| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 301 | SiC单晶锭、SiC单晶以及制造方法 | CN201380029937.5 | 2013-04-16 | CN104350186B | 2016-08-24 | 白井嵩幸; 旦野克典 |
| 提供包含贯穿位错密度小且具有低电阻率的SiC单晶的锭、SiC单晶、以及该SiC单晶的制造方法。一种SiC单晶锭，包含籽晶和以所述籽晶为基点采用熔液法生长出的生长晶体，生长晶体包含向以籽晶为基点而生长了的方向氮含量增加的氮密度梯度层。 | ||||||
| 302 | 单晶硅半导体晶片及其制造方法 | CN201310341923.9 | 2013-08-07 | CN103578976B | 2016-08-24 | T·米勒; G·基辛格; D·科特; A·扎特勒 |
| 本发明涉及单晶硅半导体晶片及其制造方法。该半导体晶片具有不含BMD缺陷并且从半导体晶片的正面延伸至半导体晶片块体内的区域DZ以及包含BMD缺陷并且从DZ进一步延伸至半导体晶片块体内的区域。所述方法包括根据Czochralski法提拉硅单晶，将单晶加工成为经抛光的单晶硅基底晶片，对基底晶片快速的加热和冷却，对经过快速的加热和冷却的基底晶片缓慢的加热，及将该基底晶片在特定的温度下保持特定的时间。 | ||||||
| 303 | 一种制备Mn3O4晶须的方法 | CN201610208687.7 | 2016-04-06 | CN105862134A | 2016-08-17 | 杨瑞嵩; 王鹏; 王静婷; 杨杰; 何勇 |
| 本发明属于新材料制备技术领域，具体为一种制备Mn3O4晶须的方法。该方法包括以下步骤：1）将硫酸锰、硫酸铵、十二烷基硫酸钠和邻磺酰苯甲酰亚胺按比例溶于蒸馏水中配置成镀液；2）采用镍箔作为基材，在镍箔上面电镀形成金属锰镀层；3）采用氧化法对含有金属锰镀层的镍箔进行氧化，得到四氧化三锰晶须。本制备工艺操作简单，但产物纯度较高。 | ||||||
| 304 | 用于生产硅锭的设备和方法 | CN201610082305.0 | 2016-02-05 | CN105862124A | 2016-08-17 | 内森·斯托达德; 卡罗尔·墨菲; 托马斯·库拉施; 比约恩·塞佩尔 |
| 本发明提供了用于生产硅锭的设备和方法，如硅锭的无坩埚生产的设备和方法，其中，具有籽晶层和液体层的支撑件在具有垂直梯度的温度场中逐渐下降，从而以受控的方式凝固液体层。 | ||||||
| 305 | 纳米晶体的合成、盖帽和分散 | CN201610252371.8 | 2011-04-25 | CN105858600A | 2016-08-17 | Z·S·高南·威廉姆斯; Y·王; 罗伯特·J·威塞克; X·白; L·郭; 赛琳娜·I·托马斯; W·徐; J·徐 |
| 本发明提供了一种由制备纳米晶体的溶剂热方法制备的纳米晶体，所述溶剂热方法包括：将所述纳米晶体的至少一种前体溶解或混合于至少一种溶剂中，以产生溶液；将所述溶液加热到大于250℃的温度至350℃的温度的温度范围以及100?900psi的压力范围，以形成所述纳米晶体；其中，所述纳米晶体包括氧化锆、铪?锆氧化物和钛?锆氧化物中的至少一种。 | ||||||
| 306 | 用于制备化合物的气相沉积方法 | CN201280036116.X | 2012-07-20 | CN104093876B | 2016-08-17 | 布赖恩·埃利奥特·海登; 克里斯托弗·爱德华·李; 邓肯·克利福德·艾伦·史密斯; 马克·斯蒂芬·比尔; 吕晓娟; 矢田千宏 |
| 本发明提供一种用于制备化合物的气相沉积方法，其中，所述方法包括将所述化合物的每种成分元素以蒸气提供，和将所述成分元素蒸气共沉积在共同的基材上，其中：使用裂化源提供至少一种成分元素的蒸气；使用等离子源提供至少一种其他成分元素的蒸气；并且提供至少一种另外的成分元素蒸气；其中，所述成分元素在所述基材上反应，以形成所述化合物。 | ||||||
| 307 | 新晶体结构酞菁钴（J-CoPc）纳米线及其制备方法 | CN201410279515.X | 2014-06-20 | CN104086555B | 2016-08-17 | 王海; 纪小林; 罗金龙; 邹涛隅 |
| 本发明涉及一种新晶体结构酞菁钴纳米线及其制备方法领域。提供了一种酞菁钴纳米线，具有J?酞菁钴结构，直径为150nm以下。还提供了一种制备所述的酞菁钴纳米线的方法，包括下列步骤：a)引入酞菁钴源料至管式炉中的加热区域；b)在载气存在下，加热该酞菁钴源料至最高600℃；c)通过该载气，引导该升华的酞菁钴离开该加热区域，至生长区域；d)在该生长区域，得到酞菁钴纳米线。本发明提出利用气相沉积法，生长得到的纳米量级的酞菁钴晶体，提升和改善了酞菁钴的物理和化学性质，如光谱吸收能力和载流子迁移率等，能更好地应用于染料、光电导材料、液晶、电致变色、催化、太阳能电池等领域。 | ||||||
| 308 | 半导体层的温度测定方法以及温度测定装置 | CN201180071888.2 | 2011-08-02 | CN103649702B | 2016-08-17 | Y·拉克拉斯 |
| 提供一种在对半导体层进行蒸镀而成膜时，能够直接高精度地得知半导体层的温度的测定装置以及测定方法。对半导体层照射在第1温度范围（T3-T4）内光的透射率衰减的第1波长的激光、和在第2温度范围（T5-T6）内光的透射率衰减的第2波长的激光，由受光部接收透过了半导体层的光。在半导体层的温度上升，而第1波长的激光的探测光量衰减了的时间点，能够得知激光的透射率的衰减幅度（D4-D3）。在温度进一步上升而第2波长的激光的探测光量超过衰减起点（g）之后，能够根据某测定时的探测光量（Db）和所述衰减幅度（D4-D3），计算半导体层的温度。 | ||||||
| 309 | 单晶硅提拉用二氧化硅容器及其制造方法 | CN201380001605.6 | 2013-01-22 | CN103649383B | 2016-08-17 | 山形茂 |
| 本发明是一种单晶硅提拉用二氧化硅容器，具有直筒部、弯曲部及底部，其特征在于，前述二氧化硅容器的外侧是由含有气泡的不透明二氧化硅玻璃所构成，前述二氧化硅容器的内侧是由实质上不含气泡的透明二氧化硅玻璃所构成；于前述底部的内表面，形成厚度20μm以上且1000μm以下的二氧化硅玻璃层，所述二氧化硅玻璃层以超过300质量ppm且3000质量ppm以下的浓度含有OH基。由此，本发明提供一种低成本的单晶硅提拉用二氧化硅容器，可减低所提拉的单晶硅中的被称为孔隙或针孔的空洞缺陷。 | ||||||
| 310 | Cs2LiPO4化合物、Cs2LiPO4非线性光学晶体及其制法和用途 | CN201610331423.0 | 2016-05-16 | CN105839185A | 2016-08-10 | 罗军华; 沈耀国; 赵三根; 赵炳卿 |
| 本发明涉及一种Cs2LiPO4化合物、Cs2LiPO4非线性光学晶体及其制法和用途。本发明的晶体易长大且透明无包裹体，具有生长速度较快、成本低、易于获得较大尺寸晶体等优点；所获得的晶体具有较短的紫外吸收截止边、较大的非线性光学效应、物理化学性能稳定、机械性能好、易于加工等优点；该晶体可用于制作非线性光学器件；本发明非线性光学晶体制作的非线性光学器件可用于若干军事和民用高科技领域中，例如激光致盲武器、光盘记录、激光投影电视、光计算和光纤通讯等。 | ||||||
| 311 | 自动控制的微下拉晶体生长装置和自动控制方法 | CN201610326024.5 | 2016-05-17 | CN105839176A | 2016-08-10 | 王亚琦; 张连翰; 杭寅; 蔡双 |
| 本发明涉及一种实现生长过程自动控制的微下拉晶体生长装置，在传统的微下拉晶体生长设备加入称重系统，实现对生长晶体质量实时监控，对生长晶体的直径的自动控制。与现有微下拉技术相比，该装置成本低，易实现晶体生长自动控制，且具备普适性，适用用于所有生长晶体。 | ||||||
| 312 | 一种多功能温度可控式液桥生成器 | CN201610400788.4 | 2016-06-08 | CN105839174A | 2016-08-10 | 梁儒全; 赵俊楠; 李湛; 王奎阳; 张硕; 李晓媛; 闫付强; 杨硕 |
| 一种多功能温度可控式液桥生成器，由支架、液桥生成装置、温控装置和冷却水箱四部分组成，所述液桥生成装置包括垂直中心线位于同一直线上的上桥柱和下桥柱，以及观察套管；所述上桥柱和下桥柱分别在支架上部的上桥柱安装孔和支架下部的下桥柱安装孔垂直安装，上桥柱由上均匀送气套管和上盘焊接组装，下桥柱由下盘和下均匀送气套管焊接组装；所述观察套管同轴套装于上均匀送气套管和下均匀送气套管外表面并紧密贴合；所述上桥柱安装孔侧方支架上设置有紧固螺钉；所述温控装置包括加热槽、加热棒、热电偶、温度控制器、继电器和电源，其中加热槽焊接于支架上方的上均匀送气套管外部；所述冷却水箱焊接于下均匀送气套管外部。 | ||||||
| 313 | 一种白泥碳酸钙晶须的制备方法 | CN201610165008.2 | 2016-03-21 | CN105839173A | 2016-08-10 | 苏艳群; 刘金刚 |
| 本发明属于造纸工业中固体废弃物——碱回收白泥的回收利用，具体涉及到一种白泥碳酸钙晶须的制备方法。本发明通过生石灰与部分净化绿液在温度为60～100℃条件下反应形成晶核溶液，部分绿液经过碳化后再与晶核绿液在60～100℃下反应30～120min，保温30min后经过过滤洗涤制得白泥碳酸钙晶须。本发明制得白泥碳酸钙晶须，不仅不会对现有生产过程控制和碱回收效率产生明显影响，而且明显提升碱回收白泥碳酸钙的品质和应用性能，有助于造纸工业的可持续发展并实现节能减排的目的。 | ||||||
| 314 | 金刚石传感器、探测器和量子装置 | CN201280030089.5 | 2012-05-04 | CN103620093B9 | 2016-08-10 | D·J·台特申; M·L·马卡姆 |
| 本发明涉及金刚石传感器、探测器和量子装置。单晶合成CVD金刚石材料，包含：生长扇区；该生长扇区内的一个或多个类型的多个点缺陷，其中至少一个类型的点缺陷在该生长扇区内择优对齐，其中所述至少一个类型的点缺陷的至少60%显示了所述择优对齐，且其中至少一个类型的点缺陷为带负电的氮空位缺陷(NV-)。 | ||||||
| 315 | 具有高消光系数的纳米晶体以及这种纳米晶体的制备和使用方法 | CN201180062039.0 | 2011-12-23 | CN103384595B | 2016-08-10 | E.维尔奇; J.A.巴特尔; E.塔尔斯基; J.特里维; 陈永奋 |
| 本发明提供一种明亮而稳定的纳米晶体群。该纳米晶体包括半导体核和厚的半导体壳，并且可以表现出高消光系数、高量子产率以及受限或不可检测的闪烁。 | ||||||
| 316 | 化学气相沉积设备和使用该设备制造发光器件的方法 | CN201180061432.8 | 2011-12-20 | CN103329249B | 2016-08-10 | 金俊佑; 竹谷元伸; 许寅会; 金秋浩; 李在凤 |
| 提供了化学气相沉积设备和使用该设备制造发光器件的方法。根据本发明一个实施例的化学气相沉积设备包括：腔体，其包括具有至少一个凹穴部分的基座，凹穴部分将晶片安放在其中；腔盖，其布置在腔体上以开放/关闭腔体，并且在基座与腔盖之间形成反应空间；反应气体供给部，其向反应空间提供反应气体以使反应气体沿基座的表面流过；以及非反应气体供给部，其向反应空间提供非反应气体以使非反应气体沿腔盖在反应空间中位于基座与腔盖之间的表面流过，从而防止反应气体与腔盖的表面接触。 | ||||||
| 317 | 在金属氮化物生长模板层上形成块状III族氮化物材料的方法以及由所述方法形成的结构体 | CN201180056320.3 | 2011-11-23 | CN103221586B | 2016-08-10 | 尚塔尔·艾尔纳; 罗纳德·托马斯·伯特伦; 埃德·林多 |
| 本发明涉及在HPVE法中利用金属三氯化物前体在生长基体的金属氮化物模板层上沉积块状III族氮化物半导体材料。块状III族氮化物半导体材料的沉积可在不利用MOCVD法异位形成模板层的情况下进行。在一些实施方式中，在利用HVPE法在模板层上沉积块状III族氮化物半导体材料之前，利用非MOCVD法异位形成成核模板层。在另外的实施方式中，在利用HVPE法在模板层上沉积块状III族氮化物半导体材料之前，利用MOCVD法原位形成成核模板层。在其他实施方式中，在利用HVPE法在模板层上沉积块状III族氮化物半导体材料之前，利用HVPE法原位形成成核模板层。 | ||||||
| 318 | SiC单晶的制造方法 | CN201610039181.8 | 2016-01-21 | CN105821479A | 2016-08-03 | 山城浩嗣; 阿部信平 |
| 本发明涉及SiC单晶的制造方法。提供一种能够使石墨坩埚内的Si-C溶液充分地对流而不使单晶制造装置大型化的SiC单晶的制造方法。SiC单晶的制造方法，其包括：使第一频率的高频电流流经配置于石墨坩埚周围的感应加热线圈，将原料Si加热至规定温度，使上述原料Si熔化，同时使C从上述石墨坩埚溶解从而形成Si-C溶液，在加热至上述规定温度之后，使频率从第一频率降至第二频率，对上述Si-C溶液进行保温保持。 | ||||||
| 319 | 一种生长GZO(ZnO:Ga)晶体的方法 | CN201410532380.3 | 2014-10-10 | CN104313690B | 2016-08-03 | 蒋毅坚; 马云峰; 王越; 梅晓平; 张春萍; 王强; 徐仰立 |
| 一种生长GZO(ZnO:Ga)晶体的方法，属于晶体生长技术领域。首先要制备出致密、均匀、单相优质料棒，其次是优化出助熔剂成分及配比，再次是得出移动助熔剂光学浮区法生长该系列单晶的生长功率、生长速度、料棒和籽晶转速等最佳工艺参数。本发明得到的晶体结晶质量高，生长方向固定，电学性质优异。 | ||||||
| 320 | 单晶球形二氧化硅颗粒的制备方法 | CN201210551642.1 | 2012-12-18 | CN103114333B | 2016-08-03 | 姜兴茂; 张涛; 贾泓 |
| 本发明涉及单晶球形二氧化硅颗粒的制备方法，属于化工技术领域。将粒度为5nm～10μm二氧化硅胶体溶液、有机胺或聚醚酰亚胺有机碱均匀混合得到混合溶液，其中以混合溶液的重量份数计，含有1～50份的二氧化硅、3～90份的有机碱、其余为水，共100份；在反应温度为100℃-300℃、搅拌条件下或直接进行水热为0.5～240小时；重力沉降或离心分离；水洗：用去离子水洗去残余的有机碱；干燥：在60℃～80℃干燥；收集包装，得到高纯、单分散球形单晶氧化硅颗粒。晶体二氧化硅纯度均高于99.999%，且金属总含量小于10ppm。该方法生产成本低，制备的氧化硅颗粒具有高纯、无集聚、呈单分散的球形单晶颗粒的优点。 | ||||||
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