| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 21 | 功率模块用基板及其制造方法 | CN201380015335.4 | 2013-03-27 | CN104170077B | 2017-07-28 | 长濑敏之; 北原丈嗣; 村中亮 |
| 本发明提供一种减少接合部的微小空隙来防止发生剥离的功率模块用基板及其制造方法。所述功率模块用基板在陶瓷基板的至少一面通过钎焊接合由铝或铝合金构成的金属板而成，在自金属板的侧边至200μm宽度的区域内用扫描型电子显微镜以3000倍率的视场观察自金属板与陶瓷基板的接合界面至5μm深度范围内的金属板的截面时，沿着接合界面连续存在2μm以上的连续残留氧化物的总计长度相对于视场长度为70％以下。 | ||||||
| 22 | 陶瓷电路基板 | CN201280019672.6 | 2012-07-13 | CN103503130B | 2016-11-16 | 星野政则; 中山宪隆; 那波隆之; 佐藤英树; 小森田裕 |
| 本发明涉及一种陶瓷电路基板，其在氧化铝基板上接合有金属电路板，其中，所述氧化铝基板含有99.5质量%以上的氧化铝Al2O3和低于0.5质量%的由烧结前配合的烧结助剂生成的来源于烧结助剂的成分；所述来源于烧结助剂的成分为含有钠的无机氧化物，所述来源于烧结助剂的成分中的钠以换算成氧化钠Na2O的质量计，在100质量%的所述氧化铝基板中含有0.001～0.1质量%；在所述氧化铝基板中，孔隙的最大直径为12μm以下，孔隙平均直径为10μm以下，维氏硬度为1500以上。 | ||||||
| 23 | 功率模块用基板、自带散热器的功率模块用基板、功率模块以及功率模块用基板的制造方法 | CN201280037162.1 | 2012-08-10 | CN103733329B | 2016-10-26 | 黑光祥郎; 长友义幸; 寺崎伸幸; 坂本敏夫; 牧一诚; 森广行; 荒井公 |
| 本发明的功率模块用基板(10)具备绝缘基板(11)、和在该绝缘基板(11)的一面形成的电路层(12)，其中，所述电路层(12)通过在所述绝缘基板(11)的一面接合有第一铜板(22)而构成，所述第一铜板(22)在被接合之前至少含有共计1molppm以上且100molppm以下的碱土类元素、过渡金属元素、稀土类元素中的一种以上或100molppm以上且1000molppm以下的硼中的任一方，残余部分由铜及不可避免杂质组成。 | ||||||
| 24 | 自带散热器的功率模块用基板及自带散热器的功率模块用基板的制造方法 | CN201380016243.8 | 2013-03-29 | CN104205324B | 2016-09-21 | 长友义幸; 石塚博弥; 长濑敏之; 黑光祥郎; 江户正和; 三宅秀幸 |
| 本发明的自带散热器的功率模块用基板具备：功率模块用基板，在绝缘基板的一面配设有电路层；及散热器，被接合在该功率模块用基板的另一面侧，其中所述散热器的接合面及所述功率模块用基板的接合面分别由铝或铝合金构成，在所述散热器与所述功率模块用基板的接合界面形成有接合层(50)，该接合层(50)通过包含Mg的含Mg化合物(52)分散在Al‑Si共晶组织中而成，其中，该含Mg化合物不包含MgO，接合层(50)的厚度t被设在5μm以上80μm以下的范围内。 | ||||||
| 25 | 功率模块用基板、自带散热器的功率模块用基板及功率模块 | CN201480010107.2 | 2014-03-24 | CN105009278A | 2015-10-28 | 长友义幸; 寺崎伸幸; 黑光祥郎 |
| 本发明提供一种具备绝缘基板(11)、形成在该绝缘基板(11)的一面的电路层(12)、及形成在所述绝缘基板(11)另一面的金属层(13)的功率模块用基板(10)，其中，所述电路层(12)具有接合于所述绝缘基板(11)的由铝或铝合金构成的第1铝层(12A)、及固相扩散接合于该第1铝层(12A)的由铜或铜合金构成的第1铜层(12B)，所述金属层(13)具有由铝或铝合金构成的第2铝层(13A)，所述电路层(12)的厚度t1与所述金属层(13)的第2铝层(13A)的厚度t2的关系为t1＜t2。 | ||||||
| 26 | 自带散热器的功率模块用基板及自带散热器的功率模块用基板的制造方法 | CN201380016243.8 | 2013-03-29 | CN104205324A | 2014-12-10 | 长友义幸; 石塚博弥; 长濑敏之; 黑光祥郎; 江户正和; 三宅秀幸 |
| 本发明的自带散热器的功率模块用基板具备：功率模块用基板，在绝缘层的一面配设有电路层；及散热器，被接合在该功率模块用基板的另一面侧，其中所述散热器的接合面及所述功率模块用基板的接合面分别由铝或铝合金构成，在所述散热器与所述功率模块用基板的接合界面形成有接合层(50)，该接合层(50)通过包含Mg的含Mg化合物(52)分散在Al-Si共晶组织中而成，其中，该含Mg化合物不包含MgO，接合层(50)的厚度t被设在5μm以上80μm以下的范围内。 | ||||||
| 27 | 用于生产陶瓷复合部件的方法 | CN201380015742.5 | 2013-03-15 | CN104203523A | 2014-12-10 | C.D.克莱诺 |
| 一种用于生产包括陶瓷材料的部件的方法。该方法涉及到利用在陶瓷材料的前体中包含增强材料的层片形成部件的第一区域。所述层片包括处于至少第二组层片与第三组层片之间的至少第一组层片。随后将第二组层片的远侧部分与第三组层片的远侧部分折叠远离所述第一组层片，使得它们被横向于所述第一组层片取向。随后使第四组层片在所述第二组层片的折叠后的远侧部分和所述第三组层片的折叠后的远侧部分之中交错。 | ||||||
| 28 | 功率模块用基板、带散热器的功率模块用基板、功率模块、功率模块用基板的制造方法及带散热器的功率模块用基板的制造方法 | CN201080047257.2 | 2010-10-19 | CN102576697B | 2014-11-12 | 长友义幸; 秋山和裕; 殿村宏史; 寺崎伸幸; 黑光祥郎 |
| 本发明提供一种功率模块用基板，为具备陶瓷基板和在该陶瓷基板的表面层压而接合有铝或铝合金制的金属板的功率模块用基板，在所述金属板中，固溶有Ag或选自Zn、Ge、Mg、Ca、Ga及Li中的一种或两种以上的添加元素，所述金属板中的与所述陶瓷基板的界面附近的Ag浓度设定在0.05质量％以上10质量％以下，或者所述金属板中的与所述陶瓷基板的界面附近的Zn、Ge、Mg、Ca、Ga及Li的总计浓度设定在0.01质量％以上5质量％以下。 | ||||||
| 29 | 热电的发电模块、金属-陶瓷基体以及用于制造金属-陶瓷基体的方法 | CN201380007259.2 | 2013-01-22 | CN104106153A | 2014-10-15 | A·迈尔; J·舒尔茨-哈德 |
| 本发明涉及一种热电的发电模块，具有热区域和冷区域(1a、1b)，所述发电模块包括：至少一个配设给热区域的第一金属-陶瓷基体(2)，所述第一金属-陶瓷基体具有一个第一陶瓷层(6)和至少一个施加在第一陶瓷层(6)上的结构化的第一金属化部(4)；和至少一个配设给冷区域(1b)的第二金属-陶瓷基体(4)，所述第二金属-陶瓷基体具有一个第二陶瓷层(7)和至少一个设置在第二陶瓷层上的结构化的第二金属化部(5)；以及多个容纳在金属-陶瓷基体(2、3)的结构化的第一和第二金属化部(4、5)之间的热电的发电构件(N、P)。特别有利的是，配设给热区域(1a)的第一金属-陶瓷基体(2)具有至少一个钢层或不锈钢层(8)，第一陶瓷层(6)设置在结构化的第一金属化部(4)和所述至少一个钢层或不锈钢层(8)之间。此外，本发明还涉及一种金属-陶瓷基体和一种用于制造金属-陶瓷基体的方法。 | ||||||
| 30 | 用于制备DCB-基材的方法 | CN201280069294.2 | 2012-12-27 | CN104105678A | 2014-10-15 | J·舒尔兹-哈德尔; K·施米德特; K·埃克塞尔 |
| 用于制备DCB-基材的方法，所述DCB-基材各自具有至少一个基本上由氮化铝(AlN)组成的陶瓷层，所述陶瓷层在至少一个表面侧上具有基本上由氧化铝组成的中间层，并且在中间层上具有至少一个由金属层或金属箔所形成的金属化物。 | ||||||
| 31 | 碳组件及制造该碳组件的方法 | CN201110100396.3 | 2011-04-20 | CN102234793B | 2014-08-20 | 箕浦诚司; 大桥纯; 伊藤敏树; 石田考二; 小川史仁 |
| 本发明涉及碳组件及制造该碳组件的方法，所述碳组件内部具有孔道且外表面被覆有陶瓷涂层。所述碳组件包括接合在一起的两个碳平板部件。所述孔道由形成在至少一个所述碳平板部件的配合表面上的凹槽和另一所述碳平板部件的与所述凹槽相对向的配合部分限定。包含所述凹槽表面的所述孔道的内表面全部被覆有陶瓷涂层。 | ||||||
| 32 | 功率模块用基板、自带散热器的功率模块用基板、功率模块以及功率模块用基板的制造方法 | CN201280037162.1 | 2012-08-10 | CN103733329A | 2014-04-16 | 黑光祥郎; 长友义幸; 寺崎伸幸; 坂本敏夫; 牧一诚; 森广行; 荒井公 |
| 本发明的功率模块用基板(10)具备绝缘基板(11)、和在该绝缘基板(11)的一面形成的电路层(12)，其中，所述电路层(12)通过在所述绝缘基板(11)的一面接合有第一铜板(22)而构成，所述第一铜板(22)在被接合之前至少含有共计1molppm以上且100molppm以下的碱土类元素、过渡金属元素、稀土类元素中的一种以上或100molppm以上且1000molppm以下的硼中的任一方，残余部分由铜及不可避免杂质组成。 | ||||||
| 33 | 陶瓷基板上进行选择性金属化的方法 | CN201110438025.6 | 2011-12-12 | CN103058699A | 2013-04-24 | 魏石龙; 萧胜利; 何键宏 |
| 一种陶瓷基板上进行选择性金属化的方法，首先将活性焊料选择性地形成于陶瓷基板的表面的预定区域上，并将金属层贴附在具活性焊料的陶瓷基板后对该活性焊料进行硬焊处理，接着，形成蚀刻阻层于该金属层上且进行蚀刻，最后，移除该蚀刻阻层。本发明的方法可适用于较严苛的工艺环境，且同时能避免陶瓷基板与金属层间发生贝壳状破裂，不仅简化工艺且可提高产品良率。 | ||||||
| 34 | 通过非反应性硬钎焊连接由SiC基材料制造的零件的方法，硬钎焊组合物，及由该方法获得的接头和组件 | CN201180023883.2 | 2011-03-11 | CN102892540A | 2013-01-23 | 瓦莱里·肖马; 让-弗朗索瓦·埃纳; 纳迪娅·米劳德-阿里 |
| 本申请描述了一种通过非反应性硬钎焊，用于连接由碳化硅基材料制成的至少两个零件（21，22）的方法，其中使所述零件与非反应性硬钎焊组合物（26）接触，将由所述零件（21，22）和所述硬钎焊组合物（26）形成的组件加热至足以全部地或至少部分地熔化所述硬钎焊组合物（26）的硬钎焊温度，并且将所述零件（21，22）和硬钎焊组合物（26）冷却，使得在所述硬钎焊组合物固化之后，形成耐火接头；其中所述非反应性硬钎焊组合物（26）是按原子百分数计包括45%至65%的硅、28%至45%的镍、以及5%至15%的铝的合金。还描述了如上定义的硬钎焊组合物，包括所述硬钎焊组合物的粉末和有机粘合剂的硬钎焊糊剂、悬浮液。 | ||||||
| 35 | 陶瓷基板、陶瓷基板的制造方法和电源模块用基板的制造方法 | CN200880114640.8 | 2008-11-06 | CN101849445B | 2012-11-21 | 殿村宏史; 北原丈嗣; 石塚博弥; 黑光祥郎; 长友义幸 |
| 含有硅的陶瓷基板，该基板表面的二氧化硅和硅的复合氧化物的浓度为2.7Atom％以下。 | ||||||
| 36 | 水泥工业管磨机用新型衬板结构及其制作方法 | CN201010271651.6 | 2010-09-03 | CN101912804B | 2012-07-25 | 李小如 |
| 本发明涉及一种水泥工业管磨机用的新型衬板结构及其制作方法。本发明高性能新型衬板的制作方法有三种技术方案：本发明高性能新型衬板的制作方法有三种技术方案：1)金属衬板，2)陶瓷衬板，3)组合式衬板；组合式衬板的制作方法是将金属衬板与筒体结合的凹凸空间里衬置刚玉陶瓷衬板，然后将衬板用所述的固化物镶砌、粘贴，以及用局部焊接的方式安装在磨筒体钢板内。这种新型组合式衬板的使用寿命可得到进一步强化和延长，这是现行任何形式的衬板都无法做到的。本发明在相同基准条件下衬板重量在现有基础上减轻50％，节省钢材消耗50％以上，衬板的使用寿命提高一倍达到15000～20000小时。 | ||||||
| 37 | 功率模块用基板、带散热器的功率模块用基板、功率模块、功率模块用基板的制造方法及带散热器的功率模块用基板的制造方法 | CN201080047257.2 | 2010-10-19 | CN102576697A | 2012-07-11 | 长友义幸; 秋山和裕; 殿村宏史; 寺崎伸幸; 黑光祥郎 |
| 本发明提供一种功率模块用基板，为具备陶瓷基板和在该陶瓷基板的表面层压而接合有铝或铝合金制的金属板的功率模块用基板，在所述金属板中，固溶有Ag或选自Zn、Ge、Mg、Ca、Ga及Li中的一种或两种以上的添加元素，所述金属板中的与所述陶瓷基板的界面附近的Ag浓度设定在0.05质量％以上10质量％以下，或者所述金属板中的与所述陶瓷基板的界面附近的Zn、Ge、Mg、Ca、Ga及Li的总计浓度设定在0.01质量％以上5质量％以下。 | ||||||
| 38 | 陶瓷基板的制造方法以及陶瓷基板 | CN200680013419.4 | 2006-03-29 | CN101180247B | 2011-01-12 | 伊藤优辉; 近川修; 池田哲也 |
| 提供一种不需要复杂的制造工序及制造设备、并能够高效地制造包括具有所希望的形状的台阶部分的陶瓷基板的陶瓷多层基板的制造方法、以及用该制造方法所制造的形状精度高的陶瓷基板。由在未烧成陶瓷体(10)的温度下实质上不烧结的材料构成辅助层(20)，在将该辅助层(20)紧贴在未烧成陶瓷体(10)的主面上的状态下，形成在主面上形成了台阶部分(15)的带辅助层的未烧成陶瓷体(11)，并在具有该辅助层的状态下，在未烧成陶瓷体烧结、而辅助层实质上不烧结的温度下，将该带辅助层的未烧成陶瓷体进行烧成。对于带辅助层的未烧成陶瓷体的配置辅助层的面，使具有凸部(22)的模具(30)进行对准并施压，从而在带辅助层的未烧成陶瓷体的配置辅助层的面上，形成与凸部(22)的外形形状对应的形状的台阶部分(凹部)(15(15a))。 | ||||||
| 39 | 陶瓷接合体、陶瓷加热器以及气体传感器 | CN200910180641.9 | 2009-10-26 | CN101723699A | 2010-06-09 | 樱井喜久男; 桑山友广 |
| 本发明提供一种陶瓷接合体、陶瓷加热器以及气体传感器。其目的在于提供一种能够抑制陶瓷基体与连接端子的分离的技术。本发明利用一种包括在长度方向上延伸的陶瓷基体、设于陶瓷基体的表面上的电极焊盘、与外部电路电连接的连接端子以及用于接合电极焊盘与连接端子的接合部。在此，电极焊盘包括与陶瓷基体接触的第1层和层叠在第1层上且与接合部接触的第2层。在第1层中，上述第1层所含有的上述陶瓷基体的陶瓷材料的含量(重量％)大于上述第2层中的含量。第1层的轮廓在整周上处于第2层的轮廓的外侧。 | ||||||
| 40 | 陶瓷基板的制造方法以及陶瓷基板 | CN200680013419.4 | 2006-03-29 | CN101180247A | 2008-05-14 | 伊藤优辉; 近川修; 池田哲也 |
| 提供一种不需要复杂的制造工序及制造设备、并能够高效地制造包括具有所希望的形状的台阶部分的陶瓷基板的陶瓷多层基板的制造方法、以及用该制造方法所制造的形状精度高的陶瓷基板。由在未烧成陶瓷体(10)的温度下实质上不烧结的材料构成辅助层(20)，在将该辅助层(20)紧贴在未烧成陶瓷体(10)的主面上的状态下，形成在主面上形成了台阶部分(15)的带辅助层的未烧成陶瓷体(11)，并在具有该辅助层的状态下，在未烧成陶瓷体烧结、而辅助层实质上不烧结的温度下，将该带辅助层的未烧成陶瓷体进行烧成。对于带辅助层的未烧成陶瓷体的配置辅助层的面，使具有凸部(22)的模具(30)进行对准并施压，从而在带辅助层的未烧成陶瓷体的配置辅助层的面上，形成与凸部(22)的外形形状对应的形状的台阶部分(凹部)(15(15a))。 | ||||||
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