| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 261 | SiC单晶的制造方法 | CN201580008068.7 | 2015-02-12 | CN106029959A | 2016-10-12 | 楠一彦; 龟井一人; 大黑宽典; 坂元秀光 |
| 本发明提供在籽晶与Si‑C溶液之间气泡难以进入的SiC单晶的制造方法。SiC单晶的制造方法为：利用将籽晶(10)的主表面(10a)朝向下方并使其与Si‑C溶液(11)接触而在主表面(10a)上使SiC单晶生长的溶液生长法得到SiC单晶的制造方法。主表面(10a)平坦。该制造方法包括：接触工序A、接触工序B和生长工序。接触工序A中，使主表面(10a)的一部分区域与贮存的Si‑C溶液(11)接触。接触工序B中，以在接触工序A中接触的一部分区域即初始接触区域作为起始点，通过润湿现象来扩大主表面(10a)与贮存的Si‑C溶液(11)的接触区域。生长工序中，使SiC单晶在与贮存的Si‑C溶液(11)接触的主表面(10a)上生长。 | ||||||
| 262 | 硅太阳能电池槽式清洗制绒工艺 | CN201610608579.9 | 2016-07-28 | CN106024991A | 2016-10-12 | 朱俊; 王丹; 陈丽萍; 陆红艳; 陈如龙 |
| 本发明涉及一种硅太阳能电池槽式清洗制绒工艺，包括以下步骤：上料→预处理工序→水洗工序→制绒工序→水洗工序→酸洗工序→水洗工序→慢提拉工序→烘干工序→下料；所述慢提工序在慢提拉槽进行，烘干工序在烘干槽进行；其特征是：当机械臂从慢提拉槽内将装有硅片的花篮提取到烘干槽，以及从烘干槽内将装有硅片的花篮提取至下料处之前，通过气体喷嘴喷出压缩空气或氮气，将机械臂下提取花篮的挂钩吹干后，再用挂钩提取花篮。本发明所述的硅太阳能电池槽式清洗制绒工艺，能够解决因槽式清洗制绒工艺造成的硅太阳能电池正面水印和背面光致发光（EL）下黑斑问题。 | ||||||
| 263 | 铪镝双掺杂铌酸锂晶体及其制备方法 | CN201610415223.3 | 2016-06-12 | CN106012019A | 2016-10-12 | 代丽; 徐超; 刘春蕊 |
| 铪镝双掺杂铌酸锂晶体及其制备方法，它涉及铪镝双掺杂铌酸锂晶体及其制备方法。它要解决。产品：由Nb2O5、LiCO3、HfO2和Dy2O3制成。方法：一、混合四种原料；二、采用提拉法生长晶体，得到多畴晶体；三、极化，得到极化后的晶体；四、切割、抛光，得到Hf:Dy:LiNbO3晶体。本发明制备的Hf:Dy:LiNbO3晶体光泽度高、成分均一、无瑕疵、无生长条纹和无裂纹产生，抗光损伤性能较高，能够做为激光晶体材料；本发明制备方法简单，便于操作，晶体生长速度快；这种晶体材料可在制备紧凑型、激光二极管泵浦、全固态可调谐激光器应用前景广阔，此外对高密度存储、制备集成光学器件、红外探测也具有重要意义。 | ||||||
| 264 | 一种钒酸铋介孔单晶的制备方法 | CN201610404912.4 | 2016-06-12 | CN106012018A | 2016-10-12 | 田宝柱; 吴强芳; 肖逸飞; 雒玉升; 张金龙; 李俏颖; 吴迪; 司敬艳 |
| 本发明涉及一种用于光解水制氧钒酸铋介孔单晶的制备方法。所述钒酸铋介孔单晶的制备方法包括以下步骤：首先，用硝酸溶液处理硝酸铋和偏钒酸铵的混合物得到透明的钒酸铋前驱体，再用其浸渍二氧化硅纳米球模板，得到酸化的二氧化硅纳米球模板；然后，将酸化的二氧化硅纳米球模板放入含有无定型钒酸铋的酸性水溶液中进行水热反应。最后，用氢氧化钠溶液刻蚀含有二氧化硅纳米球模板的钒酸铋单晶，得到钒酸铋介孔单晶。本发明所制备的钒酸铋介孔单晶可用于光催化分解水制氧，光解水制氧活性较钒酸铋单晶提高了10倍。 | ||||||
| 265 | 一种二次添加掺杂剂的方法和装置 | CN201610670967.X | 2016-08-15 | CN106012010A | 2016-10-12 | 武鹏; 王双丽; 徐岩; 黄春来 |
| 本发明涉及一种二次添加掺杂剂的方法，包括步骤：将含有掺杂剂的硅料熔化为硅液；长晶，在所述长晶阶段中，使二次掺杂剂以液态的方式进入硅液。上述二次添加掺杂剂的方法，将掺杂剂以液态的方式加入硅液中，减少了对熔硅液面的冲击，减少了杂质产生的几率。并通过二次加入掺杂剂，改善硅锭掺杂元素的分布，降低电阻率不良或提升硅片的机械强度，从而提升硅锭的铸锭成品率和硅片质量。另外还提出一种用于多晶铸锭生产的二次添加掺杂剂的装置。 | ||||||
| 266 | 一种强制对流生长晶体硅的方法及其装置 | CN201610581744.6 | 2016-07-22 | CN106012007A | 2016-10-12 | 尹长浩; 熊震; 刘超 |
| 本发明公开了一种强制对流生长晶体硅的方法及装置，通过在多晶硅铸锭过程中，在硅熔体中通过机械搅拌直接引入强制对流，降低硅熔体水平温度梯度，提供分凝作用的排杂效果，使用氮化硅作为制作搅拌硅熔体的叶轮和支撑轴；同时，在晶体生长过程中通过氮化硅叶轮的降低来测量晶体生长速率，在不污染及硅熔体的基础上实现对晶体生长速率的测量，从而改善后续晶体生长条件；随着晶体不断生长，调节叶轮的转速和距离晶体的高度，从而维持晶体上方硅熔体的稳定对流。 | ||||||
| 267 | 尼达尼布乙磺酸盐结晶 | CN201510112909.0 | 2015-03-13 | CN106008308A | 2016-10-12 | 王胡博; 朱雪焱; 郭猛; 胡明通; 张家松; 孙九德 |
| 本发明涉及尼达尼布乙磺酸盐结晶，具体而言，本发明涉及尼达尼布二乙磺酸盐的A型结晶。本发明的尼达尼布二乙磺酸盐A型结晶，其X-射线粉末衍射光谱用2θ值表示在约14.64、18.79、19.31、20.11、21.20、22.45、26.71°处有衍射峰。本发明的结晶性质稳定，不易降解、不吸潮，特别适合药物生产。 | ||||||
| 268 | 正极活性物质及非水系电解质二次电池 | CN201511018727.3 | 2011-09-02 | CN106006744A | 2016-10-12 | 户屋广将; 福井笃 |
| 本发明提供作为非水系电解质二次电池用正极活性物质的前体的过渡金属复合氢氧化物及其制备方法、该非水系电解质二次电池用正极活性物质及其制备方法、及使用该正极活性物质的非水系电解质二次电池。本发明的目的在于提供一种作为前体，能够得到粒径小、粒径均匀性高的锂过渡金属复合氧化物的过渡金属复合氢氧化物。过渡金属复合氢氧化物的制备方法，包括：复合氢氧化物粒子制备工序，包含如下阶段：进行核生成的核生成阶段；使形成的核成长的粒子成长阶段；被覆工序，在之前的工序中得到的复合氢氧化物粒子的表面形成含有金属氧化物或金属氢氧化物的被覆物。 | ||||||
| 269 | 一种熔模精密铸造单晶高温合金薄壁试样的制备方法 | CN201610245308.1 | 2016-04-19 | CN106001513A | 2016-10-12 | 杨亮; 李嘉荣; 韩梅; 刘世忠; 赵金乾 |
| 本发明涉及一种熔模精密铸造单晶高温合金薄壁试样的制备方法。在蜡模制备过程中，将板形陶瓷型芯放入模具中，用陶瓷型芯做蜡料的支撑，合上模具，向模具中注射蜡料，蜡料注射压力5bar～8bar、蜡料温度60℃～80℃、保压时间60s～120s，在板形陶瓷型芯两侧形成一定厚度的蜡模，使蜡模紧密贴附在陶瓷型芯表面。根据设计薄壁试样的厚度，对陶瓷型芯两侧的蜡模进行减薄，控制主轴转速500r/min～6000r/min、进给速度30mm/min～450mm/min、轴向切削深度0.03mm～0.5mm，制备出薄壁试样蜡模，将薄壁试样蜡模组成模组后涂壳制备型壳，在真空感应单晶炉内完成定向凝固浇注，由此制备出单晶高温合金精铸薄壁试样。本发明可完全避免蜡模在取模、修整过程中变形及定向凝固过程中浇不足、欠铸的问题。 | ||||||
| 270 | 制造III/VSi模板的方法 | CN201280016643.4 | 2012-01-25 | CN103548114B | 2016-10-12 | B.库纳特 |
| 本发明涉及制造单片模板的方法，该模板包含Si晶片，在该Si晶片表面上外延施加有III/V半导体层，该III/V半导体的晶格常数与Si的相差小于10%，所述方法包括以下步骤：A)任选地，使Si晶片表面脱氧，B)任选地，在脱氧的Si晶片表面上外延生长Si层，C)任选地，对该Si晶片表面或该Si层表面进行烘烤步骤和/或蚀刻步骤，D)在350‑650℃的晶片温度下，在该Si晶片表面上或者在步骤A)‑C)之一的过程中所形成的表面上外延生长III/V半导体层，生长速率是0.1‑2μm/h，层厚是1‑100nm，E)在500‑800℃的晶片温度下，在步骤D)所获得的层上外延生长与步骤D)所施加的III/V半导体相同或者不同的III/V半导体层，生长速率是0.1‑10μm/h，层厚是10‑150nm。 | ||||||
| 271 | 具有交叉流的外延腔室 | CN201080045712.5 | 2010-09-28 | CN102549718B | 2016-10-12 | B·拉马钱德兰; E·A·C·桑切斯; N·O·妙; K·J·宝蒂斯塔; H·S·居内贾; Z·朱 |
| 在此提供用于处理基板的方法与设备。在一些实施例中，用于处理基板的设备包括：处理腔室，所述处理腔室具有配置于所述处理腔室中的基板支撑件，以在所述处理腔室内于期望的位置支撑基板的处理表面；第一进入通口，用于在第一方向提供所述基板的所述处理表面上方的第一处理气体；第二进入通口，用于在有别于所述第一方向的第二方向提供所述基板的所述处理表面上方的第二处理气体，其中在所述第一方向与所述第二方向之间测量到的相对于所述基板支撑件的中心轴的方位角最高达约145度；以及排放通口，被置于所述第一进入通口对面，以从所述处理腔室排放所述第一与所述第二处理气体。 | ||||||
| 272 | SiC单晶体的制造装置和SiC单晶体的制造方法 | CN201380035985.5 | 2013-07-10 | CN104471117B | 2016-10-05 | 冈田信宏; 龟井一人; 楠一彦; 矢代将齐; 森口晃治; 大黑宽典; 加渡幹尚; 坂元秀光 |
| SiC单晶体的制造装置(10)用于溶液生长法。SiC单晶体的制造装置(10)包括晶种轴(28)和坩埚(14)。晶种轴(28)具有供SiC晶种(32)安装的下端面(28S)。坩埚(14)用于收纳Si－C溶液(15)。晶种轴(28)包括筒部(28A)、底部(28B)和低导热性构件(28C)。底部(28B)配置于筒部(28A)的下端，且具有下端面(28S)。低导热性构件(28C)配置于底部(28B)的上表面，且具有比底部(28B)的热传导率低的热传导率。利用该制造装置，能够使SiC晶种的结晶生长面内的温度不易出现偏差。 | ||||||
| 273 | 铁电薄膜的制造方法 | CN201210150587.5 | 2012-05-15 | CN102787356B | 2016-10-05 | 渡边敏昭; 樱井英章; 曽山信幸; 土井利浩 |
| 本发明提供一种不设置晶种层、缓冲层，就能够简便地得到晶体取向被择优控制为（110）面的铁电薄膜的铁电薄膜的制造方法。通过在具有晶面为（111）轴向取向的下部电极的基板的下部电极上涂布铁电薄膜形成用组合物，进行加热使其结晶，从而在下部电极上制造铁电薄膜，在该制造方法中，铁电薄膜包含晶体取向被择优控制为（110）面的取向控制层，将取向控制层的结晶后的层厚设在5nm～30nm的范围内来形成。 | ||||||
| 274 | 一种低反射率含沸石粉的单晶硅太阳能电池片表面织构液及其制备方法 | CN201610531605.2 | 2016-07-08 | CN105977344A | 2016-09-28 | 程晓民; 李尚荣; 王可胜; 孟祥法; 郭万东; 袁艺琴 |
| 本发明公开了一种低反射率含沸石粉的单晶硅太阳能电池片表面织构液，其是由下述重量份的原料制得：苯乙烯1.5‑2.5，5‑10%过硫酸铵溶液1‑2，1000‑1250目沸石粉1‑2，十二烷基硫酸钠0.1‑0.2，十二氟庚基丙基三甲氧基硅烷0.1‑0.15，癸基葡糖苷0.1‑0.15，氢氧化钠3‑5，柠檬酸0.3‑0.5，海藻酸钠0.03‑0.05，硼砂0.05‑0.1，水100‑120。本发明的硅片织构液反应速度较快，腐蚀适中、减薄量小、重复利用率高，制得的绒面金字塔大小均匀，颗粒较小，覆盖率高，反射率低，光电转换效率高。 | ||||||
| 275 | 一种钒酸镉单晶纳米线的简单制备方法 | CN201610297915.2 | 2016-05-06 | CN105970281A | 2016-09-28 | 曲阳; 付宏刚; 井立强; 孟慧媛; 丁冬雪; 孙宁 |
| 一种钒酸镉单晶纳米线的简单制备方法，它涉及一种钒酸镉单晶纳米线的制备方法。本发明的目的是要解决现有技术制备的钒酸盐材料存在晶粒尺寸大，无规则形貌，产率低和无法生产单晶结构的问题。方法：一、配制镉盐溶液；二、配制含有强电解质盐的偏钒酸盐水溶液；三、混合；四、将干燥后的钒酸镉单晶纳米线前驱体置于马弗炉中煅烧，得到钒酸镉单晶纳米线。本发明制备的钒酸镉单晶纳米线与现有的钒酸盐纳米材料相比，呈现单晶结构和均匀的纳米线结构，电子传输性能提高。本发明可获得一种钒酸镉单晶纳米线的简单制备方法。 | ||||||
| 276 | 铈掺杂焦硅酸钆发光材料及其制备方法 | CN201610328071.3 | 2016-05-18 | CN105969354A | 2016-09-28 | 冯鹤; 肖丰; 张志军; 徐展; 赵景泰 |
| 本发明公开了一种铈掺杂焦硅酸钆发光材料及其制备方法，其材料的化学式为(Gd1‑x‑y‑zKxCeyMz)2Si2O7，其中：K=La、Lu、Y、Sc的一种或多种的组合，M=Mg2+、Ca2+、Ba2+、B3+、In3+的一种或多种的组合，0≤x≤0.995，0.00001≤y≤0.05，0≤z≤0.05。本发明在发光材料铈掺杂焦硅酸钆中额外添加Mg2+、Ca2+、Ba2+、B3+、In3+主族离子，制备了铈掺杂焦硅酸钆闪烁单晶和荧光粉，与不掺杂主族离子的焦硅酸钆发光材料相比，掺杂主族离子的铈掺杂焦硅酸钆闪烁单晶和荧光粉的荧光衰减时间明显减小，优化了铈掺杂焦硅酸钆闪烁单晶和荧光粉的闪烁性能。 | ||||||
| 277 | 用于生产具有单晶或多晶结构的材料的方法和装置 | CN201280028686.4 | 2012-03-21 | CN103649381B | 2016-09-28 | R·科克凯斯 |
| 本发明涉及用于生产具有单晶结构或多晶结构的材料的装置和方法，其中容器被布置在两个压力区之间并且经由对所述压力区之间的差压进行设置来对熔体在所述容器中的水平进行设置。因此，甚至可以将微粒材料连续地供给所述容器并且均匀地熔融。还可以从所述容器中提取具有高纯度的输出材料。 | ||||||
| 278 | 高电压特性优异的活性物质 | CN201610384463.1 | 2014-01-24 | CN105958022A | 2016-09-21 | 杉江尚; 松代大; 原田正则; 福本武文 |
| 本发明提供一种即使在高电压下驱动的二次电池中使用时也具有良好的Li存储容量，即显示良好的容量维持率的活性物质。所述活性物质是由通式：LiaNibCocMndDeOf(0.2≤a≤1，b+c+d+e＝1，0≤e＜1，D是选自Li、Fe、Cr、Cu、Zn、Ca、Mg、Zr、S、Si、Na、K、Al中的至少1种元素，1.7≤f≤2.1)表示的活性物质，其特征在于，在表层具有高锰部，所述高锰部是至少含有Ni、Co和Mn的金属氧化物且Ni、Co和Mn的组成比由Ni：Co：Mn＝b2：c2：d2(其中，b2+c2+d2＝1、0＜b2＜1、0＜c2＜c、d＜d2＜1)表示。 | ||||||
| 279 | 一种银纳米枝晶的制备方法 | CN201610437586.7 | 2016-06-18 | CN105951183A | 2016-09-21 | 徐天林 |
| 一种银纳米枝晶的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：a、取铜棒，进行清洗；所述清洗包括如下步骤：在超声波条件下，依次用丙酮，乙醇，2M盐酸，蒸馏水清洗铜棒；b、制备银纳米枝晶，包括如下步骤：（1）室温、搅拌条件下，取一价银盐溶解于蒸馏水中，获得一价银离子浓度为0.01 M-0.1 M的溶液A；（2）取步骤a所得铜棒，向铜棒滴加溶液A，常温条件下反应5-120秒，之后用蒸馏水冲洗铜棒，即获得所述银纳米枝晶。本发明提出一种操作简单、成本低廉的合成Ag纳米枝晶的方法。 | ||||||
| 280 | 单晶硅生长过程中粘壁硅的去除方法 | CN201610364026.3 | 2016-05-30 | CN105951175A | 2016-09-21 | 张俊宝; 刘浦锋; 宋洪伟; 陈猛 |
| 本发明提供一种直拉法硅单晶生长工艺中石英坩埚内壁的多晶硅的去除方法，为去除多晶硅熔化过程中粘结在石英坩埚内壁的多晶硅，采用激光束垂直照射多晶硅粘结块与石英坩埚内壁的结合点，熔化结合点处的多晶硅，使多晶硅粘结块整体熔化或部分熔化，未熔化的多晶硅块落入熔融液；为去除单晶硅生长过程中石英坩埚内壁上凝固的多晶硅，采用多台激光束平行照射凝固多晶硅与石英坩埚内壁的结合线，熔化多晶硅凝固块或将凝固薄片切割掉，进入熔融液熔化，从而消除凝固块。 | ||||||
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