| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 41 | 电子元器件及其制造方法 | CN200580040741.1 | 2005-11-28 | CN101065842A | 2007-10-31 | 西泽吉彦; 池田哲也 |
| 如专利文献1所述，若随着混合IC等电子元器件进一步降低高度，而减薄屏蔽壳，则由于屏蔽壳是金属制的，因此难以高精度地对它进行弯折等加工，另外由于吸取时作用的外力，使屏蔽壳的变形显著。在专利文献2所述的技术中，由于陶瓷制的盖罩形成为箱型形状，因此若为了电子元器件降低高度，而减薄盖罩的陶瓷厚度，则例如图18(a)、(b)所示，顶部2A产生弯曲。本发明的电子元器件10包括；具有布线图形14的布线基板11；安装在布线基板11的上表面的表面安装元器件12；以及覆盖布线基板11的盖罩13，盖罩13包括；利用平板状的陶瓷构件形成的顶部13A；以及利用具有与表面安装元器件12相同程度的高度的柱状构件而形成的脚部13B。 | ||||||
| 42 | 陶瓷与金属的接合方法及用该方法接合的陶瓷与金属的接合体 | CN00802382.4 | 2000-06-19 | CN1327438A | 2001-12-19 | 宫本圣一; 丸山稔正; 佐藤俊文; 糸谷孝行; 小林稔 |
| 本发明的目的是提供一种无需中间材料的将陶瓷与金属接合的方法和使用该方法的陶瓷与金属的接合体。在本发明中,金属侧的接合面面积不超过陶瓷侧接合面面积的90%。 | ||||||
| 43 | 陶瓷加热器 | CN97104955.6 | 1997-03-31 | CN1180983A | 1998-05-06 | 小西雅弘; 立松一穗 |
| 本发明涉及一种陶瓷加热器,它是将一加热件嵌在陶瓷体中构成的。陶瓷体是由烧结的基本陶瓷成分构成的,基本陶瓷成分含有1wt%至3wt%的范围内的调节陶瓷成分。调节陶瓷成分包括从由热膨胀系数大于基本陶瓷成分的金属硅酸盐、金属碳酸盐、金属硼化物和金属氮化物构成的一组中选择的至少一种成分。 | ||||||
| 44 | 陶瓷电路基板 | CN96190106.3 | 1996-07-12 | CN1152371A | 1997-06-18 | 那波隆之 |
| 一种陶瓷电路基板，其特征在于：该陶瓷电路基板系通过含有从钛、锆、铪、钒、铌和钽中选出的至少一种活性金属的银-铜类钎料焊料层5将陶瓷基板2与金属电路板3接合起来而形成，其中银-铜类钎料焊料层5与陶瓷基板2发生反应而生成的反应生成层6的维氏硬度是在1100以上。此外，在银-铜类钎料焊料层5中最好还含有从铟、锌、镉和锡中选出的至少一种元素。此外，钎料焊料层5中最好含有重量百分比为0.1～10.0％的碳粉末。如采用上述构成，即使在长时间地外加重复的冷热循环后，也能有效地抑制裂缝的产生，可提供所谓耐热循环特性优良、可靠性高的陶瓷电路基板 | ||||||
| 45 | 超导电路板及其采用的涂料 | CN88102627 | 1988-05-07 | CN88102627A | 1988-12-07 | 横山博三; 今中佳彦; 山中一典; 亀原伸男; 丹羽纮一; 卷拓也; 铃木均; 町敬人 |
| 本发明提供一种超导电路板，它包括含有氧化铝重量百分比大于99％的烧结氧化铝板和在此氧化铝板上形成的超导陶瓷互连电路图形。由于将Ti或Si连结剂加入形成此互连电路图形的涂料中，改进了互连电路图形与氧化铝板的粘合力。用铜粉代替铜氧化物粉作为涂料中形成超导陶瓷的一种成分有利于印制和获得均匀的超导陶瓷电路图形。 | ||||||
| 46 | 功率模块用基板、自带散热器的功率模块用基板及功率模块 | CN201480010107.2 | 2014-03-24 | CN105009278B | 2017-12-01 | 长友义幸; 寺崎伸幸; 黑光祥郎 |
| 本发明提供一种具备绝缘基板(11)、形成在该绝缘基板(11)的一面的电路层(12)、及形成在所述绝缘基板(11)另一面的金属层(13)的功率模块用基板(10)，其中，所述电路层(12)具有接合于所述绝缘基板(11)的由铝或铝合金构成的第1铝层(12A)、及固相扩散接合于该第1铝层(12A)的由铜或铜合金构成的第1铜层(12B)，所述金属层(13)具有由铝或铝合金构成的第2铝层(13A)，所述电路层(12)的厚度t1与所述金属层(13)的第2铝层(13A)的厚度t2的关系为t1＜t2。 | ||||||
| 47 | 自带散热器的功率模块用基板、自带散热器的功率模块及自带散热器的功率模块用基板的制造方法 | CN201380053574.9 | 2013-10-11 | CN104718616B | 2017-11-14 | 寺崎伸幸; 长友义幸; 黑光祥郎 |
| 在本发明所涉及的自带散热器的功率模块用基板(1)中，金属层(13)及散热器(31)中的一个由铝或铝合金构成，且另一个由铜或铜合金构成，所述金属层(13)和所述散热器(31)固相扩散接合，在所述金属层(13)与所述散热器(31)的接合界面形成有由Cu和Al构成的金属间化合物层，在由铜或铜合金构成的所述金属层(13)或所述散热器(31)与所述金属间化合物层的界面，氧化物沿着所述界面以层状分散。 | ||||||
| 48 | 金属-陶瓷-基材以及制备金属-陶瓷-基材的方法 | CN201380056024.2 | 2013-09-16 | CN104755445B | 2017-11-03 | K·施米德特; A·迈耶; A·勒加斯; M·施米勒 |
| 本发明涉及金属‑陶瓷‑基材及其制备方法，所述金属‑陶瓷‑基材包括至少一个具有第一表面侧和第二表面侧(2a、2b)的陶瓷层(2)，所述陶瓷层(2)在表面侧(2a、2b)的至少一者上设置有金属化层(3、4)，其中形成陶瓷层(2)的陶瓷材料包含氧化铝、二氧化锆以及氧化钇。特别有利地，氧化铝、二氧化锆以及氧化钇各自以其总重量计的以下比例包含在陶瓷层(2)中：二氧化锆，在2和15重量％之间；氧化钇，在0.01和1重量％之间；和氧化铝，在84和97重量％之间，其中所使用的氧化铝的平均粒径在2和8微米之间，并且氧化铝晶粒的晶界长度与所有晶界的总长度的比例大于0.6。 | ||||||
| 49 | 陶瓷铣削刀具 | CN201580070260.9 | 2015-12-21 | CN107107211A | 2017-08-29 | 埃曼努埃尔·戴维; 卡米耶·桑达吉安 |
| 本发明涉及一种铣削装置(1)，该铣削装置(1)能够围绕纵向中心轴线(A)沿一个方向旋转，该纵向中心轴线(A)限定向前方向和相反的向后方向，该铣削装置(1)包括前部(3)和后部(2)。该前部(3)包括切削刃(4、4')，所述切削刃(4、4')各自具有纵向延伸部，该前部(3)包括切屑槽(5、5')，所述切屑槽(5、5')各自具有纵向延伸部，该前部(3)由整块陶瓷制成。所述后部(2)被构造成固定在可旋转的刀具主体或可旋转的卡盘中。所述后部(2)由整块硬质合金制成。所述后部(2)的前端表面具有比所述前部(3)的后端表面更小的面积，所述后部(2)的前端表面和所述前部(3)的后端表面通过接头彼此永久地结合或钎焊在一起。 | ||||||
| 50 | 功率模块用基板的制造方法及功率模块用基板 | CN201210118770.7 | 2012-04-20 | CN102751201B | 2016-11-16 | 大井宗太郎 |
| 本发明提供一种功率模块用基板的制造方法及功率模块用基板，该功率模块用基板能够多层层叠陶瓷基板与金属板，并使陶瓷基板两侧的金属板成为连接状态，并且难以产生陶瓷基板与金属板之间的剥离或陶瓷基板的裂纹等。在层叠陶瓷基板(2)及金属板(4A、4C、4D、5A、6)时，向陶瓷基板(2)的贯穿孔(11)内插入长于贯穿孔(11)的柱状金属部件(12)，在接合陶瓷基板及金属板时，加压金属部件(12)使其塑性变形，以在金属部件(12)与贯穿孔(11)的内周面之间形成有间隙的状态，通过金属部件(12)使陶瓷基板(2)两侧的金属板(5A、4A、4D)成为连接状态。 | ||||||
| 51 | 陶瓷电路基板 | CN201280019369.6 | 2012-07-13 | CN103492345B | 2016-04-06 | 星野政则; 佐藤英树; 小森田裕; 中山宪隆; 那波隆之 |
| 本发明涉及一种陶瓷电路基板，其在氧化铝基板上接合有金属电路板，其中，所述氧化铝基板含有94～98质量%的氧化铝Al2O3和2～6质量%的由烧结前配合的烧结助剂生成的来源于烧结助剂的成分；所述来源于烧结助剂的成分为含有硅的无机氧化物，所述来源于烧结助剂的成分中的硅以换算成氧化硅SiO2的质量计，在100质量%的所述氧化铝基板中含有0.01～1.5质量%；在所述氧化铝基板中，孔隙的最大直径为15μm以下，孔隙平均直径为10μm以下，维氏硬度为1300以上。 | ||||||
| 52 | 用于生产陶瓷复合部件的方法 | CN201380015742.5 | 2013-03-15 | CN104203523B | 2016-03-30 | C.D.克莱诺 |
| 一种用于生产包括陶瓷材料的部件的方法。该方法涉及到利用在陶瓷材料的前体中包含增强材料的层片形成部件的第一区域。所述层片包括处于至少第二组层片与第三组层片之间的至少第一组层片。随后将第二组层片的远侧部分与第三组层片的远侧部分折叠远离所述第一组层片，使得它们被横向于所述第一组层片取向。随后使第四组层片在所述第二组层片的折叠后的远侧部分和所述第三组层片的折叠后的远侧部分之中交错。 | ||||||
| 53 | 氧化物系陶瓷电路基板的制造方法以及氧化物系陶瓷电路基板 | CN201280037799.0 | 2012-07-26 | CN103717552B | 2016-01-06 | 那波隆之; 佐藤英树; 星野政则; 小森田裕 |
| 本发明涉及一种氧化物系陶瓷电路基板的制造方法，其是通过在氧化物系陶瓷基板上配置铜板而形成层叠体的工序、以及加热所得到的层叠体的工序，从而将氧化物系陶瓷基板和铜板一体接合而成的氧化物系陶瓷电路基板的接合方法，其特征在于，所述加热的工序具有：在1065～1085℃之间有加热温度的极大值的第一加热区域对层叠体进行加热的工序，接着在1000～1050℃之间有加热温度的极小值的第二加热区域对层叠体进行加热的工序，进而在1065～1120℃之间有加热温度的极大值的第三加热区域对层叠体进行加热而形成接合体的工序；之后在冷却区域将该接合体冷却。根据所述构成，可以得到耐热循环（TCT）特性优良的氧化物系陶瓷电路基板。 | ||||||
| 54 | 功率模块用基板、自带金属部件的功率模块用基板、自带金属部件的功率模块、功率模块用基板的制造方法、以及自带金属部件的功率模块用基板的制造方法 | CN201380067988.7 | 2013-12-20 | CN104885214A | 2015-09-02 | 西元修司; 长友义幸 |
| 本发明所涉及的功率模块用基板具备绝缘层(11)、形成于该绝缘层的第一面的电路层(12)、以及形成于所述绝缘层的第二面的金属层(13)，在所述金属层中的与配设有所述绝缘层的面相反侧的一面上，层叠有第一基底层(20)，所述第一基底层具有在与所述金属层的界面所形成的第一玻璃层、以及层叠于该第一玻璃层的第一Ag层。 | ||||||
| 55 | 自带散热器的功率模块用基板、自带冷却器的功率模块用基板以及功率模块 | CN201380016914.0 | 2013-03-29 | CN104205325A | 2014-12-10 | 长友义幸; 黑光祥郎 |
| 本发明的自带散热器的功率模块用基板，具备：功率模块用基板(10)，具有陶瓷基板(11)、电路层(12)及金属层(13)；及散热器(18)，通过焊料层(17)而与金属层(13)接合，并且由铜或铜合金构成。金属层(13)通过Al含量为99.0质量％以上且99.85质量％以下的铝板接合于陶瓷基板(11)而形成，焊料层(17)由固溶硬化型焊材形成，该固溶硬化型焊材含有作为主成分的Sn及固溶于该Sn的母相中的固溶元素。 | ||||||
| 56 | 功率模块用基板及其制造方法 | CN201380015335.4 | 2013-03-27 | CN104170077A | 2014-11-26 | 长濑敏之; 北原丈嗣; 村中亮 |
| 本发明提供一种减少接合部的微小空隙来防止发生剥离的功率模块用基板及其制造方法。所述功率模块用基板在陶瓷基板的至少一面通过钎焊接合由铝或铝合金构成的金属板而成，在自金属板的侧边至200μm宽度的区域内用扫描型电子显微镜以3000倍率的视场观察自金属板与陶瓷基板的接合界面至5μm深度范围内的金属板的截面时，沿着接合界面连续存在2μm以上的连续残留氧化物的总计长度相对于视场长度为70％以下。 | ||||||
| 57 | 接合材料和接合构造体 | CN201410044836.1 | 2014-02-07 | CN104072187A | 2014-10-01 | 儿玉一宗; 内藤孝; 藤枝正; 泽井裕一; 青柳拓也; 宫城雅德 |
| 本发明提供接合材料和接合构造体。本发明解决的技术问题是不进行金属化处理，而在软钎料程度的处理温度下接合陶瓷、半导体、玻璃等基材。接合构造体中，多种基材通过接合层接合，而且至少一种基材为陶瓷、半导体和玻璃中的任一种基材，接合材料层包含金属和氧化物，氧化物含有V和Te，氧化物存在于金属与基材之间。接合材料为：包含氧化物玻璃、金属颗粒和溶剂的膏状，该氧化物玻璃的成分中含有V和Te；或者埋入有氧化物玻璃的颗粒的箔状或板状，该氧化物玻璃的成分中含有V和Te；或者包含氧化物玻璃的层和金属的层的箔状或板状，该氧化物玻璃的成分中含有V和Te。 | ||||||
| 58 | 氧化物系陶瓷电路基板的制造方法以及氧化物系陶瓷电路基板 | CN201280037799.0 | 2012-07-26 | CN103717552A | 2014-04-09 | 那波隆之; 佐藤英树; 星野政则; 小森田裕 |
| 本发明涉及一种氧化物系陶瓷电路基板的制造方法，其是通过在氧化物系陶瓷基板上配置铜板而形成层叠体的工序、以及加热所得到的层叠体的工序，从而将氧化物系陶瓷基板和铜板一体接合而成的氧化物系陶瓷电路基板的接合方法，其特征在于，所述加热的工序具有：在1065～1085℃之间有加热温度的极大值的第一加热区域对层叠体进行加热的工序，接着在1000～1050℃之间有加热温度的极小值的第二加热区域对层叠体进行加热的工序，进而在1065～1120℃之间有加热温度的极大值的第三加热区域对层叠体进行加热而形成接合体的工序；之后在冷却区域将该接合体冷却。根据所述构成，可以得到耐热循环（TCT）特性优良的氧化物系陶瓷电路基板。 | ||||||
| 59 | 陶瓷接合体、陶瓷加热器以及气体传感器 | CN200910180641.9 | 2009-10-26 | CN101723699B | 2013-11-20 | 樱井喜久男; 桑山友广 |
| 本发明提供一种陶瓷接合体、陶瓷加热器以及气体传感器。其目的在于提供一种能够抑制陶瓷基体与连接端子的分离的技术。本发明利用一种包括在长度方向上延伸的陶瓷基体、设于陶瓷基体的表面上的电极焊盘、与外部电路电连接的连接端子以及用于接合电极焊盘与连接端子的接合部。在此，电极焊盘包括与陶瓷基体接触的第1层和层叠在第1层上且与接合部接触的第2层。在第1层中，上述第1层所含有的上述陶瓷基体的陶瓷材料的含量(重量％)大于上述第2层中的含量。第1层的轮廓在整周上处于第2层的轮廓的外侧。 | ||||||
| 60 | 绝缘基板及其制造方法 | CN200980110544.0 | 2009-03-19 | CN101981692B | 2012-11-21 | 采野大介; 久幸晃二 |
| 一种绝缘基板(1)，其包括：电绝缘层(2)、形成于电绝缘层(2)的一面并且由导电材料粉末的放电等离子烧结体形成的配线层(3)、和形成于电绝缘层(2)的另一面且由合金粉末或构成金属复合材料的混合粉末的放电等离子烧结体形成的应力缓和层(4)。配线层(3)由从Al粉末、Cu粉末、Ag粉末和Au粉末中选出的1种粉末的放电等离子烧结体形成。应力缓和层(4)由从Al-Si合金粉末、Cu粉末与Mo粉末的混合粉末、Cu粉末与W粉末的混合粉末、Al粉末与SiC粉末的混合粉末以及Si粉末与SiC粉末的混合粉末中选出的1种粉末的放电等离子烧结体形成。根据该绝缘基板，可以得到可防止散热性能的降低、并且实现耐久性的提高的功率模块。 | ||||||
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