| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 341 | Bi置换稀土类铁石榴石单晶和光学器件 | CN201180061324.0 | 2011-12-23 | CN103282556B | 2016-06-29 | 白木健一; 福原贵志; 成田宪士 |
| 本发明提供一种使用铂制坩埚制成且不含有铅，也不会发生质量恶化且批量生产率高，并且IL(插入损耗)在0.10dB以下的石榴石单晶；在具有以R3-xBixFe5-wAwO12(R是选自由Tb、Y、Eu、Gd、Ho、Yb、Lu、Nd、Tm、La、Sm、Dy、Er、Ce、Pr组成的组中的一种或两种以上的稀土类元素且一定包含Tb，A是选自由Ga、Al、In、Sc、Co、Ni、Cr、V、Ti、Si、Ge、Mg、Zn、Nb、Ta、Sn、Zr、Hf、Pt、Rh、Te、Os、Ce、Lu组成的组中的一种或两种以上的元素，x为0.7＜x≤1.5、w为0＜w≤1.5)表示的组成的Bi置换稀土类铁石榴石单晶中，不含有Pb而含有Pt，进而含有Mn或第二族元素中的至少一种元素，在将Mn或第二族元素中的至少一种元素表示为M、将Bi置换稀土类铁石榴石单晶中的M浓度(atppm)表示为[M]、Pt浓度(atppm)表示为[Pt]、且将[M]与[Pt]的关系式Δ表示为Δ＝[M]-(α×[Pt])时，将系数α设定为0.91±0.05的数值范围内的任意值，且将Δ值设定为-7.23atppm以上1.64atppm以下。 | ||||||
| 342 | 一种PVT法生长碳化硅单晶时随炉退火的方法 | CN201610241793.5 | 2016-04-19 | CN105696082A | 2016-06-22 | 刘欣宇; 陈颖超; 张云伟; 何丽娟; 靳丽婕; 郭希; 程章勇 |
| 本发明公开了一种PVT法生长碳化硅单晶时随炉退火的方法，为该方法配备一晶体生长用单晶炉，该方法包括如下步骤：步骤1）调整所述保温结构使所述发热筒内得到理想的温区分布，在所述坩埚内进行碳化硅晶体生长；步骤2）碳化硅晶体生长完成后，使用所述提拉机构控制所述坩埚，将其移至所述发热筒内低于晶体生长温度的区域；步骤3）待晶体温度恒定后，启动温控程序将单晶炉内温度缓慢降至室温，降温后出炉、取锭。以此达到去除晶体内部应力的目的。 | ||||||
| 343 | 锑化铝材料的制备方法 | CN201610168862.4 | 2016-03-23 | CN105696081A | 2016-06-22 | 王涛; 殷子昂; 赵清华; 代书俊; 王维; 陈炳奇; 李洁; 介万奇 |
| 本发明公开了一种锑化铝材料的制备方法，用于解决现有制备的锑化铝材料电阻率低的技术问题。技术方案是以高纯铝与高纯锑为原材料，采用化学腐蚀方法除去铝表面氧化层，然后将按一定摩耳比配置的原材料放置于氮化硼坩埚中，再将氮化硼坩埚放置于石英坩埚中，抽真空，封接，采用在合料炉中使用温度振荡的方法进行合成，最后采用布里奇曼法在晶体生长炉中进行生长。由于氮化硼化学稳定性高，与铝反应速率极慢，且与AlSb同属III-V族化合物，氮元素与硼元素在AlSb晶体中没有活性施主与受主能级，无恶化电阻率的杂质，锑化铝材料电阻率由背景技术的105Ω·cm提高到109Ω·cm，空穴的霍尔迁移率达到382cm2V-1S-1。 | ||||||
| 344 | 一种铬、铥、钬掺杂钽酸钇发光材料及其晶体生长方法 | CN201610087435.3 | 2016-02-16 | CN105696076A | 2016-06-22 | 张庆礼; 林东晖; 刘文鹏; 孙贵花; 罗建乔; 彭方; 殷绍唐; 窦仁勤 |
| 本发明公开一种铬、铥、钬掺杂钽酸钇发光材料，由以下化学式组成：CrxTmyHozY1-x-y-zTaO4，0＜x≤0.2，0.0001≤y≤0.1，0.0001≤z≤0.1。本发明还公开上述铬、铥、钬掺杂钽酸钇发光材料的晶体生长方法，包括：将含铬化合物、含铥化合物、含钬化合物、含钇化合物、含钽化合物混合均匀，进行合成反应得到化学式为CrxTmyHozY1-x-y-zTaO4的多晶原料；将化学式为CrxTmyHozY1-x-y-zTaO4的多晶原料进行压制得到生长晶体原料；将生长晶体原料加热至熔融状态得到晶体生长初始熔体，然后采用熔体法晶体生长方法进行生长得到铬、铥、钬掺杂钽酸钇发光材料。 | ||||||
| 345 | 一种铬、铥、钬掺杂铌酸铋发光材料及其晶体生长方法 | CN201610069217.7 | 2016-01-28 | CN105696074A | 2016-06-22 | 张庆礼; 林东晖; 刘文鹏; 孙贵花; 罗建乔; 彭方; 殷绍唐; 窦仁勤 |
| 本发明公开一种铬、铥、钬掺杂铌酸铋发光材料，由以下化学式组成：CrxTmyHozBi1-x-y-zNbO4，0＜x≤0.2，0.0001≤y≤0.1，0.0001≤z≤0.1。本发明还公开上述铬、铥、钬掺杂铌酸铋发光材料的晶体生长方法，包括：将含铬化合物、含铥化合物、含钬化合物、含铋化合物、含铌化合物混合均匀，进行合成反应得到化学式为CrxTmyHozBi1-x-y-zNbO4的多晶原料；将化学式为CrxTmyHozBi1-x-y-zNbO4的多晶原料进行压制得到生长晶体原料；将生长晶体原料加热至熔融状态得到晶体生长初始熔体，然后采用熔体法晶体生长方法进行生长得到铬、铥、钬掺杂铌酸铋发光材料。 | ||||||
| 346 | 一种可有效解决泡生法晶体开裂的工艺方法 | CN201610173841.1 | 2016-03-23 | CN105696071A | 2016-06-22 | 余剑云; 李庆跃; 李凯; 张会选; 徐峰 |
| 本发明公开了一种可有效解决泡生法晶体开裂的工艺方法，具体包括晶体生长过程中防止晶体底部大面积粘埚及生长结束后脱埚的工艺方法，本发明通过在等径生长后期对提拉速率、降温速率的控制，使得晶体长速变缓，接着通过调节电压值和操控提拉杆，使得晶体与坩埚壁相脱离。本发明可有效防止生长晶体底部大面积粘埚的发生，并且晶体直径一致性好，由于在冷却过程中晶体与坩埚壁分离，因而减小了晶体的热应力，大大降低了晶体开裂的概率，提高晶体的成品率和取材率，有利于减少生长周期，降低生产成本。 | ||||||
| 347 | 使用热梯度控制的大块氮化铝单晶的生长 | CN201180032355.3 | 2011-06-30 | CN103038400B | 2016-06-22 | R·T·邦杜库; S·P·拉奥; S·R·吉布; L·J·斯高沃特 |
| 在各种实施方案中，在半导体晶体的形成过程中大致平行和大致垂直于生长方向的非零热梯度在生长室内例如通过在生长室外安排热屏蔽层的方式形成，其中两个热梯度（平行比垂直）的比率小于10。 | ||||||
| 348 | 半导体晶片以及制造该半导体晶片的方法 | CN201480052751.6 | 2014-09-11 | CN105684125A | 2016-06-15 | S·B·塔帕; 赵明; P·施托克; N·维尔纳 |
| 本发明涉及一种半导体晶片以及一种生产该半导体晶片的方法。所述半导体晶片包含单晶硅衬底，该单晶硅衬底具有上表面和覆盖该上表面的堆叠层，所述堆叠层包含：覆盖单晶硅衬底的上表面的AlN成核层，其中该单晶硅衬底的上表面的晶格取向相对于{111}-平面是取向偏离的，该上表面的法线相对于<111>-方向，朝向<11-2>-方向的倾斜的角度θ不小于0.3°且不大于6°，所述倾斜的方位角公差是±0.1°；以及覆盖AlN成核层并且包含一个或多个AlxGa1-xN层的AlGaN缓冲层，其中0＜x＜1。 | ||||||
| 349 | 坩埚以及使用了该坩埚的单晶蓝宝石的制造方法 | CN201480059447.4 | 2014-10-24 | CN105683425A | 2016-06-15 | 深谷芳竹; 加藤昌宏; 渡边慎; 冈本谦一; 后藤亮 |
| 目的在于提供钼或其合金制的坩埚，其能够高效率地制造大的单晶蓝宝石。具有：有底圆筒形状的下部坩埚(10)，其设置有开口(11)；以及上部坩埚(20)，其与开口(11)嵌合，上部坩埚(20)通过将钼或其合金制的板材(23)弯曲并将板材的两端部接合而形成。下部坩埚(10)通过将钼或其合金制的板材(13)拉深加工而形成，在开口(11)设置有向圆筒的外周方向延伸的、在圆周方向上连续的下部坩埚侧凸缘部(12)。 | ||||||
| 350 | 一种单晶炉的炉盖 | CN201610151794.0 | 2016-03-16 | CN105671643A | 2016-06-15 | 潘清跃; 王平 |
| 本发明涉及一种单晶炉的炉盖，包括炉盖主体、过流阀、出气管、气体处理装置和定位机构，所述的炉盖主体呈向上凸的弧形，所述的炉盖主体内设置有空心腔体，所述的炉盖主体下端的两侧设置有连接座，所述的炉盖主体通过两侧的连接座安装在炉体的上沿处，所述的炉盖主体的弧形内壁上开设有过流通道，所述的过流通道与空心腔体相连通，所述的过流阀安装在过流通道内，所述的出气管穿过炉盖主体的上侧壁与空心腔体相连通，所述的气体处理装置安装在出气管的出气口处，所述的定位机构设置在连接座与炉体的上沿之间。本设计具有结构简单、易于制造和实用高效的优点。 | ||||||
| 351 | 一种太阳能光伏电池硅片制绒液 | CN201610234684.0 | 2016-04-15 | CN105671642A | 2016-06-15 | 林淑录 |
| 本发明公开了一种太阳能光伏电池硅片制绒液，制绒液由制绒剂和氧化剂组成，制绒剂包括氢氧化钠、硅酸钠、醋酸钠、乙醇、异丙醇、乳酸和纯水；制绒剂与氧化剂分开包装，制绒剂先使用进行初步制绒处理，氧化剂后使用进行制绒修饰；制绒剂与氧化剂的使用体积比为1:1～4，制绒剂中各组分的质量百分比组成为：氢氧化钠0.2％～0.5％、硅酸钠0.2％～0.5％、醋酸钠0.2％～0.5％、乙醇2％～5％、异丙醇2％～5％、乳酸0.03％～0.04％，其余为纯水；氧化剂为双氧水溶液或次氯酸钠溶液。本发明制绒效果好、能够对太阳能硅片进行均匀稳定精细处理，且对硅片的损伤率低。 | ||||||
| 352 | 用于制造第III族氮化物半导体的方法及所使用的坩埚 | CN201510849405.7 | 2015-11-27 | CN105671639A | 2016-06-15 | 山崎真辉; 守山实希 |
| 本发明公开了用于制造第III族氮化物半导体的方法及所使用的坩埚。本发明的目的是通过助熔剂法在GaN晶体的生长中抑制宏观台阶生长。作为当通过Na助熔剂法生长GaN晶体时保持熔体的坩埚，坩埚由氧化铝制成并且通过石膏模铸造法制造。使用在其内壁上存在有异常生长的氧化铝晶粒并且异常生长的氧化铝晶粒的最大粒径不小于10μm的坩埚。当选择并且使用这种坩埚时，能够抑制宏观台阶生长，由此提高GaN晶体品质。 | ||||||
| 353 | 一种大直径尺寸SiC籽晶的制备方法 | CN201610114650.8 | 2016-03-01 | CN105671638A | 2016-06-15 | 彭燕; 陈秀芳; 徐现刚; 胡小波 |
| 本发明涉及一种大直径尺寸SiC籽晶的制备方法，它包括：将小直径SiC籽晶进行修整切割；采用密排拼接方式粘结固定在籽晶托上，形成第一层籽晶，在第一层籽晶的小直径SiC籽晶之间的缝隙上方再粘结固定第二层籽晶，使第二层籽晶覆盖第一层籽晶形成的缝隙，形成双层拼接排列籽晶，然后进行抛光，进行退火，促进侧向生长，制得完整的大直径尺寸SiC籽晶。本发明的制备方法，减小了大直径尺寸SiC衬底中内应力进而提高了大直径尺寸SiC衬底质量。相对现有技术简单易行并相对传统扩径方法能够实现SiC衬底直径的快速增加，效率高，且成功率高。 | ||||||
| 354 | 一种可吸收蓝光的蓝宝石晶体及其应用 | CN201610074181.1 | 2016-02-02 | CN105671635A | 2016-06-15 | 唐慧丽; 徐军; 罗平 |
| 本发明涉及一种可吸收蓝光的蓝宝石晶体及其应用，所述的蓝宝石晶体的化学组分包括氧化铝，以及掺杂的过渡金属离子，所述的过渡金属离子选自Cr3+、Ni2+或V3+中的一种或几种；上述蓝宝石晶体采用与常规蓝宝石晶体相似的制备工艺即可得到；制得的蓝宝石晶体可用于制备智能手表或手机等的屏幕。与现有技术相比，本发明的蓝宝石晶体可有效的吸收蓝光，制备工艺简单，制得的蓝宝石晶体用于制备智能手表或手机等屏幕时，可以实现蓝宝石晶体屏幕对蓝光的吸收，达到保护人眼的目的。 | ||||||
| 355 | 一种改变载气流向的引流装置 | CN201610082942.8 | 2016-02-03 | CN105671633A | 2016-06-15 | 陈鸽; 其他发明人请求不公开姓名 |
| 本发明属于多晶铸锭设备领域，具体公开了一种改变载气流向的引流装置，包括依次固定连接的进气部、分流部和引流部，进气部内置用于载气流入的进气孔，分流部内置分流腔，引流部由至少一条用于改变载气流向的引流气道构成，所述进气孔和分流腔连通，引流气道的进气口和分流腔连通，出气口沿着周向按同方向的角向分布。本发明引流装置具有通向铸锭炉内的视场，引流装置使载气分散地吹射液态硅表面的不同区域，增加载气和液态硅表面的接触面积，减少载气导致的局域过冷及载气促进的杂质形成；载气驱动液态硅中产生旋转流场，在自然对流流场和旋转流场的共同作用下，促进杂质挥发，减少液态硅中的杂质局域富集，使晶体的径向电阻率分布更均匀。 | ||||||
| 356 | 辐射探测用的碘化物闪烁体 | CN201610017168.2 | 2011-05-10 | CN105670627A | 2016-06-15 | 杨侃; M·朱拉夫勒瓦; C·L·梅彻尔; P·斯祖伊茨恩斯基 |
| 本发明涉及辐射探测用的碘化物闪烁体。具体地，在一个方案中，本公开内容公开了具有式AM1-xEuxI3、A3M1-xEuxI5和AM2(1-x)Eu2xI5组成的碘化物闪烁体材料单晶，其中A基本由任何碱金属元素（如Li、Na、K、Rb、Cs）或其任意组合组成，和M基本由Sr、Ca、Ba或其任意组合组成，且0≤x≤1。在另一方案中，上述单晶碘化物闪烁体材料能够通过首先合成具有上述组成的化合物，然后通过例如垂直梯度凝固法由合成的化合物形成单晶。碘化物闪烁体材料的应用包括辐射探测和它们用于医学和安全成像的用途。 | ||||||
| 357 | 制造结晶硅锭的设备 | CN201280019569.1 | 2012-04-18 | CN103547712B | 2016-06-15 | 叶戈尔·弗拉基米罗夫; 亚历山大·泰克西拉; 凯·约翰森; 普里亚·霍马尤尼法尔 |
| 本发明涉及通过定向凝固制造结晶硅锭的设备，其中结晶炉的熔体和碳质结构件通过应用气体管路而受保护以免受所述熔体的烟雾影响，所述气体管路将所述烟雾直接引出所述炉子的定向凝固隔室。 | ||||||
| 358 | 多晶硅锗合金及其制备方法 | CN200911000089.7 | 2009-12-11 | CN101787565B | 2016-06-15 | L·法布里; M·索芬 |
| 本发明涉及具有0.5m至4m的长度且具有25mm至220mm的直径的棒，其中，该棒包括由0.1至50mol％的锗和99.9至50mol％硅构成的高纯度合金，该合金沉积在细硅棒或细硅锗合金棒上，该合金具有多晶结构。 | ||||||
| 359 | 一种蓝宝石衬底回收再利用方法 | CN201610129077.8 | 2016-03-08 | CN105655453A | 2016-06-08 | 马后永; 琚晶; 游正璋; 李起鸣; 谢静超 |
| 本发明针对蓝宝石衬底回收再利用的现有技术存在的回收成本较高、处理过程复杂问题，提供了一种蓝宝石衬底回收再利用方法，本方法对图形化蓝宝石衬底和蓝宝石平衬底都可以进行回收再利用，只需要两个步骤：高温烘烤和浓酸高温清洗。该方法流程简单、容易操作、回收周期短、回收效率高，能大大降低回收成本。 | ||||||
| 360 | 液相生长氮化镓晶体的装置 | CN201610140081.4 | 2016-03-12 | CN105648533A | 2016-06-08 | 陈蛟; 罗睿宏; 巫永鹏; 张国义 |
| 本发明一种液相生长氮化镓晶体的装置，包括：反应釜、置于反应釜外的加热装置、放置于反应釜内的坩埚、坩埚内装的生长溶液和籽晶、及电磁感应驱动搅拌装置。所述搅拌装置，有两种：第一种为电磁感应装置驱动搅拌器旋转型，第二种为电磁感应装置驱动坩埚旋转型；所述电磁感应装置，由置于反应釜外的外部线圈装置及与其连接的交变电源、与搅拌器或坩埚固定连接的内部线圈装置组成。本发明，电磁感应驱动搅拌装置，可使晶体生长溶液混合均匀，搅拌可控，利于晶体均匀生长，较实用。 | ||||||
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