1.一种制造单片模板的方法，所述模板包含Si晶片，在所述Si晶片表面上外延施加有III/V半导体层，所述III/V半导体的晶格常数与Si相差小于10%，所述方法包括以下步骤：
在步骤B)中，在600-1200℃的晶片温度，0.01-20μm/h的生长速率和0-5μm的层厚下，在Si晶片表面上外延生长Si层，该步骤B)是在步骤C)之前进行的，
在步骤C)中，将活性含Cl的气体以0-5μm/h的蚀刻速率在600-1200℃的晶片温度下以
0-60min的时间导过所述Si层表面，该步骤C)是在步骤D)之前进行的，
在步骤D)中， 在350-650℃的晶片温度下，在所述Si层表面上外延生长III/V半导体层，生长速率是0.1-2 μm/h，并且层厚是1-100nm，
在步骤D)后的步骤E)中，在500-800℃的晶片温度，0.1-10μm/h的生长速率和10-150nm的层厚下，外延生长与步骤D)所生长的III/V半导体相同或者不同的III/V半导体层。
2.根据权利要求1的方法，其中在步骤B)前进行步骤A)，该步骤A)是通过在惰性气氛中烘烤到800到1200℃的晶片温度以1s-30min的时间来进行的。
3.根据权利要求1的方法，其中在步骤D)中，所述III/V半导体层是通过原子层沉积(ALD)外延生长的。
4.根据权利要求1的方法，其中所述Si晶片的所述表面是(001)Si表面，在方向<110>上偏离0-6°，其中在≤1°的位错处，所述位错的方向可以不同于方向<110>。
5.根据权利要求1的方法，其中在步骤D)中生长的III/V半导体是GaxByAlzP半导体，其中x=0-1，y=0-0.1和z=0-1，其中对于GaxByAlzP，x、y和z之和总是1。
6.根据权利要求1的方法，其中在步骤D)中生长的III/V半导体是GaNwPv半导体，其中w=
0-0.1和v=1-w。
7.根据权利要求1的方法，其中在步骤E)中生长的III/V半导体是GaxByAlzP半导体，其中x=0-1，y=0-0.1和z=0-1，其中对于GaxByAlzP，x、y和z之和总是1。
8.根据权利要求1的方法，其中在步骤E)中生长的III/V半导体是GaNwPv半导体，其中w=
0-0.1和v=1-w。
9.根据权利要求1的方法，其中在步骤D)中生长的III/V半导体在1015-1021 cm-3的掺杂浓度下与Zn、Te、S、C、Mg和/或Si掺杂。
10.根据权利要求1的方法，其中在步骤E)中生长的III/V半导体在1015-1021 cm-3的掺杂浓度下与Zn、Te、S、C、Mg和/或Si掺杂。
11.根据权利要求1的方法，其中所述Si晶片的直径大于6cm。
12.根据权利要求1的方法，其中所述Si晶片的直径大于10cm。
13.根据权利要求1的方法，其中所述Si晶片的直径大于20cm。
14.一种单片模板，其可通过根据权利要求1-13之一的方法获得。
15.根据权利要求14的模板的用途，其用于在Si基底上，单片集成III/V基半导体部件。
16.根据权利要求15的用途，其中所述Si基底具有直径大于6cm的掩模结构。
17.根据权利要求15的用途，其中所述Si基底具有直径大于10cm的掩模结构。
18.根据权利要求15的用途，其中所述Si基底具有直径大于20cm的掩模结构。
19.根据权利要求15的用途，其中所述部件选自晶体管、激光器二极管、LED、检测器和太阳能电池。
20.根据权利要求15的用途，其中在步骤E)后，外延生长了另外III/V半导体层，并且形成了包含III/V半导体的电子部件。