| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 321 | 一种金刚线切割多晶硅片的制绒方法 | CN201610280078.2 | 2016-04-29 | CN105810761A | 2016-07-27 | 管自生; 李军; 沈志妹; 陆春华; 许仲梓 |
| 本发明公开了一种金刚线切割多晶硅片的制绒方法，包括如下步骤：首先将金刚线切割多晶硅片浸入碱溶液和碱反应控制剂的混合水溶液中，去除硅片表面损伤层后，浸入含有无机离子和有机分子的氢氟酸溶液中反应，其次采用氢氟酸及双氧水的混合溶液对多晶硅表面进行预处理，同时加入造孔调节剂，最后采用氢氟酸及硝酸混合酸溶液对硅片表面进行制绒，即可。优点为本发明制得的多晶硅绒面片不仅绒面均匀、色差小、刻蚀深度一致，且其具有低表面反射率和较高的转换效率，且该制备方法简单易行，试剂成本较低，反应条件易于实现，与现有工业化生产工序兼容性较好，适合于推广应用。 | ||||||
| 322 | SiC单晶的制造方法 | CN201610027997.9 | 2016-01-15 | CN105803529A | 2016-07-27 | 阿部信平 |
| 本发明涉及SiC单晶的制造方法。提供一种在SiC单晶生长中在Si-C溶液面附近经常成为所期望的温度梯度，不使SiC单晶的生长速度下降的SiC单晶的制造方法。SiC单晶的制造方法，其为使C的Si溶液与晶种接触并提拉SiC单晶的基于溶液法的SiC单晶的制造方法，其中，将晶种与晶种保持器连接，将冷却机构设置于上述晶种保持器，根据SiC单晶的提拉量的增加，利用上述冷却机构来促进上述晶种保持器的冷却。 | ||||||
| 323 | 一种连续制备大单晶石墨烯的方法 | CN201610193137.2 | 2016-03-30 | CN105803522A | 2016-07-27 | 徐小志; 张智宏; 俞大鹏; 王恩哥; 刘开辉 |
| 本发明提供了一种连续制备大单晶石墨烯的方法，涉及大单晶石墨烯的制备方法。其主要特征为用铜箔作为催化剂及生长基底，利用两个常压化学气相沉积设备将铜箔退火和石墨烯生长分开进行，通过两端的转动装置，连续获得大尺寸高质量的石墨烯。本发明提出的方法，解决了CVD方法制备的石墨烯单晶尺寸小、价格昂贵、基底表面处理工序复杂且生长周期长等技术问题，通过非常简单的方法，实现了连续制备大单晶石墨烯样品。 | ||||||
| 324 | 一种免烧结致密多晶硅铸锭用坩埚涂层的制备方法 | CN201610228465.1 | 2016-04-13 | CN105801173A | 2016-07-27 | 吴迪; 薛培龙; 高玉刚 |
| 本发明涉及一种免烧结致密多晶硅铸锭用坩埚涂层的制备方法，属于涂层制备技术领域。本发明首先将纳米氧化钙粉末预热，煅烧后，再与无水乙醇，异丁烷等物质混合加热，抽滤，将滤饼干燥，得改性纳米氧化钙粉末，再将其与制得的溶剂胶黏剂混合，超声分散，蒸发得改性胶黏剂，最后将其与氮化硅粉末混合，分散，并用喷枪喷涂，即可制备得免烧结致密多晶硅铸锭用坩埚涂层。本发明制备的免烧结致密多晶硅铸锭用坩埚涂层稳定性好，稳定性提高15～17％；涂层具有高致密性，不易脱落。 | ||||||
| 325 | 掺稀土激活离子硼酸镧锌激光晶体及其制备方法和用途 | CN201610230425.0 | 2016-04-14 | CN105780115A | 2016-07-20 | 黄溢声; 孙士家; 苑菲菲; 张莉珍; 林州斌 |
| 本发明涉及一种掺Ln3+稀土激活离子硼酸镧锌激光晶体及其生长方法和用途，Ln3+＝Nd、Yb，Tm，Dy，Er和Ho。该激光晶体属于P21/n空间群，具有低对称，拥有镧离子或者锌离子等两个晶格位置可以取代。该晶体采用熔盐法生长，选用Li?B?F?O混合助熔剂体系，生长温度控制在850?980℃之间，采用顶部籽晶的方法，降温速率为0.5?3℃/天，转速为5?30转/分钟，较大尺寸较高质量的Ln3+:LaMgB5O10,Ln＝Nd、Yb，Tm，Dy，Er和Ho单晶能被成功生长，该晶体可作为激光晶体，用该晶体制成的激光器有望产生高效激光，在社会生产、军事、医学、科学领域有重要的应用。 | ||||||
| 326 | 一种表征晶体硅生长界面和生长速度的方法 | CN201610136770.8 | 2016-03-10 | CN105780113A | 2016-07-20 | 钟德京; 邱家梁; 张涛; 黄伟冬; 邹军 |
| 本发明提供了一种表征晶体硅生长界面和生长速度的方法，包括以下步骤：在晶体硅生长过程中，向铸锭炉中引入含氧元素气体或掺杂有硅氧化物粉末的气体，含氧元素气体或掺杂有硅氧化物粉末的气体随着晶体硅的生长在晶体硅中形成氧沉淀和间隙氧，得到富含氧元素的富氧层，长晶完成后得到晶体硅，根据富氧层的生长界面获得晶体硅的生长界面，根据富氧层在晶体硅中的高度或富氧层的厚度计算得到晶体硅的生长速度。本发明在晶体硅生长过程中引入含氧元素气体或掺杂有硅氧化物粉末的气体，氧元素在晶体硅中形成氧沉淀和间隙氧，从而在晶体中形成富氧层，根据富氧层可以表征晶体硅生长界面和生长速度，表征精确度较高。 | ||||||
| 327 | 一种Yb2Si2O7晶须及其制备方法 | CN201610067204.6 | 2016-01-29 | CN105780104A | 2016-07-20 | 曹丽云; 雍翔; 周磊; 黄剑锋; 李翠艳; 欧阳海波; 费杰; 吴建鹏 |
| 本发明公开了一种Yb2Si2O7晶须及其制备方法，属于结构材料制备技术领域。包括以下步骤：1)取Yb(NO)3·5H2O，溶解于无水乙醇中，配制成浓度为配制成浓度为0.5～1mol/L的溶液A；2)将Si(OC2H5)4加入溶液A中，充分搅拌均匀，制得溶液B；3)将溶液B干燥后，得到粉体A，并将粉体A在200℃下预烧处理，冷却至室温，制得粉体B；4)将粉体B与混合复盐混合均匀后，在800～1000℃下热处理，制得粉体C；5)将粉体C加水溶解后，离心处理，将沉淀洗涤、干燥，制得Yb2Si2O7晶须。该方法操作简单，反应条件温和，过程可控性强；经该方法制得的Yb2Si2O7晶须形貌可控、纯度高、粒度均一。 | ||||||
| 328 | 晶体硅及其制备方法 | CN201610221223.X | 2016-04-11 | CN105762206A | 2016-07-13 | 邓浩; 付楠楠; 王向东 |
| 本发明的晶体硅材料包括硅、镓及元素X，所述元素X的浓度为1010～1016原子/立方厘米。利用如上所述的晶体硅制造的太阳能电池，转换效率大于20％。本发明还提供如上所述的晶体硅的制备方法。本发明的晶体硅材料利用镓元素替代现有的P型晶体硅中的硼元素，可以避免硼氧复合体的生成，从而降低光致衰减作用。并且，掺杂的元素X通过下转换作用，能够有效的提高硅材料对紫外波段光的利用率，利用该晶体制得的太阳能电池显著提高了转换效率。 | ||||||
| 329 | 一种提高多晶铸锭半融工艺形核颗粒引晶作用 | CN201610213976.6 | 2016-04-08 | CN105755539A | 2016-07-13 | 杨平; 张泽兴; 黄林; 洪炳华; 赖昌权; 张小东; 雷杰; 谭水根; 宋丽平; 张珩琨; 许桢; 冯子甜 |
| 一种提高多晶铸锭半融工艺形核颗粒引晶作用，包括以下步骤，主颗粒，主颗粒是单晶硅颗粒、多晶硅颗粒、氮化硅颗粒或氧化铝颗粒其中的一种，尺寸大小为5?30mm，用量为10?30kg；喷涂坩埚并配置次颗粒混合液；调节设备，确保设备达到正常稳定状态，将配置好的次颗粒混合液喷涂至坩埚内底部；将主颗粒放置在喷涂有次颗粒混合液的坩埚底部进行铸锭融化。解决了晶锭四周籽晶被融后出现底部晶粒杂乱且晶粒偏大的问题以及降低位错的缺陷，具有提高产率、质量和精度的特点，且降低了原材料消耗和能耗，加工工序、操作控制简便，无污染。 | ||||||
| 330 | 一种多晶硅锭及其制备方法 | CN201610230120.X | 2016-04-14 | CN105755537A | 2016-07-13 | 雷琦; 胡动力; 何亮; 张学日 |
| 本发明提供了一种多晶硅锭的制备方法，包括：在坩埚底部中心铺设普通籽晶形成第一籽晶层，在坩埚底部靠近坩埚侧壁的区域铺设具有高密度晶体缺陷的籽晶，形成第二籽晶层；在第一籽晶层和第二籽晶层上设置熔融状态的硅料，控制坩埚底部的温度，使所述第一籽晶层和第二籽晶层不被完全熔化；控制坩埚内热场形成过冷度，并控制坩埚内的温度沿垂直于坩埚底部向上的方向逐渐上升形成温度梯度，使得熔化后的硅料结晶凝固，待全部结晶完后，经退火冷却得到多晶硅锭。本发明方法能有效降低硅锭边部区域的硅晶体缺陷密度和杂质含量，提高硅锭的整体质量。本发明还提供了由该方法制备得到的多晶硅锭。 | ||||||
| 331 | 多晶硅金属污染防止方法和被多晶硅接触的构件 | CN201610131592.X | 2010-09-17 | CN105752990A | 2016-07-13 | 近藤学; 吉村礼二 |
| 本发明提供一种通过在与多晶硅接触的金属基材的表面上设置树脂制保护罩而防止多晶硅的金属污染的方法和被多晶硅接触的构件，能够可靠地防止由该保护罩的磨损引起的金属的表面暴露。本发明的通过在多晶硅所接触的金属基材的表面上设置树脂制保护罩而防止由多晶硅与金属基材的接触引起的多晶硅的金属污染的方法的特征在于，重叠地设置两片树脂片材(3a、3b)作为树脂制保护罩(3)。 | ||||||
| 332 | 光组件 | CN201210291280.7 | 2012-08-15 | CN103309060B | 2016-07-13 | 矢作晃; 渡边聪明 |
| 本发明提供一种在激光加工用途中使用小型化的高消光比的光组件,例如光纤维激光使用的光隔离器用的小型的高消光比的光组件。该光组件,包括在波长1．06μｍ的维德常数为0．27ｍｉｎ／（Ｏｅ·ｃｍ）以上的法拉第转子以及在上述法拉第转子的外周配置的中空磁铁，其特征在于:在所述法拉第转子上施加的磁通密度Ｂ（Ｏｅ）在下述式（1）的范围内，所述法拉第转子的样品长度Ｌ（ｃｍ）在下述式（2）的范围内，所述法拉第转子的外径Ｄ（ｃｍ）在下述式（3）的范围内,并且,具有1dB以下的插入损耗以及35dB以上的消光比。0．5×104≦Ｂ≦1．5×104（1）0．70≦Ｌ≦1．10（2）0．20≦Ｄ≦0．60（3）。 | ||||||
| 333 | 一种六钛酸钾柱晶的合成方法 | CN201610226163.0 | 2016-04-13 | CN105734670A | 2016-07-06 | 黄继芬 |
| 本发明涉及一种六钛酸钾柱晶的合成方法，属于无机盐陶瓷材料制造技术领域。技术方案是：第一步混料，将含钛原料、含钾原料和少量含钠原料在水溶液中进行湿法混料，然后进行滚筒刮板干燥机干燥；第二步煅烧，在高温炉中，以1?2℃/分钟的升温速率，升温至900?1100℃，停留3?6小时，自然冷却；第三步破碎和分级，在冲击磨中破碎分级，即得到成品。本发明合成出来的六钛酸钾柱晶，不同于一般的六钛酸钾或六钛酸钠，表现出了极其优秀的隔热性能，均匀性优良，合成过程极为简单，能耗小，成本低，生产周期短，实现了零污染，收率大于99%，堆积密度0.8～0.9g/cm2,柱晶的平均长度为5?15微米，平均直径为0.8?2.0微米，平均长径比为3?10。 | ||||||
| 334 | 一种物理气相沉积制备碳化硅晶体的坩埚 | CN201610175716.4 | 2016-03-27 | CN105734665A | 2016-07-06 | 张松林; 周君君 |
| 本发明涉及物理气相沉积制备碳化硅晶体领域，特别涉一种物理气相沉积制备碳化硅晶体的坩埚，包括坩埚本体和坩埚上盖，所述坩埚上盖位于坩埚本体的上端，所述坩埚本体内的底部竖直设有多块导热片，且导热片之间相互平行，所述坩埚本体的内侧壁上设有凸块，所述凸块的上端设有圆形挡板，所述圆形挡板的上侧设有多个空心柱，所述圆形挡板的下部空间通过通孔与空心柱的内腔连通，所述空心柱远离圆形挡板的一端为封闭结构，所述空心柱以圆形挡板的轴线呈圆周对称。本发明可以通过置换不同空心柱数量的圆形挡板调整相互混合的浓度，可以使得晶体生长过程中沉积入晶体内的添加剂浓度保持基本恒定，提高生长的碳化硅晶体电阻率轴向和径向均匀性，值得推广。 | ||||||
| 335 | 一种单晶炉加压装置 | CN201610151566.3 | 2016-03-16 | CN105734663A | 2016-07-06 | 潘清跃; 王平 |
| 本发明专利涉及一种单晶炉加压装置，包括加压缸体、活塞、充气管、出气管和压力阀，所述的加压缸体为半封闭式的筒体，所述的活塞活动连接在加压缸体内，所述的活塞的顶部与气缸的出轴端相连，所述的气缸安装在上支架的底部，所述的充气管连接在加压缸体的底部，所述的充气管与加压缸体之间设置有单向阀，所述的出气管连接在加压缸体的底部，所述的出气管与加压缸体之间设置有电磁阀，所述的活塞上开设有溢流通道，所述的压力阀安装在溢流通道内，所述的充气管上安装有空气过滤器。本设计具有结构简单、易于制造和实用高效的优点。 | ||||||
| 336 | 用于制备具有大晶粒的再结晶硅衬底的方法 | CN201480053567.3 | 2014-09-24 | CN105723525A | 2016-06-29 | 让-马里·勒布伦; 让-保罗·加朗代; 让-米歇尔·米西安; 赛琳·帕斯卡 |
| 本发明涉及一种用于制备平均晶粒尺寸大于或等于20μm的硅衬底的方法，至少包括以下步骤：(i)提供多晶硅衬底，所述多晶硅衬底的平均颗粒尺寸小于或等于10μm；(ii)使所述衬底在至少1000℃的温度下经受整体均匀的塑性变形；(iii)使所述衬底经受被定位在多个被称为外部应力区的衬底区(3)中的塑性变形，在两个连续的区(3)之间的间距为至少20μm，衬底的局部变形严格地大于在步骤(ii)中执行的整体变形，步骤(iii)能够与步骤(ii)相继地或者同时地执行；以及(iv)在严格高于步骤(ii)中使用的温度的温度下，使在步骤(iii)中获得的衬底经受固相再结晶热处理，以便获得期望的所述衬底。 | ||||||
| 337 | 磁记录介质的制造方法 | CN201580002518.1 | 2015-04-20 | CN105723460A | 2016-06-29 | 森谷友博; 岛津武仁 |
| 本发明的目的在于提供包含具有更大的磁各向异性常数Ku的磁记录层的磁记录介质的制造方法。本发明的磁记录介质的制造方法包括：(a)准备基板的工序；(b)将基板加热至350℃以上，使以MgO为主成分的非磁性材料沉积，形成基底层的工序；以及(c)在基底层之上形成磁记录层的工序。 | ||||||
| 338 | 一种碳化硅外延生长装置及方法 | CN201610263330.9 | 2016-04-26 | CN105714380A | 2016-06-29 | 赵红伟 |
| 本发明公开了一种碳化硅外延生长装置，包括筒体和加热线圈，筒体的内腔为反应腔，筒体的一端设置有进气口、另一端设置有排气口，筒体侧壁自外至内依此为石英壁、石墨软毡层和石墨支撑层，石墨支撑层上设置有衬底基座，石墨软毡层中设置有与外部气源连接的补气通道和气浮供气通道，其中，气浮供气通道的出气端设置在衬底基座上，碳化硅衬底气浮于衬底基座上，补气通道的出气端位于碳化硅衬底的上方。本发明通过在反应腔上方引入补气管，气流从上往下进入反应腔与反应腔入口的气流混合，在碳化硅衬底上经过反应形成碳化硅外延薄膜，再流出反应腔，达到快速生长高度均匀的碳化硅外延片的目的。本发明还公开了一种使用上述装置的碳化硅外延生长方法。 | ||||||
| 339 | 镍基超合金及制品 | CN201610152850.2 | 2010-09-28 | CN105714153A | 2016-06-29 | A·苏祖基; M·F·X·小吉格利奥蒂; S-C·黄; P·R·苏布拉马尼安 |
| 本发明提供了无铼的镍基合金。更具体地讲，所述合金包含优选水平和比率的元素，以便未使用铼，γ基质相和γ′析出物均获得良好的高温强度以及良好的耐环境性能。当铸造并定向凝固成单晶形式时，所述合金表现出好于或与含铼的单晶合金相当的抗氧化性以及与含铼的单晶合金相当的蠕变断裂寿命。此外，如果需要，可将所述合金通过定向凝固加工成单晶形式或柱形结构的制品，其含有细小枝晶臂间距，例如，小于400μm，使得可发现进一步提高制品的机械特性。 | ||||||
| 340 | 用于制造合成金刚石材料的微波等离子体反应器 | CN201180066335.8 | 2011-12-14 | CN103354946B | 2016-06-29 | S·E·科; J·J·威尔曼; D·J·特威切恩; G·A·斯卡斯布鲁克; J·R·布莱顿; C·J·H·沃特 |
| 一种用于通过化学气相沉积制造合成金刚石材料的微波等离子体反应器，所述微波等离子体反应器包括：等离子体室；布置于等离子体室中用于支承基底的基底保持器，在使用时合成金刚石材料沉积于所述基底上；用于将微波从微波产生器给送至等离子体室内的微波耦合构造，以及用于将处理气体给送至等离子体室内并且从等离子体室移除处理气体的气体流动系统；其中，气体流动系统包括气体入口喷嘴阵列，所述气体入口喷嘴阵列包括布置成与基底保持器相对的用于指引处理气体朝向基底保持器的多个气体入口喷嘴，气体入口喷嘴阵列包括：布置为相对于等离子体室的中心轴线基本平行或发散定向的至少六个气体入口喷嘴；气体入口喷嘴数量密度等于或大于0.1喷嘴数/平方厘米，其中，通过使喷嘴突出至其法线位置平行于等离子体室的中心轴线的平面上并且测量在所述平面上的气体入口数量密度，来测量气体入口喷嘴数量密度；以及喷嘴面积比值等于或大于10，其中，通过使喷嘴突出至其法线位置平行于等离子体室的中心轴线的平面上、测量在所述平面上的气体入口喷嘴区域的总面积、除以喷嘴的总数量以给出与每一个喷嘴相关的面积、以及用与每一个喷嘴相关的面积除以每一个喷嘴的实际面积，来测量喷嘴面积比值。 | ||||||
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