 2006-03-29 | CN101180247B | 2011-01-12 | 伊藤优辉; 近川修; 池田哲也 |
| 提供一种不需要复杂的制造工序及制造设备、并能够高效地制造包括具有所希望的形状的台阶部分的陶瓷基板的陶瓷多层基板的制造方法、以及用该制造方法所制造的形状精度高的陶瓷基板。由在未烧成陶瓷体(10)的温度下实质上不烧结的材料构成辅助层(20)，在将该辅助层(20)紧贴在未烧成陶瓷体(10)的主面上的状态下，形成在主面上形成了台阶部分(15)的带辅助层的未烧成陶瓷体(11)，并在具有该辅助层的状态下，在未烧成陶瓷体烧结、而辅助层实质上不烧结的温度下，将该带辅助层的未烧成陶瓷体进行烧成。对于带辅助层的未烧成陶瓷体的配置辅助层的面，使具有凸部(22)的模具(30)进行对准并施压，从而在带辅助层的未烧成陶瓷体的配置辅助层的面上，形成与凸部(22)的外形形状对应的形状的台阶部分(凹部)(15(15a))。 | ||||||
| 84 | 陶瓷复合多层基板及其制造方法以及电子元器件 | CN200880118676.3 | 2008-10-17 | CN101874429A | 2010-10-27 | 野宫正人 |
| 一种陶瓷复合多层基板，该陶瓷复合多层基板能简化制造工序并能以低成本制造平坦性好、空隙残留少的基板，而且能防止层间剥离或从母板的剥离等，可靠性好。本发明的陶瓷复合多层基板(10)，包括层叠体，该层叠体由第一陶瓷层(11)和第二陶瓷层(12)构成，其中第二陶瓷层(12)被配置成与第一陶瓷层(11)接触并能抑制第一陶瓷层(11)的平面方向上的烧成收缩，在层叠体的至少一个主面上形成有使树脂浸渍于多孔质陶瓷中而成的树脂陶瓷复合层(13)。 | ||||||
| 85 | 多层陶瓷基板、其制造方法及其翘曲抑制方法 | CN200880013670.X | 2008-12-08 | CN101668620A | 2010-03-10 | 斋藤善史 |
| 欲基于所谓无收缩工艺通过在被收缩抑制层夹住的状态下进行烧成来制造包括陶瓷层叠体的多层陶瓷基板时，受到分别形成于陶瓷层叠体的第一及第二主面上的第一及第二表面导体膜的影响，除去了收缩抑制层后的多层陶瓷基板有时会产生翘曲。在烧成工序后，从复合层叠体除去收缩抑制层时，减少在烧成工序中沿着陶瓷生坯层与收缩抑制层的界面生成的第一及第二反应层(22及23)中的至少一层的厚度，藉此使第一及第二反应层(22及23)各自的厚度互不相同，从而调整由反应层(22及23)施加的压缩应力，抑制多层陶瓷基板(11)的翘曲。 | ||||||
| 86 | 叠层薄膜以及叠层陶瓷电子部件的制造方法 | CN200810168161.6 | 2008-09-28 | CN101399117A | 2009-04-01 | 饭岛忠良; 饭田修治 |
| 本发明涉及叠层薄膜以及叠层陶瓷电子部件的制造方法。本发明的叠层薄膜的特征在于，具有由合成树脂构成的芯层；和在上述芯层的至少一面上形成的、含有缩合反应型剥离性粘合剂和导电性高分子的导电性脱模层，根据本发明，能够提供一种叠层薄膜，其可以优选作为将浆料状的陶瓷原料片化而制造陶瓷生片时的工序薄膜来使用，能够稳定且以均匀的厚度制造厚度薄的陶瓷生片，并具有优异的抗静电性和剥离性。 | ||||||
| 87 | 多层陶瓷复合材料的制造方法 | CN200380110161.6 | 2003-11-19 | CN100415352C | 2008-09-03 | F·埃伦; O·宾克勒; R·农宁格 |
| 在一种用于制造多层多孔的陶瓷复合材料的方法中，该陶瓷复合材料包括至少一个作为用于至少一个第二陶瓷颗粒层的载体层的第一陶瓷颗粒层，其中，第一和第二陶瓷颗粒层作为生层在800℃≤T≤1200℃的温度下共同烧结成一种复合材料，其特征在于，所述第二陶瓷颗粒层的陶瓷颗粒仅仅是颗粒大小为x≤100nm的纳米级颗粒，其中，将第二陶瓷颗粒层设置到第一陶瓷颗粒层上，并且所述第一陶瓷颗粒层和第二陶瓷颗粒层的陶瓷颗粒在其材料特性或尺寸方面是不同的。 | ||||||
| 88 | 陶瓷基板的制造方法以及陶瓷基板 | CN200680013419.4 | 2006-03-29 | CN101180247A | 2008-05-14 | 伊藤优辉; 近川修; 池田哲也 |
| 提供一种不需要复杂的制造工序及制造设备、并能够高效地制造包括具有所希望的形状的台阶部分的陶瓷基板的陶瓷多层基板的制造方法、以及用该制造方法所制造的形状精度高的陶瓷基板。由在未烧成陶瓷体(10)的温度下实质上不烧结的材料构成辅助层(20)，在将该辅助层(20)紧贴在未烧成陶瓷体(10)的主面上的状态下，形成在主面上形成了台阶部分(15)的带辅助层的未烧成陶瓷体(11)，并在具有该辅助层的状态下，在未烧成陶瓷体烧结、而辅助层实质上不烧结的温度下，将该带辅助层的未烧成陶瓷体进行烧成。对于带辅助层的未烧成陶瓷体的配置辅助层的面，使具有凸部(22)的模具(30)进行对准并施压，从而在带辅助层的未烧成陶瓷体的配置辅助层的面上，形成与凸部(22)的外形形状对应的形状的台阶部分(凹部)(15(15a))。 | ||||||
| 89 | 陶瓷生片的制造方法和使用该陶瓷生片的电子部件的制造方法 | CN200410079496.2 | 2004-08-27 | CN1297996C | 2007-01-31 | 吉田政幸; 须藤纯一; 青木俊二; 渡边源一 |
| 本发明涉及一种所谓的用于制造多层陶瓷电子部件的陶瓷生片。本发明针对的是具有凹形和凸形的复杂形状的绝缘层或类似层的形成，同时保持其形状的精确性、其形成位置的精确性和其厚度的均匀性。在根据本发明的方法中，在透光的基础部件上形成由包括具有所需电性能的粉末的光敏材料制成的层。将具有第一图形的如紫外光的光从基础部件的背面照射到光敏材料，并将具有第二图形的如紫外光的光从基础部件的背面照射到光敏材料，以对光敏材料进行曝光。然后，对曝光后的光敏层进行显影。 | ||||||
| 90 | 可独立反应的多层薄片 | CN200510131056.1 | 2001-05-01 | CN1817539A | 2006-08-16 | 蒂莫西·P·魏斯; 迈克尔·莱斯; 奥马尔·科尼奥; 戴维·范希尔登; 托德·赫弗纳格尔; 霍华德·菲尔德迈塞 |
| 提供了可反应的薄片及它们的用途，用作点火、连接和推进时的局部热源。一种改进的可反应的薄片(14)最好具有多层薄片结构，该结构由从能以发热及自扩散反应方式相互反应的材料中选出的交替的层(16，18)构成。在反应时，这些薄片提供高的局部热量，这些热量可用于诸如连接各层，或直接将松散材料连在一起。这种薄片热源可在各种环境(例如，空气，真空，水等)的室温下产生迅速的连接。如果使用连接材料，该薄片反应将提供足够的热量来熔化连接材料。如果不使用连接材料，该薄片反应将热量直接提供到至少两种松散材料上，熔化每种的一部分，在冷却时形成牢固的连接。此外，薄片(14)还可设计成具有开口，该开口允许使连接(或松散)材料穿过薄片以增加连接牢度。 | ||||||
| 91 | 绝缘陶瓷压块 | CN200410043458.1 | 2001-07-20 | CN1266062C | 2006-07-26 | 近川修; 森直哉; 杉本安隆 |
| 一种包括(A)MgAl2O4、Mg3B2O6和/或Mg2B2O5的陶瓷粉末和(B)玻璃粉末的烧制混合物的绝缘陶瓷压块，玻璃粉末包含约13-50%重量的按SiO2计算的二氧化硅、约8-60%重量的按B2O3计算的氧化硼、0-约20%重量的按Al2O3计算的氧化铝和约10-55%重量的按MgO计算的氧化镁。该绝缘陶瓷压块可通过在约1000℃或更低温度下烧制获得，可以和Ag或Cu烧结制得，具有低的介电常数和高Q值，适合在高频范围使用。 | ||||||
| 92 | 复合叠片及其制造方法 | CN00133783.1 | 2000-10-30 | CN1251562C | 2006-04-12 | 龟田裕和; 中尾修也; 黑田茂之; 小嶋胜; 田中谦次 |
| 本发明提供一种复合叠层，该复合叠层包含包括第一微粒聚集体的第一片层和包含第二微粒聚集体的第二片层。在两个第一片层之间设置每个内部第二片层并且第二片层的两个外部片层构成复合叠层的两个主表面。内部第二片层的厚度大于外部第二片层的厚度。第一片层与第二片层通过包含在第一片层内的一部分第一微粒聚集体渗入第二片层互相结合。这样的结构能够减少复合叠层在煅烧步骤中的横向收缩。 | ||||||
| 93 | 陶瓷浆料组合物、挤压生产薄生片的方法以及使用所述生片制造的电子设备 | CN03160115.4 | 2003-09-26 | CN1248985C | 2006-04-05 | 吴圣日 |
| 本发明公开陶瓷浆料组合物。所述陶瓷浆料组合物含有20-50wt%陶瓷粉末，2-10wt%平均分子量为400,000或者更高的聚合物，0.1-2wt%带有可形成氢键的官能团的聚合物和40-75wt%溶剂。如果需要，所述陶瓷浆料组合物进一步含有1-5wt%平均分子量为400,000或者更低的聚合物。本发明进一步公开了使用挤压-拉伸方法生产薄生片的方法以及使用生片制造的电子元件。由此生产的生片厚度为10μm或者更小，可被层压成40层或者更多层的叠堆。即使当生片被高度层压时，没有层间开裂和枕状现象发生。 | ||||||
| 94 | 多层陶瓷复合物 | CN200380109361.X | 2003-11-19 | CN1744941A | 2006-03-08 | F·埃伦; O·宾克利; R·诺宁格 |
| 在一种制造多孔陶瓷复合物的方法中，向先前已经烧结的陶瓷衬底上应用未烧结层，并在500－1300℃的温度下，将其和先前已烧结的衬底一起烧结，其中，该未烧结层中专门包含有颗粒尺寸x≤100nm的陶瓷颗粒，并且该未烧结层在烧结后作为功能层所具有的层厚为s≤2.5μm。依据这种方法制得的功能层是无缺陷的，含有微细气孔，所以特别适合于用在过滤工艺中。 | ||||||
| 95 | 层叠型电子部件及其制造方法 | CN200510056014.6 | 2005-03-22 | CN1674175A | 2005-09-28 | 杉本幸史郎; 山口胜义; 伊东裕见子 |
| 一种层叠型电子部件，由夹隔导体层(7)层叠多个陶瓷层(5)而得到的陶瓷本体(1)构成，所述导体层(7)是镀膜，且在陶瓷本体(1)的一端侧导出，有助于电容形成，其中：由镀膜构成的所述导体层(7)的周边部的厚度形成得比其内侧区域厚。由此，能够防止导体层(7)的周边部侧的剥离，能够防止脱层等内部缺陷。也可以借助间隙在与所述导出端面相反的端部侧形成虚设导体层。 | ||||||
| 96 | 陶瓷多层基板的制造方法 | CN200510051812.X | 2005-03-02 | CN1665377A | 2005-09-07 | 大贺隆义; 小西正夫; 伊藤雅纪 |
| 本发明提供一种陶瓷多层基板的制造方法，其包括：在氧化铝基板(1)的两侧层叠片坯(2a，2b)而得到层叠体的第1层叠工序，其中所述氧化铝基板(1)是在比片坯(2a，2b)烧结温度更高的温度下进行过烧结的；在所述层叠体的最外层层叠于所述片坯的烧结温度下不会烧结的拘束用片坯(3a，3b)而得到第2层叠体的第2层叠工序；将所述第2层叠体于280℃～350℃范围的第1加热温度加热预定时间以去除所述片坯(2a，2b)中含有的粘合剂成分的脱粘合剂工序；于800℃～1000℃范围的温度对所述第2层叠体进行烧结的烧成工序；以及从所述第2层叠体去除所述拘束用片坯(3a，3b)的拘束层去除工序。通过脱粘合剂条件的最优化，在经过烧成的氧化铝基板(1)与未烧成的片坯(2a，2b)的层叠体中，即便使热膨胀系数不同的材料之间进行层叠，仍可防止经过烧成的氧化铝基板(1)与层叠的片坯(2a，2b)之间的分层(层间剥离)的发生。 | ||||||
| 97 | 单块陶瓷电子元件及其制造方法，和陶瓷糊浆及其制造方法 | CN00136422.7 | 2000-12-13 | CN1205627C | 2005-06-08 | 宫崎信; 田中觉; 木村幸司; 加藤浩二; 铃木宏始 |
| 制造单块陶瓷电子元件的方法，包括：提供陶瓷淤浆、导电糊和陶瓷糊浆；形成多个复合结构；各个结构包括由陶瓷淤浆成形制成的陶瓷坯料片，由导电糊局部施涂在陶瓷坯料片主表面上从而造成阶梯状区域的形成的内线路元件薄膜，以及用于补偿该阶梯状区域造成的空隙的陶瓷坯料层，所述陶瓷坯料层是将陶瓷糊浆施涂在陶瓷坯料片主表面上未形成元件薄膜的区域，从而基本补偿所述空隙；将复合结构叠合在一起形成叠合物坯料；烧制该叠合物坯料，其中的陶瓷糊浆包括陶瓷粉末、有机溶剂和有机粘合剂。还公开了采用该方法制造的单块陶瓷电子元件；陶瓷糊浆及其制备方法。 | ||||||
| 98 | 陶瓷糊浆组合物和制造陶瓷坯料片及多层电子元件的方法 | CN00131765.2 | 2000-10-12 | CN1205619C | 2005-06-08 | 中村一郎; 田中秀彦 |
| 公开了一种具有均匀分散且无严重损伤的陶瓷粉末的陶瓷糊浆组合物。一种使用该陶瓷糊浆组合物制造陶瓷坯料片的方法和一种多层陶瓷电子元件的制造方法。该陶瓷糊浆组合物含有陶瓷粉末、分散剂、粘合剂和溶剂，其中使用阴离子分散剂作为分散剂，其用量设定为其总酸值相当于陶瓷粉末总碱值的10-150%。使用的陶瓷粉末的平均粒径为0.01-1微米。 | ||||||
| 99 | 陶瓷生片的制造方法和使用该陶瓷生片的电子部件的制造方法 | CN200410079496.2 | 2004-08-27 | CN1591715A | 2005-03-09 | 吉田政幸; 须藤纯一; 青木俊二; 渡边源一 |
| 本发明涉及一种所谓的用于制造多层陶瓷电子部件的陶瓷生片。本发明针对的是具有凹形和凸形的复杂形状的绝缘层或类似层的形成，同时保持其形状的精确性、其形成位置的精确性和其厚度的均匀性。在根据本发明的方法中，在透光的基础部件上形成由包括具有所需电性能的粉末的光敏材料制成的层。将具有第一图形的如紫外光的光从基础部件的背面照射到光敏材料，并将具有第二图形的如紫外光的光从基础部件的背面照射到光敏材料，以对光敏材料进行曝光。然后，对曝光后的光敏层进行显影。 | ||||||
| 100 | 绝缘陶瓷压块、陶瓷多层基板和陶瓷电子器件 | CN01122798.2 | 2001-07-20 | CN1188367C | 2005-02-09 | 森直哉; 杉本安隆; 近川修 |
| 提供一种可通过低温烧制获得的绝缘陶瓷压块，它具有低的相对介电常数和优良的高频特性，能与热膨胀系数高的材料共烧结。这种绝缘陶瓷压块是MgAl2O4基陶瓷和硼硅酸盐玻璃的烧制混合物，其中，MgAl2O4晶相与Mg3B2O6晶相和Mg2B2O5晶相中至少一种晶相以主晶相析出。 | ||||||
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