1.一种形成抗静电膜的组合物，其含有下述式(1A)所示的低聚物化合物和水，式中，R1表示氢原子或下述式(2)所示的基团，R2和R3各自独立地表示氢原子或者下述式(3)或式(4)所示的基团，多个R各自独立地表示卤原子、羟基、氨基、硅烷醇基、硫醇基、羧基、氨基甲酰基、磷酸基、磷酸酯基、酯基、硫代酸酯基、酰胺基、硝基、碳原子数1～20的伯烃基、碳原子数1～20的仲烃基、碳原子数1～20的叔烃基、碳原子数1～20的有机氧基、碳原子数1～20的有机氨基、碳原子数1～20的有机甲硅烷基、碳原子数1～20的有机硫基、酰基或磺基，并且所述多个R中的至少一个表示磺基，a和b表示满足2≤(a+b)≤6的正整数，多个x各自独立地表示0～4的整数，
式中，n表示满足1≤n＜(a+b+4)的整数，a、b、多个R和x与所述式(1A)中的含义相同，多个y各自独立地表示0～5的整数。
2.根据权利要求1所述的形成抗静电膜的组合物，其进一步含有下述式(1B)所示的低聚物化合物，
式中，R2、R3、多个R、a、b和多个x与权利要求1中的含义相同。
3.根据权利要求1或2所述的形成抗静电膜的组合物，其进一步含有极性有机溶剂。
4.根据权利要求1～3的任一项所述的形成抗静电膜的组合物，其进一步含有表面活性剂。
5.根据权利要求1～4的任一项所述的形成抗静电膜的组合物，其进一步含有碱性化合物。
6.根据权利要求1～5的任一项所述的形成抗静电膜的组合物，所述低聚物化合物的重均分子量为500以上且小于5000。
7.下述式(1A)所示的低聚物化合物，
式中，R1表示氢原子或下述式(2)所示的基团，R2和R3各自独立地表示氢原子或者下述式(3)或式(4)所示的基团，多个R各自独立地表示卤原子、羟基、氨基、硅烷醇基、硫醇基、羧基、氨基甲酰基、磷酸基、磷酸酯基、酯基、硫代酸酯基、酰胺基、硝基、碳原子数1～20的伯烃基、碳原子数1～20的仲烃基、碳原子数1～20的叔烃基、碳原子数1～20的有机氧基、碳原子数1～20的有机氨基、碳原子数1～20的有机甲硅烷基、碳原子数1～20的有机硫基、酰基或磺基，并且所述多个R中的至少一个表示磺基，a和b表示满足2≤(a+b)≤6的正整数，多个x各自独立地表示0～4的整数，
式中，n表示满足1≤n＜(a+b+4)的整数，a、b、多个R和x与所述式(1A)中的含义相同，多个y各自独立地表示0～5的整数。
8.下述式(1C)所示的低聚物化合物，
式中，R1表示氢原子或下述式(2’)所示的基团，R2和R3各自独立地表示氢原子或者下述式(3’)或式(4’)所示的基团，多个R’各自独立地表示卤原子、羟基、氨基、硅烷醇基、硫醇基、羧基、氨基甲酰基、磷酸基、磷酸酯基、酯基、硫代酸酯基、酰胺基、硝基、碳原子数1～
20的伯烃基、碳原子数1～20的仲烃基、碳原子数1～20的叔烃基、碳原子数1～20的有机氧基、碳原子数1～20的有机氨基、碳原子数1～20的有机甲硅烷基、碳原子数1～
20的有机硫基、酰基或磺基，a和b表示满足2≤(a+b)≤6的正整数，多个x各自独立地表示0～4的整数，
式中，n表示满足1≤n＜(a+b+4)的整数，a、b、多个R’和x与所述式(1C)中的含义相同，多个y各自独立地表示0～5的整数。
9.根据权利要求8所述的低聚物化合物，所述R1为氢原子，所述R2和R3为所述式(4’)所示的基团，所述x和y为0。
10.根据权利要求9所述的低聚物化合物，所述a和b满足2≤(a+b)≤3。
11.权利要求10所述的低聚物化合物的制造方法，其特征在于，使下述式(1D)所示的三苯基胺衍生物与下述式(1E)所示的胺化合物在金属配位化合物催化剂和碱的存在下进行反应，
式中，X表示离去性官能团，m表示2或3。
12.式(1F)所示的苯胺低聚物化合物的制造方法，其特征在于，使下述式(1D)所示的三苯基胺衍生物与下述式(1E)所示的胺化合物在金属配位化合物催化剂和碱的存在下进行反应，
式中，X表示离去性官能团，m’表示1～3的整数。
13.根据权利要求11或12所述的制造方法，所述离去性官能团为选自卤原子、甲磺酰氧基、苯磺酰氧基、甲苯磺酰氧基、三氟甲磺酰氧基和九氟丁磺酰氧基中的基团。
14.根据权利要求13所述的制造方法，所述离去性官能团为氯原子、溴原子或碘原子。
15.根据权利要求11或12所述的制造方法，所述金属配位化合物催化剂为钯配位化合物。