| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 181 | 一种高纯聚晶金刚石的制备方法 | CN201610909641.8 | 2016-10-19 | CN106518077A | 2017-03-22 | 贺端威; 刘进; 杜雁春 |
| 本发明涉及一种高纯聚晶金刚石的制备方法，属于超硬材料的合成领域。本发明的目的是提供一种高纯聚晶金刚石的制备方法，将金刚石或金刚石与非金刚石碳的混合物等原材料经过真空表面净化与高熔点包裹材料预压封装后，在8～20GPa，1200～3000℃条件下直接烧结合成高纯聚晶金刚石。本发明所述方法中作为原材料的金刚石的粒度为5纳米～100微米，金刚石在原材料中含量为20wt%以上，所述非金刚石碳成分可以是石墨、非晶石墨、石墨烯、富勒烯、C60、玻璃碳、非晶碳、碳纳米管中的一种或几种，通过对原料不同粒度与比例的调节，可以根据需求调整合成的聚晶金刚石的硬度、耐热性、耐磨性、抗冲击强度等性能，从而满足工业化大批量生产的需求。 | ||||||
| 182 | 稀土减少的石榴石系统和相关的微波应用 | CN201280033918.5 | 2012-05-30 | CN103649384B | 2017-03-22 | D.B.克鲁克尚克; R.P.奥多诺万; I.A.麦克法兰; B.莫雷; M.D.希尔 |
| 公开了可以用于射频（RF）应用中的合成石榴石和相关器件。在一些实施例中，这样的RF器件可以包括具有减少的钇或者基本上没有钇或其他稀土金属的石榴石。这样的石榴石可以配置来产生高介电常数，并且由这样的石榴石形成的诸如TM模式环形器/隔离器的铁氧体器件可以受益于减小的尺寸。此外，减少了或者没有稀土含量的这样的石榴石可以允许基于铁氧体的RF器件的成本有效的制造。在一些实施例中，这样的铁氧体器件可以包括诸如低磁共振线宽的其他期望的特性。还公开了制造方法和RF相关的特性的例子。(56)对比文件US 5709811 ,1998.01.20,Yu-Jhan Siao，等.Dielectric relaxtionand magnetic behavior of bismuth-substituted yttrium iron garnet《.Journalof Applied Physics》.2011,第109卷题目，第Ⅱ节第1段，第Ⅲ节第5段，图3a. | ||||||
| 183 | 一种石榴石磁光薄膜的制备方法 | CN201610876104.8 | 2016-10-08 | CN106498498A | 2017-03-15 | 吴蓉蓉; 邹宇帆; 孟中立 |
| 本发明公开了一种石榴石磁光薄膜的制备方法，属于磁光薄膜制备技术领域。本发明将氧化铋、氧化镓等混合制得混合溶液，再加入氨水搅拌反应，过滤得滤渣，与氧化钇等混合球磨，得混合物，经煅烧、二次保温后，与碳化硅晶须等球磨，过筛后加入乙酰丙酮等超声分散制得前驱体混合液，将镁橄榄石基片用无水乙醇浸泡，取出后放入前驱体混合液浸泡，再取出风干、干燥、焙烧制得石榴石磁光薄膜。本发明的有益效果是：本发明制备步骤简单，成本低，所得石榴石磁光薄膜表面无裂纹存在，膜层致密性好；本发明石榴石磁光薄膜结晶性能高，光吸收系数为3.1～3.2dB/cm。 | ||||||
| 184 | 一种制备正交晶系黑磷单晶的方法 | CN201610957176.5 | 2016-11-01 | CN106498492A | 2017-03-15 | 闾敏; 王东亚; 谢小吉; 黄岭; 黄维 |
| 本发明涉及正交晶系黑磷单晶制备方法，具体以：将磷原料，金属铟，碘化锡混合，置于反应器中，封紧后通过优化的程序升温和降温制备黑磷，获得的黑磷结晶性能好，纯度高，且催化剂能够重复使用，制备过程对设备要求低，易于实现，为后续的黑磷应用发展提供极大的便利。 | ||||||
| 185 | 气相生长装置的污染量测定方法及外延晶片的制造方法 | CN201380046910.7 | 2013-09-26 | CN104620355B | 2017-03-15 | 荒井刚; 稻田聪史 |
| 进行气相蚀刻步骤，通过利用HCl气体的气相蚀刻来对气相成长装置的腔室内进行清洁(S1)。继而，实施热处理步骤，在氢气气氛下对既定片数的硅晶片逐片依次进行热处理步骤(S2、S3)。以既定次数重复实施这些气相蚀刻步骤及热处理步骤。即，当未到达既定次数时(S4：否)，再次实施气相蚀刻步骤及热处理步骤(S1、S2)。在热处理步骤中，使每次使用相同的晶片且每次进行热处理的顺序不变。在气相蚀刻步骤及热处理步骤已实施既定次数之后(S4：是)，将各晶片表面的污染回收，利用ICP—MS测定Mo浓度(S5)。根据各Mo浓度的值或Mo浓度间的关系，来评价气相成长装置的清洁度(S6)。从而提供一种能高精度地测定气相成长装置的污染量的方法。 | ||||||
| 186 | 供应具有相位差的反应性气体的基板处理装置 | CN201280056552.3 | 2012-11-16 | CN103959438B | 2017-03-15 | 梁日光; 诸成泰; 宋炳奎; 金龙基; 金劲勋; 申良湜 |
| 根据本发明一实施方案，用于实现对基板的工艺的基板处理装置包括：下部腔室，其上部打开，并在一侧形成有用于使所述基板进出的通道；外部反应管，其用于关闭所述下部腔室中打开的上部，并提供实现所述工艺的工艺空间；基板支架，其以上下方向载置一个以上的所述基板，并可以转换到在所述基板支架内载置所述基板的载置位置、或对所述基板实现所述工艺的工艺位置；以及气体供应单元，其设置在所述外部反应管的内部，并用于向所述工艺空间供应反应性气体，且形成沿着上下方向具有各不相同的相位差的所述反应性气体的流动。 | ||||||
| 187 | 一种磷石膏制备低成本半水硫酸钙晶须的新工艺 | CN201611002654.3 | 2016-11-15 | CN106480507A | 2017-03-08 | 郑绍聪; 闫宇星; 王智娟; 朱丽萍; 林雪飞; 汪帆 |
| 一种磷石膏制备低成本半水硫酸钙晶须的新工艺，包括如下步骤：(1)采用浮选脱硅技术去除磷石膏中的石英和部分杂质，提高磷石膏中二水硫酸钙含量≥92.0%；在步骤（1）得到的提质磷石膏中加入其重量0.5～2.0%分散剂，混匀后粉磨5～30min，均化处理制备成固体含量5～12%备用（；3）向磷石膏浆料中添加其重量0.1～5.0%转晶剂和1%硫酸或盐酸，搅拌均匀，转入压力反应釜中；（4）石膏晶须转化：设置转化温度120～140℃，反应保温时间2.0h，待反应完全后，快速过滤，脱水，大于80℃温度干燥，即得半水硫酸钙晶须。工艺简单，成本低，所得硫酸钙晶须直径细小，长径比高，形貌完整均匀。 | ||||||
| 188 | 定向凝固期间在熔融硅上的反应性盖玻璃 | CN201380052878.3 | 2013-08-30 | CN104718160B | 2017-03-08 | 阿兰·杜尔纳 |
| 方法包括在坩埚(202)中形成熔融硅(206)，在熔融硅(206)的顶部部分处形成凝固硅(208)，使凝固硅(208)与玻璃(210)接触，充分加热凝固硅(208)和玻璃(210)以熔化凝固硅和玻璃，从而在熔融硅(206)上形成熔融玻璃(212)，以及使熔融液体从熔融液体的底部部分朝向熔融液体的顶部部分定向凝固以提供具有更高纯度的固体硅(214)。 | ||||||
| 189 | 具有热罩的壳体模具 | CN201380049069.7 | 2013-09-16 | CN104661775B | 2017-03-08 | 瑟奇·法格斯; 多米尼克·科耶兹 |
| 本发明涉及铸造领域，更具体说是涉及一种壳体模具(1)，以及用于制造和使用这种壳体模具(1)的方法。此壳体模具(1)具有中央圆柱体的浇铸腔(7)以及至少一个大致垂直于主轴线(X)的热罩(13)。该中央圆柱体(4)在铸造杯(5)与基底(6)之间沿着所述主轴线(X)延伸。每个浇铸腔均通过至少一个输送通道(8)与铸造杯(5)相连，以及通过弯道型选择器(9)与在基底(6)中的起动器(10)连接。至少一个热罩(13)在大致垂直于所述主轴线(X)的平面中完全包围各所述浇铸腔(7)。(4)、多个设置在该中央圆柱体(4)周围的束件中 | ||||||
| 190 | 原料填充方法、单晶的制造方法及单晶制造装置 | CN201380048354.7 | 2013-10-28 | CN104641024B | 2017-03-08 | 北川胜之; 浦野雅彦; 吉田胜浩 |
| 本发明涉及一种原料填充方法，在具有圆筒部件及锥形阀的再装填管中收容原料，其中，所述圆筒部件为石英制并收容原料，所述锥形阀用于开闭该圆筒部件下端的开口部，在将该收容有原料的再装填管安置在腔室内，使锥形阀下降，打开圆筒部件下端的开口部，由此向石英坩埚内投入收容在再装填管内的原料，其特征在于，配置再装填管及石英坩埚，使开始投入原料时所述再装填管的下端与石英坩埚内的原料或者熔液的距离为200mm以上250mm以下，之后，以石英坩埚的下降速度(CL)与再装填管的锥形阀的下降速度(SL)之比(CL/SL)为1.3以上1.45以下的方式，一边使石英坩埚和再装填管的锥形阀同时下降，一边投入原料。由此，能够抑制石英坩埚或再装填管的破损。 | ||||||
| 191 | 强化基板加热控制的有无基座式基板支座的基板处理系统 | CN201380016403.9 | 2013-03-21 | CN104205320B | 2017-03-08 | 约瑟夫·M·拉内什; 凯拉什·帕塔雷 |
| 在此提供用于处理基板的方法和设备。在一些实施方式中，一种设备包括处理配件，所述处理配件包括：第一环，在基板的周边边缘附近支撑所述基板；第二环，设置在所述第一环周围；和路径，形成在所述第一环与所述第二环之间，使所述第一环得以对所述第二环旋转，其中所述路径实质上防止光在第一空间与第二空间之间行进，所述第一空间设置在所述第一环与所述第二环下方，而所述第二空间设置在所述第一环与所述第二环上方。 | ||||||
| 192 | 碳化硅单晶的制造方法和碳化硅基板 | CN201580035227.2 | 2015-06-24 | CN106471165A | 2017-03-01 | 川濑智博 |
| 一种碳化硅单晶的制造方法，所述方法包括以下步骤：准备具有粘接部(Bp)和阶梯部(Sp)的支撑构件(20b)，阶梯部(Sp)配置在所述粘接部(Bp)的周缘的至少一部分处；和在阶梯部(Sp)上配置缓冲材料。粘接部(Bp)和缓冲材料(2)构成支撑面(Sf)。此外，这种制造方法还包括以下步骤：在支撑面(Sf)上配置种晶(10)并将所述粘接部(Bp)与所述种晶(10)互相粘接；和在种晶(10)上生长单晶(11)。 | ||||||
| 193 | 一种粘籽晶的方法和装置 | CN201610831936.8 | 2016-09-19 | CN106467981A | 2017-03-01 | 朱灿; 王晓 |
| 本发明涉及一种粘籽晶的方法和装置。本发明通过在石墨轴下部的籽晶贴付面上设置凹槽，有利于石墨轴在贴付籽晶后烧结固化过程中气泡排出，使粘合剂或者含碳的有机物固化均匀，防止了籽晶脱落或者因为应力过大导致晶体开裂，有效的提高了粘贴籽晶的合格率，有利于籽晶更好的生长，保证了生产，降低了加工生产成本。 | ||||||
| 194 | 单晶4H-SiC衬底及其制造方法 | CN201410112911.3 | 2014-03-25 | CN104078331B | 2017-03-01 | 大野彰仁; 川津善平; 富田信之; 田中贵规; 三谷阳一郎; 浜野健一 |
| 本发明可得到能够减少晶体缺陷的单晶4H-SiC衬底及其制造方法。准备具有平坦性的4H-SiC体材料单晶衬底（1）。在4H-SiC体材料单晶衬底（1）上外延生长具有凹部（2）的单晶4H-SiC层3）。单晶4H-SiC层（3）的膜厚为X[μm]时，凹部2）的直径Y[μm]是0.2×X[μm]以上、2×X[μm]以下，且凹部（2）的深度Z[nm]是0.95×X[μm]+0.5[nm]以上、10×X[μm]以下。 | ||||||
| 195 | 半导体装置及其制造方法 | CN201410076912.7 | 2014-03-04 | CN104064587B | 2017-03-01 | 清水达雄; 西尾让司; 太田千春; 四户孝 |
| 本发明的半导体装置具备含有p型杂质和n型杂质的n型SiC的杂质区。并且，当将p型杂质记为元素A、将n型杂质记为元素D时，元素A与元素D的组合为Al（铝）、Ga（镓）或In（铟）与N（氮）的组合以及B（硼）与P（磷）的组合中的至少一种组合，构成上述组合的上述元素A的浓度与上述元素D的浓度之比大于0.40且小于0.95，构成上述组合的上述元素D的浓度为1×1018cm-3以上且1×1022cm-3以下。 | ||||||
| 196 | 化合物半导体的制造装置以及晶片保持体 | CN201310589003.9 | 2013-11-20 | CN103839863B | 2017-03-01 | 安原秀树; 吉村和孝 |
| 本发明的课题是抑制使化合物半导体外延生长时的组成不均匀。一种在MOCVD装置中保持晶片（W）的晶片保持体（30），具备：装载晶片（W）的装载部件（40）；和被装载于装载部件（40），并且限制装载部件（40）所装载的晶片（W）的移动的环状的限制部件（50）。在装载部件（40）的上表面设有装载晶片（W）的晶片装载面和装载限制部件50）的环形装载面，晶片装载面相比于环形装载面向上方突出地形成，并且具有与周缘部相比中央部隆起的凸状的形状，晶片装载面的算术平均粗糙度（Ra）被设定在0.5μm以下。 | ||||||
| 197 | 氮化物半导体生长用基板及其制造方法、氮化物半导体外延基板、以及氮化物半导体元件 | CN201210390922.9 | 2012-10-15 | CN103050597B | 2017-03-01 | 藤仓序章; 松田三智子; 今野泰一郎 |
| 本发明提供一种能够生长低位错密度的氮化物半导体的氮化物半导体生长用基板及其制造方法、以及使用氮化物半导体生长用基板所制作的氮化物半导体外延基板和氮化物半导体元件。一种氮化物半导体生长用基板，其在蓝宝石基板的作为C面的主面上，以格子状配置而形成有具有相对于所述主面以小于90°倾斜的侧面的锥状或锥台状的凸部，并且所述凸部距离所述主面的高度为0.5μm以上3μm以下，邻接的所述凸部间的距离为1μm以上6μm以下，所述凸部的所述侧面的表面粗糙度RMS为10nm以下。 | ||||||
| 198 | 发光体及辐射探测器 | CN201580022146.9 | 2015-04-30 | CN106459758A | 2017-02-22 | 镰田圭; 吉川彰; 横田有为; 黑泽俊介; 庄子育宏 |
| 本发明提供一种荧光寿命短、透明度高、且发光量大的发光体及使用有该发光体的辐射探测器。还提供一种适宜于γ射线、X射线、α射线、中子射线这样的辐射探测器用发光体的、抗辐射性高、荧光衰减时间短且发光强度大的发光体及使用有该发光体的辐射探测器。一种具有使用有Ce3+的4f5d能级的发光的石榴石结构的发光体，所述发光体相对于具有以通式CexRE3-xM5+yO12+3y/2所表示的石榴石结构的发光体，含有相对于全部阳离子以7000ppm以下的摩尔比共掺杂有至少一种以上的一价或二价阳离子的石榴石发光体，式中，0.0001≤x≤0.3、0≤y≤0.5或0≤y≤-0.5、M为选自Al、Lu、Ga、Sc的一种或两种以上，及RE为选自La、Pr、Gd、Tb、Yb、Y、Lu的一种或两种以上。 | ||||||
| 199 | 一种氮化铝晶体生长炉 | CN201610822802.X | 2016-09-14 | CN106435736A | 2017-02-22 | 吴亮; 曹凯; 王智昊; 汪佳 |
| 本发明公开了一种氮化铝晶体生长炉，包括炉体、上下活动的穿设于所述炉体底面的运动机构、设于所述运动机构顶部的坩埚，坩埚设于炉体中，氮化铝晶体生长炉还包括设于炉体中沿竖直方向依次分布的用于对坩埚加热的多段式加热机构、设于坩埚外侧的隔热机构、设于炉体外侧的用于测量坩埚温度的测温机构。本发明一种氮化铝晶体生长炉，采用多段式加热机构，可以为氮化铝晶体生长提供稳定的温度场；采用三路测温机构，可满足温度的精确测定；生长炉中的热场主要采用金属钨隔热屏和氮化硼隔热屏，保温效果好，可方便拆卸更换，并且可以有效防止引入杂质造成晶体污染。 | ||||||
| 200 | 一种卫星盘自转的SiC外延生长主盘结构 | CN201611192601.2 | 2016-12-21 | CN106435719A | 2017-02-22 | 孙国胜; 杨富华; 宁瑾; 刘兴昉; 赵永梅; 王占国 |
| 本发明公开一种卫星盘自转的SiC外延生长主盘结构，其包括：主转动盘，该主转动盘上开设有若干托盘槽；若干用于承载SiC晶片的卫星盘，其以可转动的方式安装于托盘槽中；支撑杆，其上端与主转动盘固定；主转动盘中设有若干分别位于托盘槽下方的隧道，主转动盘底部设置有贯穿隧道的垂直孔道，支撑杆中设置的贯穿的腔道与垂直孔道对接，托盘槽底部向下开设有至少两个倾斜状态并与隧道连通的倾斜孔；腔道与垂直孔道、隧道及倾斜孔形成连通托盘槽的气通道，气通道流入气体后，气体通过倾斜孔后驱动卫星盘自转。由于卫星盘可自转，以此有利于提高SiC晶片外延生长包括厚度与掺杂浓度在内的片内均匀性和片间均匀性，以满足不同的使用要求。 | ||||||
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