1.一种制造装置，该制造装置是用于溶液生长法的SiC单晶体的制造装置，其中，该制造装置包括：
晶种轴，其具有供SiC晶种安装的下端面；
坩埚，其用于收纳Si－C溶液，
所述晶种轴包括：
筒部；
底部，其配置于所述筒部的下端，且具有所述下端面；
低导热性构件，其配置于所述底部的上表面，且具有比所述底部的热传导率低的热传导率，
所述低导热性构件配置于所述底部的中央部。
2.根据权利要求1所述的制造装置，其中，
所述低导热性构件为绝热材料。
3.根据权利要求1或2所述的制造装置，其中，
所述低导热性构件的中央部比周缘部厚。
4.根据权利要求3所述的制造装置，其中，
所述低导热性构件包括：
第1低导热性部，其配置于所述底部的上表面；
第2低导热性部，其配置于所述第1低导热性部的上表面的中央部。
5.根据权利要求1或2所述的制造装置，其中，
所述低导热性构件包括：
第1覆盖部，其用于覆盖所述底部的上表面；
第2覆盖部，其与所述第1覆盖部的上表面连接，用于覆盖所述筒部的内周面。
6.根据权利要求1或2所述的制造装置，其中，
所述晶种轴还包括高导热性构件，
该高导热性构件配置在所述低导热性构件与所述底部之间，且具有比所述底部的热传导率高的热传导率。
7.根据权利要求6所述的制造装置，其中，
所述高导热性构件为金属。
8.根据权利要求1或2所述的制造装置，其中，
所述低导热性构件在所述晶种轴的轴向上的热传导率小于所述低导热性构件在与所述晶种轴的轴向垂直的方向上的热传导率。
9.根据权利要求8所述的制造装置，其中，
所述低导热性构件为热解石墨。
10.根据权利要求1或2所述的制造装置，其中，
该制造装置还包括：
排热源，其配置在所述筒部内且所述低导热性构件的上方；
升降装置，其用于使所述排热源升降。
11.一种制造方法，该制造方法是使用权利要求1或2所述的制造装置的、基于溶液生长法的SiC单晶体的制造方法，其中，
该制造方法包括如下工序：
在所述晶种轴的下端面安装所述SiC晶种的工序；
对收纳有原料的所述坩埚加热而生成所述Si－C溶液的工序；
使安装于所述晶种轴的所述下端面的所述SiC晶种与所述Si－C溶液接触的工序；
在所述SiC晶种上培养SiC单晶体的工序。
12.一种晶种轴，该晶种轴用于基于溶液生长法的SiC单晶体的制造，该晶种轴具有供SiC晶种安装的下端面，其中，
该晶种轴包括：
筒部；
底部，其配置于所述筒部的下端，且具有所述下端面；
低导热性构件，其配置于所述底部的上表面，且具有比所述底部的热传导率低的热传导率，
所述低导热性构件配置于所述底部的中央部。