| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 161 | 一种蓝宝石泡生法长晶加热功率控制装置 | CN201710081180.4 | 2017-02-15 | CN106591940A | 2017-04-26 | 刘伯彥; 王晓靁 |
| 本发明公开一种蓝宝石泡生法长晶加热功率控制装置，由计算机、晶体重量量测设备、功率量测监控仪、系统变压器、长晶炉SCR、二次侧负载端加热器、PPi及ST2组成，供电端依次连接系统变压器、长晶炉SCR与二次侧负载端加热器，用于量测和回馈加热器功率数值的功率量测监控仪连接在二次侧负载端加热器和计算机之间，用于量测和回馈加热器电压数值的PPi连接在二次侧负载端加热器和计算机之间，晶体重量量测设备也与计算机连接，计算机依次通过PPi和ST2与长晶炉SCR连接。本发明增加一组二次侧负载端加热器的功率量测监控仪，用于量测并回馈功率值到计算机，去防止用电功率的不稳定性，使功率控制稳定，提高晶体成品率及良率。 | ||||||
| 162 | 一种高纯金属铀的提炼方法 | CN201611247252.X | 2016-12-29 | CN106591938A | 2017-04-26 | 石翠玲 |
| 本发明公开了一种高纯金属铀的提炼方法，属于金属冶炼技术领域。将铀矿石置于硫酸溶液中进行微波处理，然后加入相应的阴阳离子交换树脂除去铀矿石中的磷、钒、锌、硼、钼等杂质，利用低温高频电场产生等离子电弧，在外磁场的作用下引入氩气和氢气的混合气，在氩等离子体和氢等离子体的双重作用下进行连续提炼，得到电子级纯铀，最后经过直拉单晶和高精度的切割得到高纯金属铀。本发明进一步提高了金属铀的纯度，解决了传统复杂的铀提炼行业高能耗、高污染、高成本及纯度低的问题，可操作性强，提炼效率高，值得推广应用。 | ||||||
| 163 | 单晶硅及其制造方法 | CN201410329579.6 | 2014-07-11 | CN104278321B | 2017-04-26 | 永井勇太; 中川聪子; 鹿岛一日儿 |
| 本发明涉及通过CZ法提供能够适用于面向高电压的IGBT用硅基板的低碳浓度的单晶硅及其制造方法。以碳浓度1.0×1015atoms/cm3以下的多晶硅为原料，对原料熔液2施加横向磁场，并使石英坩埚3的转速为5.0rpm以下，在从原料熔液表面起直至下述Y的20～50%的位置处以下述式（1）所示的流速A［m/sec］通入惰性气体，Q：惰性气体的流量［L/min］P：炉内压力［托］X：防辐射罩的开口部直径［mm］Y：从原料熔液表面起直至防辐射罩下端的距离［mm］α：校正系数直至结晶固化率30%的时刻，使流速A为0.2～5000/d［m/sec］（d：结晶直体部直径［mm］），并且使侧部加热器4和底部加热器5的合计动力的降低率为3～30%、侧部加热器4的动力的降低率为5～45%。 | ||||||
| 164 | 加热用于半导体材料的生长的炉 | CN201280036423.8 | 2012-07-19 | CN103781946B | 2017-04-26 | 佩尔·巴克; 叶戈尔·弗拉基米罗夫; 普里亚·霍曼约尼法; 亚历山大·特谢拉 |
| 用于晶体半导体材料的生长的多铸锭炉具有用于加热热区的一个或多个加热设备，在所述热区中接纳有包含半导体材料的坩埚。至少一个加热设备被布置成施加预定的有差异的热通量分布横过一个或多个坩埚中的半导体材料的水平截面，所述预定的有差异的热通量分布是根据阵列中一个或多个坩埚的位置来选择的。以此方式，加热设备能够至少部分地补偿由于半导体材料在炉中的几何位置所引起的横过半导体材料的温度差。这降低了在晶体半导体材料生长期间诸如位错等缺陷出现的可能性。还公开了相关的方法。 | ||||||
| 165 | 熔融设备 | CN201310133094.5 | 2013-04-17 | CN103572375B | 2017-04-26 | N·斯托达德 |
| 一种用于硅熔融的设备（1），包括用于保持硅块（2）的容器和至少一个用于加热容器内部的硅的装置（3），其中容器包括用于保持硅块（2）的沿纵向（5）延伸的管（4）和底部（6），其中管（4）布置在底部（6）上，其中底部（6）包括至少一个用于放出熔融硅（8）的出口（7），并且其中用于加热的装置（3）包括至少一个线圈（9）。 | ||||||
| 166 | 晶体 | CN201310248053.0 | 2008-06-04 | CN103361713B | 2017-04-26 | S·艾希勒; T·宾格尔; M·布特; R·吕曼; M·舍费尔-奇甘 |
| 本发明涉及一种晶体，包括半导体材料砷化镓，所述晶体具有位错密度的一种分布并且代表位错密度的腐蚀坑密度的全局的标准偏差在垂直于晶体纵轴线的平面内小于晶体的腐蚀坑密度的平均值的17.6%，其中全局的标准偏差的确定基于特征长度5mm；并且所述晶体具有电阻率的一种分布并且全局的标准偏差在垂直于晶体纵轴线的平面内小于晶体的电阻率的平均值的5.3%，其中全局的标准偏差的确定基于特征长度10mm。 | ||||||
| 167 | 荧光播种的纳米棒的图案 | CN201580038293.5 | 2015-07-14 | CN106574182A | 2017-04-19 | 乌里·巴尼恩; 沙洛莫·马格达希; 沙伊·谢梅什; 希拉·哈里弗尼; 叶连娜·维内特斯基 |
| 本发明提供用于制造包含纳米棒、同时减少颗粒间相互作用的图案和物体的新颖的装置。 | ||||||
| 168 | 一种改善冶金法多晶硅生长界面的方法 | CN201611026912.1 | 2016-11-22 | CN106567125A | 2017-04-19 | 张发云; 袁秋红; 饶森林; 王发辉; 龚洪勇; 胡云 |
| 一种改善冶金法多晶硅生长界面的方法，包括：(1)将多晶硅硅料装入高纯石英坩埚放入定向凝固炉中，抽真空至炉内真空度<10Pa；(2)将炉温升至1450‑1550℃，熔化硅料；(3)对硅料外场处理，磁强0.15‑0.5T，10‑30 min；随后炉体以5‑10℃/min降温，炉体运动部分以5‑10 mm/h下移，硅熔体脱离加热器长晶，1100‑1200℃时关闭磁场；(4)长晶后，炉体运动部分以2‑4mm/s上升至炉腔中初始位置，后将温度升至1250‑1350℃，保温2‑5h后冷却，冷却速率<4℃/min。本发明采用外加静态磁场来调控硅料生长过程中固液界面形态，得到平滑的固液界面，获得了理想的柱状晶粒组织，改善了硅锭质量；工艺环境更友好，与企业现有技术兼容，适用于规模化生产。 | ||||||
| 169 | 平坦的SiC半导体基板 | CN201380060888.1 | 2013-09-10 | CN104813439B | 2017-04-12 | M·罗伯达; 克里斯多佛·帕菲纽克 |
| 本发明涉及用于制造具有优异的弯曲度、翘曲度、总厚度变化(TTV)、局部厚度变化(LTV)和部位正面最小二乘焦平面范围(SFQR)技术规格的碳化硅晶片的方法。所得的SiC晶片具有适合SiC的外延沉积的镜状表面。在增添所述外延层后，所述弯曲度、翘曲度、总厚度变化(TTV)、局部厚度变化(LTV)和部位正面最小二乘焦平面范围(SFQR)技术规格得以保持。 | ||||||
| 170 | 大尺寸板状Ce3+离子掺杂的稀土正硅酸盐系列闪烁晶体水平定向凝固制备方法 | CN201510060384.0 | 2015-02-05 | CN104630878B | 2017-04-12 | 丁雨憧 |
| 本发明公开了一种大尺寸板状Ce3+离子掺杂的稀土正硅酸盐系列闪烁晶体水平定向凝固制备方法，通过加热使单晶炉内形成不同的温区，使预结晶料处于熔融态形成熔体的温区为高温区，使熔融态原料结晶处于单晶态的温区为低温区，熔融态与单晶态的过渡区域自然形成温梯区；然后水平移动装有原料的坩埚，使坩埚依次从高温区、温梯区和低温区按设定的速度通过，最后退火冷却即可。本发明采用水平定向凝固法制备Ce3+:Re2SiO5系列闪烁晶体，具有尺寸大、缺陷低、品质高、Ce3+离子浓度分布更均匀、利用率高、能耗少等突出优点。 | ||||||
| 171 | 固体氧化物的加工方法及其装置 | CN201280060235.9 | 2012-12-05 | CN104023889B | 2017-04-12 | 山内和人 |
| 本发明提供一种能够不使用一切以稀土为主的研磨剂、研磨颗粒，并且不使用一切氟化氢等操作困难、环境负担大的溶液，对光学玻璃材料等固体氧化物可以不导入加工变质层而进行加工的固体氧化物的加工方法及其装置。在水(1)的存在下，以通过氧结合了1种或2种以上的元素的固体氧化物作为被加工物，作为加工基准面(3)使用帮助水分子解离、切断构成固体氧化物的氧元素与其它元素的反向键并吸附、通过水解生成分解产物的催化剂物质，在水的存在下，使被加工物(5)与加工基准面接触或配置得非常接近，使加工基准面的电位为不产生H2和O2的范围，使被加工物与加工基准面相对运动，从被加工物表面除去分解产物。 | ||||||
| 172 | 一种单晶硅的生产方法和生产设备 | CN201510638189.1 | 2015-09-30 | CN106555224A | 2017-04-05 | 曹文兴; 朱伟 |
| 本发明公开了一种单晶硅的生产方法和生产设备。本发明以中频等离子炉、多晶硅铸锭炉、单晶炉为生产设备的单晶硅生产方法。中频等离子炉充分利用等离子炉和中频感应炉的优点、用氩气作为等离子体的工作气体达到真空冶炼。精炼提纯后的熔硅直接注入多晶硅铸锭炉。经过这一过程实现P、B、C、O、Fe、Al、Ca等杂质的脱杂，生产出原料多晶硅。再用通用设备单晶炉将原料多晶硅生产成最终产品单晶硅。本发明具有设备结构及工艺简短、低投入、低能耗、低成本、无污染、高质量、高收益、抗御风险能力强等特点。 | ||||||
| 173 | 4-(4-二甲基氨基苯乙烯基)甲基吡啶3-羧基-4-羟基苯磺酸盐的合成以及晶体制备方法 | CN201510616636.3 | 2015-09-24 | CN106554304A | 2017-04-05 | 周在国; 杨洲 |
| 本发明公开一种4-(4-二甲基氨基苯乙烯基)甲基吡啶3-羧基-4-羟基苯磺酸盐的合成以及晶体制备方法。其中，采用缓慢降温和缓慢蒸发混合使用的方法生长DSCHS二阶非线性光学晶体，首先以缓慢降温的方法，将自发成核形成的晶核作为晶种，可排除外加晶种引发的各种影响，同时后期采用缓慢降温和缓慢蒸发相结合的方法，缩短了试验周期，最终成功获得了符合应用要求的大块晶体，尺寸为18×10×4mm3。 | ||||||
| 174 | 单晶的制造装置、用于该制造装置的坩埚以及单晶的制造方法 | CN201380046191.9 | 2013-08-30 | CN104662211B | 2017-04-05 | 龟井一人; 楠一彦; 矢代将齐; 冈田信宏; 森口晃治; 大黑宽典; 加渡干尚; 坂元秀光 |
| 制造装置(10)用于利用溶液生长法制造单晶。制造装置(10)包括晶种轴(28)、坩埚(14)、以及驱动源(26)。晶种轴具有安装有晶种(32)的下端面(28S)。坩埚(14)容纳成为单晶的原料的溶液(15)。驱动源(26)使坩埚(14)旋转，并且使坩埚(14)的转速变化。坩埚(14)的内周面含有横切形状为非圆形的流动控制面(382)。该单晶的制造装置能够强烈地搅拌坩埚所容纳的溶液。 | ||||||
| 175 | 一种人工合成大直径红宝石的制备方法 | CN201710053444.5 | 2017-01-22 | CN106544730A | 2017-03-29 | 陈珍富; 唐大林 |
| 本发明属于人工晶体的制备方法技术领域，特别涉及一种人工合成大直径红宝石的制备方法。本发明所解决的技术问题是提供一种色度均匀，提高有效利用率，降低生产成本的人工合成大直径红宝石的制备方法，包括如下步骤：A、添加原料：B、插晶种；C、点火：点燃氢氧气；D、烧结晶体；其中，步骤D烧结晶体包括以下过程：(1)化料结晶；(2)对中心；(3)晶体扩大；(4)等径生长。E、停炉冷却即得晶体。本发明制备方法可以得到直径为 大直径人工合成红宝石。 | ||||||
| 176 | 一种拉晶、加料、化料、分离杂质同步进行的连续拉制单晶硅棒的方法 | CN201611076542.2 | 2016-11-30 | CN106544726A | 2017-03-29 | 袁玉平; 袁佳斌 |
| 本发明涉及一种拉晶、加料、化料、分离杂质同步进行的连续拉制单晶硅棒的方法，它包括在坩埚内装料；加热化料；拉晶、加料、化料、分离杂质同步进行；通过提拉装置上的一个提拉头拉成规定长度或一定长度的棒；通过转换提拉装置上的另一个提拉头后继续拉晶、加料、化料、分离杂质；重复拉制直至硅棒品质因杂质影响接近标准要求，然后停炉、清炉。本发明既可以大大降低拉晶成本，又可以提高单晶硅棒品质。 | ||||||
| 177 | 一种超细4N二氧化碲粉体的制备方法和应用 | CN201610982531.4 | 2016-11-09 | CN106542508A | 2017-03-29 | 侯龙超; 贾鹏飞; 产小华; 周增强; 冯超 |
| 本发明公开了一种超细4N二氧化碲粉体的制备方法和应用，其特点是该方法包括碲原料的研磨，采用常温下盐酸和硝酸混合液浸出，过滤，在分散剂作用下，易挥发碱中和，去离子水热洗涤、微波干燥、微波焙烧后得到超细4N二氧化碲粉体。得到的4N二氧化碲粉体粒径小于0.5μm。本发明的超细4N二氧化碲制备步骤少、能耗降低、产品质量稳定，产能得以提高，工艺流程简化、设备简单、有利于工业化生产。 | ||||||
| 178 | 晶片架及半导体制造装置 | CN201610066391.6 | 2016-01-29 | CN106531676A | 2017-03-22 | 松田拓也; 矢部一生; 寺田贵洋; 守屋展行; 羽生秀则 |
| 本发明涉及一种晶片架及半导体制造装置。本实施方式的晶片架具备晶片支撑部。晶片支撑部设置在晶片的搭载区域的端部。第1部分设置在比晶片支撑部更靠搭载区域的中心部侧。以搭载区域外侧的晶片架的表面为基准，第1部分的第1深度比晶片支撑部的第2深度及位于比第1部分更靠搭载区域的中心部侧的第3部分的第3深度深。第2部分设置在比晶片支撑部更靠搭载区域的中心部侧。以搭载区域外侧的晶片架的表面为基准，第2部分的第4深度比第2及第3深度浅且比第1深度浅。 | ||||||
| 179 | 一种用于单晶硅或多晶硅酸性制绒的辅助化学组合物及其应用 | CN201610905268.9 | 2016-10-18 | CN106521634A | 2017-03-22 | 韩庚欣; 韩冰; 丁晓辉 |
| 本发明提供了一种用于单晶硅或多晶硅酸性制绒的辅助化学组合物，至少包括：多糖或其衍生物，多元醇或其衍生物。该辅助化学组合物制备和使用方法简单、容易实施、重复性好；其在用于金刚线切割单晶硅或多晶硅制绒时，可以提高制绒温度，同时可大大提高表面制绒均匀性，制得的硅片反射率低、表面清洁、碎片率低，镀膜后的颜色均匀，能够大大提高硅电池的光电转换效率。 | ||||||
| 180 | 一种钼导流筒及单晶炉 | CN201611143577.3 | 2016-12-13 | CN106521617A | 2017-03-22 | 洪亚丽; 姜树炎 |
| 本发明提供了一种钼导流筒，其包括钼内筒、保温层、钼外筒及安装定位环；所述钼内筒与所述钼外筒之间形成密封腔，所述保温层设置于所述密封腔中；所述钼内筒具有光滑内表面；所述钼外筒定位安装于所述安装定位环，用于通过所述安装定位环安装所述钼导流筒。采用上述方案，本发明通过对导流筒加工理念及材料的更换，在单晶硅生长过程中减少石墨材料中杂质对单晶硅棒的污染；改变了现有石墨材质导流筒在韧性上不足的特点，降低因导流筒碎裂、脱落而引起的热场损坏风险；容易加工，提升产品使用寿命；并且能够有效降低导流筒内表面的温度，隔断筒内外温度，为硅单晶的顺利生长提供一定的便利。 | ||||||
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