| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 221 | 一种多晶硅铸锭用坩埚涂层的制备方法以及坩埚 | CN201610653488.7 | 2016-08-10 | CN106283186A | 2017-01-04 | 田进; 刘波波; 田伟; 赵俊; 李军 |
| 本发明公开了一种多晶硅铸锭用坩埚涂层的制备方法，包括以下步骤：称取六方氮化硼缓慢加入到硅溶胶和高纯水混合液中搅拌均匀，制得所需浆料，按照重量百分比计，六方氮化硼用量为20％-23％，高纯水用量为53％-55％，硅溶胶用量为23％-25％；在喷涂之前，先对浆料进行连续搅拌，保持室温为24-28℃，保持待喷涂坩埚本体温度为60-80℃，将浆料喷涂在坩埚底面上，坩埚侧面喷涂氮化硅；对喷涂后的坩埚进行烘焙，烘焙完毕后在坩埚底面即形成多晶硅铸锭用坩埚涂层。本发明工艺简单，便于操作，不引入杂质元素，有效保障了坩埚涂层的高致密性，使制备得到的坩埚涂层纯度高，从而有效抑制了坩埚杂质的污染，烘焙后的坩埚底部涂层稳定性好且结合强度高，提高底部勺子寿命。 | ||||||
| 222 | 一种降低碲化铋多晶晶格热导率的方法 | CN201610576918.X | 2016-07-21 | CN106283173A | 2017-01-04 | 葛振华; 冯晶; 吉一弘 |
| 一种降低碲化铋多晶晶格热导率的方法，属于能源材料技术领域。本发明所述方法以机械合金化法制备碲化铋粉体，与额外质量比5%~30%的Te混合后二次球磨，得到碲化铋与单质碲均匀混合的粉体。将混合粉体置于石墨模具中，采用放电等离子烧结工艺在450~580℃烧结0~30分钟制备出碲化铋多晶块体。在放电等离子过程中，由于Te熔点低，完全液化，并由于压力作用被从石墨磨具中挤出，而在碲化铋块体中留下大量的位错，大量位错的引入答复降低了材料的晶格热导率，该方法工艺简单，易于操作，降低热导率非常明显。 | ||||||
| 223 | 一种氯丁橡胶发泡鞋底材料及其制备方法 | CN201610640385.7 | 2016-08-04 | CN106279845A | 2017-01-04 | 叶剑 |
| 本发明提供一种氯丁橡胶发泡鞋底材料及其制备方法，其大体步骤如下：(1)将透闪石球磨后得到湿磨浆料，将氯化镁、硬脂酸钠加入湿磨浆料中，制得晶须前驱体；(2)将晶须前驱体烘干、压制为烧结试样，将烧结试样放入烧结炉烧结，得到透闪石晶须；(3)将透闪石晶须通过羧甲基纤维素、聚乙烯醇缩丁醛改性，得到改性透闪石晶须；(4)将氯丁橡胶、促进剂、防老剂、硫化剂、活性剂、增塑剂、发泡剂、软化油、改性透闪石晶须加入密炼机密炼，直至温度上升至110℃后排出密炼机，降温后放入开炼机薄通3次，打三角包停放10小时，压片后放入油压机130℃下发泡20分钟，再于150℃下发泡18分钟。本发明制备出的鞋底材料不容易开裂，而且耐寒性较好。 | ||||||
| 224 | 具有双电源加热的区熔炉热场及保温方法 | CN201310176107.7 | 2013-05-11 | CN103255472B | 2016-12-28 | 曹建伟; 欧阳鹏根; 王丹涛; 傅林坚; 陈明杰; 石刚; 邱敏秀 |
| 本发明涉及半导体制造领域，旨在提供一种具有双电源加热的区熔炉热场及保温方法。该区熔炉热场包括主加热线圈和辅助加热器，辅助加热器的外形呈上下方向往复弯折的波浪状且在水平方向上围绕成圆环状，其两个端部设接口并通过电缆与辅助加热电源相连。辅助加热电源通过信号线依次连接数据分析模块和红外测温仪。本发明可解决6.5英寸以上的区熔硅单晶生长中面临的因热场分布不合理、热应力过大造成的单晶棒开裂问题，也可改善3-6英寸区熔硅单晶生长的热场分布。 | ||||||
| 225 | 一种泡生法蓝宝石晶体的生长速率对固液界面的影响 | CN201610074672.6 | 2016-02-03 | CN106245115A | 2016-12-21 | 吴成荣; 郭余庆; 何晓明; 王军; 孙曙光 |
| 一种泡生法蓝宝石晶体的生长速率对固液界面的影响，其特征在于步骤如下：(1) 放肩阶段，固液界面凸出度及温度梯度较大，此阶段较大的温度梯度有利于晶体稳定生长；(2) 等径阶段，固液界面凸出度较小，温度梯度随晶体生长呈减小趋势。此阶段晶体生长速率对固液界面的影响较明显；本发明的优点是：泡生法中，晶体生长速率等于单位时间固液界面向熔体移动的距离，即单位时间晶体生长的高度。因泡生法生长蓝宝石过程十分缓慢，生长速率大约控制在 0.5~5.0 mm/h的范围内。 | ||||||
| 226 | 锂二次电池用正极、其制造方法以及锂二次电池 | CN201210331146.5 | 2012-09-07 | CN103000862B | 2016-12-21 | 三轮讬也; 井上信洋; 野元邦治; 桃纯平 |
| 本发明涉及锂二次电池用正极、其制造方法以及锂二次电池。在橄榄石型结构的含锂复合氧化物中，锂离子的储藏和释放容易在晶体的b轴方向以一维方式发生。因此，本发明提供一种含锂复合氧化物的单晶的b轴垂直于正极集电体表面进行取向的正极。对含锂复合氧化物粒子混合氧化石墨烯并施加压力。通过施加压力，长方体或大致长方体的粒子容易滑移。此外，通过使用b轴方向的长度短于a轴及c轴方向的长度的长方体或大致长方体的粒子，利用朝一个方向的压力可以使b轴在施加压力的方向上取向。 | ||||||
| 227 | 蓝宝石衬底上的氮-极性的半极性GaN层和器件 | CN201580019991.0 | 2015-04-15 | CN106233471A | 2016-12-14 | 韩重; 本亚明·梁 |
| 描述了用于在图案化蓝宝石衬底上形成半极性III族氮化物材料的外延层的方法和结构。半-氮-极性GaN可以从蓝宝石的倾斜c-面小面生长并且合并以在所述蓝宝石衬底上形成连续的于形成半-氮-极性GaN。(2021)GaN层。蓝宝石的氮化和低温GaN缓冲层用 | ||||||
| 228 | 一种有机海藻萃取包裹技术 | CN201610522765.0 | 2016-06-30 | CN106222751A | 2016-12-14 | 诺木罕 |
| 本发明属于提纯领域，尤其涉及本发明属于一种有机海藻萃取包裹技术，包括脂肪酸乙酯磺酸盐为90～98重量份，采用锑或铋、铜、银、铅或锡的可溶性金属盐，与硫源和碘源按1∶1∶1～5摩尔比，以浓度为0.5～2.4mol/L的盐酸溶液将反应原料溶解后，在高压釜中于140-～300℃反应2～20h，经分离、洗涤和干燥，得到具有棒状外形的金属光泽的晶体。本发明方法条件温和、反应时间短，且反应压力小，不仅大大缩短了合成碘硫化锑单晶体生长时间，而且降低了反应温度、节省了能耗，并可以通过利用酸的用量和浓度来调节碘硫化锑及其同类化合物单晶体的纯度、结晶度、晶体尺寸、晶体质量和晶体形貌；工艺操作简单、成本较低，晶体产率高，可用于大规模化工业生产。 | ||||||
| 229 | 一种多晶硅锭及其制备方法和用于制备多晶硅锭的铸锭炉 | CN201610830025.3 | 2016-09-19 | CN106222743A | 2016-12-14 | 罗鸿志; 胡动力; 刘海 |
| 本发明提供了一种多晶硅锭的制备方法，包括：将多晶硅料和掺杂剂加入到多晶硅铸锭炉的坩埚内，掺杂剂为含有P型掺杂元素的单质、合金、氧化物和氮化物中的一种或多种，P型掺杂元素包括镓、铟和铝中的至少一种；在保护气体存在下，加热使多晶硅料和掺杂剂完全熔化形成硅熔体，调节铸锭炉温度，使硅熔体开始长晶得到硅晶体，在长晶过程中，当硅晶体的电阻率达到临界电阻率时，向坩埚内通入含N型掺杂元素的气体，使由硅熔体生长出的硅晶体的电阻率被调控到目标电阻率，硅熔体继续长晶，待坩埚内的硅熔体结晶完毕后，得到多晶硅锭，临界电阻率为0.9-1.1Ω·cm，目标电阻率为1-3Ω·cm。本发明通过在硅熔体长晶阶段通入含N型掺杂元素的气体，能有效提高晶体硅的合格率。 | ||||||
| 230 | 一种免开隔热笼铸锭装置及方法 | CN201610785797.X | 2016-08-31 | CN106222741A | 2016-12-14 | 周晓康; 李春林; 李旭敏; 李普; 鞠磊; 肖宗卫; 李宏 |
| 本发明涉及多晶硅铸锭领域，特别是一种免开隔热笼铸锭装置及方法。装置包括隔热笼，所述隔热笼内侧面设有侧部加热器，所述隔热笼内顶部设有顶部加热器，所述侧部加热器、顶部加热器通过双电源分开控制。熔化步骤中，气冷DS块温度控制不高于1400℃，所述熔化跳转长晶的步骤中，气冷DS块温度为1300~1360℃，顶部加热器温度为1530~1545℃，所述长晶步骤中顶部加热器温度由1430下降到1400℃，气冷DS块温度从1300下降到1000℃。采用本发明，可以免开隔热笼，切割硅片隐裂报废比例下降约15%；硅锭在生长中的位错数量有效控制，硅片产品的光电转换效率高，稳定性好。 | ||||||
| 231 | 缩短单晶炉熔料时间装置及方法 | CN201610901227.2 | 2016-10-17 | CN106222737A | 2016-12-14 | 潘永娥 |
| 本发明涉及缩短单晶炉熔料时间装置及方法，包括设置在单晶炉的炉腔中、位于坩埚上方的发热体，所述发热体能够通电发热。缩短单晶炉熔料时间方法，包括单晶炉、装有硅料的坩埚、设置在坩埚外围的加热装置、上述的缩短单晶炉熔料时间装置；熔化硅料的步骤如下：a)，通过动力装置将发热体下放到距离坩埚顶面合适的位置；b)，打开开关，使发热体通电发热；c)，当硅料融化后，关闭开关，通过动力装置将发热体向上提升到炉盖处。通过将本申请的发热体与现有的加热装置一起对单硅料进行加热，缩短了熔料时间，提高了单晶棒的生产效率，降低了单晶棒的生产成本。 | ||||||
| 232 | 碲锌镉晶体的移动循环退火改性方法 | CN201610817494.1 | 2016-09-12 | CN106192014A | 2016-12-07 | 徐亚东; 贾宁波; 谷亚旭; 符旭; 董江鹏; 姬磊磊; 介万奇 |
| 本发明公开了一种碲锌镉晶体的移动循环退火改性方法，用于解决现有碲锌镉晶体的退火方法消除10μm以下的小夹杂相效果差的技术问题。技术方案是采用移动循环退火，即通过外界装置移动退火管使其交替处于退火炉高温和低温端的热处理工艺，使CZT晶片迅速处于所设定的温度范围，无需改动温度控制程序，就可使CZT晶片快速处于所需的温度，退火过程中大的温度梯度促进了扩散过程，加速消除晶体中的小夹杂相。本发明通过移动循环退火，使CZT晶片迅速处于所设定的温度范围，退火过程中大的温度梯度促进了扩散过程，加速消除晶体中的小夹杂相，退火时间一般在16小时内完成，小夹杂相的去除效率达到100％。 | ||||||
| 233 | 一种尿素包合物晶体的生长工艺 | CN201610537764.3 | 2016-07-08 | CN106192013A | 2016-12-07 | 刘二保 |
| 本发明公开了一种尿素包合物晶体的生长工艺，包括如下步骤：(1)将腐植酸、氯化铵、尿素、硫铵、磷酸一铵、氯化钾、硫酸钙按照质量比68～74:211～214:140～146:320～323:105～109:69～71:70～72混合均匀；(2)对上述混合均匀的物料进行造粒；(3)将所得颗粒用密封袋装起来，放置20-30天，得尿素包合物晶体。本发明提供的尿素包合物晶体的生长工艺，通过粉体颗粒化后在颗粒表面生长尿素包合物晶体，所得尿素包合物晶体是完全有序的尿素氯化铵共晶。 | ||||||
| 234 | 一种可取代药物的生物海藻提取方法 | CN201610522714.8 | 2016-06-30 | CN106192008A | 2016-12-07 | 诺木罕 |
| 本发明属于喷管领域，尤其涉及本发明属于一种可取代药物的生物海藻提取方法，亚音速混合段，超音速膨胀段，注碘腔，喷碘孔，T型头；亚音速混合段和超音速膨胀段由一长条状结构构成，于长条状结构内部、沿其长边方向设有长方形孔，其为注碘腔；沿长条状结构的厚度方向的截面由上、下二部份构成，截面下部为长方形、且长方形的下部宽边为弧形边，截面上部为三角形、三角形的底边长度大于长方形的上部宽边长度，三角形的底边两端与长方形的上部宽边两端采用弧线过渡连接。 | ||||||
| 235 | 单晶硅晶片 | CN201610807979.2 | 2012-02-15 | CN106192000A | 2016-12-07 | 星亮二; 松本克; 镰田洋之; 菅原孝世 |
| 本发明是一种单晶硅晶片，其由利用直拉法培育而成的单晶硅晶棒切割而成，其特征在于，该单晶硅晶片是由氧浓度为8×1017原子/cm3(ASTM’79)以下的单晶硅晶棒切割而成，并且，包含利用选择蚀刻未检测出FPD和LEP且利用红外散射法检测出LSTD的缺陷区域。由此，提供一种低成本、低氧浓度的晶片，所述晶片在制作器件时不会引起耐压不良或漏电不良。 | ||||||
| 236 | 一种多晶硅半熔铸锭用高温长晶工艺 | CN201610653489.1 | 2016-08-10 | CN106191995A | 2016-12-07 | 田伟; 刘波波; 田进; 赵俊; 韩景 |
| 本发明公开了一种多晶硅半熔铸锭用高温长晶工艺，其特征在于，将铸锭炉从室温加热到1550～1555℃，熔化后期测量留底籽晶厚度，调整顶部和侧部加热器功率比，通过慢熔确保底部籽晶不被熔化，当熔化完成后，调整顶部和侧部加热器功率比，降低到1440～1445℃开始进行定向凝固并进入长晶过程，在长晶的过程中温度由1440～1445℃降低到1400～1405℃，完成长晶过程。本发明方法步骤简单、设计合理、实现方便且易于掌握、使用效果好，能对多晶硅铸锭长晶过程进行合理控制，并有效提高多晶硅铸锭质量。 | ||||||
| 237 | 硒化镓的多晶合成方法和单晶生长方法 | CN201610669690.9 | 2016-08-15 | CN106149046A | 2016-11-23 | 杨春晖; 马天慧; 朱崇强; 雷作涛 |
| 硒化镓的多晶合成方法和单晶生长方法，它涉及中远红外非线性材料的多晶合成和单晶生长方法。它是要解决现有的GaSe多晶合成的化学计量偏移大和产率低及自发成核阶段易形成无效晶核与单晶生长方向不确定的技术问题。多晶合成：把单质Ga放在小舟中，再把它放到石英管的一端，Se放在石英管的另一端，抽真空后熔封，放在水平双温区管式电阻炉中合成，得到GaSe多晶，其化学计量比为1：(1～1.05)，产率大于97％。单晶生长：将GaSe多晶加入到PBN坩埚中，然后将PBN坩埚竖直放在石英管中，抽真空后熔封，再放在垂直双温区管式电阻炉中，单晶生长结束后获得GaSe单晶。可用作中远红外激光材料实现8～10μm激光输出。 | ||||||
| 238 | 铸造装置及铸造方法 | CN201310059341.1 | 2013-02-26 | CN103498195B | 2016-11-23 | 二田伸康; 中田嘉信 |
| 本发明涉及一种铸造装置及铸造方法，能够分别减少低寿命区域及杂质量，难以产生坩埚的结渣问题，通过理想的单向凝固来制造铸锭。铸造装置具备收容熔融物且上部具有开口部的坩埚（20）、加热坩埚的加热器（33,43）和对坩埚内的上部供给惰性气体的惰性气体供给单元（42）。惰性气体供给单元具备延伸至坩埚内的上部并在前端部设置有气体吐出口的气体通道。气体吐出口设置为从该气体吐出口吐出的惰性气体的流动平行于坩埚内的熔融物表面。 | ||||||
| 239 | 一种快速热氧化方法制备的相变二氧化钒薄膜 | CN201610507358.2 | 2016-06-30 | CN106119973A | 2016-11-16 | 华平壤; 陈朝夕 |
| 本发明专利公开了一种快速热氧化方法制备的相变二氧化钒薄膜，包括导气直管、隔热盖、内罐、支撑罐、均热罐和加热圈，均热罐和加热圈安装在支撑罐内且三者的竖直中心线在同一直线上，加热圈处于均热罐和支撑罐之间，内罐插入到均热罐内且其上端通过其上挡圈安装在支撑罐外，隔热盖安装在支撑罐上且其中心线与内罐的中心线处于同一竖直直线上，导气直管穿过隔热盖并固定安装在内罐上端。 | ||||||
| 240 | 一种有机‑无机钙钛矿尖峰晶体的制备及其应用 | CN201610526546.X | 2016-07-06 | CN106119971A | 2016-11-16 | 李福山; 刘洋; 郭太良; 徐中炜; 郑聪秀; 陈伟 |
| 本发明属于电子材料技术领域，具体涉及一种有机‑无机钙钛矿尖峰晶体的制备及其应用。具体制备步骤为：将适量钙钛矿前驱体溶解在有机溶剂中形成浓度为30wt%~60wt%的有机‑无机钙钛矿杂合物溶液；将该溶液在形成有导电电极的基片表面上铺展成膜，利用不良溶剂使得钙钛矿溶液快速析出；加热除去多余的有机溶剂，使得钙钛矿充分结晶，形成尖峰状晶体；该尖峰状晶体可用于场致电子发射阴极材料。通过本发明方法可以大量、低成本的制备钙钛矿场发射阴极，具有较低的开启和阈值场强，发射稳定，简单适宜实现大面积制作和有利于工业化量产。 | ||||||
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