子分类：
- C30B1/00： 直接自固体的单晶生长(共析材料的定向分层入C30B3/00;在保护流体下的入C30B27/00);
- C30B11/00： 正常凝固法或温度梯度凝固法的单晶生长,例如布里奇曼-斯托克巴杰法(C30B13/00,C30B15/00,C30B17/00,C30B19/00优先;保护流体下的入C30B27/00);
- C30B13/00： 区域熔融法单晶生长;区域熔融法精炼(C30B 17/00优先;改变所处理固体之横截面的入C30B 15/00;在保护流体下的入C30B 27/00;具有一定结构的均匀多晶材料的生长入C30B 28/00;特定材料的区域精炼,见该材料的相应小类)
- C30B15/00： 熔融液提拉法的单晶生长,例如Czochralski法(在保护流体下的入C30B 27/00)
- C30B17/00： 生长期间籽晶保留在熔融液中的单晶生长,例如Necken-Kyropoulos法
- C30B19/00： 液相外延层生长
- C30B21/00： 共晶材料的定向凝固
- C30B23/00： 冷凝气化物或材料挥发法的单晶生长
- C30B25/00： 反应气体化学反应法的单晶生长,例如化学气相沉积生长
- C30B27/00： 保护流体下的单晶生长
- C30B28/00： 制备具有一定结构的均匀多晶材料
- C30B29/00： 以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料(合金入C22C)
- C30B3/00： 共析材料的定向分层
- C30B30/00： 利用电场、磁场、波能或其他特定物理条件的作用为特征来制备单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
- C30B31/00： 单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之扩散或掺杂工艺;其所用装置
- C30B33/00： 单晶或具有一定结构的均匀多晶材料的后处理(C30B31/00优先;研磨,抛光B24;宝石,珠宝,晶体的机械加工B28D5/00)
- C30B35/00： 未包括在其他分类位置中的专门适用于单晶或具有一定结构的均匀多晶材料的生长、制备或后处理的装置
- C30B5/00： 自凝胶的单晶生长(在保护流体下的入C30B27/00);
- C30B7/00： 自常温液态溶剂之溶液,例如水溶液的单晶生长(自溶融溶剂的入C30B9/00;用正常凝固法或温度梯度凝固法的入C30B11/00;在保护流体下的入C30B27/00)
- C30B9/00： 自使用熔融态熔剂之熔体的单晶生长(用正常凝固法或温度梯度凝固法的入C30B11/00;用区域熔融法的入C30B13/00;晶体提拉法入C30B15/00;在浸入的晶种上的入C30B17/00;液相外延生长法入C30B19/00;在保护流体下的入C30B27/00);
| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 1 | 定向凝固系统炉和用于该炉的隔热组件和加热元件 | CN201490000213.8 | 2014-06-18 | CN204803437U | 2015-11-25 | R.C.埃罗伊特; A.J.弗兰西斯; J.波尔蒂洛 |
| 本实用新型涉及定向凝固系统炉和用于该炉的隔热组件和加热元件。隔热组件包括布置成大体正方形形状的侧壁和定位成互连相邻的侧壁的弯曲的边缘板。加热组件包括布置成大体正方形形状的四个侧棒。侧棒通过边缘连接器被彼此电连接。所述边缘连接器向上或向下延伸所述侧棒的垂直高度的至少1.5倍。 | ||||||
| 2 | 连续浇铸单晶硅带的设备 | CN201020179627.5 | 2010-04-20 | CN201620208U | 2010-11-03 | 李涛; 潘庆乐; 克诺佩尔·德鲁 |
| 一种用于形成单晶硅带的设备。该设备包括硅熔融物在其中形成的坩埚。熔融物被允许大致垂直地流出坩埚并在固化之前与硅种晶接触。在固化为带之后，带的进一步冷却在受控条件下发生，而带最终被切割。 | ||||||
| 3 | 石墨基体表面制备碳化硅晶须涂层的方法 | CN201610452857.6 | 2016-06-22 | CN107523877A | 2017-12-29 | 范佳晨; 赵云龙; 徐丹; 徐凯; 徐再; 赵维达 |
| 本申请公开了一种石墨基体表面制备碳化硅晶须涂层的方法，包括步骤：(1)、将氯铂酸粉末溶解在无水乙醇中，制备催化剂溶液；(2)、将H-PSO溶液和催化剂溶液混合搅拌，获得混合溶液；(3)、将石墨基体浸渍在混合溶液中，然后进行交联反应；(4)、将交联产物置于高温管式炉中进行高温反应；(5)、通过浮选法去除未反应的活性炭和碳化硅颗粒，在石墨基体表面得到碳化硅晶须涂层。本发明所获得的碳化硅晶须涂层表现出良好的高温抗氧化性能，在氧化过程中，涂层表面微孔能够愈合。 | ||||||
| 4 | 钒酸锂铯中红外非线性光学晶体及制备方法和用途 | CN201710853752.6 | 2017-09-20 | CN107523870A | 2017-12-29 | 潘世烈; 韩国鹏; 王颖; 苏欣 |
| 本发明涉及一种钒酸锂铯中红外非线性光学晶体及制备方法和用途，其化学式为Cs2LiVO4，分子量387.69，为正交晶系，空间群是非中心对称空间群Cmc21，晶胞参数为a=6.002(12) Å，b=12.19(2)Å，c=8.203(16)Å，α=β=γ=90°，Z=4，V=600(2)Å3；采用固相反应法及化合物熔体法生长晶体。本发明所述钒酸锂铯中红外非线性光学晶体的粉末XRD衍射图与理论值吻合；在1064 nm的激光照射下，该晶体的粉末倍频效应为5倍KDP(KH2PO4)，激光损伤阈值为28倍AGS（AgGaS2）。该晶体生长过程具有操作简单，成本低，生长周期短，物化性质稳定等优点。在倍频转换、光参量振荡器等非线性光学器件中可以得到广泛应用。 | ||||||
| 5 | 一种在定向凝固过程中抓取杂质的方法 | CN201710681586.6 | 2017-08-10 | CN107523861A | 2017-12-29 | 余刚; 王剑; 丁一 |
| 本发明公开了一种在定向凝固过程中抓取杂质的方法，包括以下步骤：(1)在晶体生长初期，将晶体生长炉的功率设定为0，固液面温度快速下降；(2)用硅溶液冲刷晶体生长炉的石英坩埚上的氮化硅粉以及气流带入的碳，洗刷至晶体开始结晶时；洗刷后，碳化硅、氮化硅、金属等杂质随晶体迅速沉淀形核；(3)再通过温度缓慢回升，继续晶体生长。本发明利用定向凝固初期生长过程中通过工艺调整，造成碳化硅、氮化硅、金属等杂质在底部有效可切片部分外沉淀，避免杂质随对流方向扩散进生长完成的晶体中。 | ||||||
| 6 | 一种基于层级组装的硅-二氧化钛-聚吡咯三维仿生复合材料及应用 | CN201510994514.8 | 2015-12-28 | CN105618153B | 2017-12-26 | 石刚; 李赢; 倪才华; 王大伟; 何飞; 迟力峰; 吕男 |
| 本发明涉及一种基于层级组装的硅‑二氧化钛‑聚吡咯三维仿生复合材料,依以下方法制备：(1)首先用一定浓度的碱液，对硅片进行各向异性刻蚀，在其表面形成紧密排列的四方锥形貌；(2)然后将步骤(1)刻蚀后的硅片进行亲水处理，在其表面生长二氧化钛晶种，并置于马弗炉内煅烧；(3)再将步骤(2)中所得到的表面具有二氧化钛晶种的硅片置于反应釜中，采用水热法在硅锥的侧壁上生长二氧化钛纳米棒；(4)最后在步骤(3)中得到的二氧化钛纳米棒上沉积聚吡咯纳米粒子。本发明所涉及的三维仿生复合材料兼具优异消反射和高效分离光生电荷的能力，可以应用到光催化、光电转化器件和太阳能电池等领域。 | ||||||
| 7 | 单晶硅的加工设备及其使用方法 | CN201710786961.3 | 2017-09-04 | CN107502950A | 2017-12-22 | 吴桂松; 王辉; 孙学军; 王鹏; 张经行; 张德林; 刘建军; 杨永军; 党文全; 许生发 |
| 本发明公开了一种单晶硅的加工设备，涉及单晶硅制造技术，用于解决一方面，由于熔区内存在热对流，会产生集肤效应，另一方面，杂质对硅熔体表面张力的影响很显著，微量的杂质就能引起较大的变化，由于单晶棒拉晶过程中，杂质分布不均匀，会导致熔区发生流垮，限制了区熔单晶的直径的问题。它包括底座、设置于底座上的反应炉、立柱，所述反应炉包括主炉室和副炉室，所述立柱设置于底座左侧，所述立柱上设有用于控制副炉室升降的副室提升油缸，所述反应炉内设置有晶体旋转及升降机构。减少熔区内因热对流，而会产生集肤效应，提高单晶硅导电率，且提高区熔单晶的直径。本发明还提供了单晶硅的加工设备使用方法。 | ||||||
| 8 | 增强蓝宝石手机镜片抗跌落强度的退火方法和退火夹具 | CN201710782995.5 | 2017-09-03 | CN107475778A | 2017-12-15 | 黎锦林 |
| 本发明提供一种增强蓝宝石手机镜片抗跌落强度的退火方法和退火夹具，退火夹具对蓝宝石镜片起到很好的密封效果，能够放置加热和退火过程中杂质进入夹具而污染镜片。镜片卡槽的间距使得插入的手机镜片不产生相互触碰，即镜片之间具有一定的间距，使得加入退火过程中镜片的各部分能够均匀受热，能够更有效的消除加工应力。在本发明的退货夹具中密封进行多次的升温、保温，能够防止因为温度变化过快导致的裂片现象，保证退火后形成镜片的坚固性。 | ||||||
| 9 | 水热法生长大尺寸磷酸铅锂单晶的方法 | CN201710917439.4 | 2017-09-30 | CN107475768A | 2017-12-15 | 任孟德; 王金亮; 卢福华; 何小玲; 周海涛; 左艳彬; 吴文渊; 张昌龙; 李东平; 覃世杰; 胡乔帆 |
| 本发明公开了一种水热法生长大尺寸磷酸铅锂单晶的方法，具体是以铅源和磷酸二氢锂作为水热反应物，置于高压釜中，以锂离子浓度为1-5mol/L的磷酸二氢锂溶液和/或磷酸氢二锂溶液作为矿化剂，采用温差水热法使水热反应物产生化合反应以生长得到磷酸铅锂单晶。本发明将铅源和磷酸二氢锂在高压釜中在温差水热条件下直接化合反应生长得到磷酸铅锂单晶，反应基础原料无需压制和烧结，工艺更为简单；另一方面，采用磷酸二氢锂溶液和/或磷酸氢二锂溶液作为矿化剂，既不会引入其它杂质，原料利用率也高，矿化剂浓度兼容性好，还能获得大尺寸的磷酸铅锂单晶。 | ||||||
| 10 | 一种平衡调节型绕线装置 | CN201710868551.3 | 2017-09-22 | CN107460540A | 2017-12-12 | 徐永亮; 张国华; 施海斌 |
| 本申请涉及单晶硅生产设备技术领域，尤其涉及一种平衡调节型绕线装置。该平衡调节型绕线装置包括基座、电机、绕线机构和平衡机构。该绕线机构包括滚珠花键、绕线轮和固定螺母。该绕线机构的绕线轮在转动绕线的同时，会在固定螺母的作用下沿滚珠花键的轴向运动。该平衡机构包括丝杆、导向杆和平衡块，该丝杆与滚珠花键通过同步带连接。该平衡机构能够在绕线轮沿轴向运动的过程中，带动平衡块向与绕线轮相反的方向运动，使该绕线装置的重心保持不变，以保证绕线装置运行的稳定性。 | ||||||
| 11 | 一种热型模铸V型连续铸造单晶铜的方法 | CN201710737799.6 | 2017-08-24 | CN107460536A | 2017-12-12 | 张春新 |
| 本发明涉及一种热型模铸V型连续铸造单晶铜的方法，它包括液体单晶铜，所述液体单晶铜在流通冷却的过程中，形成V型的流通方式，温度设置在1100℃-1500℃，优先的，所述温度的设置有利用单晶铜的结晶，优先的，所述温度的设定使得液体单晶铜的粘性稍大，优先的，所述温度设定为1400℃；优点，因此，本发明具有产量大和纯度高的优点。 | ||||||
| 12 | 一种硅片单面刻蚀装置 | CN201710811292.0 | 2017-09-11 | CN107452658A | 2017-12-08 | 何达能; 方结彬; 秦崇德; 陈刚 |
| 本发明公开了一种硅片单面刻蚀装置，包括刻蚀室，循环泵和药液管道；所述刻蚀室内设置一个用于承托硅片的旋转工作台，在旋转工作台上方设有喷淋装置；喷淋装置与药液管道连通，刻蚀室底部设有出水口，出水口与循环泵通过药液管道连通；所述旋转工作台包括旋转驱动装置、抽真空装置和托板，所述托板与旋转驱动装置的转轴连接以使托板随转轴旋转而旋转，所述托板包括托板本体，空腔和真空吸附孔，空腔位于托板本体的内部，真空吸附孔与空腔相连且真空吸附孔贯穿至托板本体上表面，空腔与抽真空装置相连通。采用本发明，实现硅片单面刻蚀，可控制硅片刻蚀速度和刻蚀深度，设备结构简单，成本低，易于实现量产。 | ||||||
| 13 | 一种氟代硼铍酸钾非线性光学晶体的水热生长制备方法 | CN201611005366.3 | 2016-11-11 | CN107447255A | 2017-12-08 | 陈创天; 吴若飞; 王晓洋; 刘丽娟 |
| 一种氟代硼铍酸钾非线性光学晶体的水热生长制备方法，其制备步骤如下：将钾源材料、铍源材料和硼源材料按照摩尔比K:Be:B＝1～6:1～4:1～5的比例混合，放入水热釜，加入矿化剂水溶液，使钾源材料、铍源材料和硼源材料的混合原料溶于矿化剂水溶液中，高温高压水热条件下保持7-15天，之后以1-10℃/小时的降温速率降至室温，过程中实现氟代硼铍酸钾的自发成核结晶生长得到氟代硼铍酸钾非线性光学晶体；矿化剂溶液为碱金属的氢氧化物、碱金属的卤化物、铵的氢氧化物或铵的卤化物；高温为320～450℃，高压为200～1200个大气压；具有生长速度较快，成本低等优点；所得KBe2BO3F2非线性光学晶体较强的倍频输出，较高的光学质量等优点。 | ||||||
| 14 | 局域供碳装置及局域供碳制备晶圆级石墨烯单晶的方法 | CN201510189745.1 | 2015-04-20 | CN104928649B | 2017-12-05 | 吴天如; 张学富; 卢光远; 杨超; 王浩敏; 谢晓明; 江绵恒 |
| 本发明提供一种局域供碳装置及局域供碳制备晶圆级石墨烯单晶的方法，方法包括：提供局域供碳装置；制备镍铜合金衬底，将镍铜合金衬底置于局域供碳装置内；将放置有镍铜合金衬底的局域供碳装置置于化学气相沉积系统的腔室中，在局域供碳装置中通入气态碳源，从而在镍铜合金衬底上生长石墨烯单晶。本发明制备得到的石墨烯晶畴结晶性好，制备条件简单、成本低，生长所需条件参数的窗口较宽、重复性好，为晶圆级石墨烯单晶在石墨烯器件等领域的广泛应用打下了基础。所以，本发明有效克服了现有技术中的种种缺点而具高度产业利用价值。 | ||||||
| 15 | 一种多晶硅片废弃原料分类收纳装置 | CN201710767854.6 | 2017-08-31 | CN107419337A | 2017-12-01 | 申炳荣 |
| 本发明公开了一种多晶硅片废弃原料分类收纳装置，包括加厚底座，加厚底座的上表面靠近边缘处焊接有回形侧板，且回形侧板与加厚底座构成无盖的箱体结构，回形侧板的中间焊接有两个隔离挡板，且隔离挡板的两侧均焊接有滑块，回形侧板的靠近滑块的两侧均开有与滑块相适配的滑槽，回形侧板的外壁靠近顶端分别铰接有第一盖板和第二盖板，且第一盖板和第二盖板之间留有间隙，回形侧板靠近铰链的一侧顶端开有第一通孔和第二通孔，加厚底座的一侧开有沉孔。本发明使得两侧的箱体容积可以根据两类废弃原料的量，而实时改变两侧箱体的体积，从而提高了垃圾箱的利用率，环形槽使得垃圾桶盖的更严实，避免异味散出造成环境污染。 | ||||||
| 16 | 一种晶体材料、其制备方法及作为激光晶体的应用 | CN201710682082.6 | 2017-08-10 | CN107419334A | 2017-12-01 | 王燕; 刘云云; 李坚富; 朱昭捷; 游振宇; 涂朝阳 |
| 本申请公开了一种晶体材料，其特征在于，化学式为CaNdxEryLa(1-x-y)Ga3O7；其中，0.01≤x≤0.05，0.1≤y≤0.3；所述晶体材料属于四方晶系， 空间群；所述晶体材料由GaO4四面体形成层状电负性骨架结构，Nd3+、Er3+、Ca2+和La3+分布在层间，具有无序晶体结构。通过在Er3+激活CaLaGa3O7晶体中掺入Nd+离子，大幅增强了晶体对泵浦光的吸收效率，实现LD泵浦的～2.7μm波段高效激光输出，增强了晶体在中红外波段的荧光发射，大大地减少4I13/2的寿命和粒子数，抑制了自终态瓶颈效应，振荡过程中激光介质保持较高的增益，提高了激光输出的斜率效率。 | ||||||
| 17 | 一种Ｐ型硅母合金的制作方法 | CN201710711370.X | 2017-08-18 | CN107419328A | 2017-12-01 | 彭瑶; 苏勇; 邱建峰; 王义斌; 周慧敏 |
| 本申请公开了一种P型硅母合金的制作方法，包括根据目标硅母合金中硼元素浓度和磷元素浓度选择相应的硅料；根据所述硅料的硼元素浓度和磷元素浓度以及目标硅母合金中的硼元素浓度和磷元素浓度，计算需要添加的硼料和磷料的用量；将所述硅料、所述用量的硼料和磷料同时放入单晶炉中，利用直拉法拉制P型硅母合金。上述P型硅母合金的制作方法，能够改善P型母合金电阻率的均匀性，且减少硼掺杂剂的用量、电阻率分档少，从而降低生产成本。 | ||||||
| 18 | 纳米晶体的合成、盖帽和分散 | CN201710217940.X | 2011-10-26 | CN107416764A | 2017-12-01 | 泽赫拉·塞尔皮尔·戈嫩威廉斯; Y·J·王; 罗伯特·J·威塞克; X·白; L·F·郭; 塞琳娜·I·托马斯; W·徐; J·徐 |
| 本发明描述了半导体纳米晶体和它们在溶剂和其他介质中的分散体的制备。在此所描述的纳米晶体具有小的(1-10nm)颗粒尺寸和最少的聚集，可高产量地合成。在所合成的纳米晶体以及经受了帽子交换反应的纳米晶体上的盖帽剂可导致在极性和非极性溶剂中的稳定的悬浮液的形成，之后所述悬浮液可导致高质量的纳米复合物膜的形成。 | ||||||
| 19 | 单晶金刚石及其生长方法 | CN201680014296.X | 2016-03-09 | CN107407005A | 2017-11-28 | D.S.米斯拉 |
| 单晶金刚石，所述单晶金刚石具有在考虑了514.5nm激光的瑞利宽度后经校正的半峰全宽，并且显示：取决于所述金刚石的质量，存在或不存在带负电荷的硅空位缺陷；在270nm处的吸收系数下的一定浓度水平的中性取代氮[Ns0]；在10.6μm波长下的FTIR透射率值；当峰高为在1332.5cm-1处的峰高时一定浓度的带正电荷的取代氮[Ns+]；当波长为在3123cm-1处的波长时不存在氮-空位-氢缺陷(NVH0)物质；当使用514.5nm激光激发，一级拉曼光谱峰为在552.37nm处的一级拉曼光谱峰时，归一化的光谱；黑色或白色区域，且具有延迟到金刚石片厚度的折射率；或当在室温、黑暗环境中将所述金刚石置于355nm激光辐射时，微红色辉光和蓝色辉光。 | ||||||
| 20 | 一种电池片制绒腐蚀液及其制备工艺 | CN201710689645.4 | 2017-08-14 | CN107400926A | 2017-11-28 | 苏世杰; 李强强; 张玉前; 郭俊; 张欢 |
| 一种电池片制绒腐蚀液，成分包括：氢氧化钠、四甲基氢氧化铵、非离子与阴离子复配型表面活性剂和水；其中，非离子与阴离子复配型表面活性剂中非离子表面活性剂为硅酸钠，阴离子表面活性剂为十二烷基硫酸钠和脂肪醇醚硫酸钠中的一种或两种。本发明中使用的非离子与阴离子复配型表面活性剂，比IPA得到的织构效果理想，制绒后硅片反射率低，表面洁净度较好；同时四甲基氢氧化铵具有与NaOH接近的腐蚀选择比，并且在硅片表面形成的绒面上的金字塔的尺寸小，腐蚀速率快，有效缩短了制绒时间；并与溶液中表面活性剂一起作用，提高绒面的平整度和均匀性，降低表面反射率。 | ||||||
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