例如，光刻设备能够被用在集成电路(IC)的制造中。在这样的情况下，掩 模可以包含对应于单个IC层的电路图案，并且该图案能够被成像到已经涂覆有 一层辐射敏感材料(抗蚀剂)的衬底(硅晶片)上的目标部分(例如，包括一个 或多个管芯)上。通常，单个晶片包含相邻目标部分的整个网络，这些相邻目标 部分经由投影系统被每次一个地连续辐射。在一种类型的光刻投影设备中，通过 一次地将整个掩模图案曝光在目标部分上来对每个目标部分进行辐射；这样的设 备通常被称作步进式晶片曝光机(wafer stepper)。在一种通常被称作步进-扫描 设备的替代设备中，通过在投影辐射束下以给定参考方向(“扫描”方向)渐进 地扫描掩模图案并同时与所述参考方向平行或反向平行地扫描衬底台来辐射每 个目标部分。通常，由于投影系统将具有放大系数M(通常＜1)，所以扫描所述 衬底台的速度V将是扫描掩模台的速度的M倍。例如，关于这里所描述的光刻 设备的更多信息能够得自US6046792，其在此以引入的方式并入本文中。
在使用光刻投影设备的制造工艺中，掩模图案被成像在至少部分地覆盖有一 层辐射敏感材料(抗蚀剂)的衬底上。在该成像步骤之前，衬底可以经历各种工 序，例如涂底涂层(priming)、涂覆抗蚀剂和软烘烤。在曝光之后，衬底可以经 历其它工序，例如曝光后烘烤(PEB)、显影、硬烘烤和成像特征的测量/检查。 这一组工序被用作形成器件的一个单独的层(例如，IC)的图案的基础。这种图 案化的层接着可以经历各种过程，例如蚀刻、离子注入(掺杂)、金属化、氧化、 化学机械抛光等，所有这些都是为了完成单个层。如果需要多个层，则必须对每 个新的层重复整个工序或其变体。最后，将在衬底(晶片)上呈现一组器件。接 着，将通过诸如切片或锯割之类的技术将这些器件彼此分离，由此能够将单个器 件安装到载体上，连接到管脚，等等。
出于简要的目的，所述投影系统在此后可以被称作“透镜”；然而，该术语 应当被宽泛地解释为包含各种类型的投影系统，例如，包括折射式光学系统、反 射式光学系统和反射折射式系统。辐射系统也可以包括根据这些设计类型中的任 何类型进行操作以便引导、整形或控制辐射束的投影的部件，并且这些部件也可 以在下文(统一地或单独地)被称作“透镜”。此外，所述光刻设备可以是具有 两个或更多个衬底台(和/或两个或更多个掩模台)的类型。在这样的“多台” 装置中，可以并行使用附加台，或者可以在一个或多个台上执行预备步骤而一个 或多个其它台被用于曝光。例如，在US5969441中描述了双台光刻装置，其在 此以引用的方式并入本文中。
以上提到的光刻掩模包括对应于待集成到硅片上的电路部件的几何图案。用 来创建这样的掩模的图案利用CAD(计算机辅助设计)程序生成，该过程通常 被称作EDA(电子设计自动化)。大多数CAD程序遵循一组为了形成功能性掩 模而预先确定的设计规则。这些规则由处理和设计限制所设定。例如，设计规则 限定电路器件(例如栅极、电容等)或互连线之间的间隔容许量，从而确保所述 电路器件或线不会以不希望的方式彼此相互作用。典型地，这些设计规则限制被 称作“临界尺寸”(CD)。电路的临界尺寸能够被定义为线或孔的最小宽度，或 者两条线路或两个孔之间的最小间隔。这样，CD确定所设计电路的整体尺寸和 密度。
当然，集成电路制造的一个目标是(经由掩模)在晶片上忠实再现原始电路 设计。随着目标图案的临界尺寸日益减小，在晶片上再现目标图案变得愈发困难。 然而，存在公知的技术，其考虑减小能够在晶片上成像或再现的最小CD。一种 这样的技术是双重曝光技术，其中目标图案的特征在两次独立的曝光中成像。
一种这样的技术被称作双重图案化技术，其允许将给定目标图案的特征分离 到两个不同的掩模中并接着独立成像来形成所需的图案。典型地，这样的技术在 目标特征在一起的间隔很小，以至于不可能对单个特征进行成像时得以利用。在 这样的情形下，如所提到的，目标特征被分离到两个掩模中，以致给定掩模上的 所有特征彼此间隔足够远，以使得可以对每个特征独立成像。接着，通过以顺序 的方式(利用适当的遮蔽)对两个掩模进行成像，能够获得具有间隔紧密的特征 的目标图案，所述特征无法利用单个掩模正确地成像。
当利用双重图案化技术(DPT)时，设计中的多边形可能需要被分割为多个 多边形。这些多个多边形被随后分配到两个(或更多)的掩模之一以用于成像(该 分配过程也被称作着色)。当前的分裂/分割算法十分复杂和耗时。例如，基于规 则的分割算法已经得到利用，然而处理当今复杂设计所需的规则数量大得惊人。 此外，设计中经常出现没有对其定义规则的情形/冲突，并且这样的情况会导致 算法无法得到适当的结果。
本发明的目的是克服用于双重曝光技术的公知的分解过程中的这些缺陷。

考虑到上述内容，本发明的目标是通过提供一种用于将目标图案的特征分解 或分裂为可以独立成像的不同段(例如，通过使用多重照射过程中的多个掩模) 的分裂过程来克服公知的现有技术的缺陷。    
更具体地，本发明涉及一种将包含待在晶片上印制的特征的目标图案分解为 多个图案的方法。所述方法包括步骤：(a)限定表示在待成像的特征之间的最小 必需间隔的影响区域；(b)选择与目标图案的特征相关联的一个顶点；(c)确定 另一特征的边缘是否位于与所述顶点相关的影响区域内；以及(d)如果另一特 征的边缘位于所述影响区域内，则将所述另一特征分割为两个多边形。
本发明提供了优于现有技术的重要优势。最重要的是，本发明提供了简单而 有效的分裂过程以用于将目标图案的特征分解为不同多边形，其消除了与现有技 术中基于规则的分裂过程相关联的问题。
通过以下对本发明的示例性实施例的详细描述，本发明的其它优势对于本领 域技术人员将变得显而易见。
虽然本文特别涉及了将本发明用于IC制造，但是应当明确理解的是，本发 明具有许多其它的可能应用。例如，它可以应用于集成光学系统、磁畴存储器的 引导和检测图案、液晶显示面板、薄膜磁头等的制造。本领域技术人员应当理解， 在这些可选应用的背景下，应当认为本文中所使用的任何术语“掩模版”、“晶片” 或“管芯”可以分别由更一般性的术语“掩模”、“衬底”和“目标部分”所代替。
通过参考以下的详细描述和附图，本发明本身及其进一步的目的和优势能够 被更好的理解。

图1是本发明的分裂过程的示例性流程图，所述分裂过程被用来将目标图案 分解为多个段，所述多个段随后被着色并用于多重照射过程中；
图2-10示出将本发明的分裂过程应用于示例性目标图案的第一示例；
图11-17示出将本发明的分裂过程应用于示例性目标图案的第二示例；
图18-24示出将本发明的分裂过程应用于示例性目标图案的第三示例；
图25是能够实现本发明的分裂过程的计算机系统的框图；
图26示意性地示出适用于借助于所公开概念而设计的掩模的示例性光刻投 影设备。

本发明的图案分裂过程提供了一种用于将目标图案的多边形分割为多个多 边形的方法，所述多个多边形随后在DPT过程中被着色。如以下进一步的详细 描述，所述方法通过分裂由图案的负相区中的凸出顶点所形成的边缘、以及通过 分裂目标图案的正相区中的凹陷顶点所形成的边缘，来将单个多边形分割为多个 多边形。所述分裂过程需要从每个顶点延伸射线(或向量)，直至所述射线与另 一顶点或边缘相交。如果相邻多边形位于具有发出所述射线的顶点的影响区域 (ROI)内，则该相交可导致在所述相邻多边形中的分割。以下给出确定是否分 割给定多边形的过程。需要注意的是，所述目标图案优选地以数据格式(例如 “gds”，其为标准数据格式)来描述。然而，也可以采用任何其它适合的数据格 式。
图1是本发明的分裂过程的示例性流程图，所述分裂过程用于将目标图案分 解为多个段。参考图1，所述过程中的第一步骤(步骤10)是从目标图案中的特 征的给定顶点延伸边缘(即，射线或向量)，直至该射线与另一个特征的边缘或 顶点相交，从而形成一个段。换句话说，步骤10需要计算从开始顶点到相邻顶 点或边缘的相交点的段的长度。
接着，在下一个步骤(步骤12)中，在步骤10中所形成的段被分为两半， 并在所述段的中间放置点。从这个点开始，与该段垂直地生成/绘制与所定义的 影响区域(ROI)长度相等的另一条射线或向量。必要地，该ROI定义特征间的 最小必需间隔以允许特征被成像在同一掩模上。优选地，以光学方式设定所述 ROI，并且例如将其设定为k1λ/NA，其中k1是在单次曝光上印制特征的k1的最 小值(典型地，大于k1＞0.31)，λ是与照射源相关联的波长，且NA是数值孔径。 通过以光学方式设定ROI，确保将不会在同一次曝光上出现小于ROI(或在ROI 内)的相邻边缘。
回到图1，所述过程中的下一个步骤(步骤14)将确定从所述段中间延伸的 射线是否与另一边缘相交。如果从所述段中间延伸的射线不与另一边缘相交，则 因为该射线不导致相邻特征/多边形中的分割而忽略该射线，并且所述过程进行 至步骤24，以确定目标图案中是否有任何其它顶点需要处理。如果没有其它顶 点需要处理，则分裂过程完成。
然而，如果所述射线与另一边缘相交，其意味着所述另一边缘位于与初始特 征相关的ROI内，则所述过程进行至步骤16并且将新的顶点置于所述射线与所 述边缘相交的位置上的边缘上。该边缘对应于目标图案中的相邻特征/多边形。
接下来，在步骤18中，从新放置的顶点(继续以相同的方向)延伸所述射 线，直至其与另一边缘相交，这将是所述新放置顶点所在的相同多边形的边缘。 在该相交点放置另外的新顶点。接下来，在步骤20中，将两个新放置的顶点连 接在一起，从而将所述多边形/特征分割为两个多边形，所述两个多边形共享由 所述射线形成的边缘。需要注意的是，在后续的着色过程中，这两个新形成的多 边形可以被分配给不同的颜色(从而用于不同的掩模)。
如所提到的，除形成两个多边形之外，还形成两个新的顶点。在下一个步骤 (步骤22)中，从新创建的最后一个顶点开始，所述射线以与ROI相等的长度 在相同方向继续投射，并且所述处理返回步骤14并重复上述过程步骤。需要注 意的是，一旦对一个顶点的两个延伸均进行了估计，则在进一步的考虑中去除所 述顶点。
图2-10示出将上述分裂过程应用于示例性目标图案的第一示例。图2示出 具有三个多边形/特征201、202和203的示例性目标图案。选择所述目标图案的 第一顶点204。如以上所述，在上述过程中对目标图案的特征所形成的所有顶点 进行处理/分析。这能够通过以从右至左的方式对目标图案中所包含的特征(以 及其中所包含的顶点)进行处理来实现。然而，其它方法也是可以接受的。
图3示出步骤10和12的过程，其中从顶点204的边缘延伸段301直至所述 段与另一边缘或顶点相交，在该示例中这是与特征202相关联的顶点。接着，生 成射线302，它从段301的中点开始以与ROI相等的距离在两个方向上延伸。如 图3所示，射线302不接触由ROI限定的距离内的任何边缘，从而无需对于顶点 204进行进一步的动作，并且所述过程进行至分析下一个顶点，即顶点205。
关于顶点205的处理，以同样的方式，从顶点205的边缘延伸段401直至所 述段与另一边缘或顶点相交，在该示例中这是与特征202相关联的顶点。接着， 生成射线402，它从所述段的中点开始以与ROI相等的距离在两个方向中延伸。 如图4所示，射线402接触与由ROI限定的距离内的特征203相关联的边缘。根 据该过程，如图5所示，将顶点405置于相交点位置，并且接着沿相同的方向延 伸所述射线直至其与另一边缘相交，所述另一边缘也形成多边形203的一部分。 如图6所示，将另一顶点505置于该相交点的位置。接着，如图7所示，由边缘 801连接两个新形成的顶点405和505，从而形成两个不同的多边形203a和203b。 接着，如图8所示，从顶点505开始以与ROI相等的距离进一步延伸所述射线， 并且重复前述过程。在给定示例中，所延伸的射线不与任何其它多边形相交，所 以所述过程完成并且结果为目标图案的三个原有多边形/特征已经被分裂为如图 9所示的四个多边形，其中的每一个可以在随后的着色过程中单独着色。图10 示出用于所述四个多边形的一种可能的着色方案。
图11-17示出根据前述方法分裂目标图案的第二示例。图11的目标图案包 括四个特征/多边形110、112、114和116。如图11所示，应用分裂过程，射线 113与预定ROI内的多边形114相交，这导致多边形114如图12和13所示，被 分割为两个多边形114a和114b。所述射线从添加到多边形114的第二顶点以ROI 的距离向多边形116的方向进一步延伸。如图13所示，所述射线还与多边形116 相交。应用分裂过程，将导致多边形116如图14所示被分割为两个多边形。由 于没有其它的特征，所以如图15所示，所述射线超出多边形116的进一步延伸 不会与其它特征相交。分裂结果如图16所示，其中示出了六个不同的多边形110、 112、114a、114b、116a和116b。图17示出用于所述六个多边形的一种可能的 着色方案。
图18-24示出图11-17所示的示例的变化形式。特别地，目标图案的最初 的三个特征110、112和114与图11示出的最初的三个特征相同，并且因此，以 相同的方式对这些多边形进行分裂。然而，如该示例所示，特征120位于与特征 114相关的ROI之外。这样，所述分裂过程不分割特征120而特征120可以被分 配到任一着色机制。图18-24示出对该目标图案应用的分裂过程。如图22所示， 特征120位于与特征114相关的ROI之外，并且由此不对特征120进行分裂。图 23示出最终分裂结果，而图24示出用于被分裂的图案的一种可能的着色方案。
注意到，前述分裂算法被应用于目标图案的所有顶点。而且，所有的顶点(即， 凸出和凹陷)被同等对待。对于触发从顶点形成射线，没有选择标准。如果顶点 所形成的射线在多边形内相交，则形成多个多边形。例如，位于顶点附近的大型 连接垫(landing pad)类型的多边形能够被分为多个多边形。如果在大型多边形 附近存在许多顶点，则事实上可以形成棋盘类型的图案。在段形成步骤期间，射 线还从给定顶点沿着水平和垂直方向延伸。还注意到，创建顶点的边缘中所包括 的小凹凸部分(jog)能够被忽略或被包括在其中以形成多边形。如果所述由凹 凸部分形成的边缘具有小于ROI数量级(k1λ)/(10NA)的长度，则认为所述 凹凸部分所形成的顶点是小的。
如以上所提到的，在通过分裂过程形成多边形之后应用着色算法。着 色算法将设计分割为多次曝光(即，分立的掩模)。该着色算法可以利用 基于规则的方法或基于模型的方法来实现。然而，所述着色算法应当将多 边形集合在一起以用于每次曝光，即，将这些多边形融合在一起以用于每 次曝光。进行所述集合以使得用于一次曝光的多边形的边缘与尽可能多的 其它多边形中的边缘相邻近。通过将多个曝光上的边缘的相交点最小化来 解决着色冲突。在数学上，应当满足以下标准：
min{Ai∩Bi}，其中A为曝光1中的边缘，B为曝光2中的边缘。
当仅有两个曝光时，上述标准服从两个约束：
1.当i≠j时，总有(Aj-Ai≠j)＞ROI，其中A是曝光1的边缘，和
2.当i≠j时，总有(Bj-Bi≠j)＞ROI，其中B是曝光2的边缘。
上述标准可以被延伸为包括多于两次的曝光。对于多于两个的曝光而言，添 加另一个与边缘相交点的最小化类似的标准，以使得对于所有曝光来说曝光之间 的边缘数量被最小化。此外，对于比两次曝光每超出一次曝光，就添加与标准1 和2类似的另一个约束。
前述过程可能进行变化。例如，可能通过基于要被利用来对目标图案进行成 像的给定过程的仿真过程或实验数据来确定ROI。这样的仿真或实验数据还将表 示特征之间的最小允许间隔，所述最小允许间隔是对给定过程进行正确成像所必 需的。
如之前所提到的，本发明提供了优于现有技术的重要优势。最重要的是，本 发明提供了简单而有效的分裂过程以用于将目标图案的特征分解为不同多边形， 其消除了与现有技术中基于规则的分裂过程相关联的问题。
图25示出了能够实现上述分裂过程的计算机系统100的框图。计算机系统 100包括总线102或者用于传输信息的其它通信机制，以及与总线102连接的用 于处理信息的处理器104。计算机系统100还包括连接到总线102的主存储器 106，例如随机存取存储器(RAM)或其它动态存储装置，用于存储信息和待由 处理器104执行的指令。主存储器106还可以被用于存储在待由处理器104执行 的指令的执行期间的临时变量或其它中间信息。计算机系统100还包括连接到总 线102的只读存储器(ROM)108或其它静态存储装置，用于存储用于处理器 104的静态信息和指令。诸如磁盘或光盘之类的存储装置110被提供并被连接到 总线102以用来存储信息和指令。
计算机系统100可以经由总线102连接到用于向计算机用户显示信息的显示 器112，例如阴极射线管(CRT)或平板或触摸屏显示器。包括字母数字和其它 键的输入装置114连接到总线102，以用于将信息和命令的选择传输到处理器 104。另一种类型的用户输入装置是光标控制116，例如鼠标、轨迹球或光标方 向键，用于将方向信息和命令的选择传输到处理器104并控制光标在显示器112 上的移动。典型地，该输入装置具有沿着两个轴线(第一轴线(例如，x)和第 二轴线(例如，y))的两个自由度，其允许所述装置在平面中指定位置。触摸板 (屏)显示器也可以被用作输入装置。
根据本发明的一个实施例，可以由计算机系统100根据执行主存储器106 中包含的一个或多个指令的一个或多个序列的处理器104来实现所述着色过程。 这样的指令可以从另一个计算机可读介质(例如存储装置110)读入主存储器106。 执行主存储器106中所包含的指令序列使得处理器104实现这里所述的处理步 骤。多处理配置中的一个或多个处理器也可以被用来执行主存储器106中所包含 的指令序列。在可选实施例中，可以使用硬接线电路取代软件指令或者与软件指 令相结合来实现本发明。因此，本发明的实施例并不局限于任何硬件电路和软件 的特定组合。
这里所使用的术语“计算机可读介质”是指参与向处理器104提供指令以供 其执行的任意介质。这样的介质可以采用许多形式，包括非易失性媒体、易失性 媒体和传输媒体，但并不局限于此。例如，非易失性媒体包括光盘或磁盘，如存 储装置110。易失性媒体包括动态存储器，如主存储器106。传输媒体包括同轴 电缆、铜线和光纤，包括包含总线102的线路。传输媒体还可以采用声波或光波 的形式，例如在射频(RF)和红外(IR)数据通信过程中所生成的声波或光波。   例如，计算机可读介质的一般形式包括软盘、软碟、硬盘、磁带、任意其它磁介 质、CD-ROM、DVD、任意其它光学介质、穿孔卡片、纸带、具有穿孔图案的 任意其它物理介质、RAM、PROM、和EPROM、FLASH-EPROM、任意其它存 储器芯片或模块、如此后所描述的载波、或者计算机能够从其读取的任意其它介 质。
各种形式的计算机可读介质被用来承载供处理器104执行的一个或多个指 令的一个或多个序列。例如，所述指令最初可以生成于远程计算机的磁盘上。所 述远程计算机能够将所述指令加载到其动态存储器中，并且使用调制解调器通过 电话线路发送所述指令。计算机系统100的本地调制解调器能够在电话线路上接 收所述数据，并且使用红外传送器将数据转换为红外信号。与总线102连接的红 外检测器能够接收所述红外信号中携带的数据，并且将所述数据置于总线102 上。总线102将所述数据传递到主存储器106，处理器104从所述主存储器106 中提取并执行所述指令。由主存储器106所接收的指令可以根据情况在由处理器 104执行之前或之后存储在存储装置110上。
优选地，计算机系统100还包括连接到总线102的通信接口118。通信接口 118提供连接到网络链接120的双路数据通信，所述网络链接120连接到本地网 络122。例如，通信接口118可以是综合服务数字网(ISDN)卡或调制解调器， 所述ISDN卡或调制解调器用来提供与相应类型的电话线路的数据通信连接。如 另一个示例所示，通信接口118可以是用来提供到兼容局域网(LAN)的数据通 信连接的LAN卡。也可以实现无线链接。在任意这样的实施方式中，通信接口 118发送并接收携带表示各种类型信息的数字数据流的电、电磁或光信号。
典型地，网络链接120通过一个或多个网络将数据通信提供到其它数据装 置。例如，网络链接120可以提供通过本地网络122到主机计算机或者到由因特 网服务提供者(ISP)126所操作的数据设备的连接。ISP126接着通过全球分组 数据通信网络(现在一般称作“因特网”128)提供数据通信服务。本地网络122 和因特网128均使用携带数字数据流的电、电磁或光信号。通过各种网络的信号 以及在网络链接120上并通过通信接口118的信号(其携带来自和去往计算机系 统100的数字数据)是传送信息的载波的示例性形式。
计算机系统100能够通过(多个)网络、网络链接120和通信接口118发送 消息和接收数据，包括程序代码。在因特网示例中，服务器130可通过因特网 128、ISP126、局域网122和通信接口118传送应用程序请求的代码。例如，根 据本发明，一种这样的可被下载的应用提供实施例的照射优化。在代码被接收和 /或存储在存储装置110或其它非易失性存储器中以用于后续执行时，所接收的代 码可以被处理器104执行。以这种方式，计算机系统100可以获得载波形式的应 用代码。
图26示意性地示出适用于借助于本发明而设计的掩模的光刻投影设备。所 述设备包括：
辐射系统Ex、IL，用于提供投影的辐射束PB。在该特定情况下，所述辐射 系统还包括辐射源LA；
第一载物台(掩模台)MT，提供有用于固定掩模MA(例如，掩模版)的 掩模保持器，并且连接到用于将所述掩模相对于PL准确定位的第一定位装置；
第二载物台(衬底台)WT，提供有用于固定衬底W(例如，涂覆抗蚀剂的 硅片)的衬底保持器，并且连接到用于将所述衬底相对于PL准确定位的第二定 位装置；
投影系统(“透镜”)PL(例如，折射式、反射式或反射折射式的光学系统)， 用于将掩模MA的被辐射的部分成像到衬底W的目标部分C(例如，包括一个 或多个管芯)上。
如这里所描述的，所述装置是透射型的(即，具有透射式掩模)。然而，通 常其还可以是例如反射型的(具有反射式掩模)。可选地，所述装置可以采用另 一种图案形成装置来代替掩模的使用；示例包括可编程反射镜阵列或LCD矩阵。
所述源LA(例如，汞灯或受激准分子激光器)产生辐射束。该辐射束直接 地或在穿过调节装置(例如，扩束器)后进入照射系统(照射器)IL。所述照射 器IL可以包括调整装置AM，所述调整装置AM用于设定所述辐射束中强度分 布的外部和/或内部径向范围(通常分别被称作σ-外部和σ-内部)。此外，其通 常将包括各种其它部件，例如积分器IN和聚光器CO。以这种方式，照射到掩模 MA上的辐射束PB在其横截面中具有所需的均匀性和强度分布。
关干图26需要注意的是，所述源LA可以位于所述光刻投影设备的外壳内 (例如，当所述源LA为汞灯时经常出现的情况)，但是其也可以远离所述光刻 投影设备，由所述源LA产生的辐射束被导入所述设备(例如，借助于适当的引 导镜)；后者的该情形是当所述源LA为受激准分子激光器(例如，基于KrF、 ArF或F2激光)时经常出现的情况。本发明包含这两种情形。
辐射束PB随后截取保持在掩模台MT上的掩模MA。穿过掩模MA后，辐 射束PB经过透镜PL，其将辐射束PB聚焦到衬底W的目标部分C上。例如， 借助于所述第二定位装置(和干涉仪测量装置IF)，衬底台WT能够准确移动从 而将不同的目标部分C定位在辐射束PB的辐射路径中。类似地，例如，所述第 一定位装置能够被用来在从掩模库机械地获取掩模MA之后或者在扫描期间相 对于辐射束PB的辐射路径准确定位掩模MA。通常，载物台MT、WT的移动 将借助于长程模块(粗定位)和短程模块(精定位)来实现，这在图26中没有 明确描述。然而，在步进式晶片曝光机(与步进-扫描工具相反)的情况下，掩 模台MT可以仅被连接到短程致动器或被固定。
所描述的工具可以以两种不同的模式使用：
在步进模式中，掩模台MT基本上保持固定，并且整个掩模图像被一次投 影(即，单次“闪光”)到目标部分C上。衬底台WT接着在x和/或y方向上移 动以使得不同的目标部分C能够被辐射束PB所辐射。
在扫描模式中，除给定目标部分C不在单次“闪光”中曝光之外，基本上 呈现相同情形。替代地，掩模台MT能够以速度v在给定方向(所谓的“扫描方 向”，例如y方向)上移动，以使得投影辐射束PB在掩模图像上进行扫描；与此 同时，衬底台WT同时以速度V＝Mv在相同或相反方向上移动，其中M是透镜 PL的放大倍率(典型地，M＝1/4或1/5)。以这种方式，可以对相对大的目标部 分C进行曝光，而无需造成分辨率的损失。
虽然已经详细描述和说明了本发明，但是同样要清楚理解的是，其仅仅是以 说明和示例的方式进行而并非以限制的方式进行，本发明的保护范围仅由所附权 利要求的条款来限定。
相关申请
本申请要求于2006年11月14日提交的美国专利申请Ser.No.60/858702的 优先权，所述专利申请在此以引用的方式整体并入本文中。