| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 281 | 单晶体的制造方法和设备 | CN201210562337.2 | 2012-12-21 | CN103173848B | 2016-09-21 | G·拉明; L·阿尔特曼绍夫尔; G·拉特尼科斯; J·兰德里钦格; J·洛布迈尔; A·霍尔津格 |
| 用于通过浮区法生产单晶体的方法和装置，其中该单晶体在电感加热线圈的支持下在结晶边界的熔化区下方结晶，并且结晶热的散发由围绕该单晶体的反射器阻碍，其特征是，该单晶体在结晶边界的外侧边缘区域中由加热装置在第一区中进行加热，其中结晶边界的外侧边缘的外侧三相点Ta与结晶边界的中心Z之间的距离受到影响。 | ||||||
| 282 | 用于提高结晶度的方法 | CN200980135973.3 | 2009-07-20 | CN102149438B | 2016-09-21 | 格雷厄姆·瑞易科瑞福特; 迪派施·派瑞克; 大卫·海博科斯 |
| 本发明提供了提高至少一种低于100％结晶的固体材料结晶度的方法，所述方法包括：将所述固体材料与溶剂接触，其中固体材料是不溶或难溶的(非溶剂)；以及当固体材料与所述非溶剂接触时，将超声波施用于所述固体材料。 | ||||||
| 283 | 去除锗单晶片酸化学腐蚀后表面蓝色药印的方法 | CN201610437697.8 | 2016-06-20 | CN105937052A | 2016-09-14 | 何杰; 肖祥江; 李苏滨; 惠峰; 李雪峰; 柳廷龙; 李武芳; 周一; 杨海超; 候振海; 囤国超; 田东 |
| 本发明涉及一种去除锗单晶片酸化学腐蚀后表面蓝色药印的方法，包括以下步骤：(1)配制氢氧化钠和过氧化氢混合水溶液；(2)将经过腐蚀后表面有蓝色药印的锗单晶片放入配制好的水溶液中进行处理；(3)将处理之后的锗单晶片清洗干净，并将其甩干；(4)甩干后，用强光灯检验锗单晶片的表面。本发明提供的方法简单易行，能有效去除酸化学腐蚀后锗单晶片表面上的蓝色药印，在节约成本的同时，大大提高了生产效率。 | ||||||
| 284 | 低温多晶硅薄膜的制备方法及其制作系统 | CN201310728592.4 | 2013-12-25 | CN103681244B | 2016-09-14 | 张隆贤 |
| 本发明涉及液晶显示技术领域，尤其是一种低温多晶硅薄膜的制备方法，包括如下步骤：步骤一：在基板上从下至上依次生长缓冲层和非晶硅层；步骤二：加热所述非晶硅层使之温度高于室温，并对所述非晶硅层进行预清洗；步骤三：采用准分子激光束照射步骤二预清洗后的非晶硅层，使所述非晶硅转化为多晶硅。本发明还提供这种多晶硅薄膜的制作系统。本发明通过对低温多晶硅薄膜制作系统、预清洗方法进行改进，改善非晶硅层厚度不均匀的状态，从而提高后续步骤中ELA照射转化形成多晶硅薄膜的均匀性。 | ||||||
| 285 | 提高空穴注入的LED外延生长方法 | CN201610419939.0 | 2016-06-13 | CN105932118A | 2016-09-07 | 林传强 |
| 本申请公开了一种提高空穴注入的LED外延生长方法，依次包括：处理衬底、生长低温GaN成核层、生长高温GaN缓冲层、生长非掺杂的u‑GaN层、生长掺杂Si的n‑GaN层、生长多量子阱MQW发光层、生长温度两段渐变的掺Mg的InGaN:Mg层、生长P型AlGaN层、生长高温P型GaN层、生长P型GaN接触层、降温冷却。如此方案，在多量子阱层生长完成之后，生长一层具有温度两段渐变的掺Mg的InGaN:Mg层结构，既提高了空穴浓度，又提高了空穴迁移率，进而有利于提高量子阱区域的空穴注入水平，降低LED的工作电压，提高LED的发光效率。 | ||||||
| 286 | 一种多晶硅晶体生长炉生长装置及其热源调节方法 | CN201610348843.X | 2016-05-24 | CN105926036A | 2016-09-07 | 陈成敏; 杨春振; 刘光霞; 王立秋; 许敏; 侯延进 |
| 本发明涉及一种多晶硅晶体生长炉生长装置及其热源调节方法，包括晶体生长炉，所述晶体生长炉内设有顶部加热源及四周加热源，顶部加热源连接调功器一，四周加热源连接调功器二。加热过程，调功器一和调功器二改变顶部加热源与四周加热源的功率比例。本发明利用隔热板一方面可以有效降低加热器的无效热损失，降低系统总能量消耗，另一方面，提高坩埚侧挡板外部的温度，降低坩埚内部径向温度梯度。并且隔热板随着隔热笼的上下移动而转动，经过计算验证，隔热板水平放置时隔热效果最好，随着与水平夹角的变大，隔热效果逐渐变差，满足冷凝过程后期温度梯度的要求，使温度场满足冷凝参数要求的同时减小晶体内容因温差引起的热应力。 | ||||||
| 287 | 包括辅助气体供应端口的基板处理装置 | CN201280056768.X | 2012-11-16 | CN103946956B | 2016-09-07 | 梁日光; 诸成泰; 宋炳奎; 金龙基; 金劲勋; 申良湜 |
| 根据本发明的一实施方案，实现在基板上形成外延层的外延工艺的外延装置，其包括：下部腔室，其上部打开，并在一侧形成有使所述基板进出的通道；外部反应管，其用于关闭所述下部腔室中打开的上部，并提供实现所述外延工艺的工艺空间；基板支架，其在上下方向载置一个以上所述基板，且可以转换到载置所述基板的载置位置、和实现对所述基板的所述工艺的工艺位置；一个以上的供应喷嘴，其沿着所述外部反应管的内壁配置，并具有用于喷射所述反应气体的供应口；和一个以上的排气喷嘴，其沿着所述外部反应管的内壁配置，并具有用于吸入所述工艺空间内的未反应气体及反应副产物的排气口；以及后方排气线，其连接于所述排气喷嘴，并用于排出通过所述排气口吸入的所述未反应气体及所述反应副产物，其中，所述下部腔室具有将所述排气喷嘴和所述后方排气线连接的排气端口、和将形成在所述下部腔室内部的载置空间连接于所述后方排气线的辅助排气端口。 | ||||||
| 288 | 控制合成金刚石材料的掺杂 | CN201180066337.7 | 2011-12-14 | CN103370765B | 2016-09-07 | S·E·科; J·J·威尔曼; D·J·特威切恩; G·A·斯卡斯布鲁克; J·R·布莱顿; C·J·H·沃特; M·L·玛尔卡哈姆 |
| 一种制造合成CVD金刚石材料的方法，所述方法包括：设置微波等离子体反应器，所述微波等离子体反应器包括：等离子体腔；一个或多个基底，所述一个或多个基底设置在所述等离子体腔中，在使用时提供所述合成CVD金刚石材料在其上沉积的生长表面区域；微波联接结构，所述微波联接结构用于将微波从微波发生器进给到所述等离子体腔内；以及气体流动系统，所述气体流动系统用于将工艺气体进给到所述等离子体腔内和将所述工艺气体从所述等离子体腔中移除；将工艺气体注入到所述等离子体腔内；通过所述微波联接结构将微波从所述微波发生器进给到所述等离子体腔内以在所述生长表面区域上形成等离子体；以及在所述生长表面区域上生长合成CVD金刚石材料，其中，所述工艺气体包括从硼、硅、硫、磷、锂、和铍中的一种或多种选取的呈气体形式的以等于或大于0.01ppm的浓度存在的至少一种掺杂剂和/或以等于或大于0.3ppm的浓度存在的氮，其中，所述气体流动系统包括气体入口，所述气体入口包括与所述生长表面区域相对设置且配置为将工艺气体朝向所述生长表面区域注入的一个或多个气体入口喷嘴，以及其中，所述工艺气体以等于或大于500标准cm3/min的总气体流速朝向所述生长表面区域注入，和/或其中所述工艺气体以范围为从1至100的雷诺数通过所述气体入口喷嘴或每个气体入口喷嘴注入到所述等离子体腔内。 | ||||||
| 289 | 一种上液桥柱可旋转式液桥生成器 | CN201610400782.7 | 2016-06-08 | CN105908253A | 2016-08-31 | 梁儒全; 李湛; 王奎阳; 赵俊楠; 张硕; 李晓媛; 朱林阳; 杨硕 |
| 本发明提供一种上液桥柱可旋转式液桥生成器，包括支架，支架上部安装电机，电机正下方的支架上设有上液桥柱安装孔和上液桥柱卡槽，支架下部设有下液桥柱安装孔和下液桥柱卡槽，上液桥柱和下液桥柱分别通过上液桥柱安装孔和下液桥柱安装孔垂直安装并保持中心相对；所述上液桥柱包括上液桥柱杆、上盘和与上液桥柱卡槽外径相同的上液桥柱卡环，上液桥柱杆和上盘之间通过螺纹连接，上液桥柱卡环焊接在上液桥柱杆上；所述下液桥柱包括下液桥柱上杆、下液桥柱下杆、下盘和与下液桥柱卡槽外径及高度相同的下液桥柱卡环，下液桥柱上杆和下盘之间通过螺纹连接，下液桥柱上杆和下液桥柱下杆的连接处焊接下液桥柱卡环；所述电机的转动轴与上液桥柱杆连接。 | ||||||
| 290 | 一种用于减轻雾霾的冷云催化剂 | CN201610511838.6 | 2016-07-04 | CN105903427A | 2016-08-31 | 韩颖慧; 尹钧毅; 李玉娟 |
| 本发明公开了一种用于减轻雾霾的冷云催化剂，所述用于减轻雾霾的冷云催化剂为AgI，所述AgI晶体表面有具备静电效应的晶须，将AgI用激光以5?50 mJ的脉冲能量诱导AgI晶体薄膜，使其结构发生改变，进而促进晶须的增长，最终得到本发明的具备静电效应的晶须的用于减轻雾霾的冷云催化剂。本发明的用于减轻雾霾的冷云催化剂对PM2.5等细颗粒物就有良好的吸附效用。 | ||||||
| 291 | 用垂直于分离面的激光束分离半导体晶体的表面层的方法 | CN201180066293.8 | 2011-11-29 | CN103459082B | 2016-08-31 | 尤里·杰奥尔杰维奇·施赖特尔; 尤里·托马索维奇·列巴涅; 阿列克谢·弗拉基米罗维奇·米罗诺夫 |
| 本发明提供了分离半导体晶体（101）的表面层（307）的方法的两个变型。在该方法的第一变型中，聚焦激光束（102）被引导到晶体（101）上，使得焦点位于垂直于所述光束（102）的轴线（103）的层分离平面（304）中，使激光束（102）运动，以便在从晶体（101）的开放侧表面深入晶体的方向上用焦点扫描层分离平面（304），以形成连续狭缝，该连续狭缝的宽度随着激光束（102）的每次经过而增大，前面的操作被执行直至表面层（307）分离。在该方法的第二变型中，产生脉冲激光发射；聚焦激光束被引导到晶体上，使得焦点位于垂直于所述光束的轴线的层分离平面中，使激光束运动，使得焦点在层分离平面中运动，从而形成具有晶体结构的受扰拓扑并且具有减少的原子间键的非重叠局部区域，其中所述局部区域分布在整个所述平面上，扰乱所述减少的原子间键的外部作用被施加到可分离层上。 | ||||||
| 292 | 扩散用高温炉 | CN201610480202.X | 2016-06-27 | CN105887205A | 2016-08-24 | 吕耀安 |
| 本发明公开了一种扩散用高温炉，包括底座和石英管炉腔；石英管炉腔安装于底座之上；石英管炉腔为竖直柱状，其顶部设置有两个开口；石英管炉腔内设置有热电偶测量装置，热电偶测量传输线路通过第一开口传输至位于石英管炉腔外部的温度控制器；还包括多个加热器和多组热阻丝；多个加热器均与温度控制器相连接；每个加热器上对应连接有一组热阻丝；每组热阻丝螺旋状缠绕在石英管炉腔之外；相邻的热阻丝间隔距离相等；工艺气体通过气流控制器，进而通过第二开口输入石英管炉腔；底座上设置有气体出口；气体出口处安装有压力控制器。本发明在石英管炉腔外间隔均匀的设置有多组热阻丝，所以可以达到对石英管炉腔进行均匀加热的效果。 | ||||||
| 293 | 掺稀土激活离子硅酸镁钙激光晶体及其制备方法和用途 | CN201610230259.4 | 2016-04-14 | CN105887202A | 2016-08-24 | 黄溢声; 苑菲菲; 孙士家; 张莉珍; 林州斌 |
| 本发明涉及一种掺Ln3+稀土激活离子硅酸镁钙激光晶体的生长方法和用途，Ln3+＝Nd、Yb，Tm，Dy，Er和Ho。该晶体属于单斜晶系，空间群为C12/c1，晶胞参数为β＝105.97°，Z＝4，Dc＝3.271g/cm3。三价稀土离子能取代晶体中二价钙离子的格位。该化合物为同成分熔化化合物，熔点1500℃，易于用提拉法生长出高光学质量和大尺寸的晶体。该类晶体可作为激光晶体。用该晶体制成的激光器有望产生高效激光，在社会生产、军事、医学、科学等领域有重要的应用。 | ||||||
| 294 | 一种铥钬共掺镓酸锶镧激光晶体、制造方法及其应用 | CN201610379258.6 | 2016-05-31 | CN105887200A | 2016-08-24 | 张园园; 王旭平; 吕宪顺; 刘冰; 杨玉国; 魏磊 |
| 一种铥钬共掺镓酸锶镧激光晶体、制造方法及其应用，所述晶体的化学式为：Tm，Ho：SrLaGa3O7，属于四方晶系，空间群为所述晶体以SrCO3，La2O3，Ga2O3，Tm2O3和Ho2O3为原料按照提拉法进行生长，所述晶体用于固体激光器中作为激光工作物质，使用激光二极管或钛宝石激光器作为泵浦源，激发产生2μm波段连续、可调谐以及超短脉冲的激光输出。从而实现2μm波段激光发射。 | ||||||
| 295 | 用VGF法生长锗单晶体的预清洗方法 | CN201610439088.6 | 2016-06-20 | CN105887195A | 2016-08-24 | 肖祥江; 李苏滨; 惠峰; 李雪峰; 柳廷龙; 李武芳; 周一; 杨海超; 候振海; 囤国超; 田东 |
| 本发明属于锗单晶体生长技术领域，特别涉及用VGF法生长锗单晶体的预清洗方法。本发明公开了用VGF法生长锗单晶体的预清洗方法，其特征在于对锗锭、石英管、PBN坩埚及籽晶腐蚀清洗，具体包括用第一、二、三、四、五溶液分别对锗锭、石英管、PBN坩埚及籽晶腐蚀，然后用去离子水清洗，用无水乙醇脱水，通过上述步骤，可实现后续使用VGF法生长出的锗单晶体不受杂质影响，保证了锗单晶片的质量。 | ||||||
| 296 | 一种n型单晶硅的生长方法 | CN201610364056.4 | 2016-05-30 | CN105887194A | 2016-08-24 | 张俊宝; 刘浦锋; 宋洪伟; 陈猛 |
| 本发明提供一种n型单晶硅生长方法，选择P作为n型单晶硅的主掺杂元素，且在单晶硅生长过程中加入，加入具有相反作用的Ga作为半导体单晶硅副掺杂元素，抵消单晶硅中P浓度增量，控制单晶硅生长过程中的电阻波动。同时当单晶硅的重量达到特定要求时，一次或多次加入副掺杂元素Ga，可进一步精确控制单晶硅中的共掺杂元素综合浓度，减小电阻率的波动，也可以避免副掺杂元素的挥发性对熔体中掺杂元素浓度的影响，提高单晶硅生长的良品率。 | ||||||
| 297 | 一种新型节能蓝宝石长晶热场的设计及应用 | CN201610412962.7 | 2016-06-14 | CN105887189A | 2016-08-24 | 赵能伟 |
| 本发明属于晶体材料的生长技术领域，主要涉及蓝宝石温场设计、保温材料结构设计与选材、钨坩埚外形设计以及工艺技术。本发明提供了一种用于高质量、低能耗的蓝宝石晶体生长热场设计及应用。采用复合保温材料和结构设计以及变径式加热器，将蓝宝石长晶的热场成本、能耗大幅度降低；通过对钨坩埚的设计，使得晶体生长外形呈等柱状，提升了晶体利用率；炉底铺垫一层保温材料，能减缓溢流等异常情况发生时的危害，增加了超高温长晶炉的使用安全性。 | ||||||
| 298 | 半导体晶棒熔炼拉晶装置和熔炼拉晶的方法 | CN201610302456.2 | 2016-05-10 | CN105887184A | 2016-08-24 | 陈磊; 陈建民; 赵丽萍; 钱俊有; 张文涛; 蔡水占; 张会超; 王东胜 |
| 本发明涉及半导体致冷件的原材料—晶棒的生产技术领域，名称是半导体晶棒熔炼拉晶装置和熔炼拉晶的方法，半导体晶棒熔炼拉晶装置，包括机座，在机座上具有可以升降的主立杆，主立杆和机座上有拉晶管的固定夹具，在机座上还有副立杆，副立杆上有升降动力装置，升降动力装置连接电磁加热线圈，电磁加热线圈内部具有套接在拉晶管外面的结构，在所述的电磁加热线圈内部和盛装拉晶管外面还安装有不锈钢套管；半导体晶棒熔炼拉晶的方法，它包括以下步骤：a、将三碲化二铋原材料放置在拉晶管中；b、将步骤1中的产品放置在不锈钢管中；c、将步骤b中的产品放置在电磁圈的环境中加热拉晶，温度是680?720℃，时间是180?200S，可以得到拉晶的产品。可以得到受热更均匀、品质更好的晶棒。 | ||||||
| 299 | 能够减少截面变化铸件中雀斑的定向凝固方法 | CN201610436684.9 | 2016-06-17 | CN105880533A | 2016-08-24 | 李秋东; 沈军; 秦岭 |
| 一种能够减少截面变化铸件中雀斑的定向凝固方法，通过在截面变化铸件的模壳顶部添加辐射挡板,提高冷却速率或凝固速率，达到消除雀斑的目的。本发明通过辐射挡板将上部加热体的辐射热阻挡，减少液相吸收的热量，使铸件上的冷却速率得到提高，从而可使枝晶组织得到细化，热质对流流动阻力增大，而凝固速率提高的结果，使枝晶生长速率大于枝晶间的流动速率的可能性增大。本发明提高铸件凝固过程中的冷却速率及凝固速率，降低了雀斑的形成倾向。具体应用实施简单易行，材料来源广，耗费少，并且无需改变原有的模壳。 | ||||||
| 300 | 形成金属纳米线或金属纳米网的方法 | CN201380051331.1 | 2013-09-05 | CN104718154B | 2016-08-24 | 韩阳奎; 李济权; 李显振; 金鲁马; 尹圣琇; 申恩知 |
| 本发明涉及形成金属纳米线或金属纳米网的方法。更具体地，本发明涉及形成金属纳米线或金属纳米网的方法，其能够通过更简化的方法将各种金属纳米线或金属纳米网形成期望的形状。所述形成金属纳米线或金属纳米网的方法包括以下步骤：在基底上形成嵌段共聚物薄膜，该嵌段共聚物包括预定的硬链段以及含有一种或更多种选自以下的聚合物重复单元的软链段：基于聚(甲基)丙烯酸酯、基于聚环氧烷、基于聚乙烯基吡啶、基于聚苯乙烯、基于聚二烯及基于聚内酯的重复单元；将嵌段共聚物薄膜中的所述硬链段和软链段排列为层状或柱形；选择性除去所述软链段；在所述硬链段上吸附金属前体；以及除去所述硬链段。 | ||||||
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