| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 241 | 在富铝纤维毡上原位生长莫来石晶须的方法 | CN201610446313.9 | 2016-06-17 | CN106119966A | 2016-11-16 | 侯峰; 刘佳朋; 王鑫; 王媛媛 |
| 本发明公开了一种在富铝纤维毡上原位生长莫来石晶须的方法，先向硅溶胶中加入去离子水，制得浓度为0.033mol/L～0.667mol/L硅溶胶稀释液，再将富铝纤维毡在真空条件下浸入其中0.5h，随后冷冻干燥；再将其在真空条件下浸入到配置好的浓度为0.100mol/L～2.000mol/L硝酸铝溶液中0.5h，随后冷冻干燥；再将其在真空条件下浸入配置好的浓度为0.400mol/L～8.000mol/L氟化铵溶液中0.5h，随后冷冻干燥；最后在1200℃的条件下热处理1h～3h，即可在现有富铝纤维毡上生长出均匀分布的针状莫来石晶须。本发明工艺简单、能耗较低，并且解决了在富铝纤维毡上生长长短可控的莫来石晶须的问题，显著提高了富铝纤维毡的抗压强度和弹性模量。 | ||||||
| 242 | 一种泡生法蓝宝石单晶炉热屏对热场的影响 | CN201610075732.6 | 2016-02-03 | CN106119963A | 2016-11-16 | 郭维; 刘亚南; 蒋长峰; 张凤; 陈浩 |
| 一种泡生法蓝宝石单晶炉热屏对热场的影响，(1)晶体温度呈现中心低边缘高、上低下高的分布；(2)顶部保温屏层数、反射屏的开口半径大小都是影响晶体温度场分布的重要参数；(3)根据模拟结果，调整实际热屏参数，生长出大直径、高质量蓝宝石单晶，晶体无明显缺陷。本发明的优点是调整实际热屏参数，以适当增大径向温度梯度，减少轴向温度梯度，成功生长出大直径、高质量的蓝宝石单晶，晶体完好，晶身清澈透亮，表面平整光滑，无损伤，无褶皱开裂等宏观缺陷。 | ||||||
| 243 | 一种尺寸可控的单晶氧化锌纳米棒的制备方法 | CN201610423021.3 | 2016-06-15 | CN106119961A | 2016-11-16 | 武大鹏; 曹锟; 徐芳; 高志永; 马超; 常玖利; 蒋凯 |
| 本发明公开了一种尺寸可控的单晶氧化锌纳米棒的制备方法，属于纳米氧化锌的合成技术领域。本发明的技术方案要点为：将二水合醋酸锌溶解在乙酸与二甘醇的混合溶液中，室温下搅拌至颗粒全部溶解得到澄清溶液，将澄清溶液转移至水热反应釜中于150℃反应6h，反应生成的白色沉淀依次用去离子水和乙醇洗涤后于60℃真空干燥制得目标产物单晶氧化锌纳米棒。本发明操作工艺简单易行，重复性好，合成的氧化锌纳米棒尺寸易调控，可用于大批量生产；制得的氧化锌纳米棒为单晶形态，结晶度高，尺寸均一，因而在光电材料领域均有较好的应用前景。 | ||||||
| 244 | 一种硫酸钙晶须的原位改性方法 | CN201610514501.0 | 2016-06-29 | CN106087064A | 2016-11-09 | 徐世爱; 张超; 江南 |
| 本发明提供了一种硫酸钙晶须的原位改性方法，包括以下步骤：(1)改性剂配制：将改性剂加入到有机溶剂中配制成改性剂溶液；(2)前驱体制备：将硫酸或其可溶性盐与可溶性钙盐分别调配成溶液，使硫酸或其可溶性盐与可溶性钙盐反应得到前驱体；(3)水热合成：将制得的前驱体与水混合，将其加入到高压反应釜中进行水热合成，之后自然冷却至室温；(4)产物处理：将冷却后的悬浊液过滤，水洗并干燥，得到原位改性的硫酸钙晶须；其中，在步骤(2)或步骤(3)中加入改性剂溶液进行改性。 | ||||||
| 245 | 一种铋层状结构K0.5Bi4.5Ti4O15晶体的制备工艺 | CN201610506876.2 | 2016-06-30 | CN106087059A | 2016-11-09 | 赵洪阳; 蔡康; 马志斌; 黄志登; 邓全; 程振祥; 木村秀夫 |
| 本发明属于铁电功能晶体材料领域，具体涉及了一种铋层状结构K0.5Bi4.5Ti4O15晶体的制备工艺。所述制备工艺为：多晶料的制备；将多晶料研磨成粉后再次压成实块，进行二次烧结，打磨切割得到多晶原料棒；将多晶原料棒置于中空铂金管下部，置于晶体生长炉中，在氩气氛围下加热，使多晶原料棒熔化，引入铂金丝，进行晶体的形核和生长；待晶体生长结束后，将晶体缓慢移开熔融区间，稳定1～2h后取出铂金丝，得到铋层状结构K0.5Bi4.5Ti4O15晶体；最后将铋层状结构K0.5Bi4.5Ti4O15晶体置于高温退火。采用本发明所述工艺制备得到的K0.5Bi4.5Ti4O15晶体的均匀性较好，具有良好的铁电特性。 | ||||||
| 246 | 一种K0.5Na0.5NbO3基铁电压电单晶及其制备方法 | CN201610462327.X | 2016-06-22 | CN106087058A | 2016-11-09 | 江民红; 张津玮; 顾正飞; 成钢 |
| 本发明的目的是提供一种K0.5Na0.5NbO3基铁电压电单晶，所述K0.5Na0.5NbO3基铁电压电单晶以Li2CO3、Bi2O3和MnO2作为掺杂原料，以K0.5Na0.5NbO3为主体材料组成，化学式为：xMnO2‑(1–x)(99.6K0.5Na0.5NbO3‑0.4LiBiO3)，其中0≤x≤0.005。将所用原料Na2CO3 (99.8%)、K2CO3 (99%)、Li2CO3 (97%)、Nb2O5 (99.5%)、MnO2 (85%)和Bi2O3 (99%)均置于120℃的烘箱中干燥4~6 h。按化学式成分质量比准确称量原料装入HDPE材质的球磨瓶中，以无水乙醇为介质球磨24 h。将球磨后产物取出，烘干，然后在750℃下预烧6 h。然后再以无水乙醇为介质球磨12~16 h后烘干。将烘干的粉料过100目筛后，在100 MPa的压力下压制成直径为25 mm，厚度为2~3 mm的圆坯。将压制好的圆坯在1100℃下保温21 h烧结获得单晶。将单晶取出，再置于氧气气氛下退火10 h。经实验证明，通过该方法制备的K0.5Na0.5NbO3基铁电压电单晶具有优异的压电性能，因此在铁电压电单晶领域具有良好的应用前景。 | ||||||
| 247 | 晶体提拉生长炉温场结构及其提拉生长工艺 | CN201610760201.0 | 2016-08-30 | CN106087037A | 2016-11-09 | 吴玥 |
| 本发明公开了一种晶体提拉生长炉温场结构及其提拉生长工艺，温场结构包括氧化铝保温筒（1）、氧化锆砖保温筒（2）、铱埚（3）、氧化锆埚托（4）、氧化铝底托（5）、第一氧化锆盖板（6）、第二氧化锆盖板（13）、氧化铝定位环（7）、氧化铝上保温内筒（8）和氧化锆上保温外筒（9）；工艺包括：装炉前准备，处理铱埚，装炉、装料，第一次化料，籽晶制备和调整，第二次化料、充气、预热籽晶，晶体生长，收尾。本发明设计了合理的温场结构和生长工艺，在保证生长所需高温和温度梯度的前提下降低能耗。放肩之前进行缩颈，即开始提拉时使温度微微偏高，让籽晶直径微收约1mm左右，然后再降温放肩，能够尽可能的减少籽晶缺陷延伸到晶体里面。 | ||||||
| 248 | 一种直拉单晶炉 | CN201610559541.7 | 2016-07-15 | CN106087036A | 2016-11-09 | 卜庆宝 |
| 本发明公开了一种直拉单晶炉，包括炉体，炉体包括炉座和炉腔，炉腔设置在炉座上，所述炉体内设有加热装置和直拉成型装置，加热装置包括石英坩埚、石墨坩埚、加热器和石墨电极，石墨坩埚包裹在石英坩埚的外侧，加热器设置在石墨坩埚的外侧，石墨电极设置在加热器的底端，直拉成型装置包括竖直设置的籽晶轴和坩埚轴，籽晶轴设置在石英坩埚的上方，坩埚轴设置在石英坩埚的底部，籽晶轴的上方设有与籽晶轴相连接的籽晶轴驱动装置，坩埚轴的底部设有坩埚轴驱动装置，生产效率高，易于制备大直径硅单晶，并且晶体生长速度快、晶体的纯度和完整性高。 | ||||||
| 249 | 一种石墨烯改性单晶铜的方法 | CN201610556508.9 | 2016-07-14 | CN106077535A | 2016-11-09 | 孙学栋; 姚永健 |
| 本发明提供一种石墨烯改性单晶铜的方法。该石墨烯改性单晶铜的方法包括以下步骤：(1)在保护气氛下，将粗铜置于坩埚中加热熔化，得到铜液；(2)所述铜液引入到铸型中，加热、加入石墨烯粉体，搅拌；(3)在铸型的出口对铜液进行冷却、使所述铜液沿着铸型出口方向实现单向凝固，并连续牵引连铸，得到铜锭；(4)将所述铜锭经过热处理、冷拉，制得单晶铜线材。本发明制备的石墨烯改性单晶铜具有良好的导电性，且信号传输稳定和可靠，电阻率比单晶铜降低25％以上。 | ||||||
| 250 | 石膏复合改性剂 | CN201480072828.6 | 2014-12-05 | CN106061919A | 2016-10-26 | M·吴; J·T·菲尔兹; P·唐纳森; B·波蒂福特 |
| 通过结合α半水合硫酸钙和水，形成浆液，压热处理该浆液，在水中形成α半水合硫酸钙晶须，使该α半水合硫酸钙晶须脱水，和加热该α半水合硫酸钙晶须，形成硬石膏硫酸钙晶须，从而制备硬石膏硫酸钙晶须。复合材料包含α‑衍生的硬石膏硫酸钙晶须和基础材料，且通过结合α‑衍生的硬石膏硫酸钙晶须与基础材料，形成复合材料而制备。 | ||||||
| 251 | 金属和晶质衬底上的基于脉冲激光的大面积石墨烯合成方法 | CN201580007280.1 | 2015-02-04 | CN106061893A | 2016-10-26 | 巴尔巴罗斯·厄兹耶尔马兹; 安德烈亚斯·沃尔克·施蒂尔; 杜志达; 安东尼奥·埃利奥·卡斯特罗内托 |
| 一种制造石墨烯的方法，包括：在存在金属衬底的情况下提供种子气体；提供脉冲紫外激光束；以及使衬底或激光束相对于另一者移动，从而使石墨烯结晶前沿前移并且形成有序石墨烯结构。在一些情况下，衬底可以具有二重原子对称的表面。一种使石墨烯再结晶的方法，包括向多晶石墨烯片提供脉冲紫外激光束。 | ||||||
| 252 | 减震防漏油式真空泵 | CN201610635408.5 | 2016-08-05 | CN106050615A | 2016-10-26 | 张建新 |
| 一种减震防漏油式真空泵，包括真空泵、接油盘、第一减震机构、第二减震机构，接油盘设置在真空泵的底座下方，第一减震机构的固定端穿过接油盘并与真空泵的底座固定连接，第一减震机构和真空泵的底座共同作用，将接油盘夹紧，以使接油盘与第一减震机构密封，第一减震机构的下端设置在第二减震机构中；第二减震机构设置缓冲层，第一减震机构的下端设置在所述缓冲层中。 | ||||||
| 253 | 一种提高Nd3+：YAG晶体激光输出功率的退火方法 | CN201610626987.7 | 2016-08-03 | CN106048733A | 2016-10-26 | 梁善玉 |
| 本发明公开了一种提高Nd3+：YAG晶体激光输出功率的退火方法，包括以下步骤：步骤1、将Nd3+：YAG晶体棒放入真空退火炉内，用真空泵将真空退火炉抽取真空至‑0.08MPa；步骤2、打开充气装置，通过真空管向真空退火炉内供输氮气和氧气的混合气体，使真空退火炉内气压保持在0MPa；步骤3、步骤2完成后，升温真空退火炉温度至1250‑1300℃；步骤4、保持真空退火炉的温度在1250‑1300℃；步骤5、步骤4完成后，降低真空退火炉的温度至800℃，然后随炉自然冷却至室温。通过改变退火气氛，提高恒温温度和恒温年时间使Nd3+：YAG晶体的激光输出功率得到了大幅提高，相比于同类现有产品，其激光输出功率提高了10‑15%。 | ||||||
| 254 | 一种采用提拉法生长氧化镓晶体的固液界面控制方法 | CN201610615338.7 | 2016-08-01 | CN106048723A | 2016-10-26 | 李璐杰; 练小正; 于凯; 霍晓青; 张颖武; 程红娟; 徐永宽; 赖占平; 张政 |
| 本发明公开了一种采用提拉法生长氧化镓晶体的固液界面控制方法，是在单晶炉体中设有作为第二热源的辅助加热器，且通过固定架连接于提拉装置上，在引晶、放肩初始阶段，将辅助加热器位置升至单晶炉体顶部，在放肩、等径生长阶段，将辅助加热器位置下降，辅助加热器上升或下降的高度的计算方法是：在拉制晶体之前，由Ga2O3原料投料量计算得出熔体液面初始高度，根据热场系统结构设定辅助加热器高度位置。采用本方法，可改善热场分布及散热条件，将一般的曲面结晶界面转变为平面结晶界面。该热场系统明显优于常规的热场系统，且可根据Cz拉晶不同阶段，分别对不同部位进行加热，更适于生长低位错单晶和提高成晶率。 | ||||||
| 255 | 一种微波等离子体化学气相法生长单晶金刚石的基片台和方法 | CN201610535372.3 | 2016-07-08 | CN106048719A | 2016-10-26 | 贾俊基; 刘佳伟; 刘雄辉; 王耀光; 刘刚 |
| 本发明涉及一种微波等离子体化学气相法生长单晶金刚石的基片台和方法，属于晶体合成领域。为一表面光滑的钼片，在其上表面加工有一个方形凹槽，该凹槽由内凹槽和外凹槽组成台阶形，所述内凹槽用于盛放金刚石籽晶，深度与放入的金刚石籽晶的厚度相同；所述外凹槽深度为0.5毫米。本发明利用凹槽能抑制金刚石籽晶边缘的过快生长、保持生长面均匀平整的作用，显著地提高了人工生长的单晶金刚石的质量。在生长过程中，需要调节凹槽的形状及尺寸，使金刚石整个生长面生长速率保持均一。本发明设计有着设计制作简单、使用范围广及生长的金刚石品质高的优点。 | ||||||
| 256 | 一种控制碳化硅单晶生长径向温度梯度的装置及方法 | CN201610542515.3 | 2016-07-12 | CN106048715A | 2016-10-26 | 袁玉平 |
| 本发明涉及一种控制碳化硅单晶生长径向温度梯度的装置及方法，装置包括设在坩埚盖上方的碳纤维锥形吹风装置，所述碳纤维锥形吹风装置的上端口与碳纤维三通相连，所述碳纤维三通一端口与变频循环风装置相连，所述碳纤维三通另一端口与测温仪相连，所述变频循环风装置和测温仪都与PLC控制系统相连；方法包括根据工艺设定温度和测温仪所测温度进行比较，PLC控制系统发送信号给变频循环风装置调节温度。本发明不需要改变径向位置就可以改变径向温度，可以自动调节径向温度，根据生长晶体的需求设定温度，保持稳定的径向温度，可以保持晶体一直在最佳温度下生长，晶体生长平稳，晶体品质提高。 | ||||||
| 257 | 一种籽晶连接结构 | CN201610542446.6 | 2016-07-11 | CN106048714A | 2016-10-26 | 王文; 张建玉; 罗平; 赵岩; 王庆国; 刘建兴; 董建树; 韩建峰; 庄大伟; 徐军 |
| 一种籽晶连接结构，包括：上杆套，所述上杆套为中空设置，在所述上杆套的侧壁上设有调节孔；下滑杆，所述下滑杆设置在所述上杆套内，在所述下滑杆的侧部设有定位销，所述定位销穿设于所述调节孔；限位台，所述限位台设置在所述下滑杆的端部。所述调节孔为腰形孔。在所述上杆套的端部设有上连接件。在所述限位台上设有下连接件。本发明籽晶连接结构采用滑套的连接方式，在引晶阶段时的籽晶下压模具时滑套会往上退回，使籽晶对模具不会产生较大的压力，从而保护模具不被籽晶压出凹痕。达到保护模具和延长模具使用寿命的作用。 | ||||||
| 258 | 一种合成二维超薄单晶Ti3C2Tx片层的方法 | CN201610369754.3 | 2016-05-30 | CN106048711A | 2016-10-26 | 张喜田; 傅其山 |
| 一种合成二维超薄单晶Ti3C2TX片层的方法，它涉及一种合成Ti3C2TX片状材料的方法。它要解决现有Ti3C2片状材料的合成存在缺陷的问题。方法：一、LiF粉末加到盐酸溶液中，磁力搅拌，得溶液A；二、磁力搅拌下将Ti3AlC2粉末加到溶液A中，反应后离心；三、向沉淀物中加除氧去离子水，盖紧离心管，摇晃，离心后得胶状液体，即完成二维超薄单晶Ti3C2TX片层的合成。本发明通过调控盐酸的浓度及盐酸与氟化锂之间的比例，免去了有机物嵌入及超声剥离这两个过程，不用通氩气，减少了操作步骤，工艺简单、危险性低，安全性高，成本降低；获得纯度高，片层更薄，电化学性质更好，产量更高的二维单晶Ti3C2TX片层。 | ||||||
| 259 | 利用可消耗电极真空电弧冶炼工艺来精炼类金属 | CN201280041741.3 | 2012-08-15 | CN103764880B | 2016-10-26 | 雷蒙·J·罗伯茨 |
| 通过CEVAR精炼工艺来精炼预加热的硅电极的形式的类金属诸如硅，该CEVAR精炼工艺在利用低矮CEVAR底部打开式坩埚在CEVAR熔炉系统中熔融预加热的电极之后，通过受控加热和冷却来生产铸块。 | ||||||
| 260 | 碳化硅基板的制造方法 | CN201280021347.3 | 2012-05-09 | CN103503119B | 2016-10-19 | 冲田恭子 |
| 一种制造碳化硅基板的方法，包括制备单结晶碳化硅的晶块（1）的步骤和通过切割晶块（1）获得基板的步骤。然后，在获得基板的步骤中，在如下方向上进行切割：该方向相对于晶块（1）的<11‑20>方向或<1‑100>方向所形成的角度在{0001}面上的正投影中是15°±5°。 | ||||||
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