1.一种从光掩模坯料制造光掩模的方法，该光掩模坯料包括透明衬底以及位于其上的遮光膜，遮光膜由含有过渡金属的硅基材料制成的上层和下层构成，至少上层含有氧和/或氮，上层中的氧和氮的总含量比下层中的氧和氮的总含量高，所述方法包括：
第一阶段的蚀刻步骤，使用形成在遮光膜上的抗蚀图作为蚀刻掩模，用氟基蚀刻剂气体干法蚀刻遮光膜，用于仅移除全部上层、或者全部上层以及位于远离透明衬底的下层的部分，使得位于邻近透明衬底的下层的至少一部分得到保留，以及
第二阶段的蚀刻步骤，使用含氧的氯基蚀刻剂气体干法蚀刻遮光膜，以移除通过第一阶段蚀刻步骤未移除的遮光膜的剩余部分，由此将遮光膜处理成所需图案，其中所述光掩模坯料满足：上层材料具有氮和氧总含量C1，且下层材料具有氮和氧总含量C2，以mol％计，这些总含量之差(C1-C2)至少为5，
第二阶段的蚀刻步骤包括用氧与氯摩尔比为0.001-1的含氧的氯基蚀刻剂气体来干法蚀刻。
2.权利要求1中的方法，其中通过溅射沉积上层和下层，同时在沉积期间控制反应气体，使得上层比下层具有更高的氧和氮总含量。
3.权利要求1中的方法，其中通过氧化处理遮光膜的邻接表面的部分形成上层和下层，使得处理过的部分比剩余部分具有更高的氧和氮总含量，处理过的部分和剩余部分分别成为上层和下层。
4.权利要求1中的方法，其中含有过渡金属的硅基材料是含有过渡金属、硅、以及氧和/或氮的材料，或者含有过渡金属和硅且既不含氧也不含氮的材料。
5.权利要求1中的方法，其中过渡金属是选自钛、钒、钴、镍、锆、铌、钼、铪、钽、及钨的至少一种元素。
6.权利要求1的方法，其中过渡金属是钼。